JPS59926A - アルミニウム膜の選択エツチング法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）　　発明の技術分野 本発明は半導体装置の製造方法において、その素子表面
に形成するアルミニウム（Ａｔ）膜の選択エツチング法
に関する。

（ｂ）　　従来技術と問題点 半導体集積回路（ＩＣ）などの素子では、その上面にＡ
ｔ配線層を形成するなど、Ａｔ膜からなる導電体が広く
用いられている。

かようなＡｔ膜をパターンニングする際は、従来Ａｔ膜
を蒸着法又はスパッタ法で全面被着させた後、フォトプ
ロセスにて所望のレジスト膜マスクを形成し１次いで露
出部分を工、チング除去し、その後にレジスト膜マスク
を除去する方法が採られる。

しかし、このようにフォトプロセスを適用するととは、
それだけ工程が複雑となるから、可能ならばフォトプロ
セスを用いずに選択的にＡｔ膜をパターンニングする方
法が好ましいことは言うまでもない。

（ｃ）　　発明の目的 本発明はこのような観点からフォトプロセスを用いるこ
となく、Ａｔ膜パターンを形成するパターンニング方法
を提唱するものである。

（ｄ）　　発明の構成 その目的は、Ａｔ膜が被着した半導体基板全面をエツチ
ング溶液に浸漬し、絶縁膜上をこ被着したＡｔ膜を残存
し、且つ半導体基板上に直接被着したＡｔ膜を除去する
工程からなる選択エッチング法で達成される。

（ｅ）　発明の実施例 以下、図面を参照し【実施例をこより説明すると、先づ
、第１図（こ示すよう（こシリコン基板１上をこ所望パ
ターンの二酸化シリコン（Ｓｉ　Ｏ９）膜２を形成する
。５ｉ０２膜に代り、気相成長法で燐シリケートガラス
（ＰＳＧ）膜を被着させてもよく、要するる絶縁膜であ
ればよい。且つ、その膜厚を約１μｍとする。

次いで、第２図に示すようをこスパッタ法又は蒸着法で
、その上面に膜厚１μｍ程度のＡｔ膜３を被着する。そ
の際、図示のようにＳｉＯ□膜２パターンの段差のため
、側面でＡｔ膜は途切れた状態になる。それは下層パタ
ーンの膜厚が、その上に被着する膜と同等かあるいはそ
れより薄い場合をここのような状態に形成されるもので
ある。

次いで、第３図に示すようにｌＯ％アンモニア溶液壷こ
Ａｔ膜３の被着したシリコン基板ｌを浸漬すると、直接
シリコン基板ｌ上沓こ被着したＡｔ膜はエツチング除去
されても、Ｓｉｎ、膜２上に被着しているＡｔ膜は約１
（１００人の膜厚のみエツチングされて、膜厚９０００
λ程度のＡｔ膜が残存せる。即ち、シリコン基板に被着
したＡｔ膜のエツチング速度は絶縁膜上のＡｔ膜エツチ
ング速度より約１０倍速くなる。これはシリコン基板が
導体であり、それと接するＡｔ膜がイオン化しゃすいた
めと考えられ、エツチング溶液は上記のアンモニア液の
他、燐酸や塩酸でも同様の現象となり、特に弱酸が、か
ような選択エツチングに有効である。

（ｆ〕　発明の効果 以上の説明のよう（こ、本発明によれば、フォトプロセ
スを用いてレジスト膜マスクを形成する必要がなく、Ａ
ｔ膜をパターンニングすることができるから、これを利
用した半導体素子の新たな製法を開発して、半導体装置
の低価格化などを二役立てることができる。

【図面の簡単な説明】

１’Ｓ　１図ないし第３図は本発明にが＼る形成工程順
断面図で、図中１はシリコン基板、２は５ｉｎ２膜、３
はＡｔ膜を示している。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 絶縁膜を部分的に被着した半導体基板上にアルミニウム
   膜を被着形成し、該基板を“エツチング液に浸漬して、
   絶縁膜上に被着したアルミニウム膜を残存させ、且つ半
   導体基板上に直接被着したアルミニウム膜を除去する工
   程が含まれてなることを特徴とする、アルミニウム膜の
   選択エツチング法。