JP3468842B2 - 基板表面処理装置 - Google Patents
基板表面処理装置Info
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- JP3468842B2 JP3468842B2 JP12225094A JP12225094A JP3468842B2 JP 3468842 B2 JP3468842 B2 JP 3468842B2 JP 12225094 A JP12225094 A JP 12225094A JP 12225094 A JP12225094 A JP 12225094A JP 3468842 B2 JP3468842 B2 JP 3468842B2
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- Japan
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- adhesion
- chamber
- unit
- adhesion enhancer
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶用ガラス角型基
板、半導体ウエハ、カラーフィルタ用基板などの各種基
板を洗浄液によって洗浄し、そして乾燥させた後、当該
基板の表面に密着強化剤を塗布し、さらに所定の塗布液
を塗布して当該塗布液の薄膜を形成する基板表面処理装
置に関する。
板、半導体ウエハ、カラーフィルタ用基板などの各種基
板を洗浄液によって洗浄し、そして乾燥させた後、当該
基板の表面に密着強化剤を塗布し、さらに所定の塗布液
を塗布して当該塗布液の薄膜を形成する基板表面処理装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の基板表面処理装置を示す模
式図である。図４において、ＳＳは基板に洗浄液を供給
しつつ基板を回転させて基板表面の洗浄を行うスピンス
クラバからなる洗浄ユニット、ＨＰ1は洗浄された基板
を乾燥させるために加熱する（すなわち脱水ベークを行
う）ホットプレートからなる脱水ベークユニット、ＣＰ
1はホットプレートＨＰ1によって加熱された基板を冷却
するクールプレートからなる冷却ユニット、ＡＰは冷却
された基板を再び加熱しつつヘキサメチルジシラザンな
どの密着強化剤の蒸発を供給して基板表面に密着強化剤
を塗布する密着強化処理ユニット、ＣＰ2は密着強化剤
が塗布された基板を冷却するクールプレートからなる冷
却ユニット、ＳＣはクールプレートＣＰ2によって冷却
された基板の表面に所定のレジストを回転塗布するスピ
ンコータからなる塗布ユニット、ＨＰ2はレジストが塗
布された基板を加熱してそのレジストを固化させてレジ
スト膜を形成させるホットプレートからなる加熱ユニッ
ト、ＣＰ3はホットプレートＨＰ2によって加熱された基
板を冷却するクールプレートからなる冷却ユニットをそ
れぞれ示している。そして、１枚の基板は回転ローラな
ど不図示の搬送機構によって図４の右から左へ順次搬送
されて、各ユニットにより順次処理されるように構成さ
れている。
式図である。図４において、ＳＳは基板に洗浄液を供給
しつつ基板を回転させて基板表面の洗浄を行うスピンス
クラバからなる洗浄ユニット、ＨＰ1は洗浄された基板
を乾燥させるために加熱する（すなわち脱水ベークを行
う）ホットプレートからなる脱水ベークユニット、ＣＰ
1はホットプレートＨＰ1によって加熱された基板を冷却
するクールプレートからなる冷却ユニット、ＡＰは冷却
された基板を再び加熱しつつヘキサメチルジシラザンな
どの密着強化剤の蒸発を供給して基板表面に密着強化剤
を塗布する密着強化処理ユニット、ＣＰ2は密着強化剤
が塗布された基板を冷却するクールプレートからなる冷
却ユニット、ＳＣはクールプレートＣＰ2によって冷却
された基板の表面に所定のレジストを回転塗布するスピ
ンコータからなる塗布ユニット、ＨＰ2はレジストが塗
布された基板を加熱してそのレジストを固化させてレジ
スト膜を形成させるホットプレートからなる加熱ユニッ
ト、ＣＰ3はホットプレートＨＰ2によって加熱された基
板を冷却するクールプレートからなる冷却ユニットをそ
れぞれ示している。そして、１枚の基板は回転ローラな
ど不図示の搬送機構によって図４の右から左へ順次搬送
されて、各ユニットにより順次処理されるように構成さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成の装置では、１枚の基板を洗浄してからレジス
ト膜を形成するまでに、洗浄ユニットＳＳ、脱水ベーク
ユニットＨＰ1、冷却ユニットＣＰ1、密着強化処理ユニ
ットＡＰ、冷却ユニットＣＰ2、塗布ユニットＳＣ、加
熱ユニットＨＰ2、及び冷却ユニットＣＰ3の８つの処理
ユニットを必要とするので装置の全長が長くなってしま
い、装置をコンパクト化することが困難である。
うな構成の装置では、１枚の基板を洗浄してからレジス
ト膜を形成するまでに、洗浄ユニットＳＳ、脱水ベーク
ユニットＨＰ1、冷却ユニットＣＰ1、密着強化処理ユニ
ットＡＰ、冷却ユニットＣＰ2、塗布ユニットＳＣ、加
熱ユニットＨＰ2、及び冷却ユニットＣＰ3の８つの処理
ユニットを必要とするので装置の全長が長くなってしま
い、装置をコンパクト化することが困難である。
【０００４】そこで、この発明は、上記の問題を解決す
るためになされたものであり、図４図示の従来装置に比
べて装置をよりコンパクトにすることが可能な基板表面
処理装置を提供することを目的とするものである。
るためになされたものであり、図４図示の従来装置に比
べて装置をよりコンパクトにすることが可能な基板表面
処理装置を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、洗浄
液によって洗浄された基板を乾燥させた後に、当該基板
の表面に密着強化剤を塗布し、さらに所定の塗布液を塗
布して基板表面に薄膜を形成する基板表面処理装置にお
いて、上記目的を達成するため、洗浄液によって洗浄さ
れた基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内に収容
された基板を加熱する加熱手段と、前記チャンバ内に収
容された基板に密着強化剤の蒸気を供給する密着強化剤
供給手段と、前記密着強化剤供給手段の作動を停止させ
た状態で前記加熱手段のみを作動させて洗浄された基板
を乾燥させる脱水ベークモードを実行させた後、前記加
熱手段と前記密着強化剤供給手段とを共に作動させて、
前記加熱手段による脱水ベーク処理を受けた基板の表面
に密着強化剤を塗布する密着強化剤塗布モードに移行す
る制御を行う制御手段と、を備えてなる脱水および密着
強化処理ユニットを設けている。請求項２の発明は、洗
浄液によって洗浄された基板を乾燥させた後に、当該基
板の表面に密着強化剤を塗布し、さらに所定の塗布液を
塗布して基板表面に薄膜を形成する基板表面処理装置に
おいて、基板を洗浄処理する洗浄ユニットと、前記洗浄
ユニットによって洗浄された基板を収容するチャンバ
と、前記チャンバ内に収容された基板を加熱する加熱手
段と、前記チャンバ内に収容された基板に密着強化剤の
蒸気を供給する密着強化剤供給手段と、前記密着強化剤
供給手段の作動を停止させた状態で前記加熱手段のみを
作動させて洗浄された基板を乾燥させる脱水ベークモー
ドと、前記加熱手段と前記密着強化剤供給手段とを共に
作動させて、前記加熱手段による脱水ベーク処理を受け
た基板の表面に密着強化剤を塗布する密着強化剤塗布モ
ードとを切り替え制御する制御手段と、を備えてなる脱
水および密着強化処理ユニットと、前記洗浄ユニットと
前記脱水および密着強化ユニットとの間で基板を搬送す
る搬送ロボットと、を設けている。 請求項３の発明は、
洗浄液によって洗浄された基板を乾燥させた後に、当該
基板の表面に密着強化剤を塗布し、さらに所定の塗布液
を塗布して基板表面に薄膜を形成する基板表面処理装置
において、洗浄液によって洗浄された基板を収容するチ
ャンバと、前記チャンバ内に収容された基板を加熱する
加熱手段と、前記チ ャンバ内に収容された基板に密着強
化剤の蒸気を供給する密着強化剤供給手段と、前記チャ
ンバに形成された排気ポートと、前記密着強化剤供給手
段の作動を停止させた状態で前記加熱手段のみを作動さ
せて洗浄された基板を乾燥させる脱水ベークモードを実
行させた後、前記排気ポートから処理空間を排気して前
記処理空間を減圧させ、次に前記加熱手段と前記密着強
化剤供給手段とを共に作動させて、前記加熱手段による
脱水ベーク処理を受けた基板の表面に密着強化剤を塗布
する密着強化剤塗布モードに移行する制御を行う制御手
段と、を備えてなる脱水および密着強化処理ユニットを
設けている。 請求項４の発明は、洗浄液によって洗浄さ
れた基板を乾燥させた後に、当該基板の表面に密着強化
剤を塗布し、さらに所定の塗布液を塗布して基板表面に
薄膜を形成する基板表面処理装置において、基板を洗浄
処理する洗浄ユニットと、前記洗浄ユニットによって洗
浄された基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内に
収容された基板を加熱する加熱手段と、前記チャンバ内
に収容された基板に密着強化剤の蒸気を供給する密着強
化剤供給手段と、前記チャンバに形成された排気ポート
と、前記密着強化剤供給手段の作動を停止させた状態で
前記加熱手段のみを作動させて洗浄された基板を乾燥さ
せる脱水ベークモードを実行させた後、前記排気ポート
から処理空間を排気して前記処理空間を減圧させ、次に
前記加熱手段と前記密着強化剤供給手段とを共に作動さ
せて、前記加熱手段による脱水ベーク処理を受けた基板
の表面に密着強化剤を塗布する密着強化剤塗布モードに
移行する制御を行う制御手段と、を備えてなる脱水およ
び密着強化処理ユニットと、前記洗浄ユニットと前記脱
水および密着強化ユニットとの間で基板を搬送する搬送
ロボットと、を設けている。 請求項５の発明は、洗浄液
によって洗浄された基板を乾燥させた後に、当該基板の
表面に密着強化剤を塗布し、さらに所定の塗布液を塗布
して基板表面に薄膜を形成する基板表面処理装置におい
て、洗浄液によって洗浄された基板を収容するチャンバ
と、前記チャンバ内に収容された基板を加熱する加熱手
段と、前記チャンバ内に収容された基板に密着強化剤の
蒸気を供給する密着強化剤供給手段と、前記チャンバに
形成された排気ポートと、処理空間に窒素ガスを供給す
る窒素ガス供給部と、前記密着強化剤供給手段の作動を
停止させた状態で前記加熱手段 のみを作動させて洗浄さ
れた基板を乾燥させる脱水ベークモードを実行させた
後、前記排気ポートから前記処理空間を排気して前記処
理空間を減圧させ、次に前記加熱手段と前記密着強化剤
供給手段とを共に作動させて、前記加熱手段による脱水
ベーク処理を受けた基板の表面に密着強化剤を塗布する
密着強化剤塗布モードを実行し、続いて前記処理空間に
窒素ガスを供給しつつ前記処理空間を減圧する制御を行
う制御手段と、を備えてなる脱水および密着強化処理ユ
ニットを設けている。 請求項６の発明は、洗浄液によっ
て洗浄された基板を乾燥させた後に、当該基板の表面に
密着強化剤を塗布し、さらに所定の塗布液を塗布して基
板表面に薄膜を形成する基板表面処理装置において、基
板を洗浄処理する洗浄ユニットと、前記洗浄ユニットに
よって洗浄された基板を収容するチャンバと、前記チャ
ンバ内に収容された基板を加熱する加熱手段と、前記チ
ャンバ内に収容された基板に密着強化剤の蒸気を供給す
る密着強化剤供給手段と、前記チャンバに形成された排
気ポートと、処理空間に窒素ガスを供給する窒素ガス供
給部と、前記密着強化剤供給手段の作動を停止させた状
態で前記加熱手段のみを作動させて洗浄された基板を乾
燥させる脱水ベークモードを実行させた後、前記排気ポ
ートから前記処理空間を排気して前記処理空間を減圧さ
せ、次に前記加熱手段と前記密着強化剤供給手段とを共
に作動させて、前記加熱手段による脱水ベーク処理を受
けた基板の表面に密着強化剤を塗布する密着強化剤塗布
モードを実行し、続いて前記処理空間に窒素ガスを供給
しつつ前記処理空間を減圧する制御を行う制御手段と、
を備えてなる脱水および密着強化処理ユニットと、前記
洗浄ユニットと前記脱水および密着強化ユニットとの間
で基板を搬送する搬送ロボットと、を設けている。
液によって洗浄された基板を乾燥させた後に、当該基板
の表面に密着強化剤を塗布し、さらに所定の塗布液を塗
布して基板表面に薄膜を形成する基板表面処理装置にお
いて、上記目的を達成するため、洗浄液によって洗浄さ
れた基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内に収容
された基板を加熱する加熱手段と、前記チャンバ内に収
容された基板に密着強化剤の蒸気を供給する密着強化剤
供給手段と、前記密着強化剤供給手段の作動を停止させ
た状態で前記加熱手段のみを作動させて洗浄された基板
を乾燥させる脱水ベークモードを実行させた後、前記加
熱手段と前記密着強化剤供給手段とを共に作動させて、
前記加熱手段による脱水ベーク処理を受けた基板の表面
に密着強化剤を塗布する密着強化剤塗布モードに移行す
る制御を行う制御手段と、を備えてなる脱水および密着
強化処理ユニットを設けている。請求項２の発明は、洗
浄液によって洗浄された基板を乾燥させた後に、当該基
板の表面に密着強化剤を塗布し、さらに所定の塗布液を
塗布して基板表面に薄膜を形成する基板表面処理装置に
おいて、基板を洗浄処理する洗浄ユニットと、前記洗浄
ユニットによって洗浄された基板を収容するチャンバ
と、前記チャンバ内に収容された基板を加熱する加熱手
段と、前記チャンバ内に収容された基板に密着強化剤の
蒸気を供給する密着強化剤供給手段と、前記密着強化剤
供給手段の作動を停止させた状態で前記加熱手段のみを
作動させて洗浄された基板を乾燥させる脱水ベークモー
ドと、前記加熱手段と前記密着強化剤供給手段とを共に
作動させて、前記加熱手段による脱水ベーク処理を受け
た基板の表面に密着強化剤を塗布する密着強化剤塗布モ
ードとを切り替え制御する制御手段と、を備えてなる脱
水および密着強化処理ユニットと、前記洗浄ユニットと
前記脱水および密着強化ユニットとの間で基板を搬送す
る搬送ロボットと、を設けている。 請求項３の発明は、
洗浄液によって洗浄された基板を乾燥させた後に、当該
基板の表面に密着強化剤を塗布し、さらに所定の塗布液
を塗布して基板表面に薄膜を形成する基板表面処理装置
において、洗浄液によって洗浄された基板を収容するチ
ャンバと、前記チャンバ内に収容された基板を加熱する
加熱手段と、前記チ ャンバ内に収容された基板に密着強
化剤の蒸気を供給する密着強化剤供給手段と、前記チャ
ンバに形成された排気ポートと、前記密着強化剤供給手
段の作動を停止させた状態で前記加熱手段のみを作動さ
せて洗浄された基板を乾燥させる脱水ベークモードを実
行させた後、前記排気ポートから処理空間を排気して前
記処理空間を減圧させ、次に前記加熱手段と前記密着強
化剤供給手段とを共に作動させて、前記加熱手段による
脱水ベーク処理を受けた基板の表面に密着強化剤を塗布
する密着強化剤塗布モードに移行する制御を行う制御手
段と、を備えてなる脱水および密着強化処理ユニットを
設けている。 請求項４の発明は、洗浄液によって洗浄さ
れた基板を乾燥させた後に、当該基板の表面に密着強化
剤を塗布し、さらに所定の塗布液を塗布して基板表面に
薄膜を形成する基板表面処理装置において、基板を洗浄
処理する洗浄ユニットと、前記洗浄ユニットによって洗
浄された基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内に
収容された基板を加熱する加熱手段と、前記チャンバ内
に収容された基板に密着強化剤の蒸気を供給する密着強
化剤供給手段と、前記チャンバに形成された排気ポート
と、前記密着強化剤供給手段の作動を停止させた状態で
前記加熱手段のみを作動させて洗浄された基板を乾燥さ
せる脱水ベークモードを実行させた後、前記排気ポート
から処理空間を排気して前記処理空間を減圧させ、次に
前記加熱手段と前記密着強化剤供給手段とを共に作動さ
せて、前記加熱手段による脱水ベーク処理を受けた基板
の表面に密着強化剤を塗布する密着強化剤塗布モードに
移行する制御を行う制御手段と、を備えてなる脱水およ
び密着強化処理ユニットと、前記洗浄ユニットと前記脱
水および密着強化ユニットとの間で基板を搬送する搬送
ロボットと、を設けている。 請求項５の発明は、洗浄液
によって洗浄された基板を乾燥させた後に、当該基板の
表面に密着強化剤を塗布し、さらに所定の塗布液を塗布
して基板表面に薄膜を形成する基板表面処理装置におい
て、洗浄液によって洗浄された基板を収容するチャンバ
と、前記チャンバ内に収容された基板を加熱する加熱手
段と、前記チャンバ内に収容された基板に密着強化剤の
蒸気を供給する密着強化剤供給手段と、前記チャンバに
形成された排気ポートと、処理空間に窒素ガスを供給す
る窒素ガス供給部と、前記密着強化剤供給手段の作動を
停止させた状態で前記加熱手段 のみを作動させて洗浄さ
れた基板を乾燥させる脱水ベークモードを実行させた
後、前記排気ポートから前記処理空間を排気して前記処
理空間を減圧させ、次に前記加熱手段と前記密着強化剤
供給手段とを共に作動させて、前記加熱手段による脱水
ベーク処理を受けた基板の表面に密着強化剤を塗布する
密着強化剤塗布モードを実行し、続いて前記処理空間に
窒素ガスを供給しつつ前記処理空間を減圧する制御を行
う制御手段と、を備えてなる脱水および密着強化処理ユ
ニットを設けている。 請求項６の発明は、洗浄液によっ
て洗浄された基板を乾燥させた後に、当該基板の表面に
密着強化剤を塗布し、さらに所定の塗布液を塗布して基
板表面に薄膜を形成する基板表面処理装置において、基
板を洗浄処理する洗浄ユニットと、前記洗浄ユニットに
よって洗浄された基板を収容するチャンバと、前記チャ
ンバ内に収容された基板を加熱する加熱手段と、前記チ
ャンバ内に収容された基板に密着強化剤の蒸気を供給す
る密着強化剤供給手段と、前記チャンバに形成された排
気ポートと、処理空間に窒素ガスを供給する窒素ガス供
給部と、前記密着強化剤供給手段の作動を停止させた状
態で前記加熱手段のみを作動させて洗浄された基板を乾
燥させる脱水ベークモードを実行させた後、前記排気ポ
ートから前記処理空間を排気して前記処理空間を減圧さ
せ、次に前記加熱手段と前記密着強化剤供給手段とを共
に作動させて、前記加熱手段による脱水ベーク処理を受
けた基板の表面に密着強化剤を塗布する密着強化剤塗布
モードを実行し、続いて前記処理空間に窒素ガスを供給
しつつ前記処理空間を減圧する制御を行う制御手段と、
を備えてなる脱水および密着強化処理ユニットと、前記
洗浄ユニットと前記脱水および密着強化ユニットとの間
で基板を搬送する搬送ロボットと、を設けている。
【０００６】
【作用】請求項１ないし請求項６の発明では、洗浄液を
乾燥させる脱水ベーク処理と基板に密着強化剤を塗布す
る塗布処理とを行う密着強化処理ユニットが設けられ
る。この密着強化処理ユニットは、チャンバ内に収容さ
れた基板に対して加熱処理を行う加熱手段と、密着強化
剤の蒸気を供給して密着強化剤を塗布する密着強化剤供
給手段と、脱水ベークモードと密着強化剤塗布モードと
を切り替え制御する制御手段とを備えており、脱水ベー
クモードでは、前記密着強化剤供給手段が停止した状態
で前記加熱手段のみが作動して洗浄された基板を乾燥す
る一方、密着強化剤塗布モードでは、前記加熱手段と前
記密着強化剤供給手段とが共に作動して脱水ベークされ
た基板の表面に密着強化剤を塗布する。このように、密
着強化処理ユニットが密着強化剤の塗布処理のみならず
脱水ベーク処理も実行するため、脱水ベーク専用の処理
ユニットを設ける必要がなくなり、基板表面処理装置の
小型化が可能となる。
乾燥させる脱水ベーク処理と基板に密着強化剤を塗布す
る塗布処理とを行う密着強化処理ユニットが設けられ
る。この密着強化処理ユニットは、チャンバ内に収容さ
れた基板に対して加熱処理を行う加熱手段と、密着強化
剤の蒸気を供給して密着強化剤を塗布する密着強化剤供
給手段と、脱水ベークモードと密着強化剤塗布モードと
を切り替え制御する制御手段とを備えており、脱水ベー
クモードでは、前記密着強化剤供給手段が停止した状態
で前記加熱手段のみが作動して洗浄された基板を乾燥す
る一方、密着強化剤塗布モードでは、前記加熱手段と前
記密着強化剤供給手段とが共に作動して脱水ベークされ
た基板の表面に密着強化剤を塗布する。このように、密
着強化処理ユニットが密着強化剤の塗布処理のみならず
脱水ベーク処理も実行するため、脱水ベーク専用の処理
ユニットを設ける必要がなくなり、基板表面処理装置の
小型化が可能となる。
【０００７】
【実施例】図１は、この発明にかかる基板表面処理装置
に組み込まれた密着強化処理ユニット（脱水及び密着強
化処理ユニット）を示す図である。この脱水及び密着強
化処理ユニットＨＡでは、気密性のチャンバ２の内部が
処理空間４となっており、チャンバ２の側部に設けられ
たシャッター６を介して基板Ｗのチャンバ２内への搬入
およびチャンバ２からの搬出が可能となっている。すな
わち、シャッター６の下方端部がチャンバ２に蝶着さ
れ、制御部７からの信号に応じてシャッター開閉駆動部
８が作動してシャッター６を矢印方向αに開閉して、基
板Ｗの搬入・搬出が可能となっている。
に組み込まれた密着強化処理ユニット（脱水及び密着強
化処理ユニット）を示す図である。この脱水及び密着強
化処理ユニットＨＡでは、気密性のチャンバ２の内部が
処理空間４となっており、チャンバ２の側部に設けられ
たシャッター６を介して基板Ｗのチャンバ２内への搬入
およびチャンバ２からの搬出が可能となっている。すな
わち、シャッター６の下方端部がチャンバ２に蝶着さ
れ、制御部７からの信号に応じてシャッター開閉駆動部
８が作動してシャッター６を矢印方向αに開閉して、基
板Ｗの搬入・搬出が可能となっている。
【０００８】チャンバ２の底部には、ホットプレート１
０が設けられ、その上面から突設した複数のプロキシミ
ティーピン１２によって基板Ｗをホットプレート１０の
直上位置で支持するようになっており、ホットプレート
１０の作動によりホットプレート１０から熱が基板Ｗに
与えられて、加熱処理が実行される。なお、このホット
プレート１０は制御部７に電気的に接続され、制御部７
からの信号に基づいて動作する。
０が設けられ、その上面から突設した複数のプロキシミ
ティーピン１２によって基板Ｗをホットプレート１０の
直上位置で支持するようになっており、ホットプレート
１０の作動によりホットプレート１０から熱が基板Ｗに
与えられて、加熱処理が実行される。なお、このホット
プレート１０は制御部７に電気的に接続され、制御部７
からの信号に基づいて動作する。
【０００９】また、チャンバ２の底部には、一対の排気
ポート１４が形成され、エアーバルブ１６を介して真空
ポンプやエジェクターなどの真空源１８に接続可能にな
っており、制御部７からの信号に応じてエアーバルブ１
６を開くことにより処理空間４内を減圧することができ
る。
ポート１４が形成され、エアーバルブ１６を介して真空
ポンプやエジェクターなどの真空源１８に接続可能にな
っており、制御部７からの信号に応じてエアーバルブ１
６を開くことにより処理空間４内を減圧することができ
る。
【００１０】チャンバ２の上部には、給気ポート２０，
２２が取り付けられている。一方の給気ポート２０は密
着強化剤であるヘキサメチルジシラザン（以下、ＨＭＤ
Ｓ）の蒸気（以下、ＨＭＤＳベーパ）を処理空間４に供
給するためのもので、ＨＭＤＳを貯留するＨＭＤＳ供給
部２４に連通されている。他方の給気ポート２２は窒素
ガス（Ｎ2ガス）を処理空間４に供給するためのもの
で、窒素ガス供給部２６に連通されている。
２２が取り付けられている。一方の給気ポート２０は密
着強化剤であるヘキサメチルジシラザン（以下、ＨＭＤ
Ｓ）の蒸気（以下、ＨＭＤＳベーパ）を処理空間４に供
給するためのもので、ＨＭＤＳを貯留するＨＭＤＳ供給
部２４に連通されている。他方の給気ポート２２は窒素
ガス（Ｎ2ガス）を処理空間４に供給するためのもの
で、窒素ガス供給部２６に連通されている。
【００１１】チャンバ２内には、給気ポート２０，２２
の直下にステンレス製の板材に複数の孔２８ａを穿設し
てなる整流板２８が固定されている。そして、制御部７
からの信号を受けてＨＭＤＳ供給部２４が作動すると、
ＨＭＤＳべーパが給気ポート２０を介して整流板２８に
向けて吐出され、さらに整流板２８によって整流された
後、各孔２８ａから基板Ｗの表面に均一に供給される。
また、窒素ガス供給部２６が作動した場合も、上記と同
様にして窒素ガスが処理空間４に供給される。
の直下にステンレス製の板材に複数の孔２８ａを穿設し
てなる整流板２８が固定されている。そして、制御部７
からの信号を受けてＨＭＤＳ供給部２４が作動すると、
ＨＭＤＳべーパが給気ポート２０を介して整流板２８に
向けて吐出され、さらに整流板２８によって整流された
後、各孔２８ａから基板Ｗの表面に均一に供給される。
また、窒素ガス供給部２６が作動した場合も、上記と同
様にして窒素ガスが処理空間４に供給される。
【００１２】さらに、チャンバ２内には、基板Ｗを保持
しながら昇降自在な基板受渡しアーム３０が設けられて
いる。この基板受渡しアーム３０はアーム駆動部３２と
連結されており、制御部７からの信号に応じて上下方向
に移動される。例えば、外部より基板Ｗをチャンバ２内
に搬入する場合には、シャッター６を開いて搬送ロボッ
トのアーム（図示省略）に保持された基板がチャンバ２
内に搬入された後、基板受渡しアーム３０は同図の点線
位置まで上昇して搬送ロボットから洗浄済みの基板Ｗを
受け取る。その後、基板受渡しアーム３０が降下する
と、当該基板Ｗはプロキシミティーピン１２上に載置さ
れる。
しながら昇降自在な基板受渡しアーム３０が設けられて
いる。この基板受渡しアーム３０はアーム駆動部３２と
連結されており、制御部７からの信号に応じて上下方向
に移動される。例えば、外部より基板Ｗをチャンバ２内
に搬入する場合には、シャッター６を開いて搬送ロボッ
トのアーム（図示省略）に保持された基板がチャンバ２
内に搬入された後、基板受渡しアーム３０は同図の点線
位置まで上昇して搬送ロボットから洗浄済みの基板Ｗを
受け取る。その後、基板受渡しアーム３０が降下する
と、当該基板Ｗはプロキシミティーピン１２上に載置さ
れる。
【００１３】次に、上記のように構成された脱水及び密
着強化処理ユニットＨＡの動作について図２を参照しつ
つ説明する。図２は時刻に対するチャンバ２内の圧力を
示すグラフである。
着強化処理ユニットＨＡの動作について図２を参照しつ
つ説明する。図２は時刻に対するチャンバ２内の圧力を
示すグラフである。
【００１４】まず、洗浄ユニットＳＳによる洗浄処理が
完了すると、搬送ロボットにより洗浄済み基板Ｗを脱水
及び密着強化処理ユニットＨＡの手前まで搬送した後、
シャッター６を開き、当該基板Ｗを保持する搬送ロボッ
トのアームをチャンバ２内に前進させる。そして、基板
受渡しアーム３０を上昇させて、搬送ロボットから基板
受渡しアーム３０への洗浄済み基板Ｗの受渡しを行う。
完了すると、搬送ロボットにより洗浄済み基板Ｗを脱水
及び密着強化処理ユニットＨＡの手前まで搬送した後、
シャッター６を開き、当該基板Ｗを保持する搬送ロボッ
トのアームをチャンバ２内に前進させる。そして、基板
受渡しアーム３０を上昇させて、搬送ロボットから基板
受渡しアーム３０への洗浄済み基板Ｗの受渡しを行う。
【００１５】この基板受渡しが完了すると、基板受渡し
アーム３０を下降させて、プロキシミティーピン１２上
に洗浄済み基板Ｗを載置する。また、これと並行して、
搬送ロボットのアームを後退させた後、シャッター６を
閉じる（時刻ｔ0）。なお、この動作最中では、ＨＭＤ
Ｓ供給部２４および窒素ガス供給部２６は停止した状態
のままで、しかもエアーバルブ１６は閉状態にあり、チ
ャンバ２内の圧力は圧力（大気圧）Ｐ0となっている。
アーム３０を下降させて、プロキシミティーピン１２上
に洗浄済み基板Ｗを載置する。また、これと並行して、
搬送ロボットのアームを後退させた後、シャッター６を
閉じる（時刻ｔ0）。なお、この動作最中では、ＨＭＤ
Ｓ供給部２４および窒素ガス供給部２６は停止した状態
のままで、しかもエアーバルブ１６は閉状態にあり、チ
ャンバ２内の圧力は圧力（大気圧）Ｐ0となっている。
【００１６】次に、時刻ｔ1までの間（時間Ｔ1）、ホッ
トプレート１０に通電し、基板Ｗを加熱して、基板Ｗの
表面に付着する水分を除去する（脱水ベーク処理）。
トプレート１０に通電し、基板Ｗを加熱して、基板Ｗの
表面に付着する水分を除去する（脱水ベーク処理）。
【００１７】この脱水ベーク処理が完了すると、エアー
バルブ１６を開いてチャンバ２内の減圧を開始する。そ
して、チャンバ２内が圧力Ｐ2にまで減圧されると（時
刻ｔ2）、エアーバルブ１６を閉じた後、ＨＭＤＳ供給
部２４を作動させてチャンバ２内にＨＭＤＳべーパを導
入してチャンバ２内が圧力Ｐ1となると（時刻ｔ3）、Ｈ
ＭＤＳ供給部２４を停止させ、時刻ｔ4までの間（時間
Ｔ2）、その状態のまま保持する。そのため、基板Ｗは
ホットプレート１０によって加熱されながら、上方より
ＨＭＤＳべーパの供給を受け、その表面にＨＭＤＳの薄
膜が塗布される（ＨＭＤＳの塗布処理）。
バルブ１６を開いてチャンバ２内の減圧を開始する。そ
して、チャンバ２内が圧力Ｐ2にまで減圧されると（時
刻ｔ2）、エアーバルブ１６を閉じた後、ＨＭＤＳ供給
部２４を作動させてチャンバ２内にＨＭＤＳべーパを導
入してチャンバ２内が圧力Ｐ1となると（時刻ｔ3）、Ｈ
ＭＤＳ供給部２４を停止させ、時刻ｔ4までの間（時間
Ｔ2）、その状態のまま保持する。そのため、基板Ｗは
ホットプレート１０によって加熱されながら、上方より
ＨＭＤＳべーパの供給を受け、その表面にＨＭＤＳの薄
膜が塗布される（ＨＭＤＳの塗布処理）。
【００１８】上記のようにしてＨＭＤＳの塗布処理が完
了すると（時刻ｔ4）、窒素ガス供給部２６を作動させ
てチャンバ２内に窒素ガスを供給しながらエアーバルブ
１６を再度開いてチャンバ２内を圧力Ｐ2まで減圧させ
た（時刻ｔ5）後、チャンバ２内を圧力Ｐ2に維持しなが
ら窒素ガスの供給および真空源１８による排気処理を時
刻ｔ6までの間（時間Ｔ3）行って、チャンバ２内のＨＭ
ＤＳべーパの濃度を下げる。
了すると（時刻ｔ4）、窒素ガス供給部２６を作動させ
てチャンバ２内に窒素ガスを供給しながらエアーバルブ
１６を再度開いてチャンバ２内を圧力Ｐ2まで減圧させ
た（時刻ｔ5）後、チャンバ２内を圧力Ｐ2に維持しなが
ら窒素ガスの供給および真空源１８による排気処理を時
刻ｔ6までの間（時間Ｔ3）行って、チャンバ２内のＨＭ
ＤＳべーパの濃度を下げる。
【００１９】こうしてチャンバ２内のＨＭＤＳべーパが
ほぼ完全に排気されると、エアーバルブ１６を再度閉じ
て、チャンバ２内を圧力Ｐ0に戻す（時刻ｔ7）。
ほぼ完全に排気されると、エアーバルブ１６を再度閉じ
て、チャンバ２内を圧力Ｐ0に戻す（時刻ｔ7）。
【００２０】そして、時刻ｔ8で、基板受渡しアーム３
０を上昇させてＨＭＤＳの塗布された基板Ｗを基板受渡
しが可能な位置に位置決めした後、シャッター６を開き
搬送ロボットのアームを前進させて、基板受渡しアーム
３０から搬送ロボットに基板Ｗを移載する。なお、搬送
ロボットに移された基板Ｗは次の処理ユニットであるク
ールプレートに搬送され、冷却処理を受ける。
０を上昇させてＨＭＤＳの塗布された基板Ｗを基板受渡
しが可能な位置に位置決めした後、シャッター６を開き
搬送ロボットのアームを前進させて、基板受渡しアーム
３０から搬送ロボットに基板Ｗを移載する。なお、搬送
ロボットに移された基板Ｗは次の処理ユニットであるク
ールプレートに搬送され、冷却処理を受ける。
【００２１】以上のように、この脱水及び密着強化処理
ユニットＨＡによれば、ＨＭＤＳ供給部２４を停止させ
た状態でホットプレート１０を作動させて基板Ｗの脱水
ベーク処理を行った（脱水ベークモード）後で、ＨＭＤ
Ｓ供給部２４およびホットプレート１０を作動させて脱
水ベークされた基板Ｗの表面にＨＭＤＳを塗布する塗布
処理を行う（密着強化剤塗布モード）ことができる。し
たがって、制御部７からの信号で脱水ベークモードと密
着強化剤塗布モードとを切り替えることで、この脱水及
び密着強化処理ユニットＨＡにより脱水ベーク処理を行
うことができ、図４図示の脱水ベークユニットＨＰ1及
びそれによって加熱された基板を冷却するための冷却ユ
ニットＣＰ1を無くすことができるので、処理ユニット
数を減少させて基板表面処理装置のコンパクト化を図る
ことができる。
ユニットＨＡによれば、ＨＭＤＳ供給部２４を停止させ
た状態でホットプレート１０を作動させて基板Ｗの脱水
ベーク処理を行った（脱水ベークモード）後で、ＨＭＤ
Ｓ供給部２４およびホットプレート１０を作動させて脱
水ベークされた基板Ｗの表面にＨＭＤＳを塗布する塗布
処理を行う（密着強化剤塗布モード）ことができる。し
たがって、制御部７からの信号で脱水ベークモードと密
着強化剤塗布モードとを切り替えることで、この脱水及
び密着強化処理ユニットＨＡにより脱水ベーク処理を行
うことができ、図４図示の脱水ベークユニットＨＰ1及
びそれによって加熱された基板を冷却するための冷却ユ
ニットＣＰ1を無くすことができるので、処理ユニット
数を減少させて基板表面処理装置のコンパクト化を図る
ことができる。
【００２２】すなわち、図１の脱水及び密着強化処理ユ
ニットＨＡを用いることにより、図４の従来装置と同様
に１枚の基板を洗浄してからレジスト膜を形成するまで
の処理を行う場合には、図３図示のように洗浄ユニット
ＳＳ、脱水及び密着強化処理ユニットＨＡ、冷却ユニッ
トＣＰ2、塗布ユニットＳＣ、加熱ユニットＨＰ2、及び
冷却ユニットＣＰ3の６つの処理ユニットを必要とする
だけであるので、８つの処理ユニットを必要とする図４
図示の従来装置に比べて処理ユニットの数を減少せしめ
て装置をコンパクトにすることができる。
ニットＨＡを用いることにより、図４の従来装置と同様
に１枚の基板を洗浄してからレジスト膜を形成するまで
の処理を行う場合には、図３図示のように洗浄ユニット
ＳＳ、脱水及び密着強化処理ユニットＨＡ、冷却ユニッ
トＣＰ2、塗布ユニットＳＣ、加熱ユニットＨＰ2、及び
冷却ユニットＣＰ3の６つの処理ユニットを必要とする
だけであるので、８つの処理ユニットを必要とする図４
図示の従来装置に比べて処理ユニットの数を減少せしめ
て装置をコンパクトにすることができる。
【００２３】さらに、上記のように構成された脱水及び
密着強化処理ユニットＨＡを用いると各処理ユニットの
数を減少せしめることができるので、単一の搬送ロボッ
トによって各処理ユニットに基板を搬入するとともに各
処理ユニットでの処理が完了した基板を搬出するように
構成した基板表面処理装置においては、この搬送ロボッ
トが基板の搬入・搬出のためにアクセスする処理ユニッ
トの種類を減少させることができる。したがって、搬送
ロボットの負担を軽減して装置の処理タクトを短縮する
ことができる。これについて、詳細に説明する。
密着強化処理ユニットＨＡを用いると各処理ユニットの
数を減少せしめることができるので、単一の搬送ロボッ
トによって各処理ユニットに基板を搬入するとともに各
処理ユニットでの処理が完了した基板を搬出するように
構成した基板表面処理装置においては、この搬送ロボッ
トが基板の搬入・搬出のためにアクセスする処理ユニッ
トの種類を減少させることができる。したがって、搬送
ロボットの負担を軽減して装置の処理タクトを短縮する
ことができる。これについて、詳細に説明する。
【００２４】図５は比較のために、上記脱水及び密着強
化処理ユニットＨＡを用いずに従来の密着強化処理ユニ
ットＡＰを用い、単一の搬送ロボットによって各処理ユ
ニットに基板を搬入するとともに各処理ユニットでの処
理が完了した基板を搬出するように構成した基板表面処
理装置のレイアウトを示す図である。この装置では、洗
浄ユニットＳＳと塗布ユニットＳＣとが一列に配置され
て処理列Ａが構成されている。また２つの脱水ベークユ
ニットＨＰ1及び２つの加熱ユニットＨＰ2と、冷却ユニ
ットＣＰ1，ＣＰ2，ＣＰ3と密着強化処理ユニットＡＰ
とが所定位置に配置されて、処理列Ａに平行な処理列Ｂ
が構成されている。図５（ａ）において、符号「／」は
２つの処理ユニットが上下に積層配置されていることを
示すものであり、例えば「ＨＰ2／ＣＰ3」と示されてい
るのは、下段に冷却ユニットＣＰ3が配置されその上段
に加熱ユニットＨＰ2が配置されていることを表してい
る。なお、ここで脱水ベークユニットＨＰ1と加熱ユニ
ットＨＰ2とがそれぞれ２つずつ設けられているのは、
これらの処理に要する時間が他の処理ユニットに比べて
長いので処理タクトを他の処理ユニットに合わせて短縮
するためである。
化処理ユニットＨＡを用いずに従来の密着強化処理ユニ
ットＡＰを用い、単一の搬送ロボットによって各処理ユ
ニットに基板を搬入するとともに各処理ユニットでの処
理が完了した基板を搬出するように構成した基板表面処
理装置のレイアウトを示す図である。この装置では、洗
浄ユニットＳＳと塗布ユニットＳＣとが一列に配置され
て処理列Ａが構成されている。また２つの脱水ベークユ
ニットＨＰ1及び２つの加熱ユニットＨＰ2と、冷却ユニ
ットＣＰ1，ＣＰ2，ＣＰ3と密着強化処理ユニットＡＰ
とが所定位置に配置されて、処理列Ａに平行な処理列Ｂ
が構成されている。図５（ａ）において、符号「／」は
２つの処理ユニットが上下に積層配置されていることを
示すものであり、例えば「ＨＰ2／ＣＰ3」と示されてい
るのは、下段に冷却ユニットＣＰ3が配置されその上段
に加熱ユニットＨＰ2が配置されていることを表してい
る。なお、ここで脱水ベークユニットＨＰ1と加熱ユニ
ットＨＰ2とがそれぞれ２つずつ設けられているのは、
これらの処理に要する時間が他の処理ユニットに比べて
長いので処理タクトを他の処理ユニットに合わせて短縮
するためである。
【００２５】これらの処理列Ａ，Ｂの側端部（図５
（ａ）の上方側）には、多数の基板が収容可能なカセッ
トが載置されるとともに、カセットから処理されるべき
基板を１枚ずつ取り出して後述する搬送ロボットＲ1に
渡すとともに処理済みの基板を搬送ロボットから受け取
ってカセットに入れるロボットが設けられたインデクサ
ＩＮＤが配置されている。さらに、処理列Ａ，Ｂは相互
に一定間隔だけ離されて対向配置され、その間を搬送ロ
ボットＲ1が往復移動可能に設けられている。そして、
搬送ロボットＲ1は、インデクサＩＮＤ、洗浄ユニット
ＳＳ、脱水ベークユニットＨＰ1、冷却ユニットＣＰ1、
密着強化処理ユニットＡＰ、冷却ユニットＣＰ2、塗布
ユニットＳＣ、加熱ユニットＨＰ2、及び冷却ユニット
ＣＰ3の９つの処理ユニット間で基板を図５（ｂ）に示
す搬送順序で搬送するように構成されている。すなわ
ち、搬送ロボットＲ1は上記９種の処理ユニットにアク
セスする必要があるので、例えば搬送ロボットＲ1が１
つの処理ユニットから次の処理ユニットに基板を搬送す
るのに要する時間を平均１０秒とすれば、１０秒×９
（種類）＝９０秒であるから、図５（ａ）の搬送ロボッ
トＲ1は１枚の基板を受け取ってからその基板を全処理
ユニットに順次搬送して再びインデクサＩＮＤに返すの
に、各処理ユニット内での処理時間とは別に９０秒の搬
送時間を必要とすることになる。
（ａ）の上方側）には、多数の基板が収容可能なカセッ
トが載置されるとともに、カセットから処理されるべき
基板を１枚ずつ取り出して後述する搬送ロボットＲ1に
渡すとともに処理済みの基板を搬送ロボットから受け取
ってカセットに入れるロボットが設けられたインデクサ
ＩＮＤが配置されている。さらに、処理列Ａ，Ｂは相互
に一定間隔だけ離されて対向配置され、その間を搬送ロ
ボットＲ1が往復移動可能に設けられている。そして、
搬送ロボットＲ1は、インデクサＩＮＤ、洗浄ユニット
ＳＳ、脱水ベークユニットＨＰ1、冷却ユニットＣＰ1、
密着強化処理ユニットＡＰ、冷却ユニットＣＰ2、塗布
ユニットＳＣ、加熱ユニットＨＰ2、及び冷却ユニット
ＣＰ3の９つの処理ユニット間で基板を図５（ｂ）に示
す搬送順序で搬送するように構成されている。すなわ
ち、搬送ロボットＲ1は上記９種の処理ユニットにアク
セスする必要があるので、例えば搬送ロボットＲ1が１
つの処理ユニットから次の処理ユニットに基板を搬送す
るのに要する時間を平均１０秒とすれば、１０秒×９
（種類）＝９０秒であるから、図５（ａ）の搬送ロボッ
トＲ1は１枚の基板を受け取ってからその基板を全処理
ユニットに順次搬送して再びインデクサＩＮＤに返すの
に、各処理ユニット内での処理時間とは別に９０秒の搬
送時間を必要とすることになる。
【００２６】これに対して、上記脱水及び密着強化処理
ユニットＨＡを用いて同様の装置スペースに各処理ユニ
ットを配置した実施例を図６に示す。この装置では、図
５と同様に洗浄ユニットＳＳと塗布ユニットＳＣとが一
列に配置されて処理列Ａが構成されている。また２つの
加熱ユニットＨＰ2と、冷却ユニットＣＰ2，ＣＰ3と４
つの脱水及び密着強化処理ユニットＨＡとが所定位置に
配置されて、処理列Ａに平行な処理列Ｂが構成されてい
る。図６（ａ）においても、符号「／」は２つの処理ユ
ニットが上下に積層配置されていることを示す。なお、
ここで加熱ユニットＨＰ2が２つ設けられ脱水及び密着
強化処理ユニットＨＡが４つ設けられているのは、これ
らの処理に要する時間が他の処理ユニットに比べて長い
ので処理タクトを他の処理ユニットに合わせて短縮する
ためである。搬送ロボットＲ2は図５の搬送ロボットＲ1
と同様のものである。但し、この実施例において、搬送
ロボットＲ2は、インデクサＩＮＤ、洗浄ユニットＳ
Ｓ、脱水及び密着強化処理ユニットＨＡ、冷却ユニット
ＣＰ2、塗布ユニットＳＣ、加熱ユニットＨＰ2、及び冷
却ユニットＣＰ3の７つの処理ユニット間で基板を図６
（ｂ）に示す搬送順序で搬送するように構成されてい
る。すなわち、搬送ロボットＲ2は上記７種の処理ユニ
ットにアクセスすれば良いので、例えば搬送ロボットＲ
2が１つの処理ユニットから次の処理ユニットに基板を
搬送するのに要する時間を搬送ロボットＲ1と同様に平
均１０秒とすれば、１０秒×７（種類）＝７０秒である
から、図６（ａ）の搬送ロボットＲ2は１枚の基板を受
け取ってからその基板を全処理ユニットに順次搬送して
再びインザクサＩＮＤに返すのに、各処理ユニット内で
の処理時間とは別に７０秒の搬送時間しか必要としな
い。したがって、この脱水及び密着強化処理ユニットＨ
Ａを用いることにより、搬送ロボットのアクセスすべき
処理ユニットの種類を減少させて装置をコンパクト化し
ない場合は処理タクトを短縮することができるのであ
る。
ユニットＨＡを用いて同様の装置スペースに各処理ユニ
ットを配置した実施例を図６に示す。この装置では、図
５と同様に洗浄ユニットＳＳと塗布ユニットＳＣとが一
列に配置されて処理列Ａが構成されている。また２つの
加熱ユニットＨＰ2と、冷却ユニットＣＰ2，ＣＰ3と４
つの脱水及び密着強化処理ユニットＨＡとが所定位置に
配置されて、処理列Ａに平行な処理列Ｂが構成されてい
る。図６（ａ）においても、符号「／」は２つの処理ユ
ニットが上下に積層配置されていることを示す。なお、
ここで加熱ユニットＨＰ2が２つ設けられ脱水及び密着
強化処理ユニットＨＡが４つ設けられているのは、これ
らの処理に要する時間が他の処理ユニットに比べて長い
ので処理タクトを他の処理ユニットに合わせて短縮する
ためである。搬送ロボットＲ2は図５の搬送ロボットＲ1
と同様のものである。但し、この実施例において、搬送
ロボットＲ2は、インデクサＩＮＤ、洗浄ユニットＳ
Ｓ、脱水及び密着強化処理ユニットＨＡ、冷却ユニット
ＣＰ2、塗布ユニットＳＣ、加熱ユニットＨＰ2、及び冷
却ユニットＣＰ3の７つの処理ユニット間で基板を図６
（ｂ）に示す搬送順序で搬送するように構成されてい
る。すなわち、搬送ロボットＲ2は上記７種の処理ユニ
ットにアクセスすれば良いので、例えば搬送ロボットＲ
2が１つの処理ユニットから次の処理ユニットに基板を
搬送するのに要する時間を搬送ロボットＲ1と同様に平
均１０秒とすれば、１０秒×７（種類）＝７０秒である
から、図６（ａ）の搬送ロボットＲ2は１枚の基板を受
け取ってからその基板を全処理ユニットに順次搬送して
再びインザクサＩＮＤに返すのに、各処理ユニット内で
の処理時間とは別に７０秒の搬送時間しか必要としな
い。したがって、この脱水及び密着強化処理ユニットＨ
Ａを用いることにより、搬送ロボットのアクセスすべき
処理ユニットの種類を減少させて装置をコンパクト化し
ない場合は処理タクトを短縮することができるのであ
る。
【００２７】なお、上記実施例では、図２に示すよう
に、脱水及び密着強化処理ユニットＨＡにおいて脱水ベ
ーク処理を行っている間（時刻ｔ0から時刻ｔ1）、チャ
ンバ２内は圧力（大気圧）Ｐ0に維持されているが、脱
水ベーク処理開始と同時に、エアーバルブ１６を開いて
チャンバ２内を減圧すると、脱水ベーク処理中に発生し
た水蒸気を排気することができ、脱水ベーク処理をより
効果的に行うことができる。また、脱水ベーク処理中の
時刻ｔ2′ですでにチャンバ２内が圧力Ｐ2にまで減圧さ
れていることから、脱水ベーク処理後、直ちに密着強化
剤塗布処理を行うことができ、処理タクトの短縮化を図
ることができる。
に、脱水及び密着強化処理ユニットＨＡにおいて脱水ベ
ーク処理を行っている間（時刻ｔ0から時刻ｔ1）、チャ
ンバ２内は圧力（大気圧）Ｐ0に維持されているが、脱
水ベーク処理開始と同時に、エアーバルブ１６を開いて
チャンバ２内を減圧すると、脱水ベーク処理中に発生し
た水蒸気を排気することができ、脱水ベーク処理をより
効果的に行うことができる。また、脱水ベーク処理中の
時刻ｔ2′ですでにチャンバ２内が圧力Ｐ2にまで減圧さ
れていることから、脱水ベーク処理後、直ちに密着強化
剤塗布処理を行うことができ、処理タクトの短縮化を図
ることができる。
【００２８】また、上記実施例では、減圧してＨＭＤＳ
を塗布する減圧方式を例に挙げて説明したが、半密閉方
式や密閉方式の密着強化処理ユニットの場合も、制御部
によって脱水ベークモードと密着強化剤塗布モードとを
切り替えるように構成することで、上記実施例と同様の
効果が得られる。
を塗布する減圧方式を例に挙げて説明したが、半密閉方
式や密閉方式の密着強化処理ユニットの場合も、制御部
によって脱水ベークモードと密着強化剤塗布モードとを
切り替えるように構成することで、上記実施例と同様の
効果が得られる。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、基板
を加熱する加熱手段と、基板に密着強化剤の蒸気を供給
する密着強化剤供給手段とを設け、前記密着強化剤供給
手段の作動を停止させた状態で前記加熱手段のみを作動
させることで洗浄された基板を脱水ベークする一方、前
記加熱手段と前記密着強化剤供給手段とを共に作動させ
て、前記加熱手段による脱水ベーク処理を受けた基板の
表面に密着強化剤を塗布するようにしているので、脱水
ベーク専用の処理ユニットが不要となり、その結果、基
板表面処理装置の小型化を図ることができる。
を加熱する加熱手段と、基板に密着強化剤の蒸気を供給
する密着強化剤供給手段とを設け、前記密着強化剤供給
手段の作動を停止させた状態で前記加熱手段のみを作動
させることで洗浄された基板を脱水ベークする一方、前
記加熱手段と前記密着強化剤供給手段とを共に作動させ
て、前記加熱手段による脱水ベーク処理を受けた基板の
表面に密着強化剤を塗布するようにしているので、脱水
ベーク専用の処理ユニットが不要となり、その結果、基
板表面処理装置の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明にかかる基板表面処理装置に組み込ま
れた密着強化処理ユニット（脱水及び密着強化処理ユニ
ット）を示す図である。
れた密着強化処理ユニット（脱水及び密着強化処理ユニ
ット）を示す図である。
【図２】図１の脱水及び密着強化処理ユニットの動作を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図３】図１の脱水及び密着強化処理ユニットを有する
基板表面処理装置を示す図である。
基板表面処理装置を示す図である。
【図４】従来の基板表面処理装置を示す図である。
【図５】この発明にかかる基板表面処理装置の効果を説
明するための図である。
明するための図である。
【図６】この発明にかかる基板表面処理装置の一実施例
を示す図である。
を示す図である。
２ チャンバ
４ 処理空間
７ 制御部
１０ ホットプレート（加熱手段）
２４ ＨＭＤＳ供給部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 美作 昌宏
京都市伏見区羽束師古川町322番地 大
日本スクリーン製造株式会社 洛西工場
内
(56)参考文献 特開 平３−138923（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−132209（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03F 7/16 501
H01L 21/304
Claims (6)
- 【請求項１】 洗浄液によって洗浄された基板を乾燥さ
せた後に、当該基板の表面に密着強化剤を塗布し、さら
に所定の塗布液を塗布して基板表面に薄膜を形成する基
板表面処理装置において、 洗浄液によって洗浄された基板を収容するチャンバと、 前記チャンバ内に収容された基板を加熱する加熱手段
と、 前記チャンバ内に収容された基板に密着強化剤の蒸気を
供給する密着強化剤供給手段と、 前記密着強化剤供給手段の作動を停止させた状態で前記
加熱手段のみを作動させて洗浄された基板を乾燥させる
脱水ベークモードを実行させた後、前記加熱手段と前記
密着強化剤供給手段とを共に作動させて、前記加熱手段
による脱水ベーク処理を受けた基板の表面に密着強化剤
を塗布する密着強化剤塗布モードに移行する制御を行う
制御手段と、を備えてなる脱水および密着強化処理ユニ
ットを設けたことを特徴とする基板表面処理装置。 - 【請求項２】 洗浄液によって洗浄された基板を乾燥さ
せた後に、当該基板の表面に密着強化剤を塗布し、さら
に所定の塗布液を塗布して基板表面に薄膜を形成する基
板表面処理装置において、 基板を洗浄処理する洗浄ユニットと、 前記洗浄ユニットによって洗浄された基板を収容するチ
ャンバと、前記チャンバ内に収容された基板を加熱する
加熱手段と、前記チャンバ内に収容された基板に密着強
化剤の蒸気を供給する密着強化剤供給手段と、前記密着
強化剤供給手段の作動を停止させた状態で前記加熱手段
のみを作動させて洗浄された基板を乾燥させる脱水ベー
クモードと、前記加熱手段と前記密着強化剤供給手段と
を共に作動させて、前記加熱手段による脱水ベーク処理
を受けた基板の表面に密着強化剤を塗布する密着強化剤
塗布モードとを切り替え制御する制御手段と、を備えて
なる脱水および密着強化処理ユニットと、 前記洗浄ユニットと前記脱水および密着強化ユニットと
の間で基板を搬送する搬送ロボットと、 を設けたことを特徴とする基板表面処理装置。 - 【請求項３】 洗浄液によって洗浄された基板を乾燥さ
せた後に、当該基板の表面に密着強化剤を塗布し、さら
に所定の塗布液を塗布して基板表面に薄膜を形成する基
板表面処理装置において、 洗浄液によって洗浄された基板を収容するチャンバと、 前記チャンバ内に収容された基板を加熱する加熱手段
と、 前記チャンバ内に収容された基板に密着強化剤の蒸気を
供給する密着強化剤供給手段と、 前記チャンバに形成された排気ポートと、 前記密着強化剤供給手段の作動を停止させた状態で前記
加熱手段のみを作動させて洗浄された基板を乾燥させる
脱水ベークモードを実行させた後、前記排気ポートから
処理空間を排気して前記処理空間を減圧させ、次に前記
加熱手段と前記密着強化剤供給手段とを共に作動させ
て、前記加熱手段による脱水ベーク処理を受けた基板の
表面に密着強化剤を塗布する密着強化剤塗布モードに移
行する制御を行う制御手段と、を備えてなる脱水および
密着強化処理ユニットを設けたことを特徴とする基板表
面処理装置。 - 【請求項４】 洗浄液によって洗浄された基板を乾燥さ
せた後に、当該基板の表面に密着強化剤を塗布し、さら
に所定の塗布液を塗布して基板表面に薄膜を形成する基
板表面処理装置において、 基板を洗浄処理する洗浄ユニットと、 前記洗浄ユニットによって洗浄された基板を収容するチ
ャンバと、前記チャンバ内に収容された基板を加熱する
加熱手段と、前記チャンバ内に収容された基板に密着強
化剤の蒸気を供給する密着強化剤供給手段と、前記チャ
ンバに形成された排気ポートと、前記密着強化剤供給手
段の作動を停止させた状態で前記加熱手段のみを作動さ
せて洗浄された基板を乾燥させる脱水ベークモードを実
行させた後、前記排気ポートから処理空間を排気して前
記処理空間を減圧させ、次に前記加熱手段と前記密着強
化剤供給手段とを共に作動させて、前記加熱手段による
脱水ベーク処理を受けた基板の表面に密着強化剤を塗布
する密着強化剤塗布モード に移行する制御を行う制御手
段と、を備えてなる脱水および密着強化処理ユニット
と、 前記洗浄ユニットと前記脱水および密着強化ユニットと
の間で基板を搬送する搬送ロボットと、を設けたことを
特徴とする基板表面処理装置。 - 【請求項５】 洗浄液によって洗浄された基板を乾燥さ
せた後に、当該基板の表面に密着強化剤を塗布し、さら
に所定の塗布液を塗布して基板表面に薄膜を形成する基
板表面処理装置において、 洗浄液によって洗浄された基板を収容するチャンバと、 前記チャンバ内に収容された基板を加熱する加熱手段
と、 前記チャンバ内に収容された基板に密着強化剤の蒸気を
供給する密着強化剤供給手段と、 前記チャンバに形成された排気ポートと、 処理空間に窒素ガスを供給する窒素ガス供給部と、 前記密着強化剤供給手段の作動を停止させた状態で前記
加熱手段のみを作動させて洗浄された基板を乾燥させる
脱水ベークモードを実行させた後、前記排気ポートから
前記処理空間を排気して前記処理空間を減圧させ、次に
前記加熱手段と前記密着強化剤供給手段とを共に作動さ
せて、前記加熱手段による脱水ベーク処理を受けた基板
の表面に密着強化剤を塗布する密着強化剤塗布モードを
実行し、続いて前記処理空間に窒素ガスを供給しつつ前
記処理空間を減圧する制御を行う制御手段と、を備えて
なる脱水および密着強化処理ユニットを設けたことを特
徴とする基板表面処理装置。 - 【請求項６】 洗浄液によって洗浄された基板を乾燥さ
せた後に、当該基板の表面に密着強化剤を塗布し、さら
に所定の塗布液を塗布して基板表面に薄膜を形成する基
板表面処理装置において、 基板を洗浄処理する洗浄ユニットと、 前記洗浄ユニットによって洗浄された基板を収容するチ
ャンバと、前記チャンバ内に収容された基板を加熱する
加熱手段と、前記チャンバ内に収容された基板 に密着強
化剤の蒸気を供給する密着強化剤供給手段と、前記チャ
ンバに形成された排気ポートと、処理空間に窒素ガスを
供給する窒素ガス供給部と、前記密着強化剤供給手段の
作動を停止させた状態で前記加熱手段のみを作動させて
洗浄された基板を乾燥させる脱水ベークモードを実行さ
せた後、前記排気ポートから前記処理空間を排気して前
記処理空間を減圧させ、次に前記加熱手段と前記密着強
化剤供給手段とを共に作動させて、前記加熱手段による
脱水ベーク処理を受けた基板の表面に密着強化剤を塗布
する密着強化剤塗布モードを実行し、続いて前記処理空
間に窒素ガスを供給しつつ前記処理空間を減圧する制御
を行う制御手段と、を備えてなる脱水および密着強化処
理ユニットと、 前記洗浄ユニットと前記脱水および密着強化ユニットと
の間で基板を搬送する搬送ロボットと、を設けたことを
特徴とする基板表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12225094A JP3468842B2 (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 基板表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12225094A JP3468842B2 (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 基板表面処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335520A JPH07335520A (ja) | 1995-12-22 |
| JP3468842B2 true JP3468842B2 (ja) | 2003-11-17 |
Family
ID=14831312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12225094A Expired - Lifetime JP3468842B2 (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 基板表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3468842B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5667953B2 (ja) * | 2011-09-27 | 2015-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法及び基板の処理装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3018082B2 (ja) * | 1989-10-24 | 2000-03-13 | 東京エレクトロン株式会社 | アドヒージョン処理方法 |
| JP2906006B2 (ja) * | 1992-10-15 | 1999-06-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及びその装置 |
-
1994
- 1994-06-03 JP JP12225094A patent/JP3468842B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07335520A (ja) | 1995-12-22 |
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