JPH03218014A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH03218014A JPH03218014A JP1415190A JP1415190A JPH03218014A JP H03218014 A JPH03218014 A JP H03218014A JP 1415190 A JP1415190 A JP 1415190A JP 1415190 A JP1415190 A JP 1415190A JP H03218014 A JPH03218014 A JP H03218014A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- oxide film
- semiconductor substrate
- water
- ipa
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造方法、特に半導体基板の乾燥
方法に関するものである。
方法に関するものである。
従来の技術
従来の半導体装置の製造方法の工程断面図を第２図に示
す。第２図（ａ）に示すようにシリコン基板１の上に酸
化膜２を形成した場合、この酸化膜２の厚い部分と薄い
部分の模厚の差が３０００Ａ程度になることがある。そ
の上にポリシリコン膜（２００ＯＡ）３が全面に被着し
ており、その表面に自然酸化膜４が約２０Ａ成長してい
る。この半導体基板をＨＦとＮＨ４Ｆの混合液で数十秒
洗浄して自然酸化膜４を除去し、比抵抗１ ６Ｍｏ ｈ
ｍ／ ｃ＋＋＋以上の純水で約２０分水洗した後、半導
体基板を水中から出すと、第２図（ｂ）に示すように水
滴５が酸化膜２の薄い部分に付着する。その後１１００
回転／分のスピンナーで約４分間回転させることにより
乾燥をおこなうと第２図（Ｃ）に示すようなシミ６が発
生する。
す。第２図（ａ）に示すようにシリコン基板１の上に酸
化膜２を形成した場合、この酸化膜２の厚い部分と薄い
部分の模厚の差が３０００Ａ程度になることがある。そ
の上にポリシリコン膜（２００ＯＡ）３が全面に被着し
ており、その表面に自然酸化膜４が約２０Ａ成長してい
る。この半導体基板をＨＦとＮＨ４Ｆの混合液で数十秒
洗浄して自然酸化膜４を除去し、比抵抗１ ６Ｍｏ ｈ
ｍ／ ｃ＋＋＋以上の純水で約２０分水洗した後、半導
体基板を水中から出すと、第２図（ｂ）に示すように水
滴５が酸化膜２の薄い部分に付着する。その後１１００
回転／分のスピンナーで約４分間回転させることにより
乾燥をおこなうと第２図（Ｃ）に示すようなシミ６が発
生する。
発明が解決しようとする課題
このように、上記従来の乾燥方法では酸化膜２の膜厚の
薄い部分でシリコン（Ｓｉ）と酸素（０２）を主成分と
したシミ６が発生し、半導体装置の歩留まりを低下させ
るという課題を有していた。
薄い部分でシリコン（Ｓｉ）と酸素（０２）を主成分と
したシミ６が発生し、半導体装置の歩留まりを低下させ
るという課題を有していた。
課題を解決するための手段
本発明では上記従来の課題を解決するために、スピンナ
ーを用いて半導体基板の乾燥を行うかわりに、水洗した
後に液温か５０℃以上のイソプロピルアルコール（以下
ＩＰＡという）液に半導体基板を浸漬し、水とＩＰＡの
置換を十分に行った後に、大気中または窒素雰囲気中に
放置し、半導体基板表面に付着したＩＰＡを蒸発させシ
ミの発生を抑制しようとするものである。
ーを用いて半導体基板の乾燥を行うかわりに、水洗した
後に液温か５０℃以上のイソプロピルアルコール（以下
ＩＰＡという）液に半導体基板を浸漬し、水とＩＰＡの
置換を十分に行った後に、大気中または窒素雰囲気中に
放置し、半導体基板表面に付着したＩＰＡを蒸発させシ
ミの発生を抑制しようとするものである。
作用
シミは半導体基板の表面に付着した水が乾燥する際に発
生する。水とＩＰＡを置換することによってシミは発生
しに《くなるが、これは水に比べてＩＰＡの方が表面張
力が小さいために、半導体基板表面に局部的に付着する
量が少ないためである。
生する。水とＩＰＡを置換することによってシミは発生
しに《くなるが、これは水に比べてＩＰＡの方が表面張
力が小さいために、半導体基板表面に局部的に付着する
量が少ないためである。
実施例
第１図に本発明の一実施例の工程断面図を示した。
第１図（ａ）に示すようにシリコン基板１の上に酸化膜
２があり、厚い部分と薄い部分の膜厚の差は３０００Ａ
である。その上にポリシリコン膜（２０００Ａ）３が全
面に被着しており、その表面に自然酸化膜４が約２０Ａ
成長している。この半導体基板をＨＦとＮＨ４Ｆの混合
液で数十秒間洗浄して自然酸化膜４を除去し、比抵抗１
６Ｍｏｈｍ／ ｃｍ以上の純水で約２０分水洗した。半
導体基板を水中から出すと第１図（ｂ）に示すように水
滴５が酸化膜２の薄い部分に付着する。次に第１図（Ｃ
）に示すように半導体基板を液温か５０℃以上のＩＰＡ
液に浸漬し、表面に付着した水滴をＩＰＡで置換する。
２があり、厚い部分と薄い部分の膜厚の差は３０００Ａ
である。その上にポリシリコン膜（２０００Ａ）３が全
面に被着しており、その表面に自然酸化膜４が約２０Ａ
成長している。この半導体基板をＨＦとＮＨ４Ｆの混合
液で数十秒間洗浄して自然酸化膜４を除去し、比抵抗１
６Ｍｏｈｍ／ ｃｍ以上の純水で約２０分水洗した。半
導体基板を水中から出すと第１図（ｂ）に示すように水
滴５が酸化膜２の薄い部分に付着する。次に第１図（Ｃ
）に示すように半導体基板を液温か５０℃以上のＩＰＡ
液に浸漬し、表面に付着した水滴をＩＰＡで置換する。
最後に第１図（ｄ）に示すように大気中または窒素雰囲
気中に半導体基板を放置し、乾燥させると、シミが発生
することなしに乾燥できる。
気中に半導体基板を放置し、乾燥させると、シミが発生
することなしに乾燥できる。
第３図に示したようにＩＰＡの液温を５０℃以上にする
ことによりシミの発生率が著し《低減される。これは半
導体基板表面に付着したＩＰＡの乾燥が速くなるためで
あると考えられる。このように、ＨＦにより表面の酸化
膜を除去した半導体基板を水洗後に５０℃以上のＩＰＡ
液に浸漬した後に大気中または窒素雰囲気中で自然乾燥
することによりシミの発生を抑制することか可能になる
。
ことによりシミの発生率が著し《低減される。これは半
導体基板表面に付着したＩＰＡの乾燥が速くなるためで
あると考えられる。このように、ＨＦにより表面の酸化
膜を除去した半導体基板を水洗後に５０℃以上のＩＰＡ
液に浸漬した後に大気中または窒素雰囲気中で自然乾燥
することによりシミの発生を抑制することか可能になる
。
発明の効果
本発明によれば、半導体基板上の酸化膜をＨＦを成分の
一つとして含む溶液でエッチングし水洗を行った後に、
液温５０℃以上のＩＰＡ液に半導体基板を浸漬し、その
後大気中または窒素雰囲気中に放置し半導体基板表面に
付着したＩＰＡを蒸発させることによってシミを発生さ
せずに半導体基板の乾燥が可能となる。
一つとして含む溶液でエッチングし水洗を行った後に、
液温５０℃以上のＩＰＡ液に半導体基板を浸漬し、その
後大気中または窒素雰囲気中に放置し半導体基板表面に
付着したＩＰＡを蒸発させることによってシミを発生さ
せずに半導体基板の乾燥が可能となる。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の製造方
法の工程断面図、第２図は従来の半導体装置の製造方法
の工程断面図、第３図はＩＰＡの液温とシミの発生率の
関係を示した図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・酸化膜、
３・・・・・・ポリシリコン膜、４・・・・・・自然酸
化膜、５・・・・・・水滴、６・・・・・・ＩＰＡ．
法の工程断面図、第２図は従来の半導体装置の製造方法
の工程断面図、第３図はＩＰＡの液温とシミの発生率の
関係を示した図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・酸化膜、
３・・・・・・ポリシリコン膜、４・・・・・・自然酸
化膜、５・・・・・・水滴、６・・・・・・ＩＰＡ．
Claims (1)
- 半導体基板上の酸化膜をＨＦを成分の一つとして含む溶
液でエッチングする工程と、エッチング後の上記半導体
基板の水洗を行う工程と、液温５０℃以上のイソプロピ
ルアルコール液に上記半導体基板を浸漬する工程と、そ
の後大気中または窒素雰囲気中に放置して上記半導体基
板表面に付着したイソプロピルアルコールを蒸発させる
工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1415190A JPH03218014A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1415190A JPH03218014A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218014A true JPH03218014A (ja) | 1991-09-25 |
Family
ID=11853150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1415190A Pending JPH03218014A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03218014A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997012392A1 (fr) * | 1995-09-27 | 1997-04-03 | Komatsu Ltd. | Procede de nettoyage et de sechage des semiconducteurs et equipement approprie |
| KR100338764B1 (ko) * | 1999-09-20 | 2002-05-30 | 윤종용 | 반도체 기판의 오염 물질을 제거하기 위한 세정액 및 이를 이용한 세정방법 |
| JP2009010256A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Toho Kasei Kk | 基板乾燥装置および方法 |
-
1990
- 1990-01-23 JP JP1415190A patent/JPH03218014A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997012392A1 (fr) * | 1995-09-27 | 1997-04-03 | Komatsu Ltd. | Procede de nettoyage et de sechage des semiconducteurs et equipement approprie |
| KR100338764B1 (ko) * | 1999-09-20 | 2002-05-30 | 윤종용 | 반도체 기판의 오염 물질을 제거하기 위한 세정액 및 이를 이용한 세정방법 |
| JP2009010256A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Toho Kasei Kk | 基板乾燥装置および方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100285696B1 (ko) | 패터닝된 금속층의 세정방법 | |
| US5714203A (en) | Procedure for the drying of silicon | |
| JPH1116866A (ja) | シリコンの洗浄方法および洗浄装置 | |
| JPS6064436A (ja) | スピンドライヤ | |
| JPH03218014A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH1041222A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04251930A (ja) | 洗浄処理後の基板の乾燥処理方法並びに乾燥処理装置 | |
| CA2228168A1 (en) | Procedure for drying silicon | |
| JPH0474421A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09171989A (ja) | 半導体基板のウエットエッチング方法 | |
| JPH05275401A (ja) | 犠牲層エッチングの方法 | |
| JP2752643B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11176791A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 | |
| JPH02299233A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2004510573A (ja) | 電子デバイスの清浄方法 | |
| JP3295895B2 (ja) | ウェハの洗浄方法 | |
| JPH0312456B2 (ja) | ||
| JPH02309637A (ja) | 半導体ウェハの洗浄方法 | |
| JPH0766168A (ja) | 半導体製造方法および半導体製造装置 | |
| JP3134483B2 (ja) | 半導体基板の液体による処理装置 | |
| JP3677956B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR950001950A (ko) | 웨이퍼의 친수성화에 의한 산화막 형성방법 | |
| JPH0961734A (ja) | 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法 | |
| JPH01124220A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0670994B2 (ja) | 半導体基板のエッチング方法 |