JPH04171820A - 塗布膜形成方法 - Google Patents
塗布膜形成方法Info
- Publication number
- JPH04171820A JPH04171820A JP29951490A JP29951490A JPH04171820A JP H04171820 A JPH04171820 A JP H04171820A JP 29951490 A JP29951490 A JP 29951490A JP 29951490 A JP29951490 A JP 29951490A JP H04171820 A JPH04171820 A JP H04171820A
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- JP
- Japan
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- wafer
- semiconductor wafer
- coating film
- coating
- hydrofluoric acid
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- Pending
Links
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は塗布膜形成方法に関する。
従来の塗布膜形成方法は、第３図に示すように、半導体
ウェーハの表面にシリコン化合物を主成分とする溶液を
塗布して塗布膜４を形成した後、半導体ウェーハ１を回
転させながら半導体ウェーハ１の周縁部に有機溶剤を吹
きつけ塗布膜４を除去していた。
ウェーハの表面にシリコン化合物を主成分とする溶液を
塗布して塗布膜４を形成した後、半導体ウェーハ１を回
転させながら半導体ウェーハ１の周縁部に有機溶剤を吹
きつけ塗布膜４を除去していた。
上述した従来の塗布膜形成方法は、有機溶剤により半導
体ウェーハの周縁部の塗布膜を除去していなので、半導
体ウェーハの周縁部で塗布膜の盛り上がりを生じ、塗布
膜を焼成してシリカ膜を形成する際に半導体ウェーハの
周縁部でシリカ膜がはがれ落ちるという欠点がある。
体ウェーハの周縁部の塗布膜を除去していなので、半導
体ウェーハの周縁部で塗布膜の盛り上がりを生じ、塗布
膜を焼成してシリカ膜を形成する際に半導体ウェーハの
周縁部でシリカ膜がはがれ落ちるという欠点がある。
本発明の塗布膜形成、方法は、半導体ウェーハの表面に
シリコン化合物を主成分とする溶液を塗布して塗布膜を
設ける工程と、前記半導体ウェーハを低速で回転させな
がら前記半導体ウェーハの周縁部に選択的に弗酸溶液を
注ぐ工程と、前記半導体ウェーハを高速で回転させ前記
半導体ウェーへの周縁部の前記塗布膜を除去する工程と
を含んで構成される。
シリコン化合物を主成分とする溶液を塗布して塗布膜を
設ける工程と、前記半導体ウェーハを低速で回転させな
がら前記半導体ウェーハの周縁部に選択的に弗酸溶液を
注ぐ工程と、前記半導体ウェーハを高速で回転させ前記
半導体ウェーへの周縁部の前記塗布膜を除去する工程と
を含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための工程順に示した半導体ウェーハの斜視図及び部
分断面拡大図である。
るための工程順に示した半導体ウェーハの斜視図及び部
分断面拡大図である。
第１図（ａ）に示すように、半導体ウェーハ１の表面に
スピナーで回転させながらシラノール等のシリコン化合
物を主成分とする溶液を滴下して塗布膜４を形成した後
、半導体ウェーハ１を毎分３００回転で回転させながら
ノズル２より半導体ウェーハｌの周縁部に弗酸溶液３を
滴下させ、塗布膜４をエツチングする。
スピナーで回転させながらシラノール等のシリコン化合
物を主成分とする溶液を滴下して塗布膜４を形成した後
、半導体ウェーハ１を毎分３００回転で回転させながら
ノズル２より半導体ウェーハｌの周縁部に弗酸溶液３を
滴下させ、塗布膜４をエツチングする。
次に、第１図（ｂ）に示すように、弗酸溶液３の滴下を
停止した後、半導体ウェーハ１を毎分４０００回転の高
速で回転させ半導体ウェーハ１の周縁部の弗酸溶液及び
塗布膜４を除去する。
停止した後、半導体ウェーハ１を毎分４０００回転の高
速で回転させ半導体ウェーハ１の周縁部の弗酸溶液及び
塗布膜４を除去する。
第２図は本発明の第２の実施例を説明するための半導体
ウェーハの部分断面図である。
ウェーハの部分断面図である。
第２図に示すように、半導体ウェーハ１の下面に設けた
ノズル２より弗酸溶液３を半導体ウェーハ１の内側から
外側へ向けて斜めに噴出させて半導体ウェーハ１の周縁
部に注ぐ以外は第１の実施例と同じ工程を含んでいる。
ノズル２より弗酸溶液３を半導体ウェーハ１の内側から
外側へ向けて斜めに噴出させて半導体ウェーハ１の周縁
部に注ぐ以外は第１の実施例と同じ工程を含んでいる。
以上説明したように本発明は、弗酸溶液で半導体周縁部
の塗布膜を選択的に除去することにより塗布膜の盛り上
りを防止し、焼成時のシリカ膜のはがれを防ぐことがで
きるという効果を有する。
の塗布膜を選択的に除去することにより塗布膜の盛り上
りを防止し、焼成時のシリカ膜のはがれを防ぐことがで
きるという効果を有する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための工程順に示した半導体ウェーハの斜視図及び部
分断面拡大図、第２図は本発明の第２の実施例を説明す
るための半導体ウェーハの部分断面図、第３図は従来の
塗布膜形成方法を説明するための半導体ウェーハの部分
断面図である。 １・・・半導体ウェーハ、２・・・ノズル、３・・・弗
酸溶液、４・・・塗布膜。
るための工程順に示した半導体ウェーハの斜視図及び部
分断面拡大図、第２図は本発明の第２の実施例を説明す
るための半導体ウェーハの部分断面図、第３図は従来の
塗布膜形成方法を説明するための半導体ウェーハの部分
断面図である。 １・・・半導体ウェーハ、２・・・ノズル、３・・・弗
酸溶液、４・・・塗布膜。
Claims (1)
- 半導体ウェーハの表面にシリコン化合物を主成分とす
る溶液を塗布して塗布膜を設ける工程と、前記半導体ウ
ェーハを低速で回転させながら前記半導体ウェーハの周
縁部に選択的に弗酸溶液を注ぐ工程と、前記半導体ウェ
ーハを高速で回転させ前記半導体ウェーハの周縁部の前
記塗布膜を除去する工程とを含むことを特徴とする塗布
膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29951490A JPH04171820A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 塗布膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29951490A JPH04171820A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 塗布膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04171820A true JPH04171820A (ja) | 1992-06-19 |
Family
ID=17873575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29951490A Pending JPH04171820A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 塗布膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04171820A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5779928A (en) * | 1996-02-13 | 1998-07-14 | Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. | Film dissolution method of dissolving silica-based coating film formed on surface of a substrate |
| WO2011001734A1 (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | 三菱マテリアル株式会社 | Ｃｓｄ塗布膜除去用液及びこれを用いたｃｓｄ塗布膜除去方法並びに強誘電体薄膜とその製造方法 |
| JP2011014649A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Mitsubishi Materials Corp | 強誘電体薄膜の製造方法 |
| JP2011040708A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-24 | Mitsubishi Materials Corp | Ｃｓｄ塗布膜除去用組成物及びこれを用いたｃｓｄ塗布膜除去方法並びに強誘電体薄膜とその製造方法 |
-
1990
- 1990-11-05 JP JP29951490A patent/JPH04171820A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5779928A (en) * | 1996-02-13 | 1998-07-14 | Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. | Film dissolution method of dissolving silica-based coating film formed on surface of a substrate |
| WO2011001734A1 (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | 三菱マテリアル株式会社 | Ｃｓｄ塗布膜除去用液及びこれを用いたｃｓｄ塗布膜除去方法並びに強誘電体薄膜とその製造方法 |
| JP2011014649A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Mitsubishi Materials Corp | 強誘電体薄膜の製造方法 |
| CN102473625A (zh) * | 2009-06-30 | 2012-05-23 | 三菱综合材料株式会社 | Csd涂布膜除去用液及使用其的csd涂布膜除去方法以及铁电体薄膜及其制造方法 |
| JP2011040708A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-24 | Mitsubishi Materials Corp | Ｃｓｄ塗布膜除去用組成物及びこれを用いたｃｓｄ塗布膜除去方法並びに強誘電体薄膜とその製造方法 |
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