JP2002313869A - 真空処理装置及び真空処理方法 - Google Patents
真空処理装置及び真空処理方法Info
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- JP2002313869A JP2002313869A JP2001112364A JP2001112364A JP2002313869A JP 2002313869 A JP2002313869 A JP 2002313869A JP 2001112364 A JP2001112364 A JP 2001112364A JP 2001112364 A JP2001112364 A JP 2001112364A JP 2002313869 A JP2002313869 A JP 2002313869A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空処理後の被処理物を大気圧下の外部へと
搬出する前に、真空予備室にて被処理物に付着したゴミ
やミストなどの異物を除去できる真空処理装置及び真空
処理方法を提供すること。 【解決手段】 減圧下の真空処理室５で被処理物Ｗの処
理を行い、その処理された被処理物Ｗを真空予備室１０
に収容して、不活性ガス導入口２７から真空予備室１０
内に不活性ガスを導入すると共に、導入された不活性ガ
スを被処理物Ｗに付着した異物と共に排気口２５より外
部に排気する。
搬出する前に、真空予備室にて被処理物に付着したゴミ
やミストなどの異物を除去できる真空処理装置及び真空
処理方法を提供すること。 【解決手段】 減圧下の真空処理室５で被処理物Ｗの処
理を行い、その処理された被処理物Ｗを真空予備室１０
に収容して、不活性ガス導入口２７から真空予備室１０
内に不活性ガスを導入すると共に、導入された不活性ガ
スを被処理物Ｗに付着した異物と共に排気口２５より外
部に排気する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、大気圧より低い減
圧下で半導体ウェーハなどの被処理物に各種処理を行う
真空処理装置及び真空処理方法に関する。
圧下で半導体ウェーハなどの被処理物に各種処理を行う
真空処理装置及び真空処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２に真空処理装置の全体構成を示す。
真空処理装置１は、カセットセット部２、真空予備室
３、搬送室４、真空処理室５、真空予備室６、カセット
セット部７の各部屋から構成される。
真空処理装置１は、カセットセット部２、真空予備室
３、搬送室４、真空処理室５、真空予備室６、カセット
セット部７の各部屋から構成される。
【０００３】常時大気圧状態にあるカセットセット部２
内には、処理前の半導体ウェーハを納めたカセットが置
かれている。その半導体ウェーハは、カセットセット部
２から、大気圧下の真空予備室３内に搬送される。真空
予備室３内に半導体ウェーハが収容されると真空予備室
３内を真空排気して減圧し、ある程度の真空（減圧）状
態となったところで、半導体ウェーハは減圧下にある搬
送室４へ搬送され、更にこの搬送室４から減圧下にある
真空処理室５へと搬送される。そして、真空処理室５内
で半導体ウェーハに各種処理（例えば、イオン注入、ス
パッタリング、ＣＶＤ、ドライエッチングなど）が行わ
れる。
内には、処理前の半導体ウェーハを納めたカセットが置
かれている。その半導体ウェーハは、カセットセット部
２から、大気圧下の真空予備室３内に搬送される。真空
予備室３内に半導体ウェーハが収容されると真空予備室
３内を真空排気して減圧し、ある程度の真空（減圧）状
態となったところで、半導体ウェーハは減圧下にある搬
送室４へ搬送され、更にこの搬送室４から減圧下にある
真空処理室５へと搬送される。そして、真空処理室５内
で半導体ウェーハに各種処理（例えば、イオン注入、ス
パッタリング、ＣＶＤ、ドライエッチングなど）が行わ
れる。
【０００４】処理の終了後、半導体ウェーハは真空処理
室５から減圧下の搬送室４を介して、減圧下の真空予備
室６へと搬送される。真空予備室６に半導体ウェーハが
収容されると、真空予備室６内の真空破壊を行う。具体
的には、真空予備室６内の真空排気を停止すると共に不
活性ガスを大気圧になるまで真空予備室６内に導入す
る。次いで、半導体ウェーハは、大気圧とされた真空予
備室６から、常時大気圧状態にあるカセットセット部７
に搬送され、カセットセット部７内に置かれたカセット
内に納められる。これで、１枚の半導体ウェーハに対す
る一連の作業が終了する。処理すべき半導体ウェーハの
枚数が多い場合は、上記一連の作業が連続的に行われ
る。
室５から減圧下の搬送室４を介して、減圧下の真空予備
室６へと搬送される。真空予備室６に半導体ウェーハが
収容されると、真空予備室６内の真空破壊を行う。具体
的には、真空予備室６内の真空排気を停止すると共に不
活性ガスを大気圧になるまで真空予備室６内に導入す
る。次いで、半導体ウェーハは、大気圧とされた真空予
備室６から、常時大気圧状態にあるカセットセット部７
に搬送され、カセットセット部７内に置かれたカセット
内に納められる。これで、１枚の半導体ウェーハに対す
る一連の作業が終了する。処理すべき半導体ウェーハの
枚数が多い場合は、上記一連の作業が連続的に行われ
る。
【０００５】一般的に、真空処理装置においては、真空
系と、常時大気圧状態の外部との間に真空予備室が介在
され、これにより被処理物に対する処理のばらつきを抑
制したり、外部から真空系内へのガスの漏れ量を少なく
するようにしている。
系と、常時大気圧状態の外部との間に真空予備室が介在
され、これにより被処理物に対する処理のばらつきを抑
制したり、外部から真空系内へのガスの漏れ量を少なく
するようにしている。
【０００６】次に、図３を参照して、上記真空予備室６
の構成及び作用について説明する。
の構成及び作用について説明する。
【０００７】真空予備室６は、固定壁部１１に対して固
定されたベース１２に、それぞれＯリング１４、１３を
介して押圧された可動壁部１５、１６によって区画され
ている。可動壁部１５は断面略凹字形状を呈し、その上
端面を図示しないエアシリンダなどの押圧手段でＯリン
グ１４に対して押圧されている。搬送室４と真空予備室
６とは、可動壁部１５、Ｏリング１４及びベース１２に
よって気密に隔離される。可動壁部１６は断面逆凹字形
状を呈し、その下端面をやはりエアシリンダなどの押圧
手段でＯリング１３に対して押圧されている。カセット
セット部７と真空予備室６とは、可動壁部１６、Ｏリン
グ１３及びベース１２によって気密に隔離される。ま
た、両可動壁部１５、１６は、図示しない駆動手段によ
ってそれぞれ上下動可能となっている。
定されたベース１２に、それぞれＯリング１４、１３を
介して押圧された可動壁部１５、１６によって区画され
ている。可動壁部１５は断面略凹字形状を呈し、その上
端面を図示しないエアシリンダなどの押圧手段でＯリン
グ１４に対して押圧されている。搬送室４と真空予備室
６とは、可動壁部１５、Ｏリング１４及びベース１２に
よって気密に隔離される。可動壁部１６は断面逆凹字形
状を呈し、その下端面をやはりエアシリンダなどの押圧
手段でＯリング１３に対して押圧されている。カセット
セット部７と真空予備室６とは、可動壁部１６、Ｏリン
グ１３及びベース１２によって気密に隔離される。ま
た、両可動壁部１５、１６は、図示しない駆動手段によ
ってそれぞれ上下動可能となっている。
【０００８】可動壁部１６には、バルブ１８を介して配
管１９に接続する排気口１７が形成されている。配管１
９には図示しない真空ポンプが接続されている。更に、
可動壁部１６には、流量可変バルブ２１を介して配管２
３に接続する真空破壊用ガス導入口２０ａと、バルブ２
２を介して配管２３に接続する真空破壊用ガス導入口２
０ｂとが形成されている。配管２３は図示しないＮ2 ガ
ス供給源と接続されている。なお、配管１９、２３の一
部は蛇腹状になっており、可動壁部１６の上下動を妨げ
ないようになっている。
管１９に接続する排気口１７が形成されている。配管１
９には図示しない真空ポンプが接続されている。更に、
可動壁部１６には、流量可変バルブ２１を介して配管２
３に接続する真空破壊用ガス導入口２０ａと、バルブ２
２を介して配管２３に接続する真空破壊用ガス導入口２
０ｂとが形成されている。配管２３は図示しないＮ2 ガ
ス供給源と接続されている。なお、配管１９、２３の一
部は蛇腹状になっており、可動壁部１６の上下動を妨げ
ないようになっている。
【０００９】可動壁部１５は、真空予備室６内にて半導
体ウェーハＷを支持するサセプタとして機能する。
体ウェーハＷを支持するサセプタとして機能する。
【００１０】次に、真空予備室６における作業手順につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１１】真空予備室６内に半導体ウェーハＷが収容
される前、バルブ１８は開かれて、バルブ２１、２２は
閉じられて真空予備室６内は排気口１７から真空排気さ
れている減圧下にある。この状態で、可動壁部１５が下
降して、真空予備室６は同じく減圧下にある搬送室４と
連通する。そして、真空処理室５で既に処理を終え、搬
送室４に搬送されている半導体ウェーハＷがロボットア
ームによって可動壁部１５上に載置される。次いで、可
動壁部１５が上昇して真空予備室６と搬送室４とを遮断
する。
される前、バルブ１８は開かれて、バルブ２１、２２は
閉じられて真空予備室６内は排気口１７から真空排気さ
れている減圧下にある。この状態で、可動壁部１５が下
降して、真空予備室６は同じく減圧下にある搬送室４と
連通する。そして、真空処理室５で既に処理を終え、搬
送室４に搬送されている半導体ウェーハＷがロボットア
ームによって可動壁部１５上に載置される。次いで、可
動壁部１５が上昇して真空予備室６と搬送室４とを遮断
する。
【００１２】真空予備室６内に半導体ウェーハＷが収容
されると、バルブ１８が閉じられ真空排気が停止され
る。次いで、真空予備室６内に真空破壊用のＮ2 ガスが
導入される。これは、先ず流量可変バルブ２１が開か
れ、乱流の発生を抑制すべく導入口２０ａから比較的小
さな流量でＮ2 ガスが導入された後、流量可変バルブ２
１が閉じられて、バルブ２２が開かれて、導入口２０ｂ
から、真空予備室６内が大気圧になるまで比較的大きな
流量でＮ2 ガスが導入される。
されると、バルブ１８が閉じられ真空排気が停止され
る。次いで、真空予備室６内に真空破壊用のＮ2 ガスが
導入される。これは、先ず流量可変バルブ２１が開か
れ、乱流の発生を抑制すべく導入口２０ａから比較的小
さな流量でＮ2 ガスが導入された後、流量可変バルブ２
１が閉じられて、バルブ２２が開かれて、導入口２０ｂ
から、真空予備室６内が大気圧になるまで比較的大きな
流量でＮ2 ガスが導入される。
【００１３】真空予備室６内が大気圧になったら、バル
ブ２２が閉じられ、可動壁部１６が上昇して真空予備室
６は、大気圧下にあるカセットセット部７と連通する。
そして、ロボットアームによって可動壁部１５上の半導
体ウェーハＷがピックアップされて、カセットセット部
７内に配置されたカセット内に納められる。
ブ２２が閉じられ、可動壁部１６が上昇して真空予備室
６は、大気圧下にあるカセットセット部７と連通する。
そして、ロボットアームによって可動壁部１５上の半導
体ウェーハＷがピックアップされて、カセットセット部
７内に配置されたカセット内に納められる。
【００１４】半導体ウェーハＷの搬出後、可動壁部１６
は下降して真空予備室６とカセットセット部７との間を
再び遮断する。次いで、バルブ１８及び２１が開かれ、
真空予備室６内に小さな流量でＮ2 ガスの導入を行いな
がら排気口１７を介して真空排気を行う。そして、所定
時間が経過すると、バルブ２１は閉じられ、排気口１７
を介しての真空排気のみの状態となり、次の半導体ウェ
ーハＷの搬入に備える。
は下降して真空予備室６とカセットセット部７との間を
再び遮断する。次いで、バルブ１８及び２１が開かれ、
真空予備室６内に小さな流量でＮ2 ガスの導入を行いな
がら排気口１７を介して真空排気を行う。そして、所定
時間が経過すると、バルブ２１は閉じられ、排気口１７
を介しての真空排気のみの状態となり、次の半導体ウェ
ーハＷの搬入に備える。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】真空処理室５で使用す
るプロセスガスの種類によっては、半導体ウェーハＷに
ミスト（水分）が付着し、これが付いたまま真空予備室
６に搬送され、そのままカセットに納められてしまった
り、真空処理室５から真空予備室６への搬送時に付着し
たゴミなどを付けたままでカセットに納められてしまう
ことがあり、品質の低下を招くと共に、その後に続く半
導体製造プロセスにおいて歩留まり低下の原因にもなっ
ていた。
るプロセスガスの種類によっては、半導体ウェーハＷに
ミスト（水分）が付着し、これが付いたまま真空予備室
６に搬送され、そのままカセットに納められてしまった
り、真空処理室５から真空予備室６への搬送時に付着し
たゴミなどを付けたままでカセットに納められてしまう
ことがあり、品質の低下を招くと共に、その後に続く半
導体製造プロセスにおいて歩留まり低下の原因にもなっ
ていた。
【００１６】本発明は上述の問題に鑑みてなされ、真空
処理後の被処理物を大気圧下の外部へと搬出する前の真
空予備室にて被処理物に付着したゴミやミストなどの異
物を除去できる真空処理装置及び真空処理方法を提供す
ることを課題とする。
処理後の被処理物を大気圧下の外部へと搬出する前の真
空予備室にて被処理物に付着したゴミやミストなどの異
物を除去できる真空処理装置及び真空処理方法を提供す
ることを課題とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の真空処理装置
は、真空処理室で処理された被処理物が真空予備室内に
収容された状態で、その真空予備室内に不活性ガスを導
入する不活性ガス導入口と、導入された不活性ガスを被
処理物に付着した異物と共に外部に排気する排気口を真
空予備室に設けている。
は、真空処理室で処理された被処理物が真空予備室内に
収容された状態で、その真空予備室内に不活性ガスを導
入する不活性ガス導入口と、導入された不活性ガスを被
処理物に付着した異物と共に外部に排気する排気口を真
空予備室に設けている。
【００１８】本発明の真空処理方法では、減圧下の真空
処理室で被処理物の処理を行い、その処理された被処理
物を真空予備室に収容して、真空予備室内に不活性ガス
を導入すると共に、導入された不活性ガスを被処理物に
付着した異物と共に外部に排気する。
処理室で被処理物の処理を行い、その処理された被処理
物を真空予備室に収容して、真空予備室内に不活性ガス
を導入すると共に、導入された不活性ガスを被処理物に
付着した異物と共に外部に排気する。
【００１９】すなわち、本発明では、真空予備室内に不
活性ガスの気流を形成させて、被処理物表面上に付着し
たゴミやミストなどの異物を、その不活性ガスの気流に
乗せて不活性ガスと共に外部に排気して除去する。
活性ガスの気流を形成させて、被処理物表面上に付着し
たゴミやミストなどの異物を、その不活性ガスの気流に
乗せて不活性ガスと共に外部に排気して除去する。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。なお、従来と同じ構成部分
には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
て図面を参照して説明する。なお、従来と同じ構成部分
には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００２１】図１に、本発明の実施の形態による真空予
備室１０を示す。なお、真空予備室１０は、図２に示す
搬送室４とカセットセット部７との間に介在される真空
予備室６に相当するものである。すなわち、真空処理室
５にて既に処理された半導体ウェーハＷを減圧下で収容
した後、真空破壊を行って、大気圧下のカセットセット
部７へと送り出す処理を行う。
備室１０を示す。なお、真空予備室１０は、図２に示す
搬送室４とカセットセット部７との間に介在される真空
予備室６に相当するものである。すなわち、真空処理室
５にて既に処理された半導体ウェーハＷを減圧下で収容
した後、真空破壊を行って、大気圧下のカセットセット
部７へと送り出す処理を行う。
【００２２】真空予備室１０は、固定壁部１１に対して
固定されたベース１２に、それぞれＯリング１４、１３
を介して押圧された可動壁部３１、３２によって区画さ
れている。可動壁部３１は断面略凹字形状を呈し、その
上端面を図示しないエアシリンダなどの押圧手段でＯリ
ング１４に対して押圧されている。搬送室４と真空予備
室１０とは、可動壁部３１、Ｏリング１４及びベース１
２によって気密に隔離される。可動壁部３２は断面逆凹
字形状を呈し、その下端面をやはりエアシリンダなどの
押圧手段でＯリング１３に対して押圧されている。カセ
ットセット部７と真空予備室１０とは、可動壁部３２、
Ｏリング１３及びベース１２によって気密に隔離され
る。また、両可動壁部３１、３２は、図示しない駆動手
段によってそれぞれ上下動可能となっている。
固定されたベース１２に、それぞれＯリング１４、１３
を介して押圧された可動壁部３１、３２によって区画さ
れている。可動壁部３１は断面略凹字形状を呈し、その
上端面を図示しないエアシリンダなどの押圧手段でＯリ
ング１４に対して押圧されている。搬送室４と真空予備
室１０とは、可動壁部３１、Ｏリング１４及びベース１
２によって気密に隔離される。可動壁部３２は断面逆凹
字形状を呈し、その下端面をやはりエアシリンダなどの
押圧手段でＯリング１３に対して押圧されている。カセ
ットセット部７と真空予備室１０とは、可動壁部３２、
Ｏリング１３及びベース１２によって気密に隔離され
る。また、両可動壁部３１、３２は、図示しない駆動手
段によってそれぞれ上下動可能となっている。
【００２３】可動壁部３２には、流量可変バルブ２８及
びバルブ２９を介して配管３０に接続する不活性ガス導
入口２７が形成されている。更に、可動壁部３２には、
流量可変バルブ２１を介して配管２３に接続する真空破
壊用ガス導入口２０ａと、バルブ２２を介して配管２３
に接続する真空破壊用ガス導入口２０ｂとが形成されて
いる。配管３０、２３は図示しないＮ2 ガス供給源と接
続されている。なお、配管３０、２３の一部は蛇腹状に
なっており、可動壁部３２の上下動を妨げないようにな
っている。
びバルブ２９を介して配管３０に接続する不活性ガス導
入口２７が形成されている。更に、可動壁部３２には、
流量可変バルブ２１を介して配管２３に接続する真空破
壊用ガス導入口２０ａと、バルブ２２を介して配管２３
に接続する真空破壊用ガス導入口２０ｂとが形成されて
いる。配管３０、２３は図示しないＮ2 ガス供給源と接
続されている。なお、配管３０、２３の一部は蛇腹状に
なっており、可動壁部３２の上下動を妨げないようにな
っている。
【００２４】可動壁部３１には、バルブ２６を介して配
管３３に接続する排気口２５が形成されている。配管３
３には図示しない真空ポンプが接続されている。また、
可動壁部３１は、真空予備室１０内にて半導体ウェーハ
Ｗを支持するサセプタとして機能する。更に、可動壁部
３１には、支持する半導体ウェーハＷを加熱する加熱手
段として例えば抵抗線ヒータＨが内蔵されている。配管
３３の一部は蛇腹状になっており、可動壁部３１の上下
動を妨げないようになっている。
管３３に接続する排気口２５が形成されている。配管３
３には図示しない真空ポンプが接続されている。また、
可動壁部３１は、真空予備室１０内にて半導体ウェーハ
Ｗを支持するサセプタとして機能する。更に、可動壁部
３１には、支持する半導体ウェーハＷを加熱する加熱手
段として例えば抵抗線ヒータＨが内蔵されている。配管
３３の一部は蛇腹状になっており、可動壁部３１の上下
動を妨げないようになっている。
【００２５】次に、真空予備室１０における作業手順に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２６】真空予備室１０内に半導体ウェーハＷが収
容される前、バルブ２６は開かれて、バルブ２１、２２
及び２８は閉じられて真空予備室１０内は排気口２５か
ら真空排気されている減圧下にある。この状態で、可動
壁部３１が下降して、真空予備室１０は同じく減圧下に
ある搬送室４と連通する。そして、真空処理室５で既に
処理を終え、搬送室４に搬送されている半導体ウェーハ
Ｗがロボットアームによって可動壁部３１上に載置され
る。次いで、可動壁部３１が上昇して真空予備室１０と
搬送室４とを遮断する。
容される前、バルブ２６は開かれて、バルブ２１、２２
及び２８は閉じられて真空予備室１０内は排気口２５か
ら真空排気されている減圧下にある。この状態で、可動
壁部３１が下降して、真空予備室１０は同じく減圧下に
ある搬送室４と連通する。そして、真空処理室５で既に
処理を終え、搬送室４に搬送されている半導体ウェーハ
Ｗがロボットアームによって可動壁部３１上に載置され
る。次いで、可動壁部３１が上昇して真空予備室１０と
搬送室４とを遮断する。
【００２７】真空予備室１０内に半導体ウェーハＷが収
容されると、バルブ２９が開かれる。このとき、流量可
変バルブ２８は所定の流量のＮ2 ガスを通過させるべく
所定の開度に調整されている。これにより、Ｎ2 ガスが
導入口２７から真空予備室１０内に導入される。このと
き、排気口２５からの排気は引き続き行われており、従
って真空予備室１０内にＮ2 ガスの気流が形成される。
この気流が半導体ウェーハＷ表面上を流れることによ
り、半導体ウェーハＷ表面上に付着していたゴミなどを
まい上げて、まい上がったゴミはＮ2 ガスの気流に乗っ
てＮ2 ガスと共に排気口２５から排気される。
容されると、バルブ２９が開かれる。このとき、流量可
変バルブ２８は所定の流量のＮ2 ガスを通過させるべく
所定の開度に調整されている。これにより、Ｎ2 ガスが
導入口２７から真空予備室１０内に導入される。このと
き、排気口２５からの排気は引き続き行われており、従
って真空予備室１０内にＮ2 ガスの気流が形成される。
この気流が半導体ウェーハＷ表面上を流れることによ
り、半導体ウェーハＷ表面上に付着していたゴミなどを
まい上げて、まい上がったゴミはＮ2 ガスの気流に乗っ
てＮ2 ガスと共に排気口２５から排気される。
【００２８】また、このときヒーターＨによって半導体
ウェーハＷを加熱しており、これにより半導体ウェーハ
Ｗ表面上に付着しているミストは気化されて、上記Ｎ2
ガスの気流に乗って共に排気される。
ウェーハＷを加熱しており、これにより半導体ウェーハ
Ｗ表面上に付着しているミストは気化されて、上記Ｎ2
ガスの気流に乗って共に排気される。
【００２９】なお、バルブ２９の開閉は何回か繰り返さ
れる。すなわち、Ｎ2 ガスは真空予備室１０内に間欠的
に導入される。連続的にＮ2 ガスを導入し続けるより
も、一旦導入を停止することで、真空予備室１０内に浮
遊しているゴミや気化された水分などの排気効率を上げ
ることができる。なお、バルブ２９の開閉のタイミング
や回数を、被処理物の材質や行われる処理の種類、真空
予備室１０内の容積や、排気速度、Ｎ2 ガス導入速度に
応じて制御することで最適な除去効率を得ることができ
る。
れる。すなわち、Ｎ2 ガスは真空予備室１０内に間欠的
に導入される。連続的にＮ2 ガスを導入し続けるより
も、一旦導入を停止することで、真空予備室１０内に浮
遊しているゴミや気化された水分などの排気効率を上げ
ることができる。なお、バルブ２９の開閉のタイミング
や回数を、被処理物の材質や行われる処理の種類、真空
予備室１０内の容積や、排気速度、Ｎ2 ガス導入速度に
応じて制御することで最適な除去効率を得ることができ
る。
【００３０】そして、バルブ２９の所定回数の開閉の
後、バルブ２９は閉じられ、真空予備室１０内に真空破
壊用のＮ2 ガスが導入されると共にバルブ２５が閉じら
れて真空排気が停止される。真空破壊用のＮ2 ガスの導
入は、先ず流量可変バルブ２１が開かれ、乱流の発生を
抑制すべく導入口２０ａから比較的小さな流量でＮ2 ガ
スが導入された後、流量可変バルブ２１が閉じられて、
バルブ２２が開かれて、導入口２０ｂから、真空予備室
１０内が大気圧になるまで比較的大きな流量でＮ 2 ガス
が導入される。
後、バルブ２９は閉じられ、真空予備室１０内に真空破
壊用のＮ2 ガスが導入されると共にバルブ２５が閉じら
れて真空排気が停止される。真空破壊用のＮ2 ガスの導
入は、先ず流量可変バルブ２１が開かれ、乱流の発生を
抑制すべく導入口２０ａから比較的小さな流量でＮ2 ガ
スが導入された後、流量可変バルブ２１が閉じられて、
バルブ２２が開かれて、導入口２０ｂから、真空予備室
１０内が大気圧になるまで比較的大きな流量でＮ 2 ガス
が導入される。
【００３１】真空予備室１０内が大気圧になったら、バ
ルブ２２が閉じられ、可動壁部３２が上昇して真空予備
室１０は、大気圧下にあるカセットセット部７と連通す
る。そして、ロボットアームによって可動壁部３１上の
半導体ウェーハＷがピックアップされて、カセットセッ
ト部７内に配置されたカセット内に納められる。
ルブ２２が閉じられ、可動壁部３２が上昇して真空予備
室１０は、大気圧下にあるカセットセット部７と連通す
る。そして、ロボットアームによって可動壁部３１上の
半導体ウェーハＷがピックアップされて、カセットセッ
ト部７内に配置されたカセット内に納められる。
【００３２】半導体ウェーハＷの搬出後、可動壁部３２
は下降して真空予備室１０とカセットセット部７との間
を遮断する。次いで、バルブ２５及び２１が開かれ、真
空予備室１０内に小さな流量でＮ2 ガスの導入を行いな
がら排気口２５を介して真空排気を行う。そして、所定
時間が経過すると、バルブ２１は閉じられ、排気口２５
を介しての真空排気のみの状態となり、次の半導体ウェ
ーハＷの搬入に備える。
は下降して真空予備室１０とカセットセット部７との間
を遮断する。次いで、バルブ２５及び２１が開かれ、真
空予備室１０内に小さな流量でＮ2 ガスの導入を行いな
がら排気口２５を介して真空排気を行う。そして、所定
時間が経過すると、バルブ２１は閉じられ、排気口２５
を介しての真空排気のみの状態となり、次の半導体ウェ
ーハＷの搬入に備える。
【００３３】真空予備室１０で以上のような処理を行う
ことで、ゴミやミストの付着していない半導体ウェーハ
Ｗを次行程に供給することができ、品質の低下及び歩留
まりの低下を防げる。
ことで、ゴミやミストの付着していない半導体ウェーハ
Ｗを次行程に供給することができ、品質の低下及び歩留
まりの低下を防げる。
【００３４】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００３５】上記実施の形態のように、異物除去用の気
流を形成させるために、別途、排気口２７、バルブ２
８、２９、及び配管３０を設けなくても、図３に示す従
来の構成のままでも、本発明の適用は可能である。すな
わち、真空予備室６内に半導体ウェーハＷが収容された
状態で、バルブ１８を開いて排気口１７を介して排気を
行うと共に、バルブ２１又は２２（両方でもよい）を開
いて導入口２０ａ又は２０ｂ（両方でもよい）からＮ2
ガスを導入すれば、上記実施の形態と同様に、真空予備
室６内に半導体ウェーハＷ上のゴミを除去するような気
流を形成できる。このようにすれば、既存の設備をその
まま使えるので手間とコストがかからない。
流を形成させるために、別途、排気口２７、バルブ２
８、２９、及び配管３０を設けなくても、図３に示す従
来の構成のままでも、本発明の適用は可能である。すな
わち、真空予備室６内に半導体ウェーハＷが収容された
状態で、バルブ１８を開いて排気口１７を介して排気を
行うと共に、バルブ２１又は２２（両方でもよい）を開
いて導入口２０ａ又は２０ｂ（両方でもよい）からＮ2
ガスを導入すれば、上記実施の形態と同様に、真空予備
室６内に半導体ウェーハＷ上のゴミを除去するような気
流を形成できる。このようにすれば、既存の設備をその
まま使えるので手間とコストがかからない。
【００３６】また、図１において、不活性ガス導入口２
７や排気口２５の数は複数設けてもよい。あるいは、シ
ャワーヘッドを介して半導体ウェーハＷ表面上に不活性
ガスを吹き付けるようにしてもよい。
７や排気口２５の数は複数設けてもよい。あるいは、シ
ャワーヘッドを介して半導体ウェーハＷ表面上に不活性
ガスを吹き付けるようにしてもよい。
【００３７】不活性ガスとしてはＮ2 ガスに限らず、Ａ
ｒガスやＨｅガスなどでもよい。
ｒガスやＨｅガスなどでもよい。
【００３８】加熱手段も抵抗線に限らず、ランプなどを
用いてもよい。その取り付け箇所も可動壁部３１に内蔵
という形態に限らず、可動壁部３１、３２の内壁面に取
り付けてもよい。
用いてもよい。その取り付け箇所も可動壁部３１に内蔵
という形態に限らず、可動壁部３１、３２の内壁面に取
り付けてもよい。
【００３９】また、半導体ウェーハの真空処理に限ら
ず、例えば、金属材料の真空焼き入れや真空焼きなまし
などにも本発明は適用できる。
ず、例えば、金属材料の真空焼き入れや真空焼きなまし
などにも本発明は適用できる。
【００４０】
【発明の効果】本発明の請求項１又は請求項３によれ
ば、被処理物の真空処理中や処理後に被処理物に異物が
付着してしまっても、処理後の被処理物が大気解放前に
搬入される真空予備室にてその異物を不活性ガスの気流
と共に排気除去しているので、被処理物の品質及び歩留
まりの低下を防げる。
ば、被処理物の真空処理中や処理後に被処理物に異物が
付着してしまっても、処理後の被処理物が大気解放前に
搬入される真空予備室にてその異物を不活性ガスの気流
と共に排気除去しているので、被処理物の品質及び歩留
まりの低下を防げる。
【００４１】本発明の請求項２又は請求項４によれば、
被処理物にミストが付着していてもそれを加熱手段で気
化させて、不活性ガスの気流と共に排気除去できる。
被処理物にミストが付着していてもそれを加熱手段で気
化させて、不活性ガスの気流と共に排気除去できる。
【００４２】本発明の請求項５によれば、真空予備室内
に漂う異物の排気効率を高めることができる。
に漂う異物の排気効率を高めることができる。
【図１】本発明の実施の形態による真空処理装置の要部
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図２】真空処理装置の全体構成を示す概略図である。
【図３】従来の真空処理装置の要部の概略断面図であ
る。
る。
１……真空処理装置、４……搬送室、７……カセットセ
ット部、１０……真空予備室、２５……排気口、２７…
…不活性ガス導入口、Ｗ……被処理物、Ｈ……加熱手
段。
ット部、１０……真空予備室、２５……排気口、２７…
…不活性ガス導入口、Ｗ……被処理物、Ｈ……加熱手
段。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ Ｆターム(参考） 4K029 AA06 CA05 CA10 DA01 FA04 5F004 AA14 BB28 BC05 CA01 DA25 FA01 5F031 CA02 FA01 GA02 MA06 MA11 MA27 MA29 MA31 NA04 NA05 NA07 NA15 PA23 5F045 AC15 BB15 EB02 EB08 EB13 EE14 EE19
Claims (5)
- 【請求項１】 減圧下で被処理物に処理を行う真空処理
室と、 前記真空処理室で処理された前記被処理物が搬入される
真空予備室とを備えた真空処理装置において、 前記真空予備室内に前記被処理物が収容された状態で、
前記真空予備室内に不活性ガスを導入する不活性ガス導
入口と、前記導入された不活性ガスを前記被処理物に付
着した異物と共に外部に排気する排気口を前記真空予備
室に設けたことを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項２】 前記真空予備室内に収容された前記被処
理物を加熱する加熱手段を設けたことを特徴とする請求
項１に記載の真空処理装置。 - 【請求項３】 減圧下の真空処理室で被処理物の処理を
行い、 前記処理された前記被処理物を真空予備室に収容し、 前記真空予備室内に不活性ガスを導入すると共に、前記
導入された不活性ガスを前記被処理物に付着した異物と
共に外部に排気することを特徴とする真空処理方法。 - 【請求項４】 前記被処理物を加熱しながら、前記不活
性ガスの導入及び排気を行うことを特徴とする請求項３
に記載の真空処理方法。 - 【請求項５】 前記不活性ガスの導入を間欠的に行うこ
とを特徴とする請求項３に記載の真空処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001112364A JP2002313869A (ja) | 2001-04-11 | 2001-04-11 | 真空処理装置及び真空処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001112364A JP2002313869A (ja) | 2001-04-11 | 2001-04-11 | 真空処理装置及び真空処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002313869A true JP2002313869A (ja) | 2002-10-25 |
Family
ID=18963797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001112364A Pending JP2002313869A (ja) | 2001-04-11 | 2001-04-11 | 真空処理装置及び真空処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002313869A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009158627A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Tokyo Electron Ltd | 真空装置、真空処理システムおよび真空室の圧力制御方法 |
| JP2018160619A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造装置 |
-
2001
- 2001-04-11 JP JP2001112364A patent/JP2002313869A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009158627A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Tokyo Electron Ltd | 真空装置、真空処理システムおよび真空室の圧力制御方法 |
| JP2018160619A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Effective date: 20071027 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 |