JP2752643B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2752643B2 JP2752643B2 JP20534588A JP20534588A JP2752643B2 JP 2752643 B2 JP2752643 B2 JP 2752643B2 JP 20534588 A JP20534588 A JP 20534588A JP 20534588 A JP20534588 A JP 20534588A JP 2752643 B2 JP2752643 B2 JP 2752643B2
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- Japan
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- semiconductor wafer
- silicon compound
- compound solution
- semiconductor device
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に酸化シリ
コン膜の形成方法に関する。
コン膜の形成方法に関する。
従来、半導体装置の製造工程において、半導体ウエハ
ー上に酸化シリコン膜（以下シリカ膜と記す）を形成す
るには、シリコン化合物溶液を半導体ウエハー上に滴下
し、半導体ウエハーを回転させることにより、シリコン
化合物溶液を半導体ウエハー表面にひきのばし、その後
200〜1000℃の熱処理によりシリカ膜を半導体ウエハー
表面に形成する方法が主に用いられていた。
ー上に酸化シリコン膜（以下シリカ膜と記す）を形成す
るには、シリコン化合物溶液を半導体ウエハー上に滴下
し、半導体ウエハーを回転させることにより、シリコン
化合物溶液を半導体ウエハー表面にひきのばし、その後
200〜1000℃の熱処理によりシリカ膜を半導体ウエハー
表面に形成する方法が主に用いられていた。
上述した従来のシリカ膜形成方法では、半導体ウエハ
ーの周辺部にもシリコン化合物溶液の膜が形成されてい
るため、熱処理時に半導体ウエハーを支持する治具と半
導体ウエハー周辺部の接触により、接触部に付着してい
たシリコン化合物の成分がパーティクルとなって放出さ
れる。そして、このパーティクルが半導体ウエハー表面
に再付着し、不良の原因となるため、高い良品歩留が得
られないという欠点があった。
ーの周辺部にもシリコン化合物溶液の膜が形成されてい
るため、熱処理時に半導体ウエハーを支持する治具と半
導体ウエハー周辺部の接触により、接触部に付着してい
たシリコン化合物の成分がパーティクルとなって放出さ
れる。そして、このパーティクルが半導体ウエハー表面
に再付着し、不良の原因となるため、高い良品歩留が得
られないという欠点があった。
〔課題を解決するための手段〕 本発明の半導体装置の製造方法は、回転塗布法により
シリコン化合物溶液を半導体ウエハー上に塗布し、熱処
理して酸化シリコン膜を形成する半導体装置の製造方法
において、シリコン化合物溶液を塗布したのち、半導体
ウエハー周辺部のウエハー表面および裏面から除去液を
あてることで、この半導体ウエハー周辺部のシリコン化
合物溶液膜を除去するものである。
シリコン化合物溶液を半導体ウエハー上に塗布し、熱処
理して酸化シリコン膜を形成する半導体装置の製造方法
において、シリコン化合物溶液を塗布したのち、半導体
ウエハー周辺部のウエハー表面および裏面から除去液を
あてることで、この半導体ウエハー周辺部のシリコン化
合物溶液膜を除去するものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例を説明する
ための工程順に示した半導体ウエハー近傍の断面図であ
る。
ための工程順に示した半導体ウエハー近傍の断面図であ
る。
まず第１図（ａ）に示すように、回転チャック３に半
導体ウエハー１を固定したのち、半導体ウエハー１の中
央部にシリコン化合物溶液を滴下する。次で回転チャッ
ク３を回転させ、遠心力でシリコン化合物溶液をウエハ
ー面内に均一に引きのばす。この時余分なシリコン化合
物溶液は半導体ウエハー１の外に飛ばされるが、シリコ
ン化合物溶液膜２は半導体ウエハー１の周辺部及び端部
にも形成される。
導体ウエハー１を固定したのち、半導体ウエハー１の中
央部にシリコン化合物溶液を滴下する。次で回転チャッ
ク３を回転させ、遠心力でシリコン化合物溶液をウエハ
ー面内に均一に引きのばす。この時余分なシリコン化合
物溶液は半導体ウエハー１の外に飛ばされるが、シリコ
ン化合物溶液膜２は半導体ウエハー１の周辺部及び端部
にも形成される。
次に第１図（ｂ）に示すように、回転する半導体ウエ
ハー１の周辺部に、ノズル4A,4Bからシリコン化合物溶
液膜の除去液をあてて、周辺部及び端部のシリコン化合
物溶液膜の除去を行う。この除去液としてはフッ酸を含
む酸またはアルコールが適当である。
ハー１の周辺部に、ノズル4A,4Bからシリコン化合物溶
液膜の除去液をあてて、周辺部及び端部のシリコン化合
物溶液膜の除去を行う。この除去液としてはフッ酸を含
む酸またはアルコールが適当である。
このようにして周辺部のシリコン化合物溶液膜が除去
された半導体ウエハー１を第２図に示すように、ウエハ
ー支持治具５に立てて、O2またはH2Oの雰囲気通で200〜
1000℃の熱処理を行なう。この工程でシリカ成分以外の
溶剤は蒸発し、 Si（OH）４→SiO2＋2H2O↑ の化学反応でシリカ膜が形成される。この熱処理工程で
半導体ウエハー１の周辺部とウエハー支持治具５とが接
触するが、半導体ウエハー１の周辺部のシリコン化合物
溶液膜はあらかじめ除去されついるので、従来のように
シリカ成分がパーティクルとなって放出されることはな
くなる。従って従来の方法に比べ高い良品歩留を得るこ
とができる。
された半導体ウエハー１を第２図に示すように、ウエハ
ー支持治具５に立てて、O2またはH2Oの雰囲気通で200〜
1000℃の熱処理を行なう。この工程でシリカ成分以外の
溶剤は蒸発し、 Si（OH）４→SiO2＋2H2O↑ の化学反応でシリカ膜が形成される。この熱処理工程で
半導体ウエハー１の周辺部とウエハー支持治具５とが接
触するが、半導体ウエハー１の周辺部のシリコン化合物
溶液膜はあらかじめ除去されついるので、従来のように
シリカ成分がパーティクルとなって放出されることはな
くなる。従って従来の方法に比べ高い良品歩留を得るこ
とができる。
以上説明したように本発明は、半導体ウエハー上にシ
リコン化合物溶液を塗布したのち、熱処理する前に半導
体ウエハー周辺部のシリコン化合物溶液膜を除去するこ
とにより、熱処理工程でウエハー支持治具との接触によ
りシリカ成分がパーティクルとなって放出されることが
なくなるため、歩留の向上した半導体装置が得られる。
リコン化合物溶液を塗布したのち、熱処理する前に半導
体ウエハー周辺部のシリコン化合物溶液膜を除去するこ
とにより、熱処理工程でウエハー支持治具との接触によ
りシリカ成分がパーティクルとなって放出されることが
なくなるため、歩留の向上した半導体装置が得られる。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例を説明するた
めの半導体ウエハー近傍の断面図、第２図は熱処理時の
半導体ウエハーとウエハー支持治具の断面図である。 １……半導体ウエハー、２……シリコン化合物溶液膜、
３……回転チャック、4A、4B……ノズル、５……ウエハ
ー支持治具。
めの半導体ウエハー近傍の断面図、第２図は熱処理時の
半導体ウエハーとウエハー支持治具の断面図である。 １……半導体ウエハー、２……シリコン化合物溶液膜、
３……回転チャック、4A、4B……ノズル、５……ウエハ
ー支持治具。
Claims (1)
- 【請求項１】回転塗布法によりシリコン化合物溶液を半
導体ウエハー上に塗布し、熱処理して酸化シリコン膜を
形成する半導体装置の製造方法において、シリコン化合
物溶液を塗布したのち、半導体ウエハー周辺部のウエハ
ー表面および裏面から除去液をあてることで、前記半導
体ウエハー周辺部のシリコン化合物溶液膜を除去するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20534588A JP2752643B2 (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20534588A JP2752643B2 (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0252431A JPH0252431A (ja) | 1990-02-22 |
| JP2752643B2 true JP2752643B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=16505352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20534588A Expired - Lifetime JP2752643B2 (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2752643B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2003246171A1 (en) * | 2002-07-08 | 2004-01-23 | Tokyo Electron Limited | Processing device and processing method |
| RU2475368C2 (ru) | 2008-04-30 | 2013-02-20 | Бриджстоун Корпорейшн | Покрышка, изготовленная с использованием каучуковой композиции, содержащей модифицированный полимер |
| CN102459445B (zh) | 2009-04-28 | 2014-02-05 | 株式会社普利司通 | 充气轮胎 |
| JP5545619B2 (ja) | 2009-07-22 | 2014-07-09 | 株式会社ブリヂストン | タイヤ |
| WO2011010665A1 (ja) | 2009-07-22 | 2011-01-27 | 株式会社ブリヂストン | 空気入りタイヤ |
-
1988
- 1988-08-17 JP JP20534588A patent/JP2752643B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0252431A (ja) | 1990-02-22 |
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