JPS5877246A - 多層配線構造の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は多層配線構造の形成方法に関するものである。

半導体集積回路装置（ｘｃ）ｔｃおいて、層間絶縁膜に
ボリイきド膜を用いた多層配線プロセスでは、ホトレジ
ストでパターン形成後、ウェットエツチングでポリイミ
ド膜にスルーホールを形成し、ホトレジスト除去後に上
層配線材料を付着して配線を形成する方法を用いている
。しかし、この技術では、プロセスが煩雑！生産性が悪
く、また異物が付着しゃ丁い。さらに、ウェットエツチ
ングを使用するため、微細化が困難である。

本発明の目的は、上記の問題点を解決し、より微細な眉
間絶縁膜の加工および配線の形成を一貫した連続ドライ
処理で可能とするものである。

以下１本発明の実施例を図面について説明する。

まず、第１図のように、半導体基板１の一生面に設けた
絶縁層２（実際には、フィールド８ｉＱ。

膜とリンシリケートガラス膜との２層絶縁膜）上に１層
目のアルミニウム配ＩＩ３を公知の方法に従って形成し
、更に全面にポリイミド膜４を塗布後に１Ｍｏ又はム４
等からなる厚さ０．２μｍ＠度の金属薄膜５を上層配線
形状忙公知の方法忙従って形成する。図中の６は金属薄
膜４のバターニングに用いるエツチングマスクとしての
７オトレジストである。この際、金属薄膜５の開ロアは
後記のスルーホールの位置に形成される。

次いで第２図のように、フォトレジスト６の除去後に、
ウェハ８全体を所定角度だけ相対的に傾斜させ、この状
態で上面から紙面上下方向にドライエツチング（プラズ
マエツチング）を行なう。

これによって、金属薄膜をマスクとして下地のポリイミ
ド膜４に上記開ロアに一致したスルーホール９が形成さ
れる。このスルーホール９の側壁面は、ウェハ８を上記
の如（に傾むけて処理したためＫｆ−バー１０を具備し
たものとなっている。

次いで第３図のよう忙、金属薄膜５をそのまま残した状
態で全面に公知の真空蒸着技術でアルミニウムを付着せ
しめ、このアルミニウム（必要トあれば金属薄膜５）を
所定パターンにエツチングして、下層配線３とスルーホ
ール９にて接続された２層目のアルミニウム配線１１を
形成する。

なお、上下の配線材料３，１１や薄膜５の材質は種々の
ものを選択できるし、また上記スルーホール９のテーパ
ーの付は方も様々の方法で行なってよい。

以上述べた如（、本発明による方法は、ドライ処理で行
なうため、従来以上の微細加工が可能でアリ、また、ス
ルーホールにテーパーをつけることができるため、段切
れの問題がなく上下の配線間の電気的導通が安定して得
られる。さらに、−貫した連続ドライ処理が可能なため
、工程が簡単であり、生産性の向上が可能であり、しか
も常にクリーンな状態を保持することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図及び第３図は、本発明の実施例による多
層配線の形成方法を工１７！！Ａ１１ｖｃ示す各断面図
である。 なお、図面に用いられている符号忙おいて、３は１層目
のアルミニウム配線、４はポリイミド族。 ５は金属薄膜、９はスルーホール、１０はテーパー面、
１１は２層目のアルミニウム配線である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、半導体基体上に下層配線を形成し、次いで全面に層
   間絶縁膜を被着し１次いでこの層間絶縁膜上に導電膜を
   所定パターンに形成し、次いで全体を所定角度相対的に
   傾斜させた状態において前記導電膜をマスクとして前記
   層間絶縁膜のドライエツチングを行なうことＫより前記
   層間絶縁膜にスルーホールを形成し１次いで前記導電膜
   上から前記スルーホールにかけて、前記下層配ｆｌＫ接
   続された上層配線を形成することを特徴とする多層配線
   構造の形成方法。