JPS60144735A - フオト・レジスト膜の形成方法 - Google Patents
フオト・レジスト膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS60144735A JPS60144735A JP16584A JP16584A JPS60144735A JP S60144735 A JPS60144735 A JP S60144735A JP 16584 A JP16584 A JP 16584A JP 16584 A JP16584 A JP 16584A JP S60144735 A JPS60144735 A JP S60144735A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- resist film
- film
- pinholes
- nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、半導体装はの製造工程におけるフォト・レジ
メ）Ｂ形成方法に関するものである。
メ）Ｂ形成方法に関するものである。
従来、フォト・レジスト膜はスヒ１ン・オンによシ形成
していた。これは回転中のウェーッ・上にフォト・レジ
ストを滴下し低速回転でレジストをウェーハ全面に広げ
、高速回転で乾燥を行い、レジスト膜を形成する方法で
ある。
していた。これは回転中のウェーッ・上にフォト・レジ
ストを滴下し低速回転でレジストをウェーハ全面に広げ
、高速回転で乾燥を行い、レジスト膜を形成する方法で
ある。
しかしながら、この方法では、薄いレジスト膜を形成し
ようとした場合、あるいはウェーハ表面が段差のある構
造になっている場合等にレジスト膜にピンホールが発生
しやすいという欠点があった。このピンホールが発生し
た場合、レジストをマスクとした下地のエツチング工程
において本来開孔すべきでない部分をも除去することに
なり、シ目−ト等の不良の原因となっていた。
ようとした場合、あるいはウェーハ表面が段差のある構
造になっている場合等にレジスト膜にピンホールが発生
しやすいという欠点があった。このピンホールが発生し
た場合、レジストをマスクとした下地のエツチング工程
において本来開孔すべきでない部分をも除去することに
なり、シ目−ト等の不良の原因となっていた。
本発明の目的は、ピンホール発生を抑圧して良好なフォ
ト舎レジスト膜を塗布する方法を捉供することにある。
ト舎レジスト膜を塗布する方法を捉供することにある。
本発明は、通常のスピン・オ／を用いてレジスト膜を形
成した後、スプレーによシレジストの溶剤を噴霧し、レ
ジスト膜表層部を溶肪して再分布させることを特徴とし
、これによってピンホールの発生を押えることができる
。
成した後、スプレーによシレジストの溶剤を噴霧し、レ
ジスト膜表層部を溶肪して再分布させることを特徴とし
、これによってピンホールの発生を押えることができる
。
以下、図面によシ本発明の実施例を詳述する。
第１図は本発明を実現するだめの装置の構造の模式図を
示している。第１図で、１は半導体基板、２Ｌフォト−
レジストのディスペンスノズル、３はレジストのスプレ
ーノズル、４は基板ホルダーである１゜ 第２図（ａ）乃至（Ｃ）はフォト・レジストの塗布工程
を示す、、すなわち第１図の装置を用い、ノズル２から
レジストを滴下し、通常のスピン・オンによシ基板１１
上にレジスト膜１２を形成する（第２図（ａ））。この
時点ではピンホール１３が発生し、部分的にレジストが
基板を咎っていない箇９［が存在している。この後、ス
プレーノズル３（第１図）でレジストの溶剤をスプレー
で噴霧することにより、レジスト膜１２０表層が溶解し
て流体１４となる（第２図（ｂ））。最後にスピン・ド
ライを行うと、ピンホールを■うように再分布、付着、
固化したレジスト膜１５が形成される（第２図（Ｃ））
。
示している。第１図で、１は半導体基板、２Ｌフォト−
レジストのディスペンスノズル、３はレジストのスプレ
ーノズル、４は基板ホルダーである１゜ 第２図（ａ）乃至（Ｃ）はフォト・レジストの塗布工程
を示す、、すなわち第１図の装置を用い、ノズル２から
レジストを滴下し、通常のスピン・オンによシ基板１１
上にレジスト膜１２を形成する（第２図（ａ））。この
時点ではピンホール１３が発生し、部分的にレジストが
基板を咎っていない箇９［が存在している。この後、ス
プレーノズル３（第１図）でレジストの溶剤をスプレー
で噴霧することにより、レジスト膜１２０表層が溶解し
て流体１４となる（第２図（ｂ））。最後にスピン・ド
ライを行うと、ピンホールを■うように再分布、付着、
固化したレジスト膜１５が形成される（第２図（Ｃ））
。
以上散開した様に本発明を用いることによりレジスト膜
におけるピンホールの発生を減少させるという利点があ
る。
におけるピンホールの発生を減少させるという利点があ
る。
第１図は本発明を実施するだめの装置の構造を示したも
のでおシ、１は半導体基板、２はフォト・レジストのデ
ィスペンスノズル、３はレジストの溶剤のスプレーノズ
ル、４は・基板保持用の真空チャックを示している。。 第２図（ａ）乃至（Ｃ）は本発明の一実施例を示す塗布
工程の断面図である。ここで１１は半導体基板、１２は
レジスト膜、１３はピンホール、１４は流体レジスト、
１５はレジスト膜である。
のでおシ、１は半導体基板、２はフォト・レジストのデ
ィスペンスノズル、３はレジストの溶剤のスプレーノズ
ル、４は・基板保持用の真空チャックを示している。。 第２図（ａ）乃至（Ｃ）は本発明の一実施例を示す塗布
工程の断面図である。ここで１１は半導体基板、１２は
レジスト膜、１３はピンホール、１４は流体レジスト、
１５はレジスト膜である。
Claims (1)
- 半導体ウェーハ上に通猟のスピンｅオンによるフォト・
レジスト膜を塗布した後にフォト・レジストの溶剤をス
プレーによシ噴外することを特徴とするフォト・レジス
ト膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16584A JPS60144735A (ja) | 1984-01-04 | 1984-01-04 | フオト・レジスト膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16584A JPS60144735A (ja) | 1984-01-04 | 1984-01-04 | フオト・レジスト膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60144735A true JPS60144735A (ja) | 1985-07-31 |
Family
ID=11466418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16584A Pending JPS60144735A (ja) | 1984-01-04 | 1984-01-04 | フオト・レジスト膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60144735A (ja) |
-
1984
- 1984-01-04 JP JP16584A patent/JPS60144735A/ja active Pending
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