JPH01175247A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01175247A JPH01175247A JP62332497A JP33249787A JPH01175247A JP H01175247 A JPH01175247 A JP H01175247A JP 62332497 A JP62332497 A JP 62332497A JP 33249787 A JP33249787 A JP 33249787A JP H01175247 A JPH01175247 A JP H01175247A
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- metal
- bump
- substratum
- resist
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Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置のボンディングバンドにバンプを
形成する際に光食刻工程での再加工を行う場合の半導体
装置の製造方法に関する。
形成する際に光食刻工程での再加工を行う場合の半導体
装置の製造方法に関する。
従来、第２図の（ａｌ〜ｆｂｌに示す様に、第２図（ａ
ｌでパターニングされたレジスト４を、第２図（ｂｌの
様に有機物剥１ｉｉＩｌ液で除去し、第２図１０Ｉの様
に再度レジスト４をパターニングし、第２図（ｄ）の様
にバンプを形成していた。
ｌでパターニングされたレジスト４を、第２図（ｂｌの
様に有機物剥１ｉｉＩｌ液で除去し、第２図１０Ｉの様
に再度レジスト４をパターニングし、第２図（ｄ）の様
にバンプを形成していた。
しかし、従来の製造方法では、光食刻工程を連続して行
っている際に加えられる熱により第２図伽）の下地金属
Ｂ３の表面に拡散される下地金属Ａ２を除去していない
為、第２図１０Ｉで形成したバンプ８が下地金属Ｂ３と
の界面で剥離されてしまうという欠点があった。
っている際に加えられる熱により第２図伽）の下地金属
Ｂ３の表面に拡散される下地金属Ａ２を除去していない
為、第２図１０Ｉで形成したバンプ８が下地金属Ｂ３と
の界面で剥離されてしまうという欠点があった。
そこで、本発明は従来のこの様な欠点を解決する為、ボ
ンディングパッドに形成されるバンプが下地金属との界
面で剥離されないことを目的としている。
ンディングパッドに形成されるバンプが下地金属との界
面で剥離されないことを目的としている。
上記問題点を解決する為に本発明は、バンプとの密着性
の高い下地金属の表面に不純物金属が高濃度に拡散され
た層を剥離し再度バンプとの密着性の高い金属を蒸着さ
せた後、光食刻工程を行う製造方法を用いて、バンプの
下地金属との界面での剥離を防止する様にした。
の高い下地金属の表面に不純物金属が高濃度に拡散され
た層を剥離し再度バンプとの密着性の高い金属を蒸着さ
せた後、光食刻工程を行う製造方法を用いて、バンプの
下地金属との界面での剥離を防止する様にした。
上記の様な製造方法を用いるとバンプと下地金属の表面
との密着性を高（保つことができるのである。
との密着性を高（保つことができるのである。
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図＋ａｌ〜（ｆｌはその製造方法の縦断面図である。第
１図１６１は、下地金属Ａ２及び下地金属Ｂ３をボンデ
ィングパッド５の上に真空蒸着して、その後、バンプメ
ツキのマスク用レジスト４を塗布してパターニングしで
ある半導体装置の縦断面図である。光食刻工程での合わ
せずれやレジストの密着不良が発生した場合、第１図１
ｂ）の様にレジスト４を剥離し、第１図（Ｃ１の様に下
地金属Ｂ３の表面にある不純物金属の濃度の高い拡散層
を除去する。その後、第１図（ｄ＋の様に再度下地金属
Ｃ７を真空蒸着してから第１図１６１の様に光食刻工程
を行う、そして、第１図（ｆｌの様にバンプ８をメンキ
すれば下地金属Ｃ７の表面には不純物金属の濃度の高い
拡散層が悪いためバンプ８は密着度の高い下地金属Ｃ７
と固着する。
図＋ａｌ〜（ｆｌはその製造方法の縦断面図である。第
１図１６１は、下地金属Ａ２及び下地金属Ｂ３をボンデ
ィングパッド５の上に真空蒸着して、その後、バンプメ
ツキのマスク用レジスト４を塗布してパターニングしで
ある半導体装置の縦断面図である。光食刻工程での合わ
せずれやレジストの密着不良が発生した場合、第１図１
ｂ）の様にレジスト４を剥離し、第１図（Ｃ１の様に下
地金属Ｂ３の表面にある不純物金属の濃度の高い拡散層
を除去する。その後、第１図（ｄ＋の様に再度下地金属
Ｃ７を真空蒸着してから第１図１６１の様に光食刻工程
を行う、そして、第１図（ｆｌの様にバンプ８をメンキ
すれば下地金属Ｃ７の表面には不純物金属の濃度の高い
拡散層が悪いためバンプ８は密着度の高い下地金属Ｃ７
と固着する。
本発明は以上説明した様に、ボンディングパッドの上に
バンプを形成する際に光食刻工程の再加工があっても下
地金属とバンプとの界面の密着度を高いものに出来る効
果がある。
バンプを形成する際に光食刻工程の再加工があっても下
地金属とバンプとの界面の密着度を高いものに出来る効
果がある。
第１図（ａｌ〜（ｆ）は本発明にかかるバンプ形成時の
光食刻再加工の製造方法の工程順断面図、第２図＋ａｌ
〜（ｄ＋は、従来のハンプ形成時光食刻再加工の製造方
法の工程順断面図である。 ■・・・半導体基板 ２・・・下地金属Ａ ３・・ 下地金属Ｂ ４・・・レジスト ５・・・ボンディングパッド ６・・・パンシベーション ７・・・下地金属Ｃ ８・・・バンプ 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 （Ｃ） （
Ｃ）（ｄ） （ｃｌ
）ネ茫明の工程Ｍｊｊ断面図 第１図
光食刻再加工の製造方法の工程順断面図、第２図＋ａｌ
〜（ｄ＋は、従来のハンプ形成時光食刻再加工の製造方
法の工程順断面図である。 ■・・・半導体基板 ２・・・下地金属Ａ ３・・ 下地金属Ｂ ４・・・レジスト ５・・・ボンディングパッド ６・・・パンシベーション ７・・・下地金属Ｃ ８・・・バンプ 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 （Ｃ） （
Ｃ）（ｄ） （ｃｌ
）ネ茫明の工程Ｍｊｊ断面図 第１図
Claims (1)
- 半導体基板上に半導体装置を形成し、上記半導体装置
のボンディングパッドにバンプを形成する際に光食刻工
程での不具合で再加工する場合にレジストを剥離し下地
金属の薄膜の表面を剥離して再度下地金属を蒸着してか
ら光食刻工程を行うことを特徴とした半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62332497A JPH01175247A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62332497A JPH01175247A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01175247A true JPH01175247A (ja) | 1989-07-11 |
Family
ID=18255598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62332497A Pending JPH01175247A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01175247A (ja) |
-
1987
- 1987-12-29 JP JP62332497A patent/JPH01175247A/ja active Pending
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