JPS59168639A - レジスト材塗布装置 - Google Patents

レジスト材塗布装置

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Publication number
JPS59168639A
JPS59168639A JP4484983A JP4484983A JPS59168639A JP S59168639 A JPS59168639 A JP S59168639A JP 4484983 A JP4484983 A JP 4484983A JP 4484983 A JP4484983 A JP 4484983A JP S59168639 A JPS59168639 A JP S59168639A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist material
chuck
gas
wafer
disk
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4484983A
Other languages
English (en)
Inventor
Junichi Moriya
純一 守谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP4484983A priority Critical patent/JPS59168639A/ja
Publication of JPS59168639A publication Critical patent/JPS59168639A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は例えば半導体装置の製造のときの半導体ウェ
ーハ上にパターンを形成するために、その表面上にホト
レジスト材を塗布する場合などに用いるレジスト材塗布
装置の改良に関するものである。
〔従来技術〕
第１図は従来のレジスト材塗布装置の一構成例を示す正
面図で、真空に引かれたチャック（１）の」二にシリコ
ンウェーハ（２）を載せ、その上方のレジスト材滴下用
管（３）からレジスト材を滴下し、チャック（１）を定
速回転させることによって、レジスト相をシリコンウェ
ーハ（２）上に均一に塗布するものである。
ところが、このような従来の装置では、回転によって、
レジスト材はシリコンウェーハ（２）の周縁部へ拡がる
が、周縁エツジに達したレジスト材は飛散せず、シリコ
ンウェーハ（２）の裏面に回り込む。
このような裏面へのレジスト材の回り込みはマスク合わ
せ時の焦点ずれ、装置の汚染などの問題を引き起こす。
〔発明の概要〕
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、被
着円板の裏面から気体を吹きつけることによって、裏面
へのレジスト材の回り込みのないレジスト材塗布装置を
提供するものである。
〔発明の実施例〕
第２図はこの発明の一実施例の構成を示す正面図で、第
１図の従来例と同等部分は同一符号で示す。図において
、（４）は気体を吹きつけるための管で、管（４）の先
端はチャック（１）によって回転するシリコンウェーハ
（２）の裏面の周縁部に向って開口して、この開口から
常時気体を吹き出している。
その動作は、チャック（１）の上にシリコンウェーハ（
２）を載せ、その上方のレジスト材滴下管（３）からレ
ジスト材を滴下し、チャック（１）を回転させるととも
に、管（４）から気体を吹きつけ、所要時間処理した後
に、チャック（１）を停止し、気体の吹き付けもＩＬめ
る。このようにすることによってレジスト材のシリコン
ウェーハ（２）の裏面への回り込みは防止できる。
以−に、シリコンウェーノーにレジスト材を塗布する場
合を説明したが、被着体はシリコンなどの半導体ウェー
ハに限らず、一般の被着円板に対しても適用できるのは
゛言うまでもない。
〔発明の効果〕 以上説Ｅ４１１したように、この発明になるレジスト材
塗布装置では、回転する被着円板の裏面から周縁部に気
体を吹きつけるようにしたので、被着円板の裏面へのレ
ジスト材の回り込みを防ＩＩ−することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のレジスト材塗布装置の構成例を示す正面
図、第２図はこの発明の一実施例の構成を示す正面図で
ある。 図において、（１）は真空チャック、（２）はノリコン
ウェー・・（被着円板）、（３）はレジスト材滴下用管
、（４）は気体吹きつけ粗管である。 なお、図中同−省号は同一または相当部分を示す。 代理人　葛野信−（外１名） 第１図 番 ・第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）真空に引いたチャック上に被着円板を吸着させ、
    上記被着円板の表面上にレジスト材を滴下し上記チャッ
    クを回転駆動して上記被着円板表面に上記レジスト材を
    塗布するものにおいて、上記塗布処理の期間、上記被着
    円板の裏面からその周縁部に気体を吹きつける管を備え
    たことを特徴とするレジスト材塗布装置。
JP4484983A 1983-03-15 1983-03-15 レジスト材塗布装置 Pending JPS59168639A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0487774U (ja) * 1990-12-12 1992-07-30
JPH0889864A (ja) * 1994-09-19 1996-04-09 Seiken:Kk 薄膜形成方法及び薄膜形成装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0487774U (ja) * 1990-12-12 1992-07-30
JPH0889864A (ja) * 1994-09-19 1996-04-09 Seiken:Kk 薄膜形成方法及び薄膜形成装置

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