JPH0353522A - 垂直壁面のエッチング方法 - Google Patents
垂直壁面のエッチング方法Info
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- JPH0353522A JPH0353522A JP18962189A JP18962189A JPH0353522A JP H0353522 A JPH0353522 A JP H0353522A JP 18962189 A JP18962189 A JP 18962189A JP 18962189 A JP18962189 A JP 18962189A JP H0353522 A JPH0353522 A JP H0353522A
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- etching
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザの端面をエッチングで形成す
る垂直壁面のエッチング方法に関するものである． 〔従来の技術〕 第２図（ａ）．（ｂ）は従来の半導体レーザの端面をエ
ッチングで形成する方法を示す図であり、この図におい
て、１はＧａＡｓ基板、２は粘度の高いフォトレジスト
で、例えばＡＺ１３５０Ｊが用いられる．３は酸素に侵
されにくく蒸発しやすい金属で、例えばチタンが用いら
れる。４は解像度の高いフォトレジストで、例えばＡＺ
１３５０が用いられる。５は前記フォトレジスト４上に
露光および現像で形威したレジストの離脱部分（開口部
）、６は前記ＧａＡｓ基板１にエッチングにより形威し
た垂直壁面を有するエッチング穴である。
る垂直壁面のエッチング方法に関するものである． 〔従来の技術〕 第２図（ａ）．（ｂ）は従来の半導体レーザの端面をエ
ッチングで形成する方法を示す図であり、この図におい
て、１はＧａＡｓ基板、２は粘度の高いフォトレジスト
で、例えばＡＺ１３５０Ｊが用いられる．３は酸素に侵
されにくく蒸発しやすい金属で、例えばチタンが用いら
れる。４は解像度の高いフォトレジストで、例えばＡＺ
１３５０が用いられる。５は前記フォトレジスト４上に
露光および現像で形威したレジストの離脱部分（開口部
）、６は前記ＧａＡｓ基板１にエッチングにより形威し
た垂直壁面を有するエッチング穴である。
次に垂直エッチング壁面の形成について説明する。
ＧａＡｓ基板１上に粘度の高いフォトレジスト２を塗布
し約２５０℃で乾燥する。次いで、フォトレジスト２上
にチタン等の金属３を蒸着する。
し約２５０℃で乾燥する。次いで、フォトレジスト２上
にチタン等の金属３を蒸着する。
さらに、金属３上に解像度の高いフォトレジスト４を塗
布し、通常行われる写真製版技術によりフォトレジスト
４をバターニングし、開口部５を形成する。その後、こ
のウエハを異方性ドライエッチング装置、例えばＲＩＥ
，ＲＩＢＥ等の装置中でフロンガスなどで金属３を開口
部５のパターンに沿ってエッチングする。次に、別の異
方性ドライエッチング装置で酸素ガスを用いてフォトレ
ジスト２を同じく開口部５のパターンに沿ってエッチン
グする。そして、最後に別の異方性ドライエッチング装
置（金属３をエッチングした装置と同一でもよい）・で
ＧａＡｓ基板１を塩素ガスで１０μｍ以上エッチングし
て垂直なＧａＡｓ基板のエッチング壁面を形成する。
布し、通常行われる写真製版技術によりフォトレジスト
４をバターニングし、開口部５を形成する。その後、こ
のウエハを異方性ドライエッチング装置、例えばＲＩＥ
，ＲＩＢＥ等の装置中でフロンガスなどで金属３を開口
部５のパターンに沿ってエッチングする。次に、別の異
方性ドライエッチング装置で酸素ガスを用いてフォトレ
ジスト２を同じく開口部５のパターンに沿ってエッチン
グする。そして、最後に別の異方性ドライエッチング装
置（金属３をエッチングした装置と同一でもよい）・で
ＧａＡｓ基板１を塩素ガスで１０μｍ以上エッチングし
て垂直なＧａＡｓ基板のエッチング壁面を形成する。
（発明が解決しようとする課題）
従来の垂直エッチング壁面の形成は、以上のようになさ
れており、ＧａＡｓ基板１をエッチングするドライエッ
チング装置は真空度を１ ０ −’Ｔｏｒｒ台まで上げ
なければならないので、フォトレジスト２を酸素でエッ
チングする装置とは共用できず、また、金属３を蒸着す
るための蒸着装置が別に必要であった。
れており、ＧａＡｓ基板１をエッチングするドライエッ
チング装置は真空度を１ ０ −’Ｔｏｒｒ台まで上げ
なければならないので、フォトレジスト２を酸素でエッ
チングする装置とは共用できず、また、金属３を蒸着す
るための蒸着装置が別に必要であった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、ドライエッチング装置は１台だけあればよ
く、しかも金属の蒸着装置も不要で、かつ従来必要とし
た装置以外に新たな装置も必要としない垂直壁面を形成
するためのエッチング方法を得ることを目的とする。
れたもので、ドライエッチング装置は１台だけあればよ
く、しかも金属の蒸着装置も不要で、かつ従来必要とし
た装置以外に新たな装置も必要としない垂直壁面を形成
するためのエッチング方法を得ることを目的とする。
この発明に係る垂直壁面のエッチング方法は、半導体結
晶基板上に解像度の高いフォトレジストを塗布し、この
フォトレジストをパターニングして半導体結晶基板をエ
ッチングして垂直エッチング壁面を有するリッジ部を形
成し、このリッジ部のフォトレジストを除去した後、エ
ッチングした部分を埋めるように粘度の高いフォトレジ
ストを塗布し、次に全体のフォトレジストを現像液で軽
くエッチングして、半導体結晶基板をエッチングした際
にフォトレジストで被われていた部分のリッジ部の頭部
を露出し、さらにリッジ部をエッチングして垂直壁面を
形成するものである。
晶基板上に解像度の高いフォトレジストを塗布し、この
フォトレジストをパターニングして半導体結晶基板をエ
ッチングして垂直エッチング壁面を有するリッジ部を形
成し、このリッジ部のフォトレジストを除去した後、エ
ッチングした部分を埋めるように粘度の高いフォトレジ
ストを塗布し、次に全体のフォトレジストを現像液で軽
くエッチングして、半導体結晶基板をエッチングした際
にフォトレジストで被われていた部分のリッジ部の頭部
を露出し、さらにリッジ部をエッチングして垂直壁面を
形成するものである。
この発明においては、フォトレジストの塗布とエッチン
グを繰り返し行うことにより同一装置内において垂直壁
面のエッチングが行える。
グを繰り返し行うことにより同一装置内において垂直壁
面のエッチングが行える。
以下、この発明の一実施例を第１図（ａ），〜（ｄ）に
ついて説明する。
ついて説明する。
第１図において、第２図と同一符号は同じものを示し、
７は前記フォトレジスト４を通常の写真製版技術を用い
てパターニングした後、ＧａＡｓ基板１をエッチングし
て残ったリッジ部である。
７は前記フォトレジスト４を通常の写真製版技術を用い
てパターニングした後、ＧａＡｓ基板１をエッチングし
て残ったリッジ部である。
このときのエッチングは、塩素ガスを用い、異方性ドラ
イエッチング装置中で約１μｍ行なう。
イエッチング装置中で約１μｍ行なう。
ＧａＡｓとＡＺ１３５０の選択エッチング比は、塩素ガ
ス圧力等を適当に選べば２０〜３０位にとることができ
、ＧａＡｓを１μｍ程度エッチングする場合であれば垂
直壁面を保ったまま第１図（ａ）のようにエッチングす
ることができる。
ス圧力等を適当に選べば２０〜３０位にとることができ
、ＧａＡｓを１μｍ程度エッチングする場合であれば垂
直壁面を保ったまま第１図（ａ）のようにエッチングす
ることができる。
次に、フォトレジスト４を除去し、その後、第１図（ｂ
）のように粘度の高いフォトレジスト２を塗布した後、
全体を軽くレジスト現像液でエツヂングし、第１図（Ｃ
）のようにリッジ部７の頭部を露出させる。次いで、２
５０℃で乾燥すればフォトレジスト２はリッジ部７と接
している部分で垂直壁面を約１μｍ厚有していることに
なる。したがって、この後、塩素ガスでＧａＡｓ基板１
をエッチングすれば、第１図（ｄ）のように約１０μｍ
の垂直壁面を有するようにＧａＡｓをエッチングするこ
とができ、エッチング穴６が形成される。
）のように粘度の高いフォトレジスト２を塗布した後、
全体を軽くレジスト現像液でエツヂングし、第１図（Ｃ
）のようにリッジ部７の頭部を露出させる。次いで、２
５０℃で乾燥すればフォトレジスト２はリッジ部７と接
している部分で垂直壁面を約１μｍ厚有していることに
なる。したがって、この後、塩素ガスでＧａＡｓ基板１
をエッチングすれば、第１図（ｄ）のように約１０μｍ
の垂直壁面を有するようにＧａＡｓをエッチングするこ
とができ、エッチング穴６が形成される。
以上説明したように、この発明は、半導体結晶とレジス
トの選択エッチング比を繰り返し使用して！ツチングを
行なうようにしたので、Ｎ回のレジスト塗布とエッチン
グで（選択エッチング比）Ｎ倍に比を上げることができ
、深い垂直壁面を形成できる効果がある。
トの選択エッチング比を繰り返し使用して！ツチングを
行なうようにしたので、Ｎ回のレジスト塗布とエッチン
グで（選択エッチング比）Ｎ倍に比を上げることができ
、深い垂直壁面を形成できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例のエッチング方法を示す工
程断面図、第２図は従来のエッチング方法を説明するた
めの工程断面図である。 図において、１はＧａＡｓ基板、２は粘度の高いフォト
レジスト、４は解像度の高いフォトレジスト、６はエッ
チング穴、７はリッジ部である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
程断面図、第２図は従来のエッチング方法を説明するた
めの工程断面図である。 図において、１はＧａＡｓ基板、２は粘度の高いフォト
レジスト、４は解像度の高いフォトレジスト、６はエッ
チング穴、７はリッジ部である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体結晶基板を垂直にエッチングする方法において、
前記半導体結晶基板上に解像度の高いフォトレジストを
塗布し、このフォトレジストをパターニングして前記半
導体結晶基板をエッチングして垂直エッチング壁面を有
するリッジ部を形成し、前記リッジ部のフォトレジスト
を除去した後、エッチングした部分を埋めるように粘度
の高いフォトレジストを塗布し、次に全体のフォトレジ
ストを現像液で軽くエッチングして、前記半導体結晶基
板をエッチングした際にフォトレジストで被われていた
部分の前記リッジ部の頭部を露出し、さらに前記リッジ
部をエッチングして垂直壁面を形成することを特徴とす
る垂直壁面のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18962189A JPH0353522A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 垂直壁面のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18962189A JPH0353522A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 垂直壁面のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353522A true JPH0353522A (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=16244364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18962189A Pending JPH0353522A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 垂直壁面のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0353522A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008113561A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-22 | Yanmar Co Ltd | 鱗茎菜類調製機 |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP18962189A patent/JPH0353522A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008113561A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-22 | Yanmar Co Ltd | 鱗茎菜類調製機 |
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