JPH11274059A - 露光処理後の加熱方法及び加熱装置 - Google Patents
露光処理後の加熱方法及び加熱装置Info
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- JPH11274059A JPH11274059A JP9075998A JP9075998A JPH11274059A JP H11274059 A JPH11274059 A JP H11274059A JP 9075998 A JP9075998 A JP 9075998A JP 9075998 A JP9075998 A JP 9075998A JP H11274059 A JPH11274059 A JP H11274059A
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- resist
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光処理後の加熱処理において，レジストか
ら水分が奪われることを防止する。 【解決手段】 露光処理終了後のウェハＷを，処理室２
０内の載置台２１上で加熱する場合，タンク２９の空間
部Ｓの加湿された気体を，載置台２１の周囲にある供給
口１７から供給し，ウェハＷ上方に位置する排気口２６
から排気する。処理室２０内の相対湿度の低下が防止さ
れ，ウェハＷ上のレジストからの水分蒸発が抑えられ
る。
ら水分が奪われることを防止する。 【解決手段】 露光処理終了後のウェハＷを，処理室２
０内の載置台２１上で加熱する場合，タンク２９の空間
部Ｓの加湿された気体を，載置台２１の周囲にある供給
口１７から供給し，ウェハＷ上方に位置する排気口２６
から排気する。処理室２０内の相対湿度の低下が防止さ
れ，ウェハＷ上のレジストからの水分蒸発が抑えられ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，露光処理後の基板
を加熱する方法及び加熱装置に関する。
を加熱する方法及び加熱装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より，半導体デバイスの製造工程に
おいては，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」と称す
る。）などの基板表面にレジストパターンを形成するた
めのフォトリソグラフィ工程が行われている。
おいては，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」と称す
る。）などの基板表面にレジストパターンを形成するた
めのフォトリソグラフィ工程が行われている。
【０００３】このフォトリソグラフィ工程には，ウェハ
にレジストを塗布するレジスト塗布工程，レジスト塗布
後のウェハを露光する露光処理工程，ウェハを現像する
現像処理工程がある。そして，これらの各処理工程の前
後では，必要に応じてウェハの加熱処理（ベーク）が適
切に行われている。すなわち，ウェハの乾燥を目的とし
た，いわゆる脱水ベークや，レジスト中のレジスト溶剤
の加熱除去を目的とした，いわゆるプリベーク，露光処
理工程と現像処理工程との間に行う，いわゆるポスト・
エクスポージャ・ベーク（以下，「ＰＥＢ」と称す
る。），そして現像処理工程終了後に行うポストベーク
などが行われている。
にレジストを塗布するレジスト塗布工程，レジスト塗布
後のウェハを露光する露光処理工程，ウェハを現像する
現像処理工程がある。そして，これらの各処理工程の前
後では，必要に応じてウェハの加熱処理（ベーク）が適
切に行われている。すなわち，ウェハの乾燥を目的とし
た，いわゆる脱水ベークや，レジスト中のレジスト溶剤
の加熱除去を目的とした，いわゆるプリベーク，露光処
理工程と現像処理工程との間に行う，いわゆるポスト・
エクスポージャ・ベーク（以下，「ＰＥＢ」と称す
る。），そして現像処理工程終了後に行うポストベーク
などが行われている。
【０００４】これを処理順に基づいて説明すれば，まず
脱水ベークされたウェハ上に，レジストが塗布される。
次いで，このウェハをプリベークした後，露光装置によ
ってウェハを露光する。次いで，露光処理の終了したウ
ェハをＰＥＢによって加熱処理した後，ウェハに所定の
現像処理を施こし，その後ポストベークを行っているの
である。
脱水ベークされたウェハ上に，レジストが塗布される。
次いで，このウェハをプリベークした後，露光装置によ
ってウェハを露光する。次いで，露光処理の終了したウ
ェハをＰＥＢによって加熱処理した後，ウェハに所定の
現像処理を施こし，その後ポストベークを行っているの
である。
【０００５】ここで，レジストとして，たとえば化学増
幅型レジストを使用した場合，露光処理によって該レジ
スト中に酸が発生する。そしてＰＥＢによって，ウェハ
を加熱処理することにより，この酸の触媒反応が活性化
し，現像液に対する化学増幅型レジストの可溶性又は不
溶性が促進される。
幅型レジストを使用した場合，露光処理によって該レジ
スト中に酸が発生する。そしてＰＥＢによって，ウェハ
を加熱処理することにより，この酸の触媒反応が活性化
し，現像液に対する化学増幅型レジストの可溶性又は不
溶性が促進される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，このＰ
ＥＢによる加熱処理は，従来，処理室内の載置台を単に
加熱するだけであったため，処理室内の相対湿度が低下
して，処理室内は極めて乾燥した雰囲気となっていた。
処理室内が乾燥すると，ウェハ上のレジストから水分が
奪われてしまい，所望のレジストパターンを形成するこ
とができなくなるおそれが生じる。
ＥＢによる加熱処理は，従来，処理室内の載置台を単に
加熱するだけであったため，処理室内の相対湿度が低下
して，処理室内は極めて乾燥した雰囲気となっていた。
処理室内が乾燥すると，ウェハ上のレジストから水分が
奪われてしまい，所望のレジストパターンを形成するこ
とができなくなるおそれが生じる。
【０００７】本発明は，かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり，レジストから水分が奪われることなく，所
望のレジストパターンを形成することができる露光処理
終了後の加熱方法及び加熱装置を提供し，前記問題点の
解決を図ることを目的としている。
ものであり，レジストから水分が奪われることなく，所
望のレジストパターンを形成することができる露光処理
終了後の加熱方法及び加熱装置を提供し，前記問題点の
解決を図ることを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は，レジ
スト塗布後の基板に対して露光処理した後，当該基板を
処理室内で加熱するにあたり，加湿された気体を上記処
理室内に供給することを特徴としている。かかる方法に
よれば，加湿された気体を処理室内に供給することで，
相対湿度の低下を防止し，処理室内の乾燥を防ぐことが
できる。したがって，加湿された雰囲気の処理室中で基
板を加熱することができるため，レジスト中から水分が
奪われることがない。それ故，所望のレジストパターン
を形成することができる。
スト塗布後の基板に対して露光処理した後，当該基板を
処理室内で加熱するにあたり，加湿された気体を上記処
理室内に供給することを特徴としている。かかる方法に
よれば，加湿された気体を処理室内に供給することで，
相対湿度の低下を防止し，処理室内の乾燥を防ぐことが
できる。したがって，加湿された雰囲気の処理室中で基
板を加熱することができるため，レジスト中から水分が
奪われることがない。それ故，所望のレジストパターン
を形成することができる。
【０００９】請求項２に記載の発明は，レジスト塗布後
の基板に対して露光処理した後，当該基板を処理室内で
加熱する加熱装置において，加湿された気体を上記処理
室内に供給する加湿機構を備えたことを特徴としてい
る。かかる加熱装置によれば，加湿された気体を処理室
内に供給することで，相対湿度の低下を防止し，処理室
内の乾燥を防ぐことができる。したがって，請求項１と
同様に，レジスト中から水分が奪われることがなく，所
望のレジストパターンを形成することができる。
の基板に対して露光処理した後，当該基板を処理室内で
加熱する加熱装置において，加湿された気体を上記処理
室内に供給する加湿機構を備えたことを特徴としてい
る。かかる加熱装置によれば，加湿された気体を処理室
内に供給することで，相対湿度の低下を防止し，処理室
内の乾燥を防ぐことができる。したがって，請求項１と
同様に，レジスト中から水分が奪われることがなく，所
望のレジストパターンを形成することができる。
【００１０】請求項３に記載の発明は，請求項２に記載
の露光処理後の加熱装置における加湿機構が，気密なタ
ンク内に貯留された液の液面上に気体を供給する手段
と，前記タンクの液面上の空間と処理室内とを結ぶ供給
路とを備えてなることを特徴としている。かかる構成に
よれば，タンク内の液面上に，たとえば窒素ガスなどの
気体を供給することによって，タンク内の液面上の加湿
された雰囲気を供給路を介して処理室内に供給すること
ができる。したがって，処理室内を加湿された雰囲気に
することが容易である。なお，タンク内に貯留する液と
しては，純水が適している。
の露光処理後の加熱装置における加湿機構が，気密なタ
ンク内に貯留された液の液面上に気体を供給する手段
と，前記タンクの液面上の空間と処理室内とを結ぶ供給
路とを備えてなることを特徴としている。かかる構成に
よれば，タンク内の液面上に，たとえば窒素ガスなどの
気体を供給することによって，タンク内の液面上の加湿
された雰囲気を供給路を介して処理室内に供給すること
ができる。したがって，処理室内を加湿された雰囲気に
することが容易である。なお，タンク内に貯留する液と
しては，純水が適している。
【００１１】請求項４に記載の発明は，請求項２に記載
の露光処理後の加熱装置における加湿機構が，気密なタ
ンク内に貯留された液の液中に気体を供給する手段と，
前記タンクの液面上の空間と処理室内とを結ぶ供給路と
を備えてなることを特徴としている。かかる構成によれ
ば，タンク内の液中に，たとえば窒素ガスなどの気体を
圧送して当該タンクの液をバブリング攪拌することによ
り，大量の加湿された雰囲気を供給路を介して処理室内
に連続して供給することができる。したがって，処理室
内を加湿された雰囲気にすることが容易である。
の露光処理後の加熱装置における加湿機構が，気密なタ
ンク内に貯留された液の液中に気体を供給する手段と，
前記タンクの液面上の空間と処理室内とを結ぶ供給路と
を備えてなることを特徴としている。かかる構成によれ
ば，タンク内の液中に，たとえば窒素ガスなどの気体を
圧送して当該タンクの液をバブリング攪拌することによ
り，大量の加湿された雰囲気を供給路を介して処理室内
に連続して供給することができる。したがって，処理室
内を加湿された雰囲気にすることが容易である。
【００１２】請求項５に記載の発明は，請求項３又は４
に記載の露光処理後の加熱装置において，処理室内で基
板を載置する載置台に加熱機構が設けられ，加湿された
気体の処理室内における供給口は前記載置台の周囲に配
置され，処理室内の雰囲気を排気する排気口は，載置台
の中心上方に配置されたことを特徴としている。かかる
構成によれば，加湿された気体は，たとえばウェハなど
の基板の周囲から当該基板の中心上部に向かって流れる
ため，基板上の雰囲気を均一な湿度の雰囲気にすること
ができる。したがって，均一なＰＥＢを実施することが
できる。
に記載の露光処理後の加熱装置において，処理室内で基
板を載置する載置台に加熱機構が設けられ，加湿された
気体の処理室内における供給口は前記載置台の周囲に配
置され，処理室内の雰囲気を排気する排気口は，載置台
の中心上方に配置されたことを特徴としている。かかる
構成によれば，加湿された気体は，たとえばウェハなど
の基板の周囲から当該基板の中心上部に向かって流れる
ため，基板上の雰囲気を均一な湿度の雰囲気にすること
ができる。したがって，均一なＰＥＢを実施することが
できる。
【００１３】請求項６に記載の発明は，レジスト塗布装
置でレジストを塗布した基板に対して露光処理した後，
当該基板を処理室内で加熱する加熱装置において，前記
レジスト塗布装置に清浄空気を供給する供給路からの当
該清浄空気を，前記処理室内に供給するようにしたこと
を特徴としている。かかる構成によれば，温度や湿度に
敏感なレジストの特性に影響を与えないように調整され
たレジスト塗布装置内の清浄空気を，加熱装置の処理室
内にそのまま供給して利用することができる。したがっ
て，専用の加湿装置が不要になり，好適に加湿された雰
囲気の処理室内で，基板を加熱することができる。した
がって，レジスト中から水分が奪われることなく，たと
えば所望のレジストパターンを形成することも可能であ
る。
置でレジストを塗布した基板に対して露光処理した後，
当該基板を処理室内で加熱する加熱装置において，前記
レジスト塗布装置に清浄空気を供給する供給路からの当
該清浄空気を，前記処理室内に供給するようにしたこと
を特徴としている。かかる構成によれば，温度や湿度に
敏感なレジストの特性に影響を与えないように調整され
たレジスト塗布装置内の清浄空気を，加熱装置の処理室
内にそのまま供給して利用することができる。したがっ
て，専用の加湿装置が不要になり，好適に加湿された雰
囲気の処理室内で，基板を加熱することができる。した
がって，レジスト中から水分が奪われることなく，たと
えば所望のレジストパターンを形成することも可能であ
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下，図面を参照しながら，本発
明の好ましい実施の形態について説明する。
明の好ましい実施の形態について説明する。
【００１５】図１に示すように，本実施の形態にかかる
加熱装置１３を有するレジスト処理装置１の一端には，
カセットステーション２が配置されている。このカセッ
トステーション２に，ウェハＷを収納するカセット３が
載置される。カセット３の正面側には，ウェハＷの搬送
及び位置決めを行うためのメイン搬送アーム４と，メイ
ン搬送アーム４へとウェハＷを搬送する搬送機構５とが
備えられている。そして，ウェハＷに対して，所定の処
理を施す各種の処理装置がメイン搬送アーム４の搬送路
６を挟んだ両側に配置されている。
加熱装置１３を有するレジスト処理装置１の一端には，
カセットステーション２が配置されている。このカセッ
トステーション２に，ウェハＷを収納するカセット３が
載置される。カセット３の正面側には，ウェハＷの搬送
及び位置決めを行うためのメイン搬送アーム４と，メイ
ン搬送アーム４へとウェハＷを搬送する搬送機構５とが
備えられている。そして，ウェハＷに対して，所定の処
理を施す各種の処理装置がメイン搬送アーム４の搬送路
６を挟んだ両側に配置されている。
【００１６】すなわち，カセット３から取り出されたウ
ェハＷを洗浄するためのブラシスクラバ７，ウェハＷに
対して高圧ジェット洗浄するための水洗洗浄装置８，ウ
ェハＷの表面を疎水化処理するアドヒージョン装置９，
ウェハＷを所定の温度に冷却する冷却処理装置１０，回
転するウェハＷの表面にレジスト膜を塗布するレジスト
塗布装置１１，１１，ウェハＷに所定の現像処理を施す
現像処理装置１２，１２，さらに本実施の形態にかかる
加熱装置１３が配置されている。そしてレジスト処理装
置１は，インターフェイス部１４を介して露光装置１５
と接続されている。
ェハＷを洗浄するためのブラシスクラバ７，ウェハＷに
対して高圧ジェット洗浄するための水洗洗浄装置８，ウ
ェハＷの表面を疎水化処理するアドヒージョン装置９，
ウェハＷを所定の温度に冷却する冷却処理装置１０，回
転するウェハＷの表面にレジスト膜を塗布するレジスト
塗布装置１１，１１，ウェハＷに所定の現像処理を施す
現像処理装置１２，１２，さらに本実施の形態にかかる
加熱装置１３が配置されている。そしてレジスト処理装
置１は，インターフェイス部１４を介して露光装置１５
と接続されている。
【００１７】図２に示すように，この加熱装置１３の処
理室２０内略中央には，ウェハＷを載置する載置台２１
が設けられている。載置台２１は，処理室２０の内壁と
同様に，略環状に形成されており，載置台２１の周囲に
は後述する気体供給管２８に連通する気体の供給口１７
が図３に示したように複数配置されている。なお，この
供給口１７は，たとえば円弧状のスリットの形状にして
もよい。そして，この載置台２１の内部にはウェハＷを
加熱するために，たとえばヒータなどの加熱機構２２が
備えられている。この加熱機構２２は，処理室２０外部
に設けられた交流電源２３からの電力が供給されると，
ウェハＷを加熱することができる構成となっている。
理室２０内略中央には，ウェハＷを載置する載置台２１
が設けられている。載置台２１は，処理室２０の内壁と
同様に，略環状に形成されており，載置台２１の周囲に
は後述する気体供給管２８に連通する気体の供給口１７
が図３に示したように複数配置されている。なお，この
供給口１７は，たとえば円弧状のスリットの形状にして
もよい。そして，この載置台２１の内部にはウェハＷを
加熱するために，たとえばヒータなどの加熱機構２２が
備えられている。この加熱機構２２は，処理室２０外部
に設けられた交流電源２３からの電力が供給されると，
ウェハＷを加熱することができる構成となっている。
【００１８】載置台２１には，載置台２１に対して出没
可能な支持ピン２４が設けられており，この支持ピン２
４は，昇降機構２５を介して処理室２０外部に設けられ
た駆動機構（図示せず）に接続されている。したがっ
て，この昇降機構２５の作動により，支持ピン２４を上
下動させることが可能である。また，処理室２０の上部
には，処理室２０内の雰囲気を効率よく排気口２６へと
誘導するように適宜傾斜が付けられたカバー部材２７が
設けられている。
可能な支持ピン２４が設けられており，この支持ピン２
４は，昇降機構２５を介して処理室２０外部に設けられ
た駆動機構（図示せず）に接続されている。したがっ
て，この昇降機構２５の作動により，支持ピン２４を上
下動させることが可能である。また，処理室２０の上部
には，処理室２０内の雰囲気を効率よく排気口２６へと
誘導するように適宜傾斜が付けられたカバー部材２７が
設けられている。
【００１９】処理室２０の外部には，気密に構成された
タンク２９が設けられており，このタンク２９の内部に
は，たとえば純水などの液３１が貯留されている。この
タンク２９には，タンク２９の側壁を横貫し，かつタン
ク２９内に貯留された液３１の上面にある空間部Ｓと連
通するように構成された気体供給管２８，３０が設けら
れている。このうち，気体供給管３０には，たとえば窒
素ガスなどの気体を供給する気体供給源（図示せず）が
接続されている。また，他の気体供給管２８は，既述し
たように処理室２０内の供給口１７と連通している。
タンク２９が設けられており，このタンク２９の内部に
は，たとえば純水などの液３１が貯留されている。この
タンク２９には，タンク２９の側壁を横貫し，かつタン
ク２９内に貯留された液３１の上面にある空間部Ｓと連
通するように構成された気体供給管２８，３０が設けら
れている。このうち，気体供給管３０には，たとえば窒
素ガスなどの気体を供給する気体供給源（図示せず）が
接続されている。また，他の気体供給管２８は，既述し
たように処理室２０内の供給口１７と連通している。
【００２０】本実施の形態にかかる加熱装置１３は，以
上のように構成されている。次に，この加熱装置１３の
作用，効果について説明する。気体供給源（図示せず）
から供給された気体は，まず気体供給管３０を介してタ
ンク２９内の液３１上面にある空間部Ｓに導かれる。次
いで，該気体はタンク２９内の液３１上面の雰囲気に曝
された後，気体供給管２８および供給口１７を介して，
ウェハＷの周囲に供給される。
上のように構成されている。次に，この加熱装置１３の
作用，効果について説明する。気体供給源（図示せず）
から供給された気体は，まず気体供給管３０を介してタ
ンク２９内の液３１上面にある空間部Ｓに導かれる。次
いで，該気体はタンク２９内の液３１上面の雰囲気に曝
された後，気体供給管２８および供給口１７を介して，
ウェハＷの周囲に供給される。
【００２１】ウェハＷの周囲に供給された気体は，図４
に示すように，ウェハＷの周囲からウェハＷの中心上方
へ向けて均一に流れた後，処理室２０上部に形成された
排気口２６から排気される。一方，ウェハＷに対して
は，加熱機構２２によって加熱処理が行われ，所定のＰ
ＥＢが実施される。
に示すように，ウェハＷの周囲からウェハＷの中心上方
へ向けて均一に流れた後，処理室２０上部に形成された
排気口２６から排気される。一方，ウェハＷに対して
は，加熱機構２２によって加熱処理が行われ，所定のＰ
ＥＢが実施される。
【００２２】ここで，タンク２９内の液３１上面の雰囲
気は液３１の蒸気によって湿っているため，かかる雰囲
気に曝された後の気体は，加湿されている。したがっ
て，処理室２０内にこの加湿された気体を供給すること
によって，処理室２０内の乾燥を防ぐことができる。そ
のため，加湿された処理室２０内で，ウェハＷに対して
ＰＥＢを実施することができる。その結果，レジスト中
の水分が奪われずに，所望のレジストパターンをウェハ
Ｗ上に形成することができる。
気は液３１の蒸気によって湿っているため，かかる雰囲
気に曝された後の気体は，加湿されている。したがっ
て，処理室２０内にこの加湿された気体を供給すること
によって，処理室２０内の乾燥を防ぐことができる。そ
のため，加湿された処理室２０内で，ウェハＷに対して
ＰＥＢを実施することができる。その結果，レジスト中
の水分が奪われずに，所望のレジストパターンをウェハ
Ｗ上に形成することができる。
【００２３】さらに，処理室２０内では，前述のように
して，ウェハＷの周囲からウェハＷの中心上方に向けて
均一な気体の流れができるため，加湿された気体によっ
てウェハＷ上を均一な雰囲気にすることができる。した
がって，ウェハＷに対して均一なＰＥＢを実施すること
ができる。
して，ウェハＷの周囲からウェハＷの中心上方に向けて
均一な気体の流れができるため，加湿された気体によっ
てウェハＷ上を均一な雰囲気にすることができる。した
がって，ウェハＷに対して均一なＰＥＢを実施すること
ができる。
【００２４】上記実施の形態においては，処理室２０内
を加湿するための専用加湿装置として，タンク２９を用
いたが，これに代えて図３に示すようなタンク３２を使
用してもよい。
を加湿するための専用加湿装置として，タンク２９を用
いたが，これに代えて図３に示すようなタンク３２を使
用してもよい。
【００２５】すなわち，このタンク３２では，気体供給
管４０の供給口４０ａが液３１内に開口しており，気体
供給源（図示せず）から供給された気体を，タンク３２
内に貯留された液３１中に供給することができる。した
がって，タンク３２内に貯留された液３１を当該気体に
よりバブリング攪拌することができ，多量の加湿された
気体を，気体供給管２８，供給口１７を介して，ウェハ
Ｗの周囲にまで連続して供給することができる。したが
って，容易かつより迅速に処理室２０内を加湿された雰
囲気にすることができる。
管４０の供給口４０ａが液３１内に開口しており，気体
供給源（図示せず）から供給された気体を，タンク３２
内に貯留された液３１中に供給することができる。した
がって，タンク３２内に貯留された液３１を当該気体に
よりバブリング攪拌することができ，多量の加湿された
気体を，気体供給管２８，供給口１７を介して，ウェハ
Ｗの周囲にまで連続して供給することができる。したが
って，容易かつより迅速に処理室２０内を加湿された雰
囲気にすることができる。
【００２６】また，他の実施の形態として，図５に示す
ような加熱装置６１を提案できる。なお，以下の加熱装
置６１の説明において，これまでの説明と略同一の機能
および構成を有する構成要素については，同一符号を付
することによって，重複説明を省略する。
ような加熱装置６１を提案できる。なお，以下の加熱装
置６１の説明において，これまでの説明と略同一の機能
および構成を有する構成要素については，同一符号を付
することによって，重複説明を省略する。
【００２７】レジスト塗布装置１１内で使用される清浄
空気は，気体供給源（図示せず）から温室度調整装置５
０を介して，レジスト塗布装置１１内に供給される気体
であり，温度や湿度に敏感なレジストの特性に影響を及
ぼさないように，制御部５０によって，好適に温度と湿
度が調整されている。
空気は，気体供給源（図示せず）から温室度調整装置５
０を介して，レジスト塗布装置１１内に供給される気体
であり，温度や湿度に敏感なレジストの特性に影響を及
ぼさないように，制御部５０によって，好適に温度と湿
度が調整されている。
【００２８】したがって加熱装置６１は，図５に示すよ
うに，気体供給管５１を介してレジスト塗布装置１１に
供給される清浄空気の一部を分岐して，この分岐した清
浄空気を気体供給管５２および供給口１７を介して，処
理室２０内に供給する構成を採っている。かかる構成に
よれば，上述のようなレジストにとって好適な温度と湿
度に調整された清浄空気を処理室２０内に供給すること
ができるため，加湿された処理室２０内でＰＥＢを実施
することができる。そのためレジスト中から水分が奪わ
れることなく，所望のレジストパターンを形成すること
ができる。しかも，処理室２０内に供給する清浄空気
は，本来レジスト塗布装置１１に使用する清浄空気の一
部を分岐したものであるため，前述のタンク２９やタン
ク３２などの専用加湿装置が不要となる。
うに，気体供給管５１を介してレジスト塗布装置１１に
供給される清浄空気の一部を分岐して，この分岐した清
浄空気を気体供給管５２および供給口１７を介して，処
理室２０内に供給する構成を採っている。かかる構成に
よれば，上述のようなレジストにとって好適な温度と湿
度に調整された清浄空気を処理室２０内に供給すること
ができるため，加湿された処理室２０内でＰＥＢを実施
することができる。そのためレジスト中から水分が奪わ
れることなく，所望のレジストパターンを形成すること
ができる。しかも，処理室２０内に供給する清浄空気
は，本来レジスト塗布装置１１に使用する清浄空気の一
部を分岐したものであるため，前述のタンク２９やタン
ク３２などの専用加湿装置が不要となる。
【００２９】以上の実施の形態においては，基板にウェ
ハＷを用いた例について説明したが，本発明はかかる例
には限定されず，ＬＣＤ基板を使用する例についても適
用が可能である。
ハＷを用いた例について説明したが，本発明はかかる例
には限定されず，ＬＣＤ基板を使用する例についても適
用が可能である。
【００３０】
【発明の効果】請求項１〜６に記載の発明によれば，加
湿された雰囲気中で，たとえばウェハなどの基板を加熱
することができる。したがって，相対湿度の低下を防止
して，レジスト中から水分の蒸発を防止することができ
る。そのため，従来よりも歩留まりの向上を図ることが
できる。特に請求項３，４に記載の発明によれば，加湿
された気体の供給が容易である。そして特に請求項４に
記載の発明によれば，多量の加湿された雰囲気を連続し
て加熱装置の処理室内に供給することができる。さら
に，請求項５に記載の発明によれば，加熱装置の処理室
内の基板上を均一に加湿された雰囲気にすることがで
き，基板に対してＰＥＢを均一に実施できる。さらに，
請求項６に記載の発明によれば専用の加湿装置が不要と
なる。
湿された雰囲気中で，たとえばウェハなどの基板を加熱
することができる。したがって，相対湿度の低下を防止
して，レジスト中から水分の蒸発を防止することができ
る。そのため，従来よりも歩留まりの向上を図ることが
できる。特に請求項３，４に記載の発明によれば，加湿
された気体の供給が容易である。そして特に請求項４に
記載の発明によれば，多量の加湿された雰囲気を連続し
て加熱装置の処理室内に供給することができる。さら
に，請求項５に記載の発明によれば，加熱装置の処理室
内の基板上を均一に加湿された雰囲気にすることがで
き，基板に対してＰＥＢを均一に実施できる。さらに，
請求項６に記載の発明によれば専用の加湿装置が不要と
なる。
【図１】実施の形態にかかる加熱装置を有するレジスト
処理装置の外観を示す斜視図である。
処理装置の外観を示す斜視図である。
【図２】実施の形態にかかる加熱装置の断面図である。
【図３】図２の加熱装置内を平面から見た図である。
【図４】図２の加熱装置に用いることができる他の加湿
装置の断面図である。
装置の断面図である。
【図５】他の実施の形態にかかる加熱装置の断面図であ
る。
る。
１ レジスト処理装置 １１ レジスト塗布装置 １３ 加熱装置 １５ 露光装置 １７ 供給口 ２０ 処理室 ２８ 気体供給路 ２９ タンク ３１ 液 Ｗ ウェハ
Claims (6)
- 【請求項１】 レジスト塗布後の基板に対して露光処理
した後，当該基板を処理室内で加熱するにあたり，加湿
された気体を前記処理室内に供給することを特徴とす
る，露光処理後の加熱方法。 - 【請求項２】 レジスト塗布後の基板に対して露光処理
した後，当該基板を処理室内で加熱する加熱装置におい
て，加湿された気体を前記処理室内に供給する加湿機構
を備えたことを特徴とする，露光処理後の加熱装置。 - 【請求項３】 加湿機構は，気密なタンク内に貯留され
た液の液面上に気体を供給する手段と，前記タンクの液
面上の空間と処理室内とを結ぶ供給路とを備えてなるこ
とを特徴とする，請求項２に記載の露光処理後の加熱装
置。 - 【請求項４】 加湿機構は，気密なタンク内に貯留され
た液の液中に気体を供給する手段と，前記タンクの液面
上の空間と処理室内とを結ぶ供給路とを備えてなること
を特徴とする，請求項２に記載の露光処理後の加熱装
置。 - 【請求項５】 処理室内で基板を載置する載置台に加熱
機構が設けられ，加湿された気体の処理室内における供
給口は前記載置台の周囲に配置され，処理室内の雰囲気
を排気する排気口は，載置台の中心上方に配置されたこ
とを特徴とする，請求項３又は４に記載の露光処理後の
加熱装置。 - 【請求項６】 レジスト塗布装置でレジストを塗布した
基板に対して露光処理した後，当該基板を処理室内で加
熱する加熱装置において，前記レジスト塗布装置に清浄
空気を供給する供給路からの当該清浄空気を，前記処理
室内に供給するようにしたことを特徴とする，露光処理
後の加熱装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9075998A JPH11274059A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | 露光処理後の加熱方法及び加熱装置 |
| US09/270,806 US6368776B1 (en) | 1998-03-18 | 1999-03-17 | Treatment apparatus and treatment method |
| KR10-1999-0009119A KR100491786B1 (ko) | 1998-03-18 | 1999-03-18 | 처리장치 및 처리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9075998A JPH11274059A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | 露光処理後の加熱方法及び加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274059A true JPH11274059A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=14007544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9075998A Pending JPH11274059A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | 露光処理後の加熱方法及び加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11274059A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6306778B1 (en) | 1999-08-31 | 2001-10-23 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method |
| JP2008066595A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体。 |
| KR20180065914A (ko) * | 2016-12-08 | 2018-06-18 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 열처리 장치 |
-
1998
- 1998-03-18 JP JP9075998A patent/JPH11274059A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6306778B1 (en) | 1999-08-31 | 2001-10-23 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method |
| JP2008066595A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体。 |
| KR20180065914A (ko) * | 2016-12-08 | 2018-06-18 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 열처리 장치 |
| CN108183068A (zh) * | 2016-12-08 | 2018-06-19 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理方法和热处理装置 |
| KR20220119346A (ko) * | 2016-12-08 | 2022-08-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 열처리 장치 |
| CN108183068B (zh) * | 2016-12-08 | 2023-05-23 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理方法和热处理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020521 |