JPH0719733A - 真空乾燥処理装置 - Google Patents
真空乾燥処理装置Info
- Publication number
- JPH0719733A JPH0719733A JP18214993A JP18214993A JPH0719733A JP H0719733 A JPH0719733 A JP H0719733A JP 18214993 A JP18214993 A JP 18214993A JP 18214993 A JP18214993 A JP 18214993A JP H0719733 A JPH0719733 A JP H0719733A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- vacuum
- vacuum chamber
- sample piece
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空乾燥処理装置において、試料の乾燥処理
を短時間で実現可能とする。 【構成】 前工程で所定の加工が行われた試料７を受け
入れてステージ８上に保持し、このステージ８の周囲に
て上記試料７の全体を覆い内部を真空状態に保つ真空チ
ャンバ９を備え、上記試料７を真空中で乾燥処理する真
空乾燥処理装置３において、上記真空チャンバ９内で上
記試料７の温度を常温よりも上昇させる加熱手段（１
５）を設けたものである。これにより、試料７を乾燥す
るのに、真空状態と加熱状態の相乗作用により短時間で
乾燥処理を行うことができる。
を短時間で実現可能とする。 【構成】 前工程で所定の加工が行われた試料７を受け
入れてステージ８上に保持し、このステージ８の周囲に
て上記試料７の全体を覆い内部を真空状態に保つ真空チ
ャンバ９を備え、上記試料７を真空中で乾燥処理する真
空乾燥処理装置３において、上記真空チャンバ９内で上
記試料７の温度を常温よりも上昇させる加熱手段（１
５）を設けたものである。これにより、試料７を乾燥す
るのに、真空状態と加熱状態の相乗作用により短時間で
乾燥処理を行うことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体製品の製
造工程において前工程で所定の加工が行われた試料（ウ
ェハ又はホトマスクなど）を受け入れて真空中で乾燥処
理する真空乾燥処理装置に関し、特に上記の乾燥処理を
短時間で行うことができる真空乾燥処理装置に関する。
造工程において前工程で所定の加工が行われた試料（ウ
ェハ又はホトマスクなど）を受け入れて真空中で乾燥処
理する真空乾燥処理装置に関し、特に上記の乾燥処理を
短時間で行うことができる真空乾燥処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体製品の製造において、試料
としてのホトマスクの片面に光の波を半波長分だけ遅ら
せる働きをするシフター材を塗布して位相シフトマスク
を製造するには、図５に示すように、ローダ部１に積層
されたホトマスクを１枚ずつ取り出して回転カップ塗布
装置２へ搬送し、この回転カップ塗布装置２で回転チャ
ックに保持されたホトマスクを処理カップと共に回転し
ながらシフター材を塗布し、その後真空乾燥処理装置３
へ搬送し真空チャンバ内を真空状態にしてシフター材の
溶媒を蒸発させて乾燥し、次に裏面洗浄装置４へ搬送
し、さらにベーク部５で洗浄後のホトマスクを加熱乾燥
させ、その後出来上がった位相シフトマスクを１枚ずつ
アンローダ部６に積層していた。
としてのホトマスクの片面に光の波を半波長分だけ遅ら
せる働きをするシフター材を塗布して位相シフトマスク
を製造するには、図５に示すように、ローダ部１に積層
されたホトマスクを１枚ずつ取り出して回転カップ塗布
装置２へ搬送し、この回転カップ塗布装置２で回転チャ
ックに保持されたホトマスクを処理カップと共に回転し
ながらシフター材を塗布し、その後真空乾燥処理装置３
へ搬送し真空チャンバ内を真空状態にしてシフター材の
溶媒を蒸発させて乾燥し、次に裏面洗浄装置４へ搬送
し、さらにベーク部５で洗浄後のホトマスクを加熱乾燥
させ、その後出来上がった位相シフトマスクを１枚ずつ
アンローダ部６に積層していた。
【０００３】ここで、上記真空乾燥処理装置３は、図４
に示すように、前工程で所定の加工が行われた試料７を
受け入れてステージ８上に保持し、このステージ８の周
囲にて上記試料７の全体を覆い内部を真空状態に保つ真
空チャンバ９を備え、上記試料７を真空中で乾燥処理す
るようになっていた。なお、図４において、符号１０は
上記試料７の上面に塗布されたシフター材を示し、符号
１１は試料７を支持する受け部を示し、符号１２はパイ
プ１３を介して真空チャンバ９内の空気を吸引する真空
ポンプを示し、符号１４は上下方向に開閉する真空チャ
ンバ９の閉鎖時の気密を保持するシール材を示してい
る。
に示すように、前工程で所定の加工が行われた試料７を
受け入れてステージ８上に保持し、このステージ８の周
囲にて上記試料７の全体を覆い内部を真空状態に保つ真
空チャンバ９を備え、上記試料７を真空中で乾燥処理す
るようになっていた。なお、図４において、符号１０は
上記試料７の上面に塗布されたシフター材を示し、符号
１１は試料７を支持する受け部を示し、符号１２はパイ
プ１３を介して真空チャンバ９内の空気を吸引する真空
ポンプを示し、符号１４は上下方向に開閉する真空チャ
ンバ９の閉鎖時の気密を保持するシール材を示してい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の真空乾燥処理装置３においては、真空ポンプ１２で
真空チャンバ９内の空気を吸引しながら、試料７を常温
状態に放置して乾燥処理しているだけであったので、例
えばシフター材１０の溶媒が蒸発して乾燥するのに時間
がかかるものであった。ところが、図５に示す真空乾燥
処理の後工程で行う裏面洗浄装置４による試料７の洗浄
工程においては、上記シフター材１０の溶媒を十分に蒸
発させた方が、硫酸洗浄に対する耐性が向上してシフタ
ー材１０が剥がれにくいことが実験によって確かめられ
ている。このことから、上記真空乾燥処理装置３におい
ては、常温で行う真空乾燥処理を長時間行って溶媒を十
分に蒸発させる必要があった。従って、真空乾燥処理装
置３における乾燥工程に長時間を要し、延いては図５に
示す位相シフトマスクの製造工程全体の処理能力が低下
するものであった。
来の真空乾燥処理装置３においては、真空ポンプ１２で
真空チャンバ９内の空気を吸引しながら、試料７を常温
状態に放置して乾燥処理しているだけであったので、例
えばシフター材１０の溶媒が蒸発して乾燥するのに時間
がかかるものであった。ところが、図５に示す真空乾燥
処理の後工程で行う裏面洗浄装置４による試料７の洗浄
工程においては、上記シフター材１０の溶媒を十分に蒸
発させた方が、硫酸洗浄に対する耐性が向上してシフタ
ー材１０が剥がれにくいことが実験によって確かめられ
ている。このことから、上記真空乾燥処理装置３におい
ては、常温で行う真空乾燥処理を長時間行って溶媒を十
分に蒸発させる必要があった。従って、真空乾燥処理装
置３における乾燥工程に長時間を要し、延いては図５に
示す位相シフトマスクの製造工程全体の処理能力が低下
するものであった。
【０００５】そこで、本発明は、このような問題点に対
処し、試料の乾燥処理を短時間で行うことができる真空
乾燥処理装置を提供することを目的とする。
処し、試料の乾燥処理を短時間で行うことができる真空
乾燥処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による真空乾燥処理装置は、前工程で所定の
加工が行われた試料を受け入れてステージ上に保持し、
このステージの周囲にて上記試料の全体を覆い内部を真
空状態に保つ真空チャンバを備え、上記試料を真空中で
乾燥処理する真空乾燥処理装置において、上記真空チャ
ンバ内で上記試料の温度を常温よりも上昇させる加熱手
段を設けたものである。
に、本発明による真空乾燥処理装置は、前工程で所定の
加工が行われた試料を受け入れてステージ上に保持し、
このステージの周囲にて上記試料の全体を覆い内部を真
空状態に保つ真空チャンバを備え、上記試料を真空中で
乾燥処理する真空乾燥処理装置において、上記真空チャ
ンバ内で上記試料の温度を常温よりも上昇させる加熱手
段を設けたものである。
【０００７】
【作用】このように構成された真空乾燥処理装置は、真
空チャンバ内又はステージなどに設けた加熱手段によ
り、上記真空チャンバ内で試料の温度を常温よりも上昇
させるように動作する。これにより、上記試料の乾燥処
理を短時間で行うことができる。
空チャンバ内又はステージなどに設けた加熱手段によ
り、上記真空チャンバ内で試料の温度を常温よりも上昇
させるように動作する。これにより、上記試料の乾燥処
理を短時間で行うことができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
詳細に説明する。図１は本発明による真空乾燥処理装置
３の第一の実施例を示す断面図である。この真空乾燥処
理装置３は、例えば図５に示すと同様に、半導体製品の
製造において試料としてのホトマスクの片面にシフター
材を塗布して位相シフトマスクを製造する工程で、前工
程としての回転カップ塗布装置２により所定の加工が行
われた試料を受け入れて真空中で乾燥処理するものであ
る。
詳細に説明する。図１は本発明による真空乾燥処理装置
３の第一の実施例を示す断面図である。この真空乾燥処
理装置３は、例えば図５に示すと同様に、半導体製品の
製造において試料としてのホトマスクの片面にシフター
材を塗布して位相シフトマスクを製造する工程で、前工
程としての回転カップ塗布装置２により所定の加工が行
われた試料を受け入れて真空中で乾燥処理するものであ
る。
【０００９】図１において、ステージ８は、前工程で所
定の加工が行われた試料７を受け入れて保持するもの
で、その上面の適宜の箇所には上記試料７を支持する受
け部１１，１１が設けられている。上記ステージ８の上
面周囲には、真空チャンバ９が設けられている。この真
空チャンバ９は、上記ステージ８の周囲にて試料７の全
体を覆い内部を真空状態に保つもので、適宜の箱状に形
成されると共に上下方向に開閉可能とされている。そし
て、この真空チャンバ９の一側壁には透孔が穿設されて
おり、この透孔にパイプ１３の一端が連結されると共
に、このパイプ１３の他端には真空ポンプ１２が連結さ
れている。従って、この真空ポンプ１２を運転して真空
チャンバ９内の空気を吸引することにより、該真空チャ
ンバ９内を真空状態とすることができる。なお、図１に
おいて、符号１０は上記試料７の上面に塗布されたシフ
ター材を示し、符号１４は上下方向に開閉する真空チャ
ンバ９の閉鎖時の気密を保持するシール材を示してい
る。
定の加工が行われた試料７を受け入れて保持するもの
で、その上面の適宜の箇所には上記試料７を支持する受
け部１１，１１が設けられている。上記ステージ８の上
面周囲には、真空チャンバ９が設けられている。この真
空チャンバ９は、上記ステージ８の周囲にて試料７の全
体を覆い内部を真空状態に保つもので、適宜の箱状に形
成されると共に上下方向に開閉可能とされている。そし
て、この真空チャンバ９の一側壁には透孔が穿設されて
おり、この透孔にパイプ１３の一端が連結されると共
に、このパイプ１３の他端には真空ポンプ１２が連結さ
れている。従って、この真空ポンプ１２を運転して真空
チャンバ９内の空気を吸引することにより、該真空チャ
ンバ９内を真空状態とすることができる。なお、図１に
おいて、符号１０は上記試料７の上面に塗布されたシフ
ター材を示し、符号１４は上下方向に開閉する真空チャ
ンバ９の閉鎖時の気密を保持するシール材を示してい
る。
【００１０】ここで、本発明においては、上記ステージ
８の上面にて試料７が支持される部位には、ヒータブロ
ック１５が設けられている。このヒータブロック１５
は、上記真空チャンバ９内で試料７の温度を常温よりも
上昇させる加熱手段となるもので、上記ステージ８の上
面に埋め込まれると共に、図示省略の電源から電力を供
給されて発熱するようになっている。
８の上面にて試料７が支持される部位には、ヒータブロ
ック１５が設けられている。このヒータブロック１５
は、上記真空チャンバ９内で試料７の温度を常温よりも
上昇させる加熱手段となるもので、上記ステージ８の上
面に埋め込まれると共に、図示省略の電源から電力を供
給されて発熱するようになっている。
【００１１】このような構成により、本発明によれば、
真空ポンプ１２で真空チャンバ９内の空気を吸引して真
空状態に保持しながら、試料７の下方に位置するヒータ
ブロック１５を動作して発熱させることにより、この熱
で上記試料７の温度を常温よりも上昇させることができ
る。従って、試料７に塗布されたシフター材１０の溶媒
を蒸発させて乾燥するのに、真空状態と加熱状態の相乗
作用により短時間で乾燥処理を行うことができる。
真空ポンプ１２で真空チャンバ９内の空気を吸引して真
空状態に保持しながら、試料７の下方に位置するヒータ
ブロック１５を動作して発熱させることにより、この熱
で上記試料７の温度を常温よりも上昇させることができ
る。従って、試料７に塗布されたシフター材１０の溶媒
を蒸発させて乾燥するのに、真空状態と加熱状態の相乗
作用により短時間で乾燥処理を行うことができる。
【００１２】図２は本発明の第二の実施例を示す断面図
である。この実施例は、試料７の加熱手段として、真空
チャンバ９内にて上記試料７の上方部に赤外線ランプそ
の他の発熱ランプ１６を設けたものである。この場合
は、上記発熱ランプ１６の動作により放射される輻射熱
によって試料７を加熱することができる。
である。この実施例は、試料７の加熱手段として、真空
チャンバ９内にて上記試料７の上方部に赤外線ランプそ
の他の発熱ランプ１６を設けたものである。この場合
は、上記発熱ランプ１６の動作により放射される輻射熱
によって試料７を加熱することができる。
【００１３】図３は本発明の第三の実施例を示す断面図
である。この実施例は、試料７の加熱手段として、真空
チャンバ９の側壁部内にヒータ線１７を埋設したもので
ある。この場合は、上記ヒータ線１７に電力を供給して
動作させることにより、上記真空チャンバ９内の全体の
雰囲気温度を上昇させて試料７を加熱することができ
る。
である。この実施例は、試料７の加熱手段として、真空
チャンバ９の側壁部内にヒータ線１７を埋設したもので
ある。この場合は、上記ヒータ線１７に電力を供給して
動作させることにより、上記真空チャンバ９内の全体の
雰囲気温度を上昇させて試料７を加熱することができ
る。
【００１４】
【発明の効果】本発明は以上のように構成されたので、
真空チャンバ内又はステージなどに設けた加熱手段によ
り、上記真空チャンバ内で試料の温度を常温よりも上昇
させることができる。これにより、試料を乾燥するの
に、真空状態と加熱状態の相乗作用により短時間で乾燥
処理を行うことができる。このことから、例えば半導体
製品の製造工程において工程全体の処理能力を向上する
ことができる。
真空チャンバ内又はステージなどに設けた加熱手段によ
り、上記真空チャンバ内で試料の温度を常温よりも上昇
させることができる。これにより、試料を乾燥するの
に、真空状態と加熱状態の相乗作用により短時間で乾燥
処理を行うことができる。このことから、例えば半導体
製品の製造工程において工程全体の処理能力を向上する
ことができる。
【図１】本発明による真空乾燥処理装置の第一の実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明の第二の実施例を示す断面図である。
【図３】本発明の第三の実施例を示す断面図である。
【図４】従来の真空乾燥処理装置を示す断面図である。
【図５】半導体製品の製造工程の一例として位相シフト
マスクを製造する工程を示す説明図である。
マスクを製造する工程を示す説明図である。
３…真空乾燥処理装置 ７…試料 ８…ステージ ９…真空チャンバ １１…受け部 １２…真空ポンプ １５…ヒータブロック １６…発熱ランプ １７…ヒータ線
Claims (1)
- 【請求項１】 前工程で所定の加工が行われた試料を受
け入れてステージ上に保持し、このステージの周囲にて
上記試料の全体を覆い内部を真空状態に保つ真空チャン
バを備え、上記試料を真空中で乾燥処理する真空乾燥処
理装置において、上記真空チャンバ内で上記試料の温度
を常温よりも上昇させる加熱手段を設けたことを特徴と
する真空乾燥処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18214993A JPH0719733A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 真空乾燥処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18214993A JPH0719733A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 真空乾燥処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0719733A true JPH0719733A (ja) | 1995-01-20 |
Family
ID=16113218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18214993A Pending JPH0719733A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 真空乾燥処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719733A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001055658A1 (fr) * | 2000-01-25 | 2001-08-02 | Japan Field Co., Ltd. | Methode et dispositif de sechage post-lavage |
| JP2009228990A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Panasonic Corp | 溶媒乾燥装置およびその方法 |
| WO2010140683A1 (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | シャープ株式会社 | 局所加熱装置 |
| CN101968302A (zh) * | 2010-10-31 | 2011-02-09 | 冯益安 | 一种利用常温下风力快速干燥生物质的方法 |
| CN101968301A (zh) * | 2010-10-31 | 2011-02-09 | 冯益安 | 一种利用常温干燥生物质的方法 |
| KR101355214B1 (ko) * | 2012-06-29 | 2014-01-28 | 주식회사 테라세미콘 | 진공 건조 장치 |
| JP2016188735A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法 |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP18214993A patent/JPH0719733A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001055658A1 (fr) * | 2000-01-25 | 2001-08-02 | Japan Field Co., Ltd. | Methode et dispositif de sechage post-lavage |
| JP2009228990A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Panasonic Corp | 溶媒乾燥装置およびその方法 |
| WO2010140683A1 (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | シャープ株式会社 | 局所加熱装置 |
| JP2010282045A (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Sharp Corp | 局所加熱装置 |
| JP4637250B2 (ja) * | 2009-06-05 | 2011-02-23 | シャープ株式会社 | 局所加熱装置 |
| CN101968302A (zh) * | 2010-10-31 | 2011-02-09 | 冯益安 | 一种利用常温下风力快速干燥生物质的方法 |
| CN101968301A (zh) * | 2010-10-31 | 2011-02-09 | 冯益安 | 一种利用常温干燥生物质的方法 |
| KR101355214B1 (ko) * | 2012-06-29 | 2014-01-28 | 주식회사 테라세미콘 | 진공 건조 장치 |
| JP2016188735A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法 |
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