JPH0468556A - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体デバイスの製造方法で特に、多層金属配
線を有するプロセス方式の金属配線とアルミ配線を結合
させるための眉間絶縁膜に開けるコンタクト孔の形成方
法に関するものである。

〔従来の技術〕

第２図は従来のアルミ多層配線のスルーホール形成工程
を示す断面図であるっ 図において、１は８１基板、２はアルミ配線、４は層間
絶縁膜、５はレジスト、６はスルーホールエツチング工
程において発生するアルミ加合物（以下ポリマーと称す
）であろう 次に製造工程について説明する。

従来のスルーホールの形成方法は第２図に示すように％
Ｓｉ基板１上にアルミ配線２をパターニングした後（（
ａ）図）、酸化膜等で層間絶縁膜４を形成する（（ｂ）
図）。

その後レジスト５を用いてスルーホールのパターンを写
真製版しく（Ｃ）図）、眉間絶縁膜のエツチングを行う
（（６１図）。

その後、レジスト５の除去を行い（（ｅ）図）、スルー
ホールのエツチング時に発生したポリマー６の除去を行
ってスルーホールを形成する（（ｆ）図）。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の半導体デバイスのスルーホール形成方法は以上の
ように形成テれていたので、ポリマーが発生するためポ
リマー除去工程が必要で、このポリマー除去工程がデバ
イスの信頼性に与える影響が無視できないという問題点
があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、スルーホール形成時におけるポリマーの発生
を無くした半導体デバイスの製造方法を得ることを目的
とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体デバイスの製造方法は、眉間絶縁
膜の下に下敷絶縁膜を設けることによって、スルーホー
ルエツチング時にポリマーが発生しないようにしたもの
である。

〔作用〕

この発明におけるスルーホール形成方法は、層間絶縁膜
の下に下敷絶縁膜を設はスルーホールのエツチングを、
層間絶縁膜、下敷絶縁膜の２段階にすることによって、
ポリマーの発生を防止している。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。

第１図はこの発明の一実施例である半導体デバイスのス
ルーホール形成の製造工程を示す断面図で図中符号１．
２．４．５．は前記従来のものと同一であるのでその説
明は省略する。図において、３は下敷絶縁膜である。

次に製造工程について説明する。まず、　ＳＬ基板１上
にアルミ’ｔスパッタしパターニングを行いアルミ配線
２を形成する（（ａ）図）。

次に、このデバイスに窒化模等の下敷絶縁膜３を形成し
く（ｂ）図）、その上に酸化膜等の層間絶縁膜４を形成
する（（Ｃ）図）。

次に、スルーホールのパターンをレジスト塗布後このデ
バイス上に写真製版でパターニングを行い（（ｄ）図）
、ドライエツチングによって眉間絶縁膜（４）のエツチ
ングを行う（（ｅ）図）。

次にレジストを除去した後、層間絶縁膜４をマスクとし
て下敷絶縁膜３をドライ又はウェットでエツチングする
（（ｆ）図）。

この時のエツチング液又はガスは層間絶縁膜４が耐エツ
チング性のもので、下敷絶縁膜３１ｒ、エツチングでき
るものを使用する。

以上の工程によってスルーホールが形成される。

なお、上記実施例ではアルミの多層配線プロセスのスル
ーホール工程の場合について述べ念が、他の電極材料に
ついても同様の構造が採用できることはいうまでもない
。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、眉間絶縁膜をマスクと
して、下敷絶縁膜をエツチングするようにしたので、ポ
リマーの発生しない製造工程が得られ、ポリマー除去工
程の削除およびデバイスの信頼性の向上に効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図ｆａｌ〜（ｆ＋はこの発明の一実施例である半導
体デバイスの製造工程を示す断面図、第２図は従来の半
導体デバイスの製造工程を示す断面図である。 図において、１は８１基板、２はアルミ配線、３は下敷
絶縁膜、４は層間絶縁膜、５＃″ｔレジストを示す。 なお、図中、同一符号は同一　又は相当部分を示す。 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　金属多層配線プロセスの層間絶縁膜を層間絶縁膜と下
   敷絶縁膜の２層構造とし、絶縁膜のエッチングを層間絶
   縁膜下敷絶縁膜それぞれに行うことによつて、エッチン
   グにおける金属加合物の生成を無くしたことを特徴とす
   る半導体デバイスの製造方法。