JPS6128950A - パタ−ン作成方法 - Google Patents
パタ−ン作成方法Info
- Publication number
- JPS6128950A JPS6128950A JP14966084A JP14966084A JPS6128950A JP S6128950 A JPS6128950 A JP S6128950A JP 14966084 A JP14966084 A JP 14966084A JP 14966084 A JP14966084 A JP 14966084A JP S6128950 A JPS6128950 A JP S6128950A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photoresist
- workpiece
- alignment mark
- worked
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は被加工物の表面をエツチングしてパターンを作
成する方法に関し、なかでも長尺被加工物の表面にパタ
ーンを作成するのに特に適した方法に関する。
成する方法に関し、なかでも長尺被加工物の表面にパタ
ーンを作成するのに特に適した方法に関する。
［従来技術］
リソグラフィー技術を用いて被加工物の表面をエツチン
グすることにより各種製品を製造することが工業上特に
電子工業の分野において広く利用されており、この方法
によればパターンが同一の製品を大量に製造できる。こ
のエツチングの際には被加工物表面に感光性樹脂（フォ
トレジスト）を塗布した後、該レジストを所望パターン
にて露光、現像し該レジストをマスクとして被加工物表
面をエツチングすることが行なわれる。
グすることにより各種製品を製造することが工業上特に
電子工業の分野において広く利用されており、この方法
によればパターンが同一の製品を大量に製造できる。こ
のエツチングの際には被加工物表面に感光性樹脂（フォ
トレジスト）を塗布した後、該レジストを所望パターン
にて露光、現像し該レジストをマスクとして被加工物表
面をエツチングすることが行なわれる。
ところで、被加工物が長尺物である場合には露光装置そ
の他の制約から一時にパターン露光を行なえないことが
多く、この場合には分割露光（即ち２度以上に分けて一
部分づつ露光すること）が行なわれる。しかして、分割
露光においては複数回の露光でパターン形成をずれなし
に行うため被加工物表面に予め位置合わせマーク（アラ
イメントマーク）を付することが行われる。即ち、たと
えば表面にＡｌ膜を有する被加工物の表面にフォトレジ
ストを塗布し、アライメントマークパターンのみを露光
、現像し、次に該マークパターンを含む小部分のＡｌ膜
のエツチングを行ないフォトレジストを剥離し、アライ
メントマークを形成した後、再び被加工物を洗浄し、表
面にフォトレジストを塗布し、アライメントマークを基
準にして被加工物に長尺パターンの半分を露光し、続い
てアライメントマークを基準にして長尺パターンの残り
の半分を露光し、現像し、エツチングして長尺パターン
を形成し、最後にフォトレジストを剥離する。この従来
のパターン作成方法の工程のフローチャートを第３図に
示す。 しかして、以上の如き従来のパターン作成方法
においては工程数が多く、このため歩留り低下をもたら
すという欠点があった。
の他の制約から一時にパターン露光を行なえないことが
多く、この場合には分割露光（即ち２度以上に分けて一
部分づつ露光すること）が行なわれる。しかして、分割
露光においては複数回の露光でパターン形成をずれなし
に行うため被加工物表面に予め位置合わせマーク（アラ
イメントマーク）を付することが行われる。即ち、たと
えば表面にＡｌ膜を有する被加工物の表面にフォトレジ
ストを塗布し、アライメントマークパターンのみを露光
、現像し、次に該マークパターンを含む小部分のＡｌ膜
のエツチングを行ないフォトレジストを剥離し、アライ
メントマークを形成した後、再び被加工物を洗浄し、表
面にフォトレジストを塗布し、アライメントマークを基
準にして被加工物に長尺パターンの半分を露光し、続い
てアライメントマークを基準にして長尺パターンの残り
の半分を露光し、現像し、エツチングして長尺パターン
を形成し、最後にフォトレジストを剥離する。この従来
のパターン作成方法の工程のフローチャートを第３図に
示す。 しかして、以上の如き従来のパターン作成方法
においては工程数が多く、このため歩留り低下をもたら
すという欠点があった。
［発明の目的］
本発明は、゛以上の如き従来技術に鑑み、パターン作成
における工程数を低減させ、これにより歩留りを向上さ
せ、短時間に効率良くパターン作成を行うことを目的と
する。
における工程数を低減させ、これにより歩留りを向上さ
せ、短時間に効率良くパターン作成を行うことを目的と
する。
［発明の概要］
本発明によれば、上記の目的は、被加工物表面に感光性
樹脂を塗布し、該塗布部分の一部を露光し、現像し、そ
の後感光性樹脂の未露光部分を露光し、現像し、しかる
後に被加工物をエツチングすることを特徴とする、パタ
ーン作成方法により達成される。
樹脂を塗布し、該塗布部分の一部を露光し、現像し、そ
の後感光性樹脂の未露光部分を露光し、現像し、しかる
後に被加工物をエツチングすることを特徴とする、パタ
ーン作成方法により達成される。
［発明の実施例コ
以下、図面に基づき本発明方法の具体的実施例を説明す
る。
る。
第１図は本発明作成方法の工程を説明すめための図面で
あり、被加工物の平面図を示すものである。被加工物と
してはたとえばガラス基板上に５０００人程度０厚さに
Ａｌをコートしたものが用いられる。第１図（ａ）はこ
め様な被加工物の平面図であり、１は被加工物であり、
２はその表面に設けられたＡｌ膜である。
あり、被加工物の平面図を示すものである。被加工物と
してはたとえばガラス基板上に５０００人程度０厚さに
Ａｌをコートしたものが用いられる。第１図（ａ）はこ
め様な被加工物の平面図であり、１は被加工物であり、
２はその表面に設けられたＡｌ膜である。
先ず被加工物表面にポジ型フォトレジスト（東京応化社
製商品名０ＦＰＲ−８００）を１〜１゜５ｇｍ厚に塗布
した後、アライメントマーク形成部分（第１図（ａ）に
おける３の部分）のみを所望のアライメントマークパタ
ーンにて２０秒程度 ′露光し、次に現像、液（
東京応化社製商品名ＮＭＤ−３）で３０〜４０秒間現像
し、被加工物１の表面に第１図（ｂ）に示される様にフ
ォトレジストのアライメントマーク４を形成する。
製商品名０ＦＰＲ−８００）を１〜１゜５ｇｍ厚に塗布
した後、アライメントマーク形成部分（第１図（ａ）に
おける３の部分）のみを所望のアライメントマークパタ
ーンにて２０秒程度 ′露光し、次に現像、液（
東京応化社製商品名ＮＭＤ−３）で３０〜４０秒間現像
し、被加工物１の表面に第１図（ｂ）に示される様にフ
ォトレジストのアライメントマーク４を形成する。
次に、このアライメントマーク４を基準にして未露光部
分の半分即ち第１図（ｂ）の５の部分を所望のパターン
にて３０秒程度露光し、続いて被加工物１を移動させ、
アライメントマーク４を基準にして残りの未露光部分６
を所望のパターンにて３０秒程度露光する。次いで、上
記現像液を用いて４０〜５０秒間現像を行ない、リン酸
１６：硝酸１：酢酸２：水ｌの配合比のエツチング液で
６０〜９０秒間エツチングを行い、最後にフォトレジス
トを剥離し、これにより第１図（Ｃ）に示される様な長
尺パターン７を形成せしめる。
分の半分即ち第１図（ｂ）の５の部分を所望のパターン
にて３０秒程度露光し、続いて被加工物１を移動させ、
アライメントマーク４を基準にして残りの未露光部分６
を所望のパターンにて３０秒程度露光する。次いで、上
記現像液を用いて４０〜５０秒間現像を行ない、リン酸
１６：硝酸１：酢酸２：水ｌの配合比のエツチング液で
６０〜９０秒間エツチングを行い、最後にフォトレジス
トを剥離し、これにより第１図（Ｃ）に示される様な長
尺パターン７を形成せしめる。
この様なパターン作成工程のフローチャートを。
第２図に示す。
以上の実施例においては、パターンが長尺パターンであ
る場合を例示したが、本発明方法はその他の任意のパタ
ーンの場合にも適用し得ることはもちろんである。
る場合を例示したが、本発明方法はその他の任意のパタ
ーンの場合にも適用し得ることはもちろんである。
［発明の効果］
以上の如き本発明によれば、基板洗浄、フォトレジスト
塗布、エツチング及びフォトレジスト剥離の工程が１度
ですみ、洗浄液、フォトレジスト、エツチング液及び剥
離液が節約でき、且つ工程が短縮されるので歩留りが向
上する。
塗布、エツチング及びフォトレジスト剥離の工程が１度
ですみ、洗浄液、フォトレジスト、エツチング液及び剥
離液が節約でき、且つ工程が短縮されるので歩留りが向
上する。
第１図は本発明方法の工程を示す被加工物の平面図であ
り、第２図は本発明方法のフローチャートである。第３
図は従来のパターン作成方法のフローチャートである。 １：被加工物 ２：Ａ１膜 ３：７ライメントマ一ク形成部分 ４：アライメントマーク ７：長尺パターン 第１図 （ｂ） 、４ （Ｃ） 第３・図
り、第２図は本発明方法のフローチャートである。第３
図は従来のパターン作成方法のフローチャートである。 １：被加工物 ２：Ａ１膜 ３：７ライメントマ一ク形成部分 ４：アライメントマーク ７：長尺パターン 第１図 （ｂ） 、４ （Ｃ） 第３・図
Claims (1)
- （１）被加工物表面に感光性樹脂を塗布し、露光、現像
及びエッチングすることにより被加工物表面にパターン
を作成する方法において、被加工物表面に感光性樹脂を
塗布し、該塗布部分の一部を露光し、現像し、その後感
光性樹脂の未露光部分を露光し、現像し、しかる後に被
加工物をエッチングすることを特徴とする、パターン作
成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14966084A JPS6128950A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | パタ−ン作成方法 |
| US06/860,698 US4690880A (en) | 1984-07-20 | 1986-05-05 | Pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14966084A JPS6128950A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | パタ−ン作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6128950A true JPS6128950A (ja) | 1986-02-08 |
Family
ID=15480064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14966084A Pending JPS6128950A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | パタ−ン作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6128950A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0518483A (ja) * | 1991-07-09 | 1993-01-26 | Edger Chan | 管フランジ継手用のチエーン |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP14966084A patent/JPS6128950A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0518483A (ja) * | 1991-07-09 | 1993-01-26 | Edger Chan | 管フランジ継手用のチエーン |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4755257A (en) | Method of processing thin metal sheets by photoetching | |
| US4690880A (en) | Pattern forming method | |
| JPS6128950A (ja) | パタ−ン作成方法 | |
| JPS6129844A (ja) | パタ−ン作成方法 | |
| US3951659A (en) | Method for resist coating of a glass substrate | |
| JPH0430134B2 (ja) | ||
| JPS59141230A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS61159731A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| JPS6236823A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH06132208A (ja) | 基板のパターニング法 | |
| JPH01214026A (ja) | メサ構造のエッチング方法 | |
| KR100239435B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| JPS5828830A (ja) | パターン形成法 | |
| JPS6216536B2 (ja) | ||
| JPH04291721A (ja) | 薄膜回路の製造方法 | |
| JPH0263292B2 (ja) | ||
| JP2000040692A (ja) | パタン形成法 | |
| JPH01114849A (ja) | レジストパターン形成法 | |
| JPH03140476A (ja) | 金属薄膜のエッチング方法 | |
| JPH06260382A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003200108A (ja) | レリーフ塗装方法とその塗装体 | |
| JPH01154060A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JPH07193355A (ja) | 配線パターンの形成方法 | |
| JPS5951157B2 (ja) | 薄膜パタ−ンの製造方法 | |
| JPH01253918A (ja) | 半導体装置の製造方法 |