JP2002305232A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JP2002305232A
JP2002305232A JP2002011514A JP2002011514A JP2002305232A JP 2002305232 A JP2002305232 A JP 2002305232A JP 2002011514 A JP2002011514 A JP 2002011514A JP 2002011514 A JP2002011514 A JP 2002011514A JP 2002305232 A JP2002305232 A JP 2002305232A
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lock chamber
wafers
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Ho Lee Soon
ホ リー ソーン
Sooku I Seon
ソーク イ セオン
Seoku Park Jin
セォク パク ジン
Appu Yuun Sun
アップ ユーン スン
Shikku Kim Jon
シック キム ジョン
Churu Kim Byun
チュル キム ビュン
Deoku Yoo Byun
デォク ヨー ビュン
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Japan Steel Works Ltd
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Japan Steel Works Ltd
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 ウェーハの損失を減少させ、安定的で迅速に
作業を行い、ウェーハのエッチング速度の向上を図り、
別途の洗浄工程を無くす。 【解決手段】 大気中のカセットステーション１６と、
前記カセットステーション１６のウェーハを引き出す大
気搬送ロボット１０と、前記大気搬送ロボット１０によ
り引き出されたウェーハが収納されるロードロック室１
２と、前記ロードロック室１２と連接し、真空状態でロ
ードロック室１２に収納されているウェーハを引き出し
エッチング処理されてあるウェーハ１８を再びロードロ
ック室１２に収納させるシャトルブレードと、ロードロ
ック室１２から引き出され、前記シャトルブレード上に
置かれたウェーハ１８を回転移送させる回転ロボット２
６と、前記回転ロボット２６により回転移送されたウェ
ーハ１８をプラズマ発生器によってエッチングさせるヒ
ーターステージ２４とが備えられてある反応室を含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
係り、詳しくはカセットステーション（cassettestatio
n）からウェーハ（wafer）を引き出してロードロック室
（load lock chamber）に収納させ、該ロードロック室
のウェーハを反応室へ移送させてエッチング処理した
後、さらにロードロック室を通して外部へ排出させる一
連の過程を経て多数のウェーハを短時間に効率的にエッ
チング処理できるようにした半導体製造装置に関する。
【０００２】半導体集積回路における微細加工は露光現
像によって形成されたフォトレジスト（photo resist；
感光液）膜と隔離された下部膜をエッチングすることに
より形成される。エッチング完了後にはマスク（mask）
として用いられたフォトレジスト膜をウェーハから除去
しなければならない。該フォトレジスト膜を除去するた
めの方式としては、ガスを用いたドライエッチング（dr
y etching）方式と液体薬品を用いたウエットエッチン
グ（wet etching）方式とがある。
【０００３】
【従来の技術】従来の半導体製造装置は、５０枚のウェ
ーハが積載可能なロードロック室とカセットステーショ
ンから２５枚のウェーハを引出及び搬送させることがで
きるように２５個のブレード（blade）を有した大気搬
送ロボットとウェーハをエッチング処理する反応室を含
んで構成されている。
【０００４】従って前記反応室はエッチング処理済みの
ウェーハと未処理のウェーハを反応室とロードロック室
との間で搬出入させるシャトルブレード（shuttle blad
e）と、共通のセンターハブ（center hub）を有し、シ
ャトルブレードによって反応室内へ引出されたウェーハ
をヒーターステージ（heater stage）へ回転移送させる
７個のピンと、並列に結合された三対のプラスマ発生器
と、６個のヒーターステージとで成り立っている。
【０００５】しかし、このような従来技術の半導体製造
装置はウェーハの大型化（３００mm）に伴って多くの問
題点が発生した。まず、大気搬送ロボットが２５枚を同
時に搬送することで、フラットゾーン（flat zone）が
少しでもずれたら高価のウェーハ２５枚全部を破損され
る恐れがある。二つのヒーターステージに対して一つの
プラスマ発生器が並列に用いられるので、ウェーハのエ
ッチング速度が遅く、１つのロードロック室になってい
るので、エッチング処理中別のウェーハ収納が不可能で
あり、ロードロック室に異常が発生した際には全ての装
備を使用することができなくなる。また、ヒーターステ
ージにウェーハが置かれた後、最適のエッチングを行え
るようにと予め熱でウェーハの表面を温められる等の追
加的な時間が必要となる問題点を持っていた。全体工程
の中に別途ウェーハの底面に付いている残有物質を除去
する装置が無いため、工程修了後には再び洗浄工程を経
なければならない問題点があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来の問題点を鑑みてなされたもので、その目的はウェ
ーハの破損等の大量損失を極小化させ、しかも多数個の
ロードロック室及びプラスマ発生器を採択して安定的で
迅速に作業を行い、又ウェーハがヒーターステージに置
かれる前に別途の温度制御が可能な予熱部を反応室内に
設置してウェーハのエッチング速度の向上を図り、さら
に工程中にウェーハ底面の残留物質を除去するための装
置を具備して別途の洗浄工程を無くした半導体製造装置
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明に係る半導体製造装置は、ウェーハが積載され
た大気中のカセットステーションと；前記カセットステ
ーションのウェーハを引き出す大気搬送ロボットと；前
記大気搬送ロボットにより引き出されたウェーハが収納
されるロードロック室と；前記ロードロック室と連接
し、真空状態でロードロック室に収納されているウェー
ハを引き出しエッチング処理されてあるウェーハを再び
ロードロック室に収納させるシャトルブレードと、ロー
ドロック室から引き出され、前記シャトルブレード上に
置かれたウェーハを回転移送させる回転ロボットと、前
記回転ロボットにより回転移送されたウェーハをプラズ
マ発生器によってエッチングさせるヒーターステージと
が備えられてある反応室を含む半導体製造装置におい
て、前記ロードロック室は、大気搬送ロボットにより搬
送されるウェーハをエッチング処理中でも続けて収納若
しくは引き出せるようにと、前記大気搬送ロボットに隣
接される反応室の両側に各々設置されることを特徴とす
る。
【０００８】また、本発明に係る半導体製造装置は、ウ
ェーハが積載された大気中のカセットステーションと；
前記カセットステーションのウェーハを引き出す大気搬
送ロボットと；前記大気搬送ロボットにより引き出され
たウェーハが収納されるロードロック室と；前記ロード
ロック室と連接し、真空状態でロードロック室に収納さ
れているウェーハを引き出しエッチング処理されてある
ウェーハを再びロードロック室に収納させるシャトルブ
レードと、ロードロック室から引き出され、前記シャト
ルブレード上に置かれたウェーハを回転移送させる回転
ロボットと、前記回転ロボットにより回転移送されたウ
ェーハをプラズマ発生器によってエッチングさせるヒー
ターステージとが備えられてある反応室を含む半導体製
造装置において、前記大気搬送ロボットはカセットステ
ージとロードロック室との間に配置され、前記大気搬送
ロボットには前記カセットステージのウェーハを引き出
し、ロッドロック室にて引出されたウェーハを収納でき
るようにと回転可能なアームが形成され、前記アーム先
端部には多数個のウェーハを搬送する多数個のブレード
が形成されることを特徴とする。
【０００９】また、本発明に係る半導体製造装置におい
て、前記アームのブレードは真空吸着によってウェーハ
が取付けられるようにすることが好ましい。
【００１０】また、本発明に係る半導体製造装置は、ウ
ェーハが積載された大気中のカセットステーションと；
前記カセットステーションのウェーハを引き出す大気搬
送ロボットと；前記大気搬送ロボットにより引き出され
たウェーハが収納されるロードロック室と；前記ロード
ロック室と連接し、真空状態でロードロック室に収納さ
れているウェーハを引き出しエッチング処理されてある
ウェーハを再びロードロック室に収納させるシャトルブ
レードと、ロードロック室から引き出され、前記シャト
ルブレード上に置かれたウェーハを回転移送させる回転
ロボットと、前記回転ロボットにより回転移送されたウ
ェーハをプラズマ発生器によってエッチングさせるヒー
ターステージとが備えられてある反応室を含む半導体製
造装置において、前記ウェーハホルダは、大気搬送ロボ
ット又はシャトルブレードによって水平的に搬送される
多数のウェーハを上下方向に順次収納若しくは引き出す
ため上下移動が可能であり、前記収納若しくは引き出さ
れたウェーハを反応室側及び大気搬送ロボット側に軸回
転させて大気搬送ロボット又はシャトルブレードが水平
移動によって容易に引き出せるように回転可能に構成さ
れることを特徴とする。
【００１１】また、本発明に係る半導体製造装置は、ウ
ェーハが積載された大気中のカセットステーションと；
前記カセットステーションのウェーハを引き出す大気搬
送ロボットと；前記大気搬送ロボットにより引き出され
たウェーハが収納されるロードロック室と；前記ロード
ロック室と連接し、真空状態でロードロック室に収納さ
れているウェーハを引き出しエッチング処理されてある
ウェーハを再びロードロック室に収納させるシャトルブ
レードと、ロードロック室から引き出され、前記シャト
ルブレード上に置かれたウェーハを回転移送させる回転
ロボットと、前記回転ロボットにより回転移送されたウ
ェーハをプラズマ発生器によってエッチングさせるヒー
ターステージとが備えられてある反応室を含む半導体製
造装置において、前記シャトルブレードは、ロードロッ
ク室のウェーハホルダに収納されたウェーハを反応室に
移送させ、エッチング処理されてあるウェーハをロード
ロック室に再び移送できるようにとエアシリンダによっ
て動かせることを特徴とする。
【００１２】また、本発明に係る半導体製造装置は、ウ
ェーハが積載された大気中のカセットステーションと；
前記カセットステーションのウェーハを引き出す大気搬
送ロボットと；前記大気搬送ロボットにより引き出され
たウェーハが収納されるロードロック室と；前記ロード
ロック室と連接し、真空状態でロードロック室に収納さ
れているウェーハを引き出しエッチング処理されてある
ウェーハを再びロードロック室に収納させるシャトルブ
レードと、ロードロック室から引き出され、前記シャト
ルブレード上に置かれたウェーハを回転移送させる回転
ロボットと、前記回転ロボットにより回転移送されたウ
ェーハをプラズマ発生器によってエッチングさせるヒー
ターステージとが備えられてある反応室を含む半導体製
造装置において、前記ロードロック室から反応室内へウ
ェーハを引き出した状態のシャトルブレード上方には、
前記ウェーハがヒーターステージに移送される前にエッ
チング速度を向上させるためにウェーハを予熱させる予
熱部が備えられることを特徴とする。
【００１３】また、本発明に係る半導体製造装置は、ウ
ェーハが積載された大気中のカセットステーションと；
前記カセットステーションのウェーハを引き出す大気搬
送ロボットと；前記大気搬送ロボットにより引き出され
たウェーハが収納されるロードロック室と；前記ロード
ロック室と連接し、真空状態でロードロック室に収納さ
れているウェーハを引き出しエッチング処理されてある
ウェーハを再びロードロック室に収納させるシャトルブ
レードと、ロードロック室から引き出され、前記シャト
ルブレード上に置かれたウェーハを回転移送させる回転
ロボットと、前記回転ロボットにより回転移送されたウ
ェーハをプラズマ発生器によってエッチングさせるヒー
ターステージとが備えられてある反応室を含む半導体製
造装置において、前記プラズマ発生器は、各々の制御装
置を有しておりお互いに異なる又同一の反応ガスが流入
され、独立的にプラズマ作用が出来るよう前記個々のヒ
ーターステージに対応して設置されることを特徴とする
半導体製造装置。
【００１４】また、本発明に係る半導体製造装置は、ウ
ェーハが積載された大気中のカセットステーションと；
前記カセットステーションのウェーハを引き出す大気搬
送ロボットと；前記大気搬送ロボットにより引き出され
たウェーハが収納されるロードロック室と；前記ロード
ロック室と連接し、真空状態でロードロック室に収納さ
れているウェーハを引き出しエッチング処理されてある
ウェーハを再びロードロック室に収納させるシャトルブ
レードと、ロードロック室から引き出され、前記シャト
ルブレード上に置かれたウェーハを回転移送させる回転
ロボットと、前記回転ロボットにより回転移送されたウ
ェーハをプラズマ発生器によってエッチングさせるヒー
ターステージとが備えられてある反応室を含む半導体製
造装置において、多数個のヒーターステージが備えら
れ、効果的なエッチングのために個々のヒーターステー
ジは独立的な温度調節が出来ることを特徴とする。
【００１５】また、本発明に係る半導体製造装置におい
て、前記シャトルブレード上に置かれ、回転移送される
前にウェーハの底面に付いている残留物質を除去するた
め、前記反応室の所定部位の底面に補助プラズマ発生器
が設置されることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、添付図に基づいて本発明を
説明すると次のようである。
【００１７】図１〜図５に示すように、本発明に係る半
導体製造装置は大別して大気搬送ロボット１０とロード
ロック室１２及び反応室１４を含んで構成されている。
【００１８】前記大気搬送ロボット１０は、カセットス
テーション１６のウェーハ１８を引き出してロードロッ
ク室１２に収納できるように、前記カセットステーショ
ン１６とロードロック室１２との間に設置され、前記大
気搬送ロボット１０には軸回転及び折り開きのアーム
（arm）１０ａが形成され、前記アーム１０ａの先端部
にはウェーハ１８を真空吸着できる多数個のブレード１
０ｂが形成されている。ここで、前記ブレード１０ｂは
ウェーハ１８の安定的な移動のために上下に二つを備え
たほうが好ましい。
【００１９】前記ロードロック室１２は、大気搬送ロボ
ット１０に対応される反応室１４の両側部に連接設置さ
れており、外部と反応室１４に向いている面に各々ゲー
ト１２ａ，１２ｂが設置されている四角ボックス型であ
り、内部にはウェーハ１８を収納させるウェーハホルダ
１３が備えられている。
【００２０】そして、前記ウェーハホルダ１３は、多数
個のウェーハ１８を収納できるように多数個のスロット
１３ａを有し、大気搬送ロボット１０によって運搬され
るウェーハ１８が上下方向に順次収納され、反応室１４
内のシャトルブレード２０が進入する時、該シャトルブ
レード２０上面に置かれるように、上下に移動可能にな
っており、且つ収納されたウェーハ１８が反応室１４内
のシャトルブレード２０によって容易に引き出せるよう
回転可能になっている。
【００２１】一方、前記ロッドラックシル１２の各ゲー
ト１２ａ，１２ｂのうち外部に向いているゲート１２ａ
は、大気搬送ロボット１０がウェーハを収納させる間は
開放されたままであり、ウェーハ１８の収納が完了する
と閉鎖される。また、反応室１４へ向いているゲート１
２ｂは、ウェーハ１８が外部から収納される間に閉鎖さ
れているが、ウェーハ１８の収納が完了した後外部ゲー
ト１２ａが閉鎖されロードロック室１２が真空状態にな
ると、開放されるようになっている。
【００２２】前記反応室１４は、その外周面の一側部位
が一対のロードロック室１２に連結され、内部に前記ロ
ードロック室１２へ水平移動しながらウェーハ１８を引
き出す一対のシャトルブレード２０と、前記シャトルブ
レード２０がロードロック室からウェーハ１８を取付け
てから反応室１４内の元の位置に戻ると、前記ウェーハ
１８を予熱できるように前記シャトルブレード２０上部
に設置された予熱部２２と、前記予熱部２２によって予
熱処理が完了すると、ウェーハ１８を回転移送してヒー
ターステージ２４に運搬する回転ロボット２６と、前記
回転ロボット２６によって移送されたウェーハ１８が置
かれる多数個のヒーターステージ２４と、前記各ヒータ
ーステージ２４に各々対応してその上部にウェーハ１８
のエッチングのためガスプラズマを発生させるプラズマ
発生器２８が設置されている。
【００２３】前記シャトルブレード２０は、その上面に
ウェーハ１８を載置可能な板状であり、各ロードロック
室１２に対応して反応室１４内に設置され、ロードロッ
ク室１２が真空状態になりゲート１２ｂが開放される
と、ロードロック室１２に進入してウェーハ１８を取付
け、再び元の状態に戻られるように、エアーシリンダー
３０によって水平移動できるようになっている。
【００２４】尚、前記シャトルブレード２０の上面に
は、ウェーハ１８が置かれた時、前記ウェーハ１８が固
定され、移送中に脱落しないよう多数個の固定突起２０
ａが形成されている。
【００２５】前記予熱部２２は、シャトルブレード２０
によってロードロック室１２から引き出されたウェーハ
１８がヒーターステージ２４に運搬される前にウェーハ
１８を予熱することにより、前記ヒーターステージ２４
における別途の熱処理時間を無くし、これによりエッチ
ング速度の向上を図られるように、前記シャトルブレー
ド２０の上部に設置されている。ここで、前記予熱部２
２の熱源としてはハロゲンランプ等を適用したほうが望
ましい。
【００２６】前記回転ロボット２６は、反応室１４内の
中心を軸として回転される多数個の回転アーム２６ａと
移送ピン２６ｂとからなり、シャトルブレード２０によ
って引き出されたウェーハ１８を拾い上げた後、側部の
ヒーターステージ２４に回転移送し、下ろしてエッチン
グしエッチング済みのウェーハ１８を再び拾い上げた
後、回転移送しシャトルブレード２０上面に下ろしロー
ドロック室１２を通して外部に排出されるように上下昇
降及び回転自在になっている。
【００２７】そして、前記回転ロボット２６の回転アー
ム２６ａの先端部にはウェーハ１８が置かれるようにす
る多数個の移送ピン２６ｂが形成されている。
【００２８】前記ヒーターステージ２４は、回転ロボッ
ト２６の回転アーム２６ａによって移送されたウェーハ
１８が上面に置かれた後、エッチング条件に合せるよう
にウェーハ１８を加熱する円板状になっており、その外
周面には、回転アーム２６ａの移送ピン２６ｂが貫通さ
れ、ウェーハ１８のみヒーターステージ２４上面に置か
れるようにする多数個の貫通孔２４ａが前記移送ピン２
６ｂと対応して形成されている。
【００２９】前記プラズマ発生器２８は、各々のヒータ
ーステージ２４上部に設置され、各々の制御装置（図示
せず）を有し、各々異なる若しくは同一の反応ガスを流
入させるともに、独立的にプラズマ作用を行えるように
なっている。
【００３０】このような構成による本発明の半導体製造
装置は、外部に向いているゲート１２ａが開放された
後、カセットステーション１６とロードロック室１２と
の間に位置した大気搬送ロボット１０によってカセット
ステーション１６のウェーハ１８が引き出され、ウェー
ハホルダ１３が備えられてあるロードロック室１２に移
送される。ここで、ウェーハホルダ１３は、モーター
（図示せず）制御により上下昇降しながら、大気搬送ロ
ボット１０又はシャトルブレード２０によって移送され
るウェーハ１８を所望の位置のスロット１３ａに順次収
納若しくは引出し、前記収納若しくは引出されたウェー
ハ１８を反応室１４側又は大気搬送ロボット１０側へ軸
回転させ、シャトルブレード２０又は大気搬送ロボット
１０が水平移動によって容易に収納若しくは引き出され
るようにする。
【００３１】一方、大気搬送ロボット１０は一つのアー
ム１０ａに多数個の真空ブレード１０ｂを有していて、
多数個のウェーハ１８を外部カセットステーション１６
からロードロック室１２に搬送させる。該ロードロック
室１２は一対になっていて、一側のロードロック室１２
へのウェーハ１８搬送が完了した後、反応室１４で該多
数個のウェーハ１８のエッチング工程が進行する間、処
理すべき他のウェーハ１８がある場合には、大気搬送ロ
ボット１０がウェーハ１８を他側のロードロック室１２
へ搬送し、連続的な工程進行のためロードロック室１２
を真空状態にして大気させておき、反対側のロードロッ
ク室１２の全てをウェーハ１８が反応室１４における処
理を終えて元のロードロック室１２に収納された後、連
続的に反応室１４に移送し処理するようになっている。
【００３２】ここで、前記大気搬送ロボット１０のアー
ム１０ａに形成されたブレード１０ｂは二つであり、該
ブレード１０ｂは２枚のウェーハ１８を移送したほうが
望ましい。
【００３３】そして、外部に向いてあるゲート１２ａが
閉鎖された後、大気搬送ロボット１０によってロードロ
ック室１２に移送されたウェーハ１８は、さらにウェー
ハホルダ１３によって回転され、反応室１４側に移動す
るようになり、該ウェーハ１８を反応室１４に移動させ
るため、ロードロック室１２を反応室と同一の真空状態
にする。
【００３４】なお、前記ロードロック室１２が反応室１
４と同一の真空状態になったら反応室１４に向いている
ゲート１２ｂが開かれ、反応室１４内に位置したシャト
ルブレード２０によってウェーハ１８が反応室１４に水
平移送される。ここで、前記シャトルブレード２０は空
気注入にて移動し、速度制御の可能なエアーシリンダ３
０を用いたほうが好ましい。
【００３５】前記反応室１４に移送されたウェーハ１８
は、ロードステージ（load stage）状態で位置すること
になる。其の上、該ロードステージ状態で置かれたウェ
ーハ１８は、予熱部２２によって予熱された後、回転ロ
ボット２６の回転アーム２６ａの移送ピン２６ｂによっ
て拾い上げられた後、ヒーターステージ２４に順次移動
しながらエッチングされる。一方、前記シャトルブレー
ド２０は、ヒーターステージ２４におけるウェーハ１８
の工程が進められる間、既処理のウェーハ１８をロード
ロック室１２内のウェーハホルダ１３に収納させ、ウェ
ーハホルダ１３内の未処理のウェーハ１８を反応室１４
のロードステージに引き出させ、上部の予熱部２２によ
って予熱させる。
【００３６】ここで、ヒーターステージ２４は３００℃
まで温度制御が可能であり、参考としてフォトレジスト
除去に適した温度は５０℃〜２５０℃である。
【００３７】そして、多数個のヒーターステージ２４
は、独立な処理を可能とするために対応可能な多数個の
プラズマ発生器２８を備え、フォトレジスト（photo re
sist）をエッチングできるようにする。
【００３８】ここで、多数個のヒーターステージ２４
は、独立な温度調節が可能であり、個別のプラズマ発生
器を有し、工程条件に合せるように反応室１４内で各々
異なる若しくは同一のガス注入とプラズマ発生電源制御
とが可能なので、高濃度のイオン注入処理工程後、除去
しにくいフォトレジスト膜を最も効率的に除去すること
ができる。
【００３９】また、ヒーターステージ２４における、フ
ォトレジストが除去されたウェーハ１８は回転ロボット
２６によって再びロードステージ状態に移動し、エッチ
ング済みのウェーハ１８はシャトルブレード２０によっ
てロードロック室１２のウェーハホルダ１３に置かれ
る。
【００４０】かくしてロードロック室１２の全てのウェ
ーハ１８がエッチング完了後に大気搬送ロボット１０に
よってカセットステーション１６に搬出できるように、
反応室１４側のゲート１２ｂを閉鎖し、窒素ガスを注入
させロードロック室１２を真空状態から大気圧状態にす
る。その後、大気搬送ロボット１０と連通したゲート１
２ａを開放させ、該大気搬送ロボット１０はエッチング
済みのウェーハ１８を元のカセットステーション１６に
移動させることで一つの工程が完了する。
【００４１】図６は本発明に係る半導体製造装置の一実
施例を示す図である。同図に示すように、予熱部２２の
直下方に補助プラズマ発生器３２を設置し、ウェーハ１
８が予熱される間、該ウェーハ１８底面の残留物質を除
去させることにより、従来のエッチング工程が完了した
ウェーハ１８底面の残留物質を除去するために用意され
た別途の洗浄工程を省略することができる。ここで、前
記補助プラズマ発生器３２の電源は工業用周波数帯域の
１３．５６ＭＨｚから２４．１２ＧＨｚまでのＲＦ（Ra
dio Frequency）が適合である。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体製造装置は、一対のロードロック室を備えてウェーハ
を迅速で安定的に移送し、反応室内のヒーターステージ
に移送させる前にロードステージ状態で別途の予熱処理
を行うことによりエッチング処理時間を短縮し、また、
反応室内の独立な温度調節が可能な多数のヒーターステ
ージに順次移動し、各々の差別化されたガスプラズマエ
ッチングを同時に進められるようにして、工程能力の向
上と生産効率を極大化させ、更に、ウェーハ底面の残留
物質を工程中に除去することにより別途の洗浄工程を省
略することができる等の効果を得る。
【００４３】以上本発明の説明では好適な具体的な例を
中心として記述したが、前記の具体的な例を基にして本
発明の技術思想と特許請求範囲から外れない限度内で多
様な変形及び修正が可能なのは当該分野で通常の知識を
有する者には明らかのことである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体製造装置を示す概略斜視図
である。
【図２】本発明に係る半導体製造装置を示す概略側面図
である。
【図３】本発明に係る半導体製造装置を示す概略平面図
である。
【図４】本発明に係る半導体製造装置のうちシャトルブ
レードが作動される状態を示す側断面図である。
【図５】本発明に係る半導体製造装置のうちシャトルブ
レードが作動される状態を示す側断面図である。
【図６】本発明に係る半導体製造装置のうち大気搬送ロ
ボットを示す斜視図である。
【図７】本発明に係る半導体製造装置の一実施例を示す
概略側面図である。
【符号の説明】
１０…大気搬送ロボット １０a…アーム １０b…ブレード １２…ロードロック室 １２a,１２b…ゲート １３…ウェーハホルダー １３a…スロット １４…反応室 １６…カセットステーション １８…ウェーハ ２０…シャトルブレード ２０a…固定突起 ２２…予熱部 ２４…ヒーターステージ ２４a…貫通孔 ２６…回転ロボット ２６a…回転アーム ２６b…移送ピン ２８…プラスマ発生器 ３０…エアシリンダ ３２…補助プラスマ発生器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ソーン ホ リー 大韓民国，キョンギ−ド，スオン 442− 740，パルダル−グ，ヨントン−ドン，ホ ゥァンコルマエウル ジョーコン アパー トメント 121−203 (72)発明者 セオン ソーク イ 大韓民国，キョンギ−ド，スオン 442− 470，パルダル−グ，ヨントン−ドン 1002−９ 28／２ (72)発明者 ジン セォク パク 大韓民国，キョンギ−ド，スオン 442− 800，パルダル−グ，マエタン １−ドン 101−12 (72)発明者 スン アップ ユーン 大韓民国，キョンギ−ド，クンポ 435− 050，キュムジュン−ドン 81−12 ビー 06 (72)発明者 ジョン シック キム 大韓民国，キョンギ−ド，スオン 441− 110，クォンサン−グ，セーユ−ドン 270，ダエハンダエウー アパートメント 123−401 (72)発明者 ビュン チュル キム 大韓民国，キョンギ−ド，オサン 447− 050，ブサン−ドン，ジョーコン アパー トメント 301−1405 (72)発明者 ビュン デォク ヨー 大韓民国，キョンギ−ド，コヤン 412− 222，デォキャン−グ 692 ハンシン ２ −ドン，モーウォンマエウル 1008−901 Ｆターム(参考） 5F004 AA16 BB13 BB18 BB26 BC05 BC06 DB26 FA01 5F031 CA02 FA01 FA07 FA09 FA11 FA14 GA03 GA06 GA08 GA45 GA48 MA04 MA06 MA09 MA13 MA23 MA30 MA31 NA07 PA02

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウェーハが積載された大気中のカセット
    ステーションと、 前記カセットステーションのウェーハを引き出す大気搬
    送ロボットと、 前記大気搬送ロボットにより引き出されたウェーハが収
    納されるロードロック室と、 前記ロードロック室と連接し、真空状態でロードロック
    室に収納されているウェーハを引き出しエッチング処理
    されてあるウェーハを再びロードロック室に収納させる
    シャトルブレードと、ロードロック室から引き出され、
    前記シャトルブレード上に置かれたウェーハを回転移送
    させる回転ロボットと、前記回転ロボットにより回転移
    送されたウェーハをプラズマ発生器によってエッチング
    させるヒーターステージとが備えられてある反応室を含
    む半導体製造装置において、 前記ロードロック室は、大気搬送ロボットにより搬送さ
    れるウェーハをエッチング処理中にも続けて収納若しく
    は引き出せるようにと前記大気搬送ロボットに隣接され
    る反応室の両側に各々設置されることを特徴とする半導
    体製造装置。
  2. 【請求項２】 ウェーハが積載された大気中のカセット
    ステーションと、 前記カセットステーションのウェーハを引き出す大気搬
    送ロボットと、 前記大気搬送ロボットにより引き出されたウェーハが収
    納されるロードロック室と、 前記ロードロック室と連接し、真空状態でロードロック
    室に収納されているウェーハを引き出しエッチング処理
    されてあるウェーハを再びロードロック室に収納させる
    シャトルブレードと、ロードロック室から引き出され、
    前記シャトルブレード上に置かれたウェーハを回転移送
    させる回転ロボットと、前記回転ロボットにより回転移
    送されたウェーハをプラズマ発生器によってエッチング
    させるヒーターステージとが備えられてある反応室を含
    む半導体製造装置において、 前記大気搬送ロボットは、カセットステージとロードロ
    ック室との間に配置され前記カセットステージのウェー
    ハを引き出しロードロック室にて引き出されたウェーハ
    を収納できるようにと回転可能なアーム及び前記アーム
    の先端部に多数個のウェーハを搬送する多数個のブレー
    ドが形成されることを特徴とする半導体製造装置。
  3. 【請求項３】 前記アームのブレードは真空吸着によっ
    てウェーハが取付けられるようにすることを特徴とする
    請求項２記載の半導体製造装置。
  4. 【請求項４】 ウェーハが積載された大気中のカセット
    ステーションと、 前記カセットステーションのウェーハを引き出す大気搬
    送ロボットと、 前記大気搬送ロボットにより引き出されたウェーハが収
    納されるロードロック室と、 前記ロードロック室と連接し、真空状態でロードロック
    室に収納されているウェーハを引き出しエッチング処理
    されてあるウェーハを再びロードロック室に収納させる
    シャトルブレードと、ロードロック室から引き出され、
    前記シャトルブレード上に置かれたウェーハを回転移送
    させる回転ロボットと、前記回転ロボットにより回転移
    送されたウェーハをプラズマ発生器によってエッチング
    させるヒーターステージとが備えられてある反応室を含
    む半導体製造装置において、 前記ウェーハホルダは、大気搬送ロボット又シャトルブ
    レードによって水平的に搬送される多数のウェーハを上
    下方向に順次収納若しくは引き出すため、上下移動が可
    能であり前記収納若しくは引き出されたウェーハを反応
    室側及び大気搬送ロボット側に軸回転させて大気搬送ロ
    ボット又はシャトルブレードが水平移動により容易に引
    き出せるよう、回転可能に構成されることを特徴とする
    半導体製造装置。
  5. 【請求項５】 ウェーハが積載された大気中のカセット
    ステーションと、 前記カセットステーションのウェーハを引き出す大気搬
    送ロボットと、 前記大気搬送ロボットにより引き出されたウェーハが収
    納されるロードロック室と、 前記ロードロック室と連接し、真空状態でロードロック
    室に収納されているウェーハを引き出しエッチング処理
    されてあるウェーハを再びロードロック室に収納させる
    シャトルブレードと、ロードロック室から引き出され、
    前記シャトルブレード上に置かれたウェーハを回転移送
    させる回転ロボットと、前記回転ロボットにより回転移
    送されたウェーハをプラズマ発生器によってエッチング
    させるヒーターステージとが備えられてある反応室を含
    む半導体製造装置において、 前記シャトルブレードは、ロードロック室のウェーハホ
    ルダに収納されたウェーハを反応室に移送させ、エッチ
    ング処理されてあるウェーハをロードロック室に再び移
    送できるようにとエアシリンダによって動かせることを
    特徴とする半導体製造装置。
  6. 【請求項６】 ウェーハが積載された大気中のカセット
    ステーションと、 前記カセットステーションのウェーハを引き出す大気搬
    送ロボットと、 前記大気搬送ロボットにより引き出されたウェーハが収
    納されるロードロック室と、 前記ロードロック室と連接し、真空状態でロードロック
    室に収納されているウェーハを引き出しエッチング処理
    されてあるウェーハを再びロードロック室に収納させる
    シャトルブレードと、ロードロック室から引き出され、
    前記シャトルブレード上に置かれたウェーハを回転移送
    させる回転ロボットと、前記回転ロボットにより回転移
    送されたウェーハをプラズマ発生器によってエッチング
    させるヒーターステージとが備えられてある反応室を含
    む半導体製造装置において、 前記ロードロック室にて反応室内にウェーハを引き出し
    た状態のシャトルブレード上方には、前記ウェーハがヒ
    ーターステージへ移送される前にエッチング速度を向上
    させるため、ウェーハを予熱させる予熱部が備えられる
    ことを特徴とする半導体製造装置。
  7. 【請求項７】 ウェーハが積載された大気中のカセット
    ステーションと、 前記カセットステーションのウェーハを引き出す大気搬
    送ロボットと、 前記大気搬送ロボットにより引き出されたウェーハが収
    納されるロードロック室と、 前記ロードロック室と連接し、真空状態でロードロック
    室に収納されているウェーハを引き出しエッチング処理
    されてあるウェーハを再びロードロック室に収納させる
    シャトルブレードと、ロードロック室から引き出され、
    前記シャトルブレード上に置かれたウェーハを回転移送
    させる回転ロボットと、前記回転ロボットにより回転移
    送されたウェーハをプラズマ発生器によってエッチング
    させるヒーターステージとが備えられてある反応室を含
    む半導体製造装置において、 前記プラズマ発生器は、各々の制御装置を有しておりお
    互いに異なる又同一の反応ガスが流入され、独立的にプ
    ラズマ作用が出来るよう前記個々のヒーターステージに
    対応して設置されることを特徴とする半導体製造装置。
  8. 【請求項８】 ウェーハが積載された大気中のカセット
    ステーションと、 前記カセットステーションのウェーハを引き出す大気搬
    送ロボットと、 前記大気搬送ロボットにより引き出されたウェーハが収
    納されるロードロック室と、 前記ロードロック室と連接し、真空状態でロードロック
    室に収納されているウェーハを引き出しエッチング処理
    されてあるウェーハを再びロードロック室に収納させる
    シャトルブレードと、ロードロック室から引き出され、
    前記シャトルブレード上に置かれたウェーハを回転移送
    させる回転ロボットと、前記回転ロボットにより回転移
    送されたウェーハをプラズマ発生器によってエッチング
    させるヒーターステージとが備えられてある反応室を含
    む半導体製造装置において、 前記ヒーターステージは、多数個具備され、効果的なエ
    ッチングのため、各々のヒーターステージでは独立的に
    温度調節が出来ることを特徴とする半導体製造装置。
  9. 【請求項９】 前記シャトルブレード上に置かれ、回転
    移送される前にウェーハの底面に付いている残留物質を
    除去するため、前記反応室の所定部位の底面に補助プラ
    ズマ発生器が設置されることを特徴とする請求項１〜８
    のいずれかに記載の半導体製造装置。
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