JPH0555371A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0555371A JPH0555371A JP21530791A JP21530791A JPH0555371A JP H0555371 A JPH0555371 A JP H0555371A JP 21530791 A JP21530791 A JP 21530791A JP 21530791 A JP21530791 A JP 21530791A JP H0555371 A JPH0555371 A JP H0555371A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- semiconductor device
- solvent
- dummy pattern
- dicing lines
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置のダイシングラインの交差点がフ
ォトレジストなどの溶剤を塗布する際に、塗布ムラの原
因となる特異点とならないような半導体装置の製造方法
を得る。 【構成】 ダイシングラインの凹状部２にダミーパター
ン３を作ることにより、ダイシングラインの凸状部１の
角や段差の影響を減らした後、フォトレジスト６を塗布
することにより、溶剤の塗布ムラの原因がなくなるた
め、少ない溶剤で精度の高いものが得られることを特徴
としている。
ォトレジストなどの溶剤を塗布する際に、塗布ムラの原
因となる特異点とならないような半導体装置の製造方法
を得る。 【構成】 ダイシングラインの凹状部２にダミーパター
ン３を作ることにより、ダイシングラインの凸状部１の
角や段差の影響を減らした後、フォトレジスト６を塗布
することにより、溶剤の塗布ムラの原因がなくなるた
め、少ない溶剤で精度の高いものが得られることを特徴
としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造時に
ダミーパターンを用い、ウエハ上の特異点をなくす製造
方法に関するものである。
ダミーパターンを用い、ウエハ上の特異点をなくす製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４（ａ），（ｂ）は、例えば従来のダ
イシングラインの構造を示す部分平面図である。この図
において、１は凸状部、２は凹状部となっている。
イシングラインの構造を示す部分平面図である。この図
において、１は凸状部、２は凹状部となっている。
【０００３】従来の半導体装置のダイシングラインは、
上記のように構成され、例えばフォトレジストなどの溶
剤を塗布する場合に、図５（ａ）のようなフォトレジス
ト６の塗布ムラ７が発生していた。また、この塗布ムラ
７の始点を拡大すると、図５（ｂ）のようなダイシング
ラインの交差点（特異点）で発生する確率が高く、この
確率は半導体装置の面積が大きく、段差構造が厳しくな
るほど高くなっている。なお、フォトレジスト６を塗布
する場合は、図６（ａ），（ｂ）のようにフォトレジス
ト６をノズル８によりウエハ５の中心にのせ、チャック
９を回転させることによりウエハ５を回転させ、その遠
心力で広げている。
上記のように構成され、例えばフォトレジストなどの溶
剤を塗布する場合に、図５（ａ）のようなフォトレジス
ト６の塗布ムラ７が発生していた。また、この塗布ムラ
７の始点を拡大すると、図５（ｂ）のようなダイシング
ラインの交差点（特異点）で発生する確率が高く、この
確率は半導体装置の面積が大きく、段差構造が厳しくな
るほど高くなっている。なお、フォトレジスト６を塗布
する場合は、図６（ａ），（ｂ）のようにフォトレジス
ト６をノズル８によりウエハ５の中心にのせ、チャック
９を回転させることによりウエハ５を回転させ、その遠
心力で広げている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の半
導体装置のダイシングラインの構造では、段差があるた
めウエハ５上で特異点となり、フォトレジスト６などの
溶剤の塗布ムラ７の発生原因となり、フォトレジスト６
の吐出量を増やさなければならないという問題点があっ
た。
導体装置のダイシングラインの構造では、段差があるた
めウエハ５上で特異点となり、フォトレジスト６などの
溶剤の塗布ムラ７の発生原因となり、フォトレジスト６
の吐出量を増やさなければならないという問題点があっ
た。
【０００５】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ダイシングラインの交差点が特
異点とならないような半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
ためになされたもので、ダイシングラインの交差点が特
異点とならないような半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の製造方法は、ダイシングラインの交差点に、あらかじ
めダミーパターンを作成しておき、角や段差の影響を減
らして溶剤を塗布するものである。
の製造方法は、ダイシングラインの交差点に、あらかじ
めダミーパターンを作成しておき、角や段差の影響を減
らして溶剤を塗布するものである。
【０００７】
【作用】本発明においては、ダミーパターンは徐々に面
積を変化させているため、交差点が特異点とならない形
状となる。
積を変化させているため、交差点が特異点とならない形
状となる。
【０００８】また、交差点が特異点とならないことで、
溶剤を塗布する場合も塗布ムラの原因とならず、均一な
状態が得やすくなる。
溶剤を塗布する場合も塗布ムラの原因とならず、均一な
状態が得やすくなる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。図１は本発明の半導体装置の製造方法の一実施例を
示す図で、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は、図１
（ａ）をＡーＡ′で切断した際の断面図、図１（ｃ）は
同じくＢーＢ′で切断した際の断面図である。図１にお
いて、１はダイシングラインの凸状部、２はダイシング
ラインの凹状部、３は点状に形成したダミーパターン、
４は基板である。
る。図１は本発明の半導体装置の製造方法の一実施例を
示す図で、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は、図１
（ａ）をＡーＡ′で切断した際の断面図、図１（ｃ）は
同じくＢーＢ′で切断した際の断面図である。図１にお
いて、１はダイシングラインの凸状部、２はダイシング
ラインの凹状部、３は点状に形成したダミーパターン、
４は基板である。
【００１０】上記のように構成されたダイシングライン
の交差点においては、フォトレジストを塗布する場合、
３６０度どの角度から溶剤が浸入してきても、図２のよ
うにダミーパターン３の面積の変化に従って徐々に浸入
するため、交差点の角で液ハネなどが起こらなくなる。
図２のＣは溶剤の侵入方向の一例を示す。
の交差点においては、フォトレジストを塗布する場合、
３６０度どの角度から溶剤が浸入してきても、図２のよ
うにダミーパターン３の面積の変化に従って徐々に浸入
するため、交差点の角で液ハネなどが起こらなくなる。
図２のＣは溶剤の侵入方向の一例を示す。
【００１１】また、ダミーパターン３はダイシングライ
ンを形成する工程で、同時に形成しているため、工程数
は増加しない。
ンを形成する工程で、同時に形成しているため、工程数
は増加しない。
【００１２】なお、上記実施例では、ダミーパターン３
を点（ドット）形で示したが、図３のような線状でもよ
い。
を点（ドット）形で示したが、図３のような線状でもよ
い。
【００１３】また、ダミーパターン３は、ダイシングラ
インを形成する工程で形成していたが、特に段差が厳し
くなる工程の前工程で形成してもよい。
インを形成する工程で形成していたが、特に段差が厳し
くなる工程の前工程で形成してもよい。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ダイシングラインの交差点にダミーパターンを形成した
後、フォトレジスト等の溶剤を塗布するので、ダイシン
グラインの交差点における塗布ムラ等の特異性が減り、
フォトレジストなどの溶剤の塗布の際に少量の溶剤で精
度の高いものが得られる効果がある。
ダイシングラインの交差点にダミーパターンを形成した
後、フォトレジスト等の溶剤を塗布するので、ダイシン
グラインの交差点における塗布ムラ等の特異性が減り、
フォトレジストなどの溶剤の塗布の際に少量の溶剤で精
度の高いものが得られる効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す平面図である。
【図２】図１における作用を示す平面図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す平面図である。
【図４】従来のダイシングラインの平面図である。
【図５】図４における従来の問題点を示す平面図であ
る。
る。
【図６】フォトレジストをウエハに塗布する模式図であ
る。
る。
１ ダイシングラインの凸状部 ２ ダイシングラインの凹状部 ３ ダミーパターン ４ 基板 ５ ウエハ ６ フォトレジスト
Claims (1)
- 【請求項１】ダイシングラインが形成されたウエハ上に
溶剤を塗布する工程を含む半導体装置の製造方法におい
て、特異点となりやすいダイシングラインの交差点の角
や段差の影響をなくすためのダミーパターンを形成した
後、前記溶剤を塗布することを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21530791A JPH0555371A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21530791A JPH0555371A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555371A true JPH0555371A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16670157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21530791A Pending JPH0555371A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555371A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007223869A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Epson Toyocom Corp | ダイシングラインの膜構造、光学基板のウェハ、光学部品、及び光学部品の製造方法 |
| US8093672B2 (en) | 2005-10-28 | 2012-01-10 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device |
| JP2016004920A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法および構造体 |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP21530791A patent/JPH0555371A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8093672B2 (en) | 2005-10-28 | 2012-01-10 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device |
| JP2007223869A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Epson Toyocom Corp | ダイシングラインの膜構造、光学基板のウェハ、光学部品、及び光学部品の製造方法 |
| JP2016004920A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法および構造体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0555371A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02266517A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06204776A (ja) | 圧電薄膜振動子の製造方法 | |
| JPH01292829A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3349001B2 (ja) | 金属膜の形成方法 | |
| JPS5893270A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH034536A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07161721A (ja) | 厚膜レジストの平坦化方法 | |
| JPS63312645A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0220043A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0831710A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR960013140B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| JP2659270B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05283378A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07312355A (ja) | 半導体ウェハ | |
| JPH02297934A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6248025A (ja) | 絶縁膜へのコンタクト孔形成方法 | |
| JPS60226124A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPS63117428A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5893330A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63244642A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02100313A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01181546A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02123732A (ja) | レジスト・スピン・コート方法 | |
| JPH07161627A (ja) | アライメントマークの形成方法 |