JPS62277734A - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法Info
- Publication number
- JPS62277734A JPS62277734A JP12047686A JP12047686A JPS62277734A JP S62277734 A JPS62277734 A JP S62277734A JP 12047686 A JP12047686 A JP 12047686A JP 12047686 A JP12047686 A JP 12047686A JP S62277734 A JPS62277734 A JP S62277734A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon substrate
- semiconductor substrate
- substrate
- particulates
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000005406 washing Methods 0.000 title 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 6
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000002525 ultrasonication Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
本発明は半導体基板の処理方法、特にシリコン基板の洗
浄方法に関する。
浄方法に関する。
［従来の技術］
従来、半導体基板上に付着した微粒子を除去する方法と
しては、微粒子に物理的な力を作用させて剥離する手段
として、たとえばブラシスクライビング、高圧水噴射、
超音波洗浄などの方法がおり、また一方半導体基板表面
を化学的に軽くエツチングして微粒子を除去する手段と
して、たとえば８０°Ｃ程度に７＋０熱したアンモニア
過酸化水素溶液中に基板を浸漬する方法がある。
しては、微粒子に物理的な力を作用させて剥離する手段
として、たとえばブラシスクライビング、高圧水噴射、
超音波洗浄などの方法がおり、また一方半導体基板表面
を化学的に軽くエツチングして微粒子を除去する手段と
して、たとえば８０°Ｃ程度に７＋０熱したアンモニア
過酸化水素溶液中に基板を浸漬する方法がある。
［発明が解決しようとする問題点１
しかしながら、現在半導体装置の製造に用いられるシリ
コン基板としては通常基板の片面に機械的に損傷を加え
ることによって格子歪を形成し、この歪層によるエクス
トリンシック・ゲッタリング効果を持たせたものが一般
的でおり、半導体装置の製造過程において汚染物となる
微粒子には基板に機械的な損傷を加えた際に発生し、そ
のまま基板の裏面に吸着されていたものが極めて多く含
まれている。これらの微粒子は基板裏面に形成された微
小な穴や亀裂中に捕えられてあり、ざらに極薄いシリコ
ン酸化膜によって固定されていると考えられ、したかっ
て従来の洗浄方法、たとえば物理的に微粒子を除去する
方法では、シリコン酸化膜によって固定されている微粒
子を除去することはできず、また一方半導体暴板を化学
的に軽くエツチングして微粒子を除去する方法では、微
粒子が微小な穴や亀裂中に捕えられているために、これ
らに効果を及ぼすことかできない。なあ、この種の洗浄
液として一般的に用いられているアンモニア過酸化水素
溶液はシリコン基板のエツチングと同時にシリコン表面
の酸化を進行させるため、この点でも微粒子の除去は効
果的でない。
コン基板としては通常基板の片面に機械的に損傷を加え
ることによって格子歪を形成し、この歪層によるエクス
トリンシック・ゲッタリング効果を持たせたものが一般
的でおり、半導体装置の製造過程において汚染物となる
微粒子には基板に機械的な損傷を加えた際に発生し、そ
のまま基板の裏面に吸着されていたものが極めて多く含
まれている。これらの微粒子は基板裏面に形成された微
小な穴や亀裂中に捕えられてあり、ざらに極薄いシリコ
ン酸化膜によって固定されていると考えられ、したかっ
て従来の洗浄方法、たとえば物理的に微粒子を除去する
方法では、シリコン酸化膜によって固定されている微粒
子を除去することはできず、また一方半導体暴板を化学
的に軽くエツチングして微粒子を除去する方法では、微
粒子が微小な穴や亀裂中に捕えられているために、これ
らに効果を及ぼすことかできない。なあ、この種の洗浄
液として一般的に用いられているアンモニア過酸化水素
溶液はシリコン基板のエツチングと同時にシリコン表面
の酸化を進行させるため、この点でも微粒子の除去は効
果的でない。
いずれにせよ、従来の洗浄方法では有効かつ根本的な微
粒子の除去を行うことはできず、半導体装置の製造工程
を経る毎に半導体基板表面には極めて多数の微粒子が付
着し、これらによって半導体装置の製造歩留りは重大な
影響を受ける。例えばリソグラフィ工程においては、２
１Ｊ！ｎの設計基準の場合、直径０．２ｔｍ以上の微粒
子によってパターンのくずれなどの不良を引き起こし、
また拡散工程においてシリコン基板表面に微粒子が存在
すると、異常拡散の原因となったりして、半導体素子の
特性を劣化させ、歩留り２品質の低下をｆｎ＜といった
問題点がある。
粒子の除去を行うことはできず、半導体装置の製造工程
を経る毎に半導体基板表面には極めて多数の微粒子が付
着し、これらによって半導体装置の製造歩留りは重大な
影響を受ける。例えばリソグラフィ工程においては、２
１Ｊ！ｎの設計基準の場合、直径０．２ｔｍ以上の微粒
子によってパターンのくずれなどの不良を引き起こし、
また拡散工程においてシリコン基板表面に微粒子が存在
すると、異常拡散の原因となったりして、半導体素子の
特性を劣化させ、歩留り２品質の低下をｆｎ＜といった
問題点がある。
本発明は上記欠点を解消し、半導体装置の製造工程にお
いて半導体基板に付着する微粒子を極めて有効にかつ根
本的に除去し、信頼性の高い半導体装置を高歩留りで製
造するための半導体基板の処理方法を提供することであ
る。
いて半導体基板に付着する微粒子を極めて有効にかつ根
本的に除去し、信頼性の高い半導体装置を高歩留りで製
造するための半導体基板の処理方法を提供することであ
る。
［発明の従来技術に対する相違点］
本発明は上述した従来の半導体基板の洗浄方法と異なり
、半導体基板裏面に吸着・固定されていた微粒子の除去
を行うことにより、以後の半導体装置製造工程において
半導体基板表面に付着する微粒子を大幅に減少させると
いう独創的内容を有する。
、半導体基板裏面に吸着・固定されていた微粒子の除去
を行うことにより、以後の半導体装置製造工程において
半導体基板表面に付着する微粒子を大幅に減少させると
いう独創的内容を有する。
［問題点を解決するための手段］
本発明の半導体基板の洗浄方法は機械的な損傷を与える
ことによって片面に格子歪層が形成された半導体基板を
フッ化水素酸含有溶液中で超音波処理することを特徴と
するものでおる。
ことによって片面に格子歪層が形成された半導体基板を
フッ化水素酸含有溶液中で超音波処理することを特徴と
するものでおる。
［実施例］
次に本発明の一実施例について図面を参照して説明する
。
。
（実施例１）
本発明の第１の実施例はまずシリコン基板を４．９％フ
ッ化水素酸溶液中で２８ＫＨ２、１，７Ｗ／ｃｍ２の条
件で１０分間超音波！ｌａ理することによって、シリコ
ン基板裏面にシリコン酸化膜によって固定されていた微
粒子を浮き上がらせる。続いて該シリコン基板をアンモ
ニア過酸化水素溶液中で２８ＫＨｚ。
ッ化水素酸溶液中で２８ＫＨ２、１，７Ｗ／ｃｍ２の条
件で１０分間超音波！ｌａ理することによって、シリコ
ン基板裏面にシリコン酸化膜によって固定されていた微
粒子を浮き上がらせる。続いて該シリコン基板をアンモ
ニア過酸化水素溶液中で２８ＫＨｚ。
１．７す７０ｍ２の条件で１０分間超音波処理すること
により、以後の半導体装置製造工程でシリコン基板に付
着する微粒子の大部分を根本的に除去する。
により、以後の半導体装置製造工程でシリコン基板に付
着する微粒子の大部分を根本的に除去する。
第１図は口径４インチの裏面歪加工したシリコン基板に
ついて上記の方法によって除去することのできた微粒子
数を示す。第１図中には比較のため、超音波処理を施さ
ず、４．９％フッ化水素酸溶液中に１０分間浸漬しただ
けの場合Ｂ、および超音波も４．９％フフ化水素酸）合
液も用いず１０分間水洗しただけの場合Ｃについても併
せて示してあり、４．９％フッ化水素酸溶液を用いるこ
と、ざらに超音波を併用する処理の場合Ａの効果が著し
いのか明らかである。
ついて上記の方法によって除去することのできた微粒子
数を示す。第１図中には比較のため、超音波処理を施さ
ず、４．９％フッ化水素酸溶液中に１０分間浸漬しただ
けの場合Ｂ、および超音波も４．９％フフ化水素酸）合
液も用いず１０分間水洗しただけの場合Ｃについても併
せて示してあり、４．９％フッ化水素酸溶液を用いるこ
と、ざらに超音波を併用する処理の場合Ａの効果が著し
いのか明らかである。
〈実施例２）
第２図は本発明の実施例２の略図でおる。ここで４．９
％フッ化水素酸溶液１はフィルター２を介してポンプ３
によって循環され、ウェハーキャリヤ４によって支持さ
れたシリコン基板５は常に一定の流速を持った液にざら
されている。したがって４．９％フッ化水素酸溶液１お
よび超音波発生機６で発生させた超音波によってシリコ
ン基板５か、ら浮き上がった微粒子はそのままシリコン
基板５から除去することができる。この実施例によって
も第１図と同様な結果を得ることができる。なあ、この
実施例ではシリコン基板５に固定されていた微粒子の遊
離とその除去を同時に行なうため処理時間や装置のスペ
ースを縮小することができる。
％フッ化水素酸溶液１はフィルター２を介してポンプ３
によって循環され、ウェハーキャリヤ４によって支持さ
れたシリコン基板５は常に一定の流速を持った液にざら
されている。したがって４．９％フッ化水素酸溶液１お
よび超音波発生機６で発生させた超音波によってシリコ
ン基板５か、ら浮き上がった微粒子はそのままシリコン
基板５から除去することができる。この実施例によって
も第１図と同様な結果を得ることができる。なあ、この
実施例ではシリコン基板５に固定されていた微粒子の遊
離とその除去を同時に行なうため処理時間や装置のスペ
ースを縮小することができる。
またシリコン基板５の状態によってはアルカリ溶液への
浸漬を避けなければならないときにも有効であるという
利点を持つ。
浸漬を避けなければならないときにも有効であるという
利点を持つ。
［発明の効果１
以上説明したように本発明によれば、半導体基板をフッ
化水素酸を含む溶液中で超音波処理を施すことにより、
以後の半導体製造工程において半導体基板に付着する微
粒子数を大幅に減少ざぜることができる効果がある。
化水素酸を含む溶液中で超音波処理を施すことにより、
以後の半導体製造工程において半導体基板に付着する微
粒子数を大幅に減少ざぜることができる効果がある。
第１図は本発明の実施例１による効果を示した実験デー
タ図、第２図は本発明の実施例２を示す構成図である。 １・・・４，９％フフ化水素酸溶液 ２・・・フィルター ３・・・ポンプ４・・・
ウェハーキャリヤ ５・・・シリコン基板６・・・超
音波発生顯
タ図、第２図は本発明の実施例２を示す構成図である。 １・・・４，９％フフ化水素酸溶液 ２・・・フィルター ３・・・ポンプ４・・・
ウェハーキャリヤ ５・・・シリコン基板６・・・超
音波発生顯
Claims (1)
- （１）機械的な損傷を与えることによって片面に格子歪
層が形成された半導体基板をフッ化水素酸含有溶液中で
超音波処理することを特徴とする半導体基板の洗浄方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12047686A JPS62277734A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 半導体基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12047686A JPS62277734A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 半導体基板の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62277734A true JPS62277734A (ja) | 1987-12-02 |
Family
ID=14787118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12047686A Pending JPS62277734A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 半導体基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62277734A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02307080A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-20 | Nec Corp | 液冷ｂｔ装置 |
| WO1996021242A1 (fr) * | 1995-01-06 | 1996-07-11 | Tadahiro Ohmi | Procede de nettoyage |
-
1986
- 1986-05-26 JP JP12047686A patent/JPS62277734A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02307080A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-20 | Nec Corp | 液冷ｂｔ装置 |
| WO1996021242A1 (fr) * | 1995-01-06 | 1996-07-11 | Tadahiro Ohmi | Procede de nettoyage |
| US5954885A (en) * | 1995-01-06 | 1999-09-21 | Ohmi; Tadahiro | Cleaning method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3294934B2 (ja) | 半導体基板の作製方法及び半導体基板 | |
| JPH11195773A (ja) | 基板処理方法及び装置及びｓｏｉ基板 | |
| KR20110006653A (ko) | Ｓｏｉ 기판의 제조 방법 | |
| JPH1092777A (ja) | 半導体ウェハの製造方法 | |
| JP2005093869A (ja) | シリコンウエーハの再生方法及び再生ウエーハ | |
| TW308707B (en) | Manufacturing method of bonding SOI wafer | |
| JP2923641B2 (ja) | 研磨直後の半導体ウエハの処理方法 | |
| JPS62277734A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JPH0786220A (ja) | 半導体ウエハの洗浄方法 | |
| JPH09227170A (ja) | ガラス基板の洗浄方法 | |
| JP3350627B2 (ja) | 半導体素子の異物除去方法及びその装置 | |
| US5700348A (en) | Method of polishing semiconductor substrate | |
| JPH02257613A (ja) | 微粒子汚染の除去方法 | |
| JP3924551B2 (ja) | Ｓｏｉウェハ製造方法 | |
| JP3337895B2 (ja) | 半導体基板洗浄方法 | |
| JPH02246332A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3611142B2 (ja) | 張り合わせウェーハおよびその製造方法 | |
| JPS61294824A (ja) | 半導体集積回路の製造装置 | |
| KR102109893B1 (ko) | 접합 웨이퍼의 제조방법 | |
| JP2001319914A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH07153728A (ja) | 温純水洗浄によるシリコンウエーハの表面処理方法 | |
| JPH07183268A (ja) | 半導体ウェハの洗浄装置 | |
| JP2001327933A (ja) | 基板洗浄方法 | |
| JP3158407B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JP3353477B2 (ja) | 純水リンス方法及び半導体装置の製造方法 |