JPS6143849B2 - - Google Patents
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- JPS6143849B2 JPS6143849B2 JP17359380A JP17359380A JPS6143849B2 JP S6143849 B2 JPS6143849 B2 JP S6143849B2 JP 17359380 A JP17359380 A JP 17359380A JP 17359380 A JP17359380 A JP 17359380A JP S6143849 B2 JPS6143849 B2 JP S6143849B2
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- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシリコン（Si）等の半導体基板表面に
形成される不要な突起状の異物の除去方法に関す
るものである。
形成される不要な突起状の異物の除去方法に関す
るものである。
前述した突起状の異物は、Si基板上にSi層をエ
ピタキシヤル成長させるとき、反応ガス配管内に
貯まつている塵埃や、酸化物が核となつてSi基板
表面に異常成長した突起状の多結晶Siや、またSi
基板上に不純物を拡散する際の反応管内に存在し
ている異物等が核となつて付着して成長したもの
である。このようにSi基板表面に突起状の異物が
あると、該基板を所定のパターンに成形するため
のマスク合せの工程でマスクに傷がついたり、ま
た前記突起状の異物のためにマスク合せが正確に
実施できないといつた難点がある。
ピタキシヤル成長させるとき、反応ガス配管内に
貯まつている塵埃や、酸化物が核となつてSi基板
表面に異常成長した突起状の多結晶Siや、またSi
基板上に不純物を拡散する際の反応管内に存在し
ている異物等が核となつて付着して成長したもの
である。このようにSi基板表面に突起状の異物が
あると、該基板を所定のパターンに成形するため
のマスク合せの工程でマスクに傷がついたり、ま
た前記突起状の異物のためにマスク合せが正確に
実施できないといつた難点がある。
従来このような突起状の異物を除去するため、
その部分を回転するナイロン製のブラシ等を用い
て除去していたが、このような方法であると容易
に除去できず突起状の異物以外のSi基板表面を傷
つける欠点がある。
その部分を回転するナイロン製のブラシ等を用い
て除去していたが、このような方法であると容易
に除去できず突起状の異物以外のSi基板表面を傷
つける欠点がある。
本発明は前述した欠点を除去し、基板表面に付
着している突起状の異物を容易に除去することが
できる半導体基板の処理方法の提供を目的とする
ものである。
着している突起状の異物を容易に除去することが
できる半導体基板の処理方法の提供を目的とする
ものである。
かかる目的を達成するための半導体基板の処理
方法は、突起状の異物が付着せる半導体基板上に
樹脂を塗布したのち、該基板上に平板を押圧して
前記異物を粉砕し、しかる後粉砕した前記異物を
加圧した前記樹脂の溶剤で除去することを特徴と
するものである。
方法は、突起状の異物が付着せる半導体基板上に
樹脂を塗布したのち、該基板上に平板を押圧して
前記異物を粉砕し、しかる後粉砕した前記異物を
加圧した前記樹脂の溶剤で除去することを特徴と
するものである。
以上図面を用いて本発明の一実施例につき詳細
に説明する。
に説明する。
第１図より第３図までは本発明の半導体基板の
処理方法の工程を示す断面図である。
処理方法の工程を示す断面図である。
まず第１図に示すように突起状の異物１を有す
るSi基板２の表面に高粘度のポリビニルアルコー
ル（PVA）の樹脂３をスピンコート法で塗布す
る。その後第２図に示すように平坦な表面を有す
るガラス板４を用いてSi基板上の突起状の異物１
の部分を押圧する。このようにすることで前記突
起状の異物１が容易に粉砕され、また前記Si基板
表面には樹脂３が塗布されているので粉砕された
異物によつてSi基板表面が傷つくことがなく、ま
た前記ガラス板で押圧する際に余分の圧力が突起
状の異物以外に加わることがないのでSi基板表面
にクラツクが生じることもない。
るSi基板２の表面に高粘度のポリビニルアルコー
ル（PVA）の樹脂３をスピンコート法で塗布す
る。その後第２図に示すように平坦な表面を有す
るガラス板４を用いてSi基板上の突起状の異物１
の部分を押圧する。このようにすることで前記突
起状の異物１が容易に粉砕され、また前記Si基板
表面には樹脂３が塗布されているので粉砕された
異物によつてSi基板表面が傷つくことがなく、ま
た前記ガラス板で押圧する際に余分の圧力が突起
状の異物以外に加わることがないのでSi基板表面
にクラツクが生じることもない。
その後先端を絞つたノズル状の管から加圧した
純水を第３図に示す前記粉砕した異物５に注ぎ前
記異物を除去するとともに併せて前記PVAの樹
脂をも前記純水によつて溶解して除去する。
純水を第３図に示す前記粉砕した異物５に注ぎ前
記異物を除去するとともに併せて前記PVAの樹
脂をも前記純水によつて溶解して除去する。
以上の実施例においては、高粘度状の樹脂とし
て水溶性のPVA樹脂を用いたが、この他にキシ
レン（C8H10）またはトリクレン（C2Hcl3）に溶解
する高粘度状のポリイソプレン（C5H8）ｎより
なる樹脂を塗布したのち、前記樹脂の溶剤の
C8H10またはC2Hcl3を用いて前記異物を除去する
とともに前記樹脂を除去してもよい。更に以上の
実施例においてはガラス板を用いて押圧したがそ
の他石英板のように表面が平坦であれば勿論適用
可能である。
て水溶性のPVA樹脂を用いたが、この他にキシ
レン（C8H10）またはトリクレン（C2Hcl3）に溶解
する高粘度状のポリイソプレン（C5H8）ｎより
なる樹脂を塗布したのち、前記樹脂の溶剤の
C8H10またはC2Hcl3を用いて前記異物を除去する
とともに前記樹脂を除去してもよい。更に以上の
実施例においてはガラス板を用いて押圧したがそ
の他石英板のように表面が平坦であれば勿論適用
可能である。
以上述べたように本発明の方法によれば半導体
基板上に形成された突起状の異物が容易に除去さ
れ、このような異物が除去された半導体基板を用
いることでマスク合せが正確にかつ容易に実施で
きるので半導体装置の製造歩留が向上する利点を
生じる。
基板上に形成された突起状の異物が容易に除去さ
れ、このような異物が除去された半導体基板を用
いることでマスク合せが正確にかつ容易に実施で
きるので半導体装置の製造歩留が向上する利点を
生じる。
第１図より第３図までは本発明の工程の手順を
示す断面図である。 図において１は突起、２はSi基板、３はPVA
樹脂、４はガラス板、５は粉砕された異物を示
す。
示す断面図である。 図において１は突起、２はSi基板、３はPVA
樹脂、４はガラス板、５は粉砕された異物を示
す。
Claims (1)
- １ 突起状の異物が付着せる半導体基板上に樹脂
を塗布したのち、該基板上に平板を押圧して前記
異物を粉砕し、しかるのち粉砕した前記異物を前
記樹脂の溶剤で除去することを特徴とする半導体
基板の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17359380A JPS5796532A (en) | 1980-12-09 | 1980-12-09 | Treating method for semiconductor substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17359380A JPS5796532A (en) | 1980-12-09 | 1980-12-09 | Treating method for semiconductor substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5796532A JPS5796532A (en) | 1982-06-15 |
| JPS6143849B2 true JPS6143849B2 (ja) | 1986-09-30 |
Family
ID=15963464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17359380A Granted JPS5796532A (en) | 1980-12-09 | 1980-12-09 | Treating method for semiconductor substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5796532A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669035B2 (ja) * | 1984-11-28 | 1994-08-31 | キヤノン株式会社 | エピスパイククラッシュ装置 |
-
1980
- 1980-12-09 JP JP17359380A patent/JPS5796532A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5796532A (en) | 1982-06-15 |
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