JP2000243719A - ランプアニール方法とその装置 - Google Patents
ランプアニール方法とその装置Info
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- JP2000243719A JP2000243719A JP11041124A JP4112499A JP2000243719A JP 2000243719 A JP2000243719 A JP 2000243719A JP 11041124 A JP11041124 A JP 11041124A JP 4112499 A JP4112499 A JP 4112499A JP 2000243719 A JP2000243719 A JP 2000243719A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】光学的干渉により発生する２次輻射熱を吸収し
てウェハの温度を均一に制御する。 【解決手段】石英チャンバ１と、冷却用チャンバ２との
組み合わせを有している。石英チャンバ１内にウェハＷ
を搬入し、熱処理は、カーボン製のサセプタ６上にウェ
ハＷを載せてウェハ裏面をシールドして行い、光学的干
渉により発生する２次輻射熱を吸収させてウェハＷの温
度を一定に制御する。冷却チャンバ２内では、石英チャ
ンバ１から搬送されてきた熱処理終了後のウェハＷを受
入れ、微量な窒素ガス導入するとともに、窒素ガス噴き
つけ手段１３によりチャンバウォールの外周に窒素を吹
き付けて冷却チャンバ２内を強制冷却する。
てウェハの温度を均一に制御する。 【解決手段】石英チャンバ１と、冷却用チャンバ２との
組み合わせを有している。石英チャンバ１内にウェハＷ
を搬入し、熱処理は、カーボン製のサセプタ６上にウェ
ハＷを載せてウェハ裏面をシールドして行い、光学的干
渉により発生する２次輻射熱を吸収させてウェハＷの温
度を一定に制御する。冷却チャンバ２内では、石英チャ
ンバ１から搬送されてきた熱処理終了後のウェハＷを受
入れ、微量な窒素ガス導入するとともに、窒素ガス噴き
つけ手段１３によりチャンバウォールの外周に窒素を吹
き付けて冷却チャンバ２内を強制冷却する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ（以
下ウェハという）のアニール処理を行うランプアニール
方法とその装置に関する。
下ウェハという）のアニール処理を行うランプアニール
方法とその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のランプアニール装置を図２に示
す。図２において、２１は、石英チャンバ、２２はハロ
ゲンランプである。従来のランプアニール装置において
は、ウェハＷを、ウェハ支持ピン２３上で支えて石英チ
ャンバ２１内にセットし、ハロゲンランプ２２のパワー
バランスを調整可能にすることと、石英チャンバ２１内
に導入するガスのフローを最適化するしくみをもって、
処理雰囲気を向上させ、処理するウェハを均一に加熱す
るようになっていた。
す。図２において、２１は、石英チャンバ、２２はハロ
ゲンランプである。従来のランプアニール装置において
は、ウェハＷを、ウェハ支持ピン２３上で支えて石英チ
ャンバ２１内にセットし、ハロゲンランプ２２のパワー
バランスを調整可能にすることと、石英チャンバ２１内
に導入するガスのフローを最適化するしくみをもって、
処理雰囲気を向上させ、処理するウェハを均一に加熱す
るようになっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図２に示すランプアニ
ール装置を用い、上記のような方法によって、ウェハの
熱処理の均一性はかなりの程度に期待することができる
が、熱処理の温度の均一性は、ウェハの表面状態、特に
裏面の膜の種類や厚さに依存してしまうことがわかって
いる。
ール装置を用い、上記のような方法によって、ウェハの
熱処理の均一性はかなりの程度に期待することができる
が、熱処理の温度の均一性は、ウェハの表面状態、特に
裏面の膜の種類や厚さに依存してしまうことがわかって
いる。
【０００４】また、特開昭６０−２２３１６号公報にい
おいては、熱伝導による冷却効果と、輻射によるそれと
はウェハの周辺部で大きいため、周辺部に熱膨張率の差
によって大きな熱歪が発生し、スリップと呼ばれる直線
状の欠陥を誘導することを指摘している。
おいては、熱伝導による冷却効果と、輻射によるそれと
はウェハの周辺部で大きいため、周辺部に熱膨張率の差
によって大きな熱歪が発生し、スリップと呼ばれる直線
状の欠陥を誘導することを指摘している。
【０００５】従来のランプアニール装置を用いてウェハ
の熱処理を行った結果を図３，４に示す。図３，４は、
従来のランプアニール装置において、処理温度を１０２
０℃に設定し、その温度の保持時間を３０秒としたとき
の、裏面膜の厚さの違いにおけるシート抵抗値を比較し
たものである。
の熱処理を行った結果を図３，４に示す。図３，４は、
従来のランプアニール装置において、処理温度を１０２
０℃に設定し、その温度の保持時間を３０秒としたとき
の、裏面膜の厚さの違いにおけるシート抵抗値を比較し
たものである。
【０００６】図３は、 ウェハの裏面にＳｉＯ2の膜、図
４は、 ウェハの裏面にＳｉＯ2／ＳｉＮの膜を形成し、
それぞれの膜の膜厚をゼロから順次変化させて増大させ
ていった場合のシート抵抗（Ω／ｓｑ）の変化を示して
いる。
４は、 ウェハの裏面にＳｉＯ2／ＳｉＮの膜を形成し、
それぞれの膜の膜厚をゼロから順次変化させて増大させ
ていった場合のシート抵抗（Ω／ｓｑ）の変化を示して
いる。
【０００７】図３，４から明らかなように、同じ温度で
アニールしても裏面膜の膜厚の違いによって、シート抵
抗値に差が出てしまうことがわかる。その原因は、ウェ
ハの表面から発生する２次輻射熱が吸収できないこと、
並びに、熱処理時の雰囲気ガスによる散乱が発生し、輻
射熱がウェハに均一に分散されないので、実際にはウェ
ハの裏面状態によって、ウェハ温度を一定にすることが
できないためであると推察される。
アニールしても裏面膜の膜厚の違いによって、シート抵
抗値に差が出てしまうことがわかる。その原因は、ウェ
ハの表面から発生する２次輻射熱が吸収できないこと、
並びに、熱処理時の雰囲気ガスによる散乱が発生し、輻
射熱がウェハに均一に分散されないので、実際にはウェ
ハの裏面状態によって、ウェハ温度を一定にすることが
できないためであると推察される。
【０００８】本発明の目的は、光学的干渉により発生す
る２次輻射熱を吸収してウェハの温度を均一に制御が可
能なランプアニール方法と、その装置を提供することに
ある。
る２次輻射熱を吸収してウェハの温度を均一に制御が可
能なランプアニール方法と、その装置を提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するた
め、本発明によるランプアニール方法においては、加熱
用ランプを用いて石英チャンバ内のウェハを熱処理する
ランプアニール方法であって、熱処理は、ウェハをのせ
るカーボン製のサセプタによってウェハ裏面をシールド
して行い、光学的干渉により発生する２次輻射熱を吸収
させてウェハの温度を一定に制御するものである。ま
た、熱処理は、石英チャンバ内を排気して真空状態にて
行い、処理雰囲気ガスによって発生するランプからの光
の散乱を防ぎ、石英チャンバ内の温度の均一性を上げる
処理である。また、熱処理は、石英チャンバ内を真空ポ
ンプによって排気せず、石英チャンバ内にあらかじめプ
リヒートした微量なパージガスを導入しながら行うもの
である。また、加熱用ランプを用いて石英チャンバ内の
ウェハをする熱処理方法であって、真空ポンプによって
排気された石英チャンバ内のカーボン製サセプタ上で半
導体ウェハの熱処理を行い、熱処理後、ウェハを別の冷
却チャンバに搬出し、冷却チャンバ内でウェハを強制冷
却するものである。
め、本発明によるランプアニール方法においては、加熱
用ランプを用いて石英チャンバ内のウェハを熱処理する
ランプアニール方法であって、熱処理は、ウェハをのせ
るカーボン製のサセプタによってウェハ裏面をシールド
して行い、光学的干渉により発生する２次輻射熱を吸収
させてウェハの温度を一定に制御するものである。ま
た、熱処理は、石英チャンバ内を排気して真空状態にて
行い、処理雰囲気ガスによって発生するランプからの光
の散乱を防ぎ、石英チャンバ内の温度の均一性を上げる
処理である。また、熱処理は、石英チャンバ内を真空ポ
ンプによって排気せず、石英チャンバ内にあらかじめプ
リヒートした微量なパージガスを導入しながら行うもの
である。また、加熱用ランプを用いて石英チャンバ内の
ウェハをする熱処理方法であって、真空ポンプによって
排気された石英チャンバ内のカーボン製サセプタ上で半
導体ウェハの熱処理を行い、熱処理後、ウェハを別の冷
却チャンバに搬出し、冷却チャンバ内でウェハを強制冷
却するものである。
【００１０】また、本発明によるランプアニール装置に
おいては、石英チャンバと、冷却用チャンバとの組み合
わせを有するランプアニール装置であって、石英チャン
バは、加熱用ランプを装備し、石英チャンバ内にウェハ
を載せるカーボン製サセプタを有し、冷却チャンバは、
石英チャンバから搬送されてきた熱処理終了後のウェハ
を受入れ、微量な窒素ガス導入するとともに、チャンバ
ウォールの外周に窒素を吹き付けてチャンバ内を強制冷
却する手段を有するものである。
おいては、石英チャンバと、冷却用チャンバとの組み合
わせを有するランプアニール装置であって、石英チャン
バは、加熱用ランプを装備し、石英チャンバ内にウェハ
を載せるカーボン製サセプタを有し、冷却チャンバは、
石英チャンバから搬送されてきた熱処理終了後のウェハ
を受入れ、微量な窒素ガス導入するとともに、チャンバ
ウォールの外周に窒素を吹き付けてチャンバ内を強制冷
却する手段を有するものである。
【００１１】本発明は、カーボン製のサセプタ上でウェ
ハを加熱処理するものであり、ウェハ裏面はサセプタに
よってシールドされ、光学的干渉により発生する２次輻
射熱を吸収することが可能になり、サセプタの温度をコ
ントロールすれば、ウェハの温度を均一に制御でき、従
来設備の問題点を改善できる。
ハを加熱処理するものであり、ウェハ裏面はサセプタに
よってシールドされ、光学的干渉により発生する２次輻
射熱を吸収することが可能になり、サセプタの温度をコ
ントロールすれば、ウェハの温度を均一に制御でき、従
来設備の問題点を改善できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図に
よって説明する。図１において、本発明によるランプア
ニール装置においては、石英チャンバ１と、冷却チャン
バ２との組合わせを有し、両チャンバ１，２間は、ゲー
トバルブ３によって繋がれている。
よって説明する。図１において、本発明によるランプア
ニール装置においては、石英チャンバ１と、冷却チャン
バ２との組合わせを有し、両チャンバ１，２間は、ゲー
トバルブ３によって繋がれている。
【００１３】石英チャンバ１の外周部には、熱処理手段
となる加熱用ランプとして、ハロゲンランプ４が配置さ
れ、石英チャンバ１内には、サセプタガイド５で支えた
カーボン製のサセプタ６を設置している。
となる加熱用ランプとして、ハロゲンランプ４が配置さ
れ、石英チャンバ１内には、サセプタガイド５で支えた
カーボン製のサセプタ６を設置している。
【００１４】サセプタガイド５には、冷却水の給水並び
に排水を行う冷却水配管７を備えており、石英チャンバ
１の側壁には、窒素ガスの送気用ガス配管８および石英
チャンバ１内の気体を排気する真空ポンプ９が接続され
ている。
に排水を行う冷却水配管７を備えており、石英チャンバ
１の側壁には、窒素ガスの送気用ガス配管８および石英
チャンバ１内の気体を排気する真空ポンプ９が接続され
ている。
【００１５】石英チャンバ１内には、さらにリフトピン
１０を備えている。リフトピン１０は、搬入されたウェ
ハを吸着させてサセプタ６上に乗せるためのものであ
る。
１０を備えている。リフトピン１０は、搬入されたウェ
ハを吸着させてサセプタ６上に乗せるためのものであ
る。
【００１６】一方、冷却チャンバ２は、石英チャンバ１
内で熱処理されたウェハＷを受入れてこれを強制冷却す
るチャンバである。冷却チャンバ２には、窒素ガスの送
入用ガス配管１１が接続され、チャンバの内部には、ウ
ェハを支える石英のピン１２を備えている。また、冷却
チャンバ２には、強制冷却手段として、チャンバウォー
ルの外周に窒素ガスを噴きつける噴きつけ手段１３を装
備されている。
内で熱処理されたウェハＷを受入れてこれを強制冷却す
るチャンバである。冷却チャンバ２には、窒素ガスの送
入用ガス配管１１が接続され、チャンバの内部には、ウ
ェハを支える石英のピン１２を備えている。また、冷却
チャンバ２には、強制冷却手段として、チャンバウォー
ルの外周に窒素ガスを噴きつける噴きつけ手段１３を装
備されている。
【００１７】この実施形態において、これから熱処理を
しようとするウェハＷは、カセットキャリア（図示略）
から１枚ずつ取出され、装置の搬送機構（ロボット等）
に保持されて石英チャンバ１内に搬送される。
しようとするウェハＷは、カセットキャリア（図示略）
から１枚ずつ取出され、装置の搬送機構（ロボット等）
に保持されて石英チャンバ１内に搬送される。
【００１８】石英チャンバ１内に搬送されたウェハＷ
は、リフトピン１０に吸着され、カーボン製のサセプタ
６上に下降し、その上に乗せられる。
は、リフトピン１０に吸着され、カーボン製のサセプタ
６上に下降し、その上に乗せられる。
【００１９】次いで、石英チャンバ１内は、真空ポンプ
９によって排気され、石英チャンバ１内は、大気圧から
１０Ｐａ以下までに真空状態が保たれる。石英チャンバ
１内の圧力は、キャパシタンスマノメータで測定され、
設定の圧力以下にならないと、次のステップに移行しな
いようになっている。
９によって排気され、石英チャンバ１内は、大気圧から
１０Ｐａ以下までに真空状態が保たれる。石英チャンバ
１内の圧力は、キャパシタンスマノメータで測定され、
設定の圧力以下にならないと、次のステップに移行しな
いようになっている。
【００２０】その後、石英チャンバ１の外周に配置され
たハロゲンランプ４によって、ウェハＷを設定温度（１
０００℃程度）まで急速加熱をし、その温度を設定され
た時間保持し、熱処理としてのアニールを行う。
たハロゲンランプ４によって、ウェハＷを設定温度（１
０００℃程度）まで急速加熱をし、その温度を設定され
た時間保持し、熱処理としてのアニールを行う。
【００２１】本発明において、ウェハＷの裏面は、サセ
プタ６によってシールドされることになり、この結果、
光学的干渉により発生する２次輻射熱が吸収され、ウェ
ハの裏面の膜に依存することなくサセプタにより均一に
ウェハを加熱することができる。これによりウェハ内の
温度は、一定に制御され、温度のバラツキを±１℃以内
におさえることが可能となる。
プタ６によってシールドされることになり、この結果、
光学的干渉により発生する２次輻射熱が吸収され、ウェ
ハの裏面の膜に依存することなくサセプタにより均一に
ウェハを加熱することができる。これによりウェハ内の
温度は、一定に制御され、温度のバラツキを±１℃以内
におさえることが可能となる。
【００２２】さらに、この実施形態においては、石英チ
ャンバ内は真空ポンプにて真空状態となっているので、
処理雰囲気ガスによって発生するランプからの光の散乱
が阻止され、石英チャンバ内の温度の均一性が向上す
る。
ャンバ内は真空ポンプにて真空状態となっているので、
処理雰囲気ガスによって発生するランプからの光の散乱
が阻止され、石英チャンバ内の温度の均一性が向上す
る。
【００２３】アニールが終了すると、ハロゲンランプ４
をＯＦＦし、真空ポンプ９の運転を停止し、石英チャン
バ１内を窒素にて大気開放させるとともに、石英チャン
バ１内の雰囲気温度を下げる。
をＯＦＦし、真空ポンプ９の運転を停止し、石英チャン
バ１内を窒素にて大気開放させるとともに、石英チャン
バ１内の雰囲気温度を下げる。
【００２４】又、これと同時に、サセプタ６を支えてい
るサセプタガイド５に、冷却水配管７を通じて冷却水を
給水し、サセプタ６を急速に冷却することで、ウェハの
間接冷却を行う。
るサセプタガイド５に、冷却水配管７を通じて冷却水を
給水し、サセプタ６を急速に冷却することで、ウェハの
間接冷却を行う。
【００２５】石英チャンバ１内のウェハＷの温度が６０
０℃程度まで下がったときに、リフトピン１０を動作さ
せ、サセプタ６上からウェハＷを持ち上げ、石英チャン
バ１と冷却チャンバ２との間にあるゲートバルブ３を開
き、内部の搬送機構（図示略）によって、石英チャンバ
１内からウェハＷを搬出して、これを冷却チャンバ２に
搬入する。
０℃程度まで下がったときに、リフトピン１０を動作さ
せ、サセプタ６上からウェハＷを持ち上げ、石英チャン
バ１と冷却チャンバ２との間にあるゲートバルブ３を開
き、内部の搬送機構（図示略）によって、石英チャンバ
１内からウェハＷを搬出して、これを冷却チャンバ２に
搬入する。
【００２６】ウェハＷを受入れた冷却チャンバ２内で
は、ウェハＷを石英のピン１２上に保持したあと、ガス
配管１１を通して、冷却チャンバ２内に微量の窒素ガス
を導入するとともに、窒素ガス噴きつけ手段１３から冷
却チャンバ２の外周に窒素ガスを吹き付けて冷却チャン
バ２ごと強制冷却を行い、冷却チャンバ２内のウェハＷ
の温度を常温近くまで下げる。温度の下がったウェハＷ
は、装置の搬送機構（図示略）により元のカセットキャ
リアへ戻し一連の動作を終了する。
は、ウェハＷを石英のピン１２上に保持したあと、ガス
配管１１を通して、冷却チャンバ２内に微量の窒素ガス
を導入するとともに、窒素ガス噴きつけ手段１３から冷
却チャンバ２の外周に窒素ガスを吹き付けて冷却チャン
バ２ごと強制冷却を行い、冷却チャンバ２内のウェハＷ
の温度を常温近くまで下げる。温度の下がったウェハＷ
は、装置の搬送機構（図示略）により元のカセットキャ
リアへ戻し一連の動作を終了する。
【００２７】以上、実施形態においては、石英チャンバ
１内を真空ポンプ９にて排気し、石英チャンバ１内を真
空状態にすることで、石英チャンバ１内の温度の均一性
を保持したが、あるいは、熱処理としては、カーボン製
のサセプタ６上でウェハＷを加熱するだけでも十分にウ
ェハＷの温度を一定に制御して均一に加熱することが可
能である。
１内を真空ポンプ９にて排気し、石英チャンバ１内を真
空状態にすることで、石英チャンバ１内の温度の均一性
を保持したが、あるいは、熱処理としては、カーボン製
のサセプタ６上でウェハＷを加熱するだけでも十分にウ
ェハＷの温度を一定に制御して均一に加熱することが可
能である。
【００２８】よって、石英チャンバ１内を真空ポンプ９
によって排気せず、石英チャンバ１内にあらかじめプリ
ヒートした微量なパージガス（窒素）を導入する方法を
適用することでも、同じような効果が得られる。
によって排気せず、石英チャンバ１内にあらかじめプリ
ヒートした微量なパージガス（窒素）を導入する方法を
適用することでも、同じような効果が得られる。
【００２９】すなわち、必ずしもチャンバ内を真空状態
にする場合に限らず、処理雰囲気ガスによって発生する
ランプからの光の散乱を防ぐことができ、石英チャンバ
内の温度の均一性を上げることが可能となる。
にする場合に限らず、処理雰囲気ガスによって発生する
ランプからの光の散乱を防ぐことができ、石英チャンバ
内の温度の均一性を上げることが可能となる。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、本発明によるときには、
カーボン製のサセプタ上でウェハを加熱するので、ウェ
ハ裏面はサセプタによってシールドされ、光学的干渉に
より発生する２次輻射熱を吸収することが可能になり、
ウェハの裏面の膜に依存することなく且つ、サセプタに
よりウェハの温度を一定に制御して均一にウェハを加熱
することができる。
カーボン製のサセプタ上でウェハを加熱するので、ウェ
ハ裏面はサセプタによってシールドされ、光学的干渉に
より発生する２次輻射熱を吸収することが可能になり、
ウェハの裏面の膜に依存することなく且つ、サセプタに
よりウェハの温度を一定に制御して均一にウェハを加熱
することができる。
【００３１】また、石英チャンバ内を真空ポンプにて真
空状態に排気しつつ熱処理を行えば、処理雰囲気ガスに
よって発生する、ランプからの光の散乱を防ぐことがで
き、これにより石英チャンバ内の均一性を上げることが
できる。したがって、熱処理条件の設定により、サセプ
タの温度をコントロールすれば、ウェハの温度を均一に
制御でき、従来設備の問題点を改善することができる。
空状態に排気しつつ熱処理を行えば、処理雰囲気ガスに
よって発生する、ランプからの光の散乱を防ぐことがで
き、これにより石英チャンバ内の均一性を上げることが
できる。したがって、熱処理条件の設定により、サセプ
タの温度をコントロールすれば、ウェハの温度を均一に
制御でき、従来設備の問題点を改善することができる。
【００３２】さらに、石英チャンバと冷却チャンバとの
組合わせを用い、石英チャンバ内で熱処理後、ウェハを
別の冷却チャンバに搬出し、冷却チャンバ内でウェハを
冷却することによって、能率良くウェハの熱処理を行う
ことができる。
組合わせを用い、石英チャンバ内で熱処理後、ウェハを
別の冷却チャンバに搬出し、冷却チャンバ内でウェハを
冷却することによって、能率良くウェハの熱処理を行う
ことができる。
【図１】本発明の実施形態を示す図である。
【図２】従来のランプアニール装置を示す図である。
【図３】ウェハの裏面にＳｉＯ2の膜を形成し、それぞ
れの膜の膜厚を変化させたときのシート抵抗の変化を示
す図である。
れの膜の膜厚を変化させたときのシート抵抗の変化を示
す図である。
【図４】ウェハの裏面にＳｉＯ2／ＳｉＮの膜を形成
し、それぞれの膜の膜厚を変化させたときのシート抵抗
の変化を示す図である。
し、それぞれの膜の膜厚を変化させたときのシート抵抗
の変化を示す図である。
１ 石英チャンバ ２ 冷却チャンバ ３ ゲートバルブ ４ ハロゲンランプ ５ サセプタガイド ６ サセプタ ７ 冷却水配管 ８ 送気用ガス配管 ９ 真空ポンプ １０ リフトピン １１ ガス配管 １２ ピン １３ 強制冷却手段
Claims (5)
- 【請求項１】 加熱用ランプを用いて石英チャンバ内の
半導体ウェハを熱処理するランプアニール方法であっ
て、 熱処理は、ウェハをのせるカーボン製のサセプタによっ
てウェハ裏面をシールドして行い、光学的干渉により発
生する２次輻射熱を吸収させて半導体ウェハの温度を一
定に制御することを特徴とするランプアニール方法。 - 【請求項２】 熱処理は、石英チャンバ内を排気して真
空状態にて行い、処理雰囲気ガスによって発生するラン
プからの光の散乱を防ぎ、石英チャンバ内の温度の均一
性を上げる処理であることを特徴とする請求項１に記載
のランプアニール方法。 - 【請求項３】 熱処理は、石英チャンバ内を真空ポンプ
によって排気せず、石英チャンバ内にあらかじめプリヒ
ートした微量なパージガスを導入しながら行うものであ
ることを特徴とする請求項１に記載のランプアニール方
法。 - 【請求項４】 加熱用ランプを用いて石英チャンバ内の
半導体ウェハを処理する熱処理方法であって、 真空ポンプによって排気された石英チャンバ内のカーボ
ン製サセプタ上で半導体ウェハの熱処理を行い、熱処理
後、半導体ウェハを別の冷却チャンバに搬出し、冷却チ
ャンバ内で半導体ウェハを強制冷却することを特徴とす
る熱処理方法。 - 【請求項５】 石英チャンバと、冷却用チャンバとの組
み合わせを有するランプアニール装置であって、 石英チャンバは、加熱用ランプを装備し、石英チャンバ
内にウェハを載せるカーボン製サセプタを有し、 冷却チャンバは、石英チャンバから搬送されてきた熱処
理終了後のウェハを受入れ、微量な窒素ガス導入すると
ともに、チャンバウォールの外周に窒素を吹き付けてチ
ャンバ内を強制冷却する手段を有するものであることを
特徴とするランプアニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11041124A JP2000243719A (ja) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | ランプアニール方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11041124A JP2000243719A (ja) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | ランプアニール方法とその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000243719A true JP2000243719A (ja) | 2000-09-08 |
Family
ID=12599714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11041124A Pending JP2000243719A (ja) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | ランプアニール方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000243719A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184712A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-28 | Denso Corp | 炭化珪素半導体製造装置およびそれを用いた炭化珪素半導体製造方法 |
| JP2004179355A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Ulvac Japan Ltd | 真空装置及び加熱処理装置 |
| KR101224059B1 (ko) * | 2012-02-28 | 2013-01-21 | (주)앤피에스 | 기판 처리 장치 및 그 처리 방법 |
| JP2018006513A (ja) * | 2016-06-30 | 2018-01-11 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
| KR20180118523A (ko) * | 2017-04-21 | 2018-10-31 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 가열 장치 |
-
1999
- 1999-02-19 JP JP11041124A patent/JP2000243719A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184712A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-28 | Denso Corp | 炭化珪素半導体製造装置およびそれを用いた炭化珪素半導体製造方法 |
| JP4581238B2 (ja) * | 2000-12-12 | 2010-11-17 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体製造装置およびそれを用いた炭化珪素半導体製造方法 |
| JP2004179355A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Ulvac Japan Ltd | 真空装置及び加熱処理装置 |
| JP4656808B2 (ja) * | 2002-11-27 | 2011-03-23 | 株式会社アルバック | 真空装置及び加熱処理装置 |
| KR101224059B1 (ko) * | 2012-02-28 | 2013-01-21 | (주)앤피에스 | 기판 처리 장치 및 그 처리 방법 |
| JP2018006513A (ja) * | 2016-06-30 | 2018-01-11 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
| US10580667B2 (en) | 2016-06-30 | 2020-03-03 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Light-irradiation heat treatment method and heat treatment apparatus |
| KR20180118523A (ko) * | 2017-04-21 | 2018-10-31 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 가열 장치 |
| JP2018182263A (ja) * | 2017-04-21 | 2018-11-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板加熱装置 |
| KR102503838B1 (ko) | 2017-04-21 | 2023-02-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 가열 장치 |
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