JPH01214026A - メサ構造のエッチング方法 - Google Patents
メサ構造のエッチング方法Info
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- JPH01214026A JPH01214026A JP3884388A JP3884388A JPH01214026A JP H01214026 A JPH01214026 A JP H01214026A JP 3884388 A JP3884388 A JP 3884388A JP 3884388 A JP3884388 A JP 3884388A JP H01214026 A JPH01214026 A JP H01214026A
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
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Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にシリコン基
板におけるメサ構造のエツチング方法に関する。
板におけるメサ構造のエツチング方法に関する。
従来、この種のシリコン基板へのメサ構造形成方法とし
て、第３図（ａ）乃至（Ｃ）に示す方法が用いられてい
る。
て、第３図（ａ）乃至（Ｃ）に示す方法が用いられてい
る。
即ち、第３図（ａ）のように、シリコン基板１の表面に
ゴム系フォトレジスト膜２を塗布し、第３図（ｂ）のよ
うに、このフォトレジスト膜２を所要のパターンに形成
する。その後、窒素雰囲気中で１５０°Ｃ１３０分のポ
ストベークを行ない、このフォトレジスト膜２をマスク
にして、第３図（Ｃ）のように、シリコンのエツチング
液であるぶつ酸。
ゴム系フォトレジスト膜２を塗布し、第３図（ｂ）のよ
うに、このフォトレジスト膜２を所要のパターンに形成
する。その後、窒素雰囲気中で１５０°Ｃ１３０分のポ
ストベークを行ない、このフォトレジスト膜２をマスク
にして、第３図（Ｃ）のように、シリコンのエツチング
液であるぶつ酸。
硝酸、ヨウ素入水酢酸混合液で５０μｍ程シリコン基板
１をエツチングしメサ構造を形成している。
１をエツチングしメサ構造を形成している。
上述した従来のメサ構造のエツチング方法は、ゴム系の
フォトレジスト膜２をマスクとして用い、フッ酸、硝酸
、ヨウ素人氷酢酸混合液でシリコン基板１をエツチング
するため、エツチング液からの発熱作用が強く、エツチ
ング中にフォトレジスト膜２が膜減りしてエツチング中
にめ（れ上がり易い。このため、シリコン基板１のマス
ク下の表面に液が入り込んで表面をエツチングしたり、
）オドレジスト膜２の端部がサイドエツチングされてメ
サ型パターンの形状不良を発生させることがあり、半導
体装置の製造歩留を低下させるという問題がある。
フォトレジスト膜２をマスクとして用い、フッ酸、硝酸
、ヨウ素人氷酢酸混合液でシリコン基板１をエツチング
するため、エツチング液からの発熱作用が強く、エツチ
ング中にフォトレジスト膜２が膜減りしてエツチング中
にめ（れ上がり易い。このため、シリコン基板１のマス
ク下の表面に液が入り込んで表面をエツチングしたり、
）オドレジスト膜２の端部がサイドエツチングされてメ
サ型パターンの形状不良を発生させることがあり、半導
体装置の製造歩留を低下させるという問題がある。
本発明はシリコン基板表面のエツチングや、メサ型パタ
ーンの形状不良を防止して製造歩留りを改善したメサ構
造のエツチング方法を提供することを目的としている。
ーンの形状不良を防止して製造歩留りを改善したメサ構
造のエツチング方法を提供することを目的としている。
〔課題を解決するための手段］
本発明のメサ構造のエツチング方法は、シリコン基板上
にゴム系フォトレジスト膜を塗布する工程と、この上に
ポリイミド樹脂膜を塗布する工程と、このポリイミド樹
脂膜を所要パターンに形成する工程と、このポリイミド
樹脂膜をマスクに前記ゴム系フォトレジストを同一パタ
ーンに形成する工程と、前記ポリイミド樹脂膜及びゴム
系フォトレジスト膜をマスクにして前記シリコン基板を
エツチングする工程を含んでいる。
にゴム系フォトレジスト膜を塗布する工程と、この上に
ポリイミド樹脂膜を塗布する工程と、このポリイミド樹
脂膜を所要パターンに形成する工程と、このポリイミド
樹脂膜をマスクに前記ゴム系フォトレジストを同一パタ
ーンに形成する工程と、前記ポリイミド樹脂膜及びゴム
系フォトレジスト膜をマスクにして前記シリコン基板を
エツチングする工程を含んでいる。
この場合、ポリイミド樹脂膜のパターン形成に際しては
、この上にネガ型フォトレジスト膜を形成し、これを所
要パターンに形成したものをマスクにしてパターン形成
する方法が採用でき、或いはポリイミド樹脂膜に感光性
のものを用いて直接所要パターンに形成する方法を採用
してもよい。
、この上にネガ型フォトレジスト膜を形成し、これを所
要パターンに形成したものをマスクにしてパターン形成
する方法が採用でき、或いはポリイミド樹脂膜に感光性
のものを用いて直接所要パターンに形成する方法を採用
してもよい。
（作用〕
上述した方法では、ゴム系フォトレジスト膜の上に設け
たポリイミド樹脂膜の耐熱性、耐酸性により、シリコン
基板エツチングにおけるゴム系フォトレジスト膜の剥離
を防止し、メサ構造表面のエツチングやマスク端部のサ
イドエツチングを防止する。
たポリイミド樹脂膜の耐熱性、耐酸性により、シリコン
基板エツチングにおけるゴム系フォトレジスト膜の剥離
を防止し、メサ構造表面のエツチングやマスク端部のサ
イドエツチングを防止する。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図（ａ）乃至（ｄ）は本発明の第１実施例を製造工
程順に示す縦断面図である。
程順に示す縦断面図である。
先ず、第１図（ａ）のように、シリコン基板１上にゴム
系フォトレジスト膜２を約２μｍの膜厚で塗布し、窒素
雰囲気中で９０°ｃ、３０分のプリベークを行なう。
系フォトレジスト膜２を約２μｍの膜厚で塗布し、窒素
雰囲気中で９０°ｃ、３０分のプリベークを行なう。
次いで、第１図（ｂ）のように、前記フォトレジスト膜
２上にポリイミド樹脂膜３を約２μｍの厚さに塗布し、
窒素雰囲気で１００’Ｃ，３０分のプリベータを行なっ
た後、１５０°Ｃ１３０分間のベータを行なう。更に、
この上にネガ型フォトレジスト膜４を厚さ約２μｍｌ布
し、プリベータを行なう。
２上にポリイミド樹脂膜３を約２μｍの厚さに塗布し、
窒素雰囲気で１００’Ｃ，３０分のプリベータを行なっ
た後、１５０°Ｃ１３０分間のベータを行なう。更に、
この上にネガ型フォトレジスト膜４を厚さ約２μｍｌ布
し、プリベータを行なう。
次に、第１図（Ｃ）のように、図外のフォトマススフを
用いて紫外線を照射し、かつ現像処理してネガ型フォト
レジスト膜４を所要のパターン（メサパターン）に形成
する。そして、このネガ型フォトレジスト膜４をマスク
にポリイミド樹脂膜３を、ヒドラジン；エチレンジアミ
ン：純水：１：３：１のエツチング剤を用いてエツチン
グし、ポリイミド樹脂膜３を同一パターンに形成する。
用いて紫外線を照射し、かつ現像処理してネガ型フォト
レジスト膜４を所要のパターン（メサパターン）に形成
する。そして、このネガ型フォトレジスト膜４をマスク
にポリイミド樹脂膜３を、ヒドラジン；エチレンジアミ
ン：純水：１：３：１のエツチング剤を用いてエツチン
グし、ポリイミド樹脂膜３を同一パターンに形成する。
次に、第１図（ｄ）のように、ネガ型フォトレジスト膜
４及びポリイミド樹脂膜３をマスクとしてゴム系フォト
レジスト膜２を酸素プラズマ法を用いてパターン形成す
る。この時、フォトレジスト膜２と共にネガ型フォトレ
ジスト膜４も除去されるため、表面にはポリイミド樹脂
膜３が露出されることになる。この後、ポリイミド樹脂
膜３及びゴム系フォトレジスト膜２を、窒素雰囲気中で
２００〜３５０″Ｃ１３０分のポストベークを行なう。
４及びポリイミド樹脂膜３をマスクとしてゴム系フォト
レジスト膜２を酸素プラズマ法を用いてパターン形成す
る。この時、フォトレジスト膜２と共にネガ型フォトレ
ジスト膜４も除去されるため、表面にはポリイミド樹脂
膜３が露出されることになる。この後、ポリイミド樹脂
膜３及びゴム系フォトレジスト膜２を、窒素雰囲気中で
２００〜３５０″Ｃ１３０分のポストベークを行なう。
しかる後、残されたポリイミド樹脂膜３とゴム系フォト
レジスト膜２をマスクにし、かつフッ酸：硝酸：ヨウ素
人氷酢酸＝３：１１：８の混合液をエツチング剤に用い
てシリコン基板１のエツチングを深さ５０μｍ程度行な
い、メサ構造５を形成する。
レジスト膜２をマスクにし、かつフッ酸：硝酸：ヨウ素
人氷酢酸＝３：１１：８の混合液をエツチング剤に用い
てシリコン基板１のエツチングを深さ５０μｍ程度行な
い、メサ構造５を形成する。
したがって、この方法では、シリコン基板１０表面に設
けたゴム系フォトレジスト膜２の上に、耐熱性、耐酸性
の高いポリイミド樹脂膜３を形成してメサ構造のマスク
を構成するので、エツチングにおけるゴム系フォトレジ
スト膜２の剥がれを防止し、シリコン基＋ｒａ ｉのメ
サ構造表面のエツチングを防止し、かつメサ構造の形状
不良を防止する。
けたゴム系フォトレジスト膜２の上に、耐熱性、耐酸性
の高いポリイミド樹脂膜３を形成してメサ構造のマスク
を構成するので、エツチングにおけるゴム系フォトレジ
スト膜２の剥がれを防止し、シリコン基＋ｒａ ｉのメ
サ構造表面のエツチングを防止し、かつメサ構造の形状
不良を防止する。
第２図（ａ）乃至（ｄ）は本発明の第２実施例を製造工
程順に示す縦断面図である。
程順に示す縦断面図である。
先ず、第２図（ａ）のように、シリコン基板１上にゴム
系フォトレジスト膜２を約２μｍの膜厚で塗布し、窒素
雰囲気中で９０”Ｃ，３０分のプリベータを行なう。
系フォトレジスト膜２を約２μｍの膜厚で塗布し、窒素
雰囲気中で９０”Ｃ，３０分のプリベータを行なう。
次いで、第２図（ｂ）のように、前記フォトレジスト膜
２の上に感光性ポリイミド樹脂膜３Ａを厚さ約２μｍ塗
布し、窒素雰囲気中で１００°Ｃ１３０分のプリベータ
を行なう。
２の上に感光性ポリイミド樹脂膜３Ａを厚さ約２μｍ塗
布し、窒素雰囲気中で１００°Ｃ１３０分のプリベータ
を行なう。
次に、第２図（Ｃ）のように、図外のフォトマスクを用
いて紫外線を照射しかつ専用現像液で現像することによ
り、感光性ポリイミド樹脂膜３Ａを所要のパターンに形
成する。
いて紫外線を照射しかつ専用現像液で現像することによ
り、感光性ポリイミド樹脂膜３Ａを所要のパターンに形
成する。
しかる後、第２図（ｄ）のように、感光性ポリイミド樹
脂膜３Ａをマスクにしてゴム系フォトレジスト膜２を現
像し、メサ構造のマスクを形成する。以後、この感光性
ポリイミド樹脂膜３Ａとゴム系フォトレジスト膜２をマ
スクにして前記第１実施例と同様にシリコン基板１をエ
ツチングすることにより、メサ構造５を形成する。
脂膜３Ａをマスクにしてゴム系フォトレジスト膜２を現
像し、メサ構造のマスクを形成する。以後、この感光性
ポリイミド樹脂膜３Ａとゴム系フォトレジスト膜２をマ
スクにして前記第１実施例と同様にシリコン基板１をエ
ツチングすることにより、メサ構造５を形成する。
この実施例においても、シリコン基板１のエツチング時
にはゴム系フォトレジスト膜２の上にポリイミド樹脂膜
３Ａを形成しているので、フォトレジスト膜２の剥離を
防止でき、好適なメサ構造のエツチングが実現できる。
にはゴム系フォトレジスト膜２の上にポリイミド樹脂膜
３Ａを形成しているので、フォトレジスト膜２の剥離を
防止でき、好適なメサ構造のエツチングが実現できる。
以上説明したように本発明は、ゴム系フォトレジスト膜
の上に設けたポリイミド樹脂膜の耐熱性２耐酸性により
、シリコン基板エツチングにおけるゴム系フォトレジス
ト膜の剥離が防止できるので、フォトレジスト膜の剥離
が原因とされたメサ構造表面のエツチングやマスク端部
のサイドエツチングを防止でき、好適なメサ構造をエツ
チング形成できる効果がある。
の上に設けたポリイミド樹脂膜の耐熱性２耐酸性により
、シリコン基板エツチングにおけるゴム系フォトレジス
ト膜の剥離が防止できるので、フォトレジスト膜の剥離
が原因とされたメサ構造表面のエツチングやマスク端部
のサイドエツチングを防止でき、好適なメサ構造をエツ
チング形成できる効果がある。
第１図（ａ）乃至（ｄ）は本発明のメサ構造のエツチン
グ方法の第１実施例を製造工程順に示す縦断面図、第２
図（ａ）乃至（ｄ）は本発明の第２実施例を製造工程順
に示す縦断面図、第３図（ａ）乃至（Ｃ）は従来のメサ
構造のエツチング方法を製造工程順に示す縦断面図であ
る。 １・・・シリコン基板、２・・・ゴム系フォトレジスト
膜、３・・・ポリイミド樹脂膜、３Ａ・・・感光性ポリ
イミド樹脂膜、４・・・ネガ型フォトレジスト膜、５・
・・メサ構造。 第１図 第２図
グ方法の第１実施例を製造工程順に示す縦断面図、第２
図（ａ）乃至（ｄ）は本発明の第２実施例を製造工程順
に示す縦断面図、第３図（ａ）乃至（Ｃ）は従来のメサ
構造のエツチング方法を製造工程順に示す縦断面図であ
る。 １・・・シリコン基板、２・・・ゴム系フォトレジスト
膜、３・・・ポリイミド樹脂膜、３Ａ・・・感光性ポリ
イミド樹脂膜、４・・・ネガ型フォトレジスト膜、５・
・・メサ構造。 第１図 第２図
Claims (1)
- １、シリコン基板上にゴム系フォトレジスト膜を塗布す
る工程と、この上にポリイミド樹脂膜を塗布する工程と
、このポリイミド樹脂膜を所要パターンに形成する工程
と、このポリイミド樹脂膜をマスクに前記ゴム系フォト
レジストを同一パターンに形成する工程と、前記ポリイ
ミド樹脂膜及びゴム系フォトレジスト膜をマスクにして
前記シリコン基板をエッチングする工程とを含むことを
特徴とするメサ構造のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3884388A JPH01214026A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | メサ構造のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3884388A JPH01214026A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | メサ構造のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01214026A true JPH01214026A (ja) | 1989-08-28 |
Family
ID=12536480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3884388A Pending JPH01214026A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | メサ構造のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01214026A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7281316B2 (en) * | 2004-02-23 | 2007-10-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular pole structure and method of fabricating the same |
| CN102007394A (zh) * | 2008-04-25 | 2011-04-06 | S.O.I.Tec绝缘体上硅技术公司 | 特别用于应变或应力硅材料的刻蚀组合物、表征这种材料表面上的缺陷的方法，和用刻蚀组合物处理这种表面的工艺 |
-
1988
- 1988-02-22 JP JP3884388A patent/JPH01214026A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7281316B2 (en) * | 2004-02-23 | 2007-10-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular pole structure and method of fabricating the same |
| CN102007394A (zh) * | 2008-04-25 | 2011-04-06 | S.O.I.Tec绝缘体上硅技术公司 | 特别用于应变或应力硅材料的刻蚀组合物、表征这种材料表面上的缺陷的方法，和用刻蚀组合物处理这种表面的工艺 |
| JP2011519480A (ja) * | 2008-04-25 | 2011-07-07 | エス．オー．アイ．テック シリコン オン インシュレータ テクノロジーズ | エッチング組成物、特に歪みを有する又は応力を受けたシリコン材料用のエッチング組成物、そのような基板上の欠陥の特性を決定する方法、及びそのような表面をエッチング組成物で処理するプロセス |
| US9063043B2 (en) | 2008-04-25 | 2015-06-23 | Soitec | Etching composition, in particular for strained or stressed silicon materials, method for characterizing defects on surfaces of such materials and process of treating such surfaces with the etching composition |
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