JPS6283661A - シリコン・ウエハ−キヤピラリイ・カラム製法 - Google Patents
シリコン・ウエハ−キヤピラリイ・カラム製法Info
- Publication number
- JPS6283661A JPS6283661A JP60225395A JP22539585A JPS6283661A JP S6283661 A JPS6283661 A JP S6283661A JP 60225395 A JP60225395 A JP 60225395A JP 22539585 A JP22539585 A JP 22539585A JP S6283661 A JPS6283661 A JP S6283661A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- silicon wafer
- etching
- wafer substrate
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N30/00—Investigating or analysing materials by separation into components using adsorption, absorption or similar phenomena or using ion-exchange, e.g. chromatography or field flow fractionation
- G01N30/02—Column chromatography
- G01N30/60—Construction of the column
- G01N30/6095—Micromachined or nanomachined, e.g. micro- or nanosize
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ブス・クロマトグラフィ用のシリコン・ウェ
ハーキャピラリィ・カラムの製法に関するものである。
ハーキャピラリィ・カラムの製法に関するものである。
（従来の技術及びその問題点）
従来において、シリコン・ウェハーキャピラリイ・カラ
ムは、第２図（１）から（２０）に示す工程で製造され
る。すなわち、シリコン・ウェハー基板１に酸化けい素
２、窒化けい素膜の順で膜を堆積し、さらにそれらの表
面にレジ゛スト４を塗布する。
ムは、第２図（１）から（２０）に示す工程で製造され
る。すなわち、シリコン・ウェハー基板１に酸化けい素
２、窒化けい素膜の順で膜を堆積し、さらにそれらの表
面にレジ゛スト４を塗布する。
紫外＃ｉｔ露光現像により貫通孔Ｂを形成するレノスト
４の一部分を除去する（第２図（１）乃至（５）参Ｉ！
ｉｔ）、窒化けい素膜プラズマエツチングにより窒化け
い素膜３を酸化けい素膜エツチングによＩ）酸化けい素
膜２のそれぞれの一部分を、レノスト除去によ！）全部
のレノスト４を除去する（第２図（６）乃至（８）参照
）。シリコン・ウェハー基板１に異方性エツチングによ
り貫通孔Ｂを形成するためにライトワックス５でシリコ
ン・ウニバー基板１を保護し、異方性エツチング終了後
ライトワックス５を除去しく第２図（９）乃至（１１）
参照）、レジスト４を全面に塗布し、紫外線露光現像に
よりシリコン・ウェハー基板１に形成した貫通孔Ｂと符
合する箇所及びキャピラリィ・カラム用の細溝Ａを形成
する箇所のレノスト４を除去する（第２図（１２）（１
３）参照）。続いて窒化けい素膜プラズマエッチングに
より窒化けい素膜３の一部を酸化けい素膜エツチングに
より酸化けい素膜２の一部を、レノスト除去により全部
のレノスト４を除去しく第２図（１４）乃至（１６）参
照）、シリコン・ウェハー基板１の周辺へライトワック
ス５を塗布した後、等方性エツチング１こよＩ）キャピ
ラリィ・カラム用細溝Ａを形成する（第２図（１７）（
１８）参照）。等方性エツチング終了後ライトワックス
５、窒化けい素膜３及び酸化けい素膜２を除去し、シリ
コン・ウェハー基板１の表面（図面上部）へガラス板６
を密着し、ガラス板６により細溝Ａの上部を覆うことに
よりキャピラリィ・カラムＡが形成される。
４の一部分を除去する（第２図（１）乃至（５）参Ｉ！
ｉｔ）、窒化けい素膜プラズマエツチングにより窒化け
い素膜３を酸化けい素膜エツチングによＩ）酸化けい素
膜２のそれぞれの一部分を、レノスト除去によ！）全部
のレノスト４を除去する（第２図（６）乃至（８）参照
）。シリコン・ウェハー基板１に異方性エツチングによ
り貫通孔Ｂを形成するためにライトワックス５でシリコ
ン・ウニバー基板１を保護し、異方性エツチング終了後
ライトワックス５を除去しく第２図（９）乃至（１１）
参照）、レジスト４を全面に塗布し、紫外線露光現像に
よりシリコン・ウェハー基板１に形成した貫通孔Ｂと符
合する箇所及びキャピラリィ・カラム用の細溝Ａを形成
する箇所のレノスト４を除去する（第２図（１２）（１
３）参照）。続いて窒化けい素膜プラズマエッチングに
より窒化けい素膜３の一部を酸化けい素膜エツチングに
より酸化けい素膜２の一部を、レノスト除去により全部
のレノスト４を除去しく第２図（１４）乃至（１６）参
照）、シリコン・ウェハー基板１の周辺へライトワック
ス５を塗布した後、等方性エツチング１こよＩ）キャピ
ラリィ・カラム用細溝Ａを形成する（第２図（１７）（
１８）参照）。等方性エツチング終了後ライトワックス
５、窒化けい素膜３及び酸化けい素膜２を除去し、シリ
コン・ウェハー基板１の表面（図面上部）へガラス板６
を密着し、ガラス板６により細溝Ａの上部を覆うことに
よりキャピラリィ・カラムＡが形成される。
しかるに、従来は、シリコン・ウェハー基板１の裏面か
ら異方性エツチングにより貫通孔Ｂを穿設し、その後で
等方性エツチングにより表面へキャピラリィ・カラム用
細溝Ａを形成していたが、シリコン・ウェハー基板はラ
イトワックスその他の保護膜により覆われるものの、異
方性エツチングにより貫通孔Ｂを９設する際に不必要な
箇所までエツチングし、歩留り率を悪化させる問題があ
った。
ら異方性エツチングにより貫通孔Ｂを穿設し、その後で
等方性エツチングにより表面へキャピラリィ・カラム用
細溝Ａを形成していたが、シリコン・ウェハー基板はラ
イトワックスその他の保護膜により覆われるものの、異
方性エツチングにより貫通孔Ｂを９設する際に不必要な
箇所までエツチングし、歩留り率を悪化させる問題があ
った。
（発明のｌ］的）
本発明は、以上のような問題点を解消するものであり、
特に異方性エツチングにより貫通孔を穿設する際にシリ
コン・ウェハー基板の表面が異方性エツチングで損傷さ
れるのを防止し、歩留り率を向上させるシリコン・ウェ
ハーキャピラリィ・カラムの製法を提供することを目的
とする。
特に異方性エツチングにより貫通孔を穿設する際にシリ
コン・ウェハー基板の表面が異方性エツチングで損傷さ
れるのを防止し、歩留り率を向上させるシリコン・ウェ
ハーキャピラリィ・カラムの製法を提供することを目的
とする。
（発明の概要）
本発明の構成を概括すると、本発明は、シリコン・ウェ
ハー基板に堆積した保護膜層を介して等方性エツチング
によりキャピラリィ・カラム用細溝を形成し、キャピラ
リィ・カラム用細溝を形成した前記シリコン・ウェハー
基板面の前記保護膜層を除去してがう大板を密着１．た
後、ｍＩ記シリコン・ウェハー基板の反対面を前記保護
膜層を介して異方性エツチングにより貫通孔を穿設置る
ことを特徴とするシリコン・ウェハーキャピラリィ・カ
ラムの製法である。
ハー基板に堆積した保護膜層を介して等方性エツチング
によりキャピラリィ・カラム用細溝を形成し、キャピラ
リィ・カラム用細溝を形成した前記シリコン・ウェハー
基板面の前記保護膜層を除去してがう大板を密着１．た
後、ｍＩ記シリコン・ウェハー基板の反対面を前記保護
膜層を介して異方性エツチングにより貫通孔を穿設置る
ことを特徴とするシリコン・ウェハーキャピラリィ・カ
ラムの製法である。
（発明の実施例）
本発明の構成及び実施例を図面に基づいて説明する。第
１図（１）乃至（２３）は、本発明に係るシリコン・ウ
ェハーキャピラリィ・カラムの製造工程を示すシリコン
・ウェハー基板の断面図である。
１図（１）乃至（２３）は、本発明に係るシリコン・ウ
ェハーキャピラリィ・カラムの製造工程を示すシリコン
・ウェハー基板の断面図である。
以下第１図（１）から（２３）の図面に従って説明する
。各図を通じて同一内容は同−俳号を用いて説明する。
。各図を通じて同一内容は同−俳号を用いて説明する。
シリコン・ウェハー基板１に熱拡散により酸化けい素２
を堆積し、気相成長（ＣＶ Ｄ ）装置（図示せず。）
で窒化けい素３を順次堆積し、ネガ形レジスト４を全面
に塗布する（第１図（１）乃至（４）参照）。ネガ形レ
ジスト４を塗布したシリコン・ウェハー基板１の表面（
図面上部）に形成するキャピラリィ・カラム用の細溝Ａ
のパターンを紫外線露光及び現像し、プラズマエツチン
グ（図示せず。）により窒化けい素膜３の一部をエツチ
ングし、７ツ化水素で酸化けい素膜２の一部をエツチン
グし、硫酸と過酸化水素の混合溶液でネが形レジスト４
を除去し、ライトワックス５をシリコン・ウェハー基板
１の周辺に塗布する（第１図（５）乃至（９）参１！！
ｔ）。そして、７ツ化水素と硝酸と酢酸の混合溶液（図
示せず。）で細溝Ａ形成のための等方性エツチングをシ
リコン・ウェハー基板１に対し行ない（ｆｆｓ１図（１
０）参照）、硫酸と過酸化水素の混合溶液（図示せず。
を堆積し、気相成長（ＣＶ Ｄ ）装置（図示せず。）
で窒化けい素３を順次堆積し、ネガ形レジスト４を全面
に塗布する（第１図（１）乃至（４）参照）。ネガ形レ
ジスト４を塗布したシリコン・ウェハー基板１の表面（
図面上部）に形成するキャピラリィ・カラム用の細溝Ａ
のパターンを紫外線露光及び現像し、プラズマエツチン
グ（図示せず。）により窒化けい素膜３の一部をエツチ
ングし、７ツ化水素で酸化けい素膜２の一部をエツチン
グし、硫酸と過酸化水素の混合溶液でネが形レジスト４
を除去し、ライトワックス５をシリコン・ウェハー基板
１の周辺に塗布する（第１図（５）乃至（９）参１！！
ｔ）。そして、７ツ化水素と硝酸と酢酸の混合溶液（図
示せず。）で細溝Ａ形成のための等方性エツチングをシ
リコン・ウェハー基板１に対し行ない（ｆｆｓ１図（１
０）参照）、硫酸と過酸化水素の混合溶液（図示せず。
）でライトワックス５を除去し、裏面（図面下部）にボ
ッ形しノス）４ａを塗布し、７ ｙ化水素を用いて酸化
けい素膜２と窒化けい素膜３を除去し、剥離液でポジ形
しジス）４ａを除去し、シリコン・ウェハー基板１の表
面を洗浄して汚れを取り除き、ガラス板６を電着する（
第１図（１１）乃至（１５）参照）。シリコン・ウェハ
ー基板１の裏面及び周辺にネガ形レジスト４を塗布し、
紫外線露光及び現像を行ない、（第１図（Ｉ Ｇ ）（
１７））、窒化けい素膜３をプラズマエツチングし、酸
化けい素膜２を７７酸でエツチングし、（第１図（１８
）（１９））、硫酸と過酸化水素の混合溶液でネガ形レ
ジスト４を除去し、ライトワックス５を塗布する（第１
図（２ｏ ）（２１））。そして、水酸化カリツムを用
いてシリコン・ウェハー基板１の裏面に貫通孔Ｂ形成の
ための異方性エツチングを竹ない、硫酸と過酸化水素の
混合浴ｔＬ″Ｃ″ライトワンクス５を除去し、７ツ酸で
窒化けい素膜３及び酸化けい素膜２を除去しく＠１図（
２２）（２３））、シリコン・ワエハーキャピラリィ・
カラムＡ及び貫通孔Ｂを作成する。
ッ形しノス）４ａを塗布し、７ ｙ化水素を用いて酸化
けい素膜２と窒化けい素膜３を除去し、剥離液でポジ形
しジス）４ａを除去し、シリコン・ウェハー基板１の表
面を洗浄して汚れを取り除き、ガラス板６を電着する（
第１図（１１）乃至（１５）参照）。シリコン・ウェハ
ー基板１の裏面及び周辺にネガ形レジスト４を塗布し、
紫外線露光及び現像を行ない、（第１図（Ｉ Ｇ ）（
１７））、窒化けい素膜３をプラズマエツチングし、酸
化けい素膜２を７７酸でエツチングし、（第１図（１８
）（１９））、硫酸と過酸化水素の混合溶液でネガ形レ
ジスト４を除去し、ライトワックス５を塗布する（第１
図（２ｏ ）（２１））。そして、水酸化カリツムを用
いてシリコン・ウェハー基板１の裏面に貫通孔Ｂ形成の
ための異方性エツチングを竹ない、硫酸と過酸化水素の
混合浴ｔＬ″Ｃ″ライトワンクス５を除去し、７ツ酸で
窒化けい素膜３及び酸化けい素膜２を除去しく＠１図（
２２）（２３））、シリコン・ワエハーキャピラリィ・
カラムＡ及び貫通孔Ｂを作成する。
（発明の効果）
本発明は、以上の構成であるから、異方性エツチングに
より貫通孔を形成する際にシリコン・ウェハー基板のエ
ツチング不要箇所がエツチング処理過程で損傷されるの
を防止する効果を奏する。
より貫通孔を形成する際にシリコン・ウェハー基板のエ
ツチング不要箇所がエツチング処理過程で損傷されるの
を防止する効果を奏する。
第１図（１）乃至（２３）は、本発明に係るシリコン・
ウェハーキャピラリィ・カラムの製造工程を示す図であ
り、第２図（１）乃至（２０）は従来例を示す図であり
、各図を通じて同一内容は同一符号を用いて説明する。
ウェハーキャピラリィ・カラムの製造工程を示す図であ
り、第２図（１）乃至（２０）は従来例を示す図であり
、各図を通じて同一内容は同一符号を用いて説明する。
Claims (1)
- シリコン・ウェハー基板の周辺に堆積した保護膜層を介
して等方性エッチングによりキャピラリィ・カラム用細
溝を形成し、該細溝を形成した前記シリコン・ウェハー
基板の面に堆積した前記保護膜層を除去し、シリコン・
ウェハー基板の面にガラス板を密着した後、前記シリコ
ン・ウェハー基板の反対面に堆積する前記保護膜層を介
して異方性エッチングにより前記シリコン・ウェハーへ
貫通孔を穿設することを特徴とするシリコン・ウェハー
キャピラリィ・カラム製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225395A JPS6283661A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | シリコン・ウエハ−キヤピラリイ・カラム製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225395A JPS6283661A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | シリコン・ウエハ−キヤピラリイ・カラム製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6283661A true JPS6283661A (ja) | 1987-04-17 |
Family
ID=16828686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60225395A Pending JPS6283661A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | シリコン・ウエハ−キヤピラリイ・カラム製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6283661A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5575929A (en) * | 1995-06-05 | 1996-11-19 | The Regents Of The University Of California | Method for making circular tubular channels with two silicon wafers |
| CN106066131A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-11-02 | 北京空间机电研究所 | 一种环路热管用多孔氮化硅毛细芯 |
-
1985
- 1985-10-09 JP JP60225395A patent/JPS6283661A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5575929A (en) * | 1995-06-05 | 1996-11-19 | The Regents Of The University Of California | Method for making circular tubular channels with two silicon wafers |
| CN106066131A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-11-02 | 北京空间机电研究所 | 一种环路热管用多孔氮化硅毛细芯 |
| CN106066131B (zh) * | 2016-07-22 | 2019-03-12 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种环路热管用多孔氮化硅毛细芯 |
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