JPS6248025A - 絶縁膜へのコンタクト孔形成方法 - Google Patents

絶縁膜へのコンタクト孔形成方法

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Publication number
JPS6248025A
JPS6248025A JP19061685A JP19061685A JPS6248025A JP S6248025 A JPS6248025 A JP S6248025A JP 19061685 A JP19061685 A JP 19061685A JP 19061685 A JP19061685 A JP 19061685A JP S6248025 A JPS6248025 A JP S6248025A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
photoresist
sio2
etching
mask
Prior art date
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Pending
Application number
JP19061685A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyonari Sato
聖也 佐藤
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、半導体
基板表面等に設けられる絶縁膜にコンタクト孔を形成す
る方法に関するものである。
〈従来の技術〉 Ｓｉ基板上に形成された、ＳｉＯ２膜とＳｉ３Ｎ４膜（
以下、単に「Ｓ　ｉＮ膜」という）の２層構造から成る
絶縁膜にコンタクト孔を形成する場合、第２図に示すよ
うに、フォトレジスト４をマスクにして、ＳｉＮ膜３を
エツチングした後、連続的にＳｉＯ２膜２をエツチング
すると、オーバーハング状態となる。なお、同図に於い
て、１ばＳｉ基板である。
そのため、第３図に示すように、ＳｉＮ膜８をエツチン
グした後、フォトレジストを剥離し、該５ｉＮｉ工ツチ
ング時のフォトレジストとは異なるパターンのフォトレ
ジスト９を新しく形成して、ＳｉＯ２膜７のエツチング
を行っていた。６はＳｉ基板である。
〈発明が解決しようとする問題点〉 しかしながら、上記コンタクト孔形成方法では、レジス
ト工程を２度行なわねばならず、また、ＳｉＯ２膜エツ
チング用の７オトレジスト形成工程に於いて、２５（μ
ｍ）程度の十分なアライメントマージンを考慮しなけれ
ばならないという問題点があった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、２度の
レジスト工程を行う必要がないと共に、余分機アライメ
ントマージンをなくシたコンタクト孔形成方法を提供す
るものである。
〈問題点を解決するための手段〉 ＳｉＮ膜上に所定パターンのフォトレジストを形成し、
該フォトレジストをマスクとして、該フォトレジストと
ＳｉＯ２に対して十分選択比のある等方性エツチング物
質により上記ＳｉＮ膜を等方性エツチングする。その後
、ベーキングを行って、上記ＳｉＮ膜のアンダーカット
部上の上記フォトレジストを同部方向に変形ζせる。そ
して、該変形後のフォトレジストをマスクとしてＳｉＯ
２膜をエツチングする。
〈実施例〉 以下、実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明に係るコンタクト孔形成方法の工程図で
ある。
図に於いて、１１はＳｉ基板、１２はＳｉＯ２膜、１３
はＳｉＮ膜、１４はフォトレジストである。
（１）ＳｉＮ膜１膜上３上定パターンのフォトレジスト
１４を形成し、該フォトレジストをマスクに毛で、フォ
トレジスト七ＳｉＯ２に対して十分選択比のある等方性
ＳｉＮエツチング物質でＳｉＮ膜１３を等方性エツチン
グし、０．５〜１．０μｍ程度のアンダーカット部を形
成させる。
（２）ベーキングを行って、上記アンダーカット部上の
フォトレジスト１４を同部方向に変形させる。
（３）変形後のフォトレジスト１４をマスクにしてＳｉ
Ｏ□膜１２全１２チングする。
以上によりコンタクト孔が形成される。
〈発明の効果〉 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、レジ
スト工程を１回にすることができると共に、従来方法で
は必要であった余分なアライメントマージンをなくすこ
とができるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図（１）乃至（３）は本発明に係るコンタクト孔形
成方法の工程断面図、第２図（１）、　（２）及び第３
図は従来のコンタクト孔形成方法の説明に供する断面図
である。 符号の説明 １：Ｓｉ基板、　２：ＳｉＯ２膜、　３：ＳｉＮ膜、４
：フォトレジスト、　　６：８１基板、７：ＳｉＯ２膜
、　８：ＳｉＮ膜、　９：フォトレジスト、　　１１：
Ｓｉ基板、　　１２　：　ＳｉＯ２膜、１３：ＳｉＮ膜
、　　１４：フォトレジスト。 代理人　弁理士　　福　士　愛　彦（他２名）第　ｌ　
凶

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、ＳｉＯ＿２膜とＳｉ＿３Ｎ＿４膜の２層構造から成
    る絶縁膜にコンタクト孔を形成する方法に於いて、ａ）
    上記Ｓｉ＿３Ｎ＿４膜上に所定パターンのフォトレジス
    トを形成し、該フォトレジストをマスクとして、該フォ
    トレジストとＳｉＯ＿２に対して十分選択比のある等方
    性エッチング物質により上記Ｓｉ＿３Ｎ＿４膜を等方性
    エッチングする工程と、ｂ）上記Ｓｉ＿３Ｎ＿４膜の等
    方性エッチング後、ベーキングを行って、上記Ｓｉ＿３
    Ｎ＿４膜のアンダーカット部上の上記フォトレジストを
    同部方向に変形させる工程と、 ｃ）上記変形後のフォトレジストをマスクとして上記Ｓ
    ｉＯ＿２膜をエッチングする工程と、を含むことを特徴
    とする、絶縁膜へのコンタクト孔形成方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008147613A (ja) * 2006-11-14 2008-06-26 Mitsubishi Electric Corp 多層薄膜パターン及び表示装置の製造方法
JP2010506385A (ja) * 2006-09-30 2010-02-25 エルジーマイクロン リミテッド 等方性エッチングを用いた微細パターン形成方法

Cited By (4)

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US8486838B2 (en) 2006-09-30 2013-07-16 Lg Innotek Co., Ltd. Method for forming a fine pattern using isotropic etching
US9209108B2 (en) 2006-09-30 2015-12-08 Lg Innotek Co., Ltd. Method for forming a fine pattern using isotropic etching
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