JP2691907B2 - 加熱方法及び処理装置及び処理方法 - Google Patents
加熱方法及び処理装置及び処理方法Info
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- JP2691907B2 JP2691907B2 JP63130722A JP13072288A JP2691907B2 JP 2691907 B2 JP2691907 B2 JP 2691907B2 JP 63130722 A JP63130722 A JP 63130722A JP 13072288 A JP13072288 A JP 13072288A JP 2691907 B2 JP2691907 B2 JP 2691907B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、加熱方法及び処理装置及び処理方法に関す
る。
る。
（従来の技術） 半導体製造工程、例えばフォトリソグラフィー工程に
おいて、被処理体例えば半導体ウェハへのレジスト塗布
後あるいはレジスト現像処理の前後において、上記レジ
ストの安定化等の目的で上記半導体ウェハを加熱するこ
とが一般に行われている。
おいて、被処理体例えば半導体ウェハへのレジスト塗布
後あるいはレジスト現像処理の前後において、上記レジ
ストの安定化等の目的で上記半導体ウェハを加熱するこ
とが一般に行われている。
この加熱を行う装置例として、第３図に示すような装
置がある。
置がある。
基台（１）上に、半導体ウェハ（２）を載置して加熱
するための熱板例えば２個の熱板（３）（４）を並置
し、この熱板（３）（４）の両端側には半導体ウェハ
（２）を載置して搬送するベルト（５）を備えた搬送機
構Ａ（６）Ｂ（７）が配置されている。また、上記搬送
機構Ａ（６）→熱板（３）（４）→搬送機構Ｂ（７）に
順次半導体ウェハ（２）を移送するための一般にウォー
キングビーム方式と呼称される搬送機構Ｃ（８）が基台
（１）上に設けられている。そして、エアシリンダ（図
示せず）等により昇降前進後退可能に構成され、搬送ビ
ーム（９）により半導体ウェハ（２）を載置して移送可
能な如く設けられている。
するための熱板例えば２個の熱板（３）（４）を並置
し、この熱板（３）（４）の両端側には半導体ウェハ
（２）を載置して搬送するベルト（５）を備えた搬送機
構Ａ（６）Ｂ（７）が配置されている。また、上記搬送
機構Ａ（６）→熱板（３）（４）→搬送機構Ｂ（７）に
順次半導体ウェハ（２）を移送するための一般にウォー
キングビーム方式と呼称される搬送機構Ｃ（８）が基台
（１）上に設けられている。そして、エアシリンダ（図
示せず）等により昇降前進後退可能に構成され、搬送ビ
ーム（９）により半導体ウェハ（２）を載置して移送可
能な如く設けられている。
また、熱板（３）（４）の上方には、温度の変化を防
止するためにこの熱板（３）（４）を覆い囲むカバー
（10）が配置されており、上面内側に断熱材（11）を備
え、両端部に半導体ウェハ（２）を通過させるための開
口部（12）（13）が設けられている。
止するためにこの熱板（３）（４）を覆い囲むカバー
（10）が配置されており、上面内側に断熱材（11）を備
え、両端部に半導体ウェハ（２）を通過させるための開
口部（12）（13）が設けられている。
そして、搬送アーム（図示せず）等により半導体ウェ
ハ（２）を搬送機構Ａ（６）に載置した後必要に応じて
駆動して上記半導体ウェハ（２）を位置決めし、搬送機
構Ｃ（８）を上昇させて上記半導体ウェハ（２）を搬送
ビーム（９）で持ち上げる。次に搬送機構Ｃ（８）を図
の右方向に所定の距離だけ前進させた後下降させて上記
半導体ウェハ（２）を熱板（３）に載置し、搬送機構Ｃ
（８）は左方向に所定の距離だけ後退して最初の位置状
態に戻り待機する。
ハ（２）を搬送機構Ａ（６）に載置した後必要に応じて
駆動して上記半導体ウェハ（２）を位置決めし、搬送機
構Ｃ（８）を上昇させて上記半導体ウェハ（２）を搬送
ビーム（９）で持ち上げる。次に搬送機構Ｃ（８）を図
の右方向に所定の距離だけ前進させた後下降させて上記
半導体ウェハ（２）を熱板（３）に載置し、搬送機構Ｃ
（８）は左方向に所定の距離だけ後退して最初の位置状
態に戻り待機する。
一方、熱板（３）（４）は加熱制御機構（図示せず）
により、予め所定の温度例えば80〜200±0.5℃程度の範
囲内の所定の温度に設定しておき、上記半導体ウェハ
（２）を加熱する。この加熱が終了すると、再び搬送機
構Ｃ（８）を動作させて、次に処理すべき半導体ウェハ
（２）を熱板（３）に搬送すると同時に、熱板（３）で
加熱を終了した半導体ウェハ（２）を熱板（４）に搬送
する。上記動作を繰り返すことにより、処理前の半導体
ウェハ（２）を搬送機構Ａ（６）で熱板（３）に搬入
し、熱処理を終了した半導体ウェハ（２）を熱板（４）
から搬出し、搬送機構Ｂ（７）に移す。
により、予め所定の温度例えば80〜200±0.5℃程度の範
囲内の所定の温度に設定しておき、上記半導体ウェハ
（２）を加熱する。この加熱が終了すると、再び搬送機
構Ｃ（８）を動作させて、次に処理すべき半導体ウェハ
（２）を熱板（３）に搬送すると同時に、熱板（３）で
加熱を終了した半導体ウェハ（２）を熱板（４）に搬送
する。上記動作を繰り返すことにより、処理前の半導体
ウェハ（２）を搬送機構Ａ（６）で熱板（３）に搬入
し、熱処理を終了した半導体ウェハ（２）を熱板（４）
から搬出し、搬送機構Ｂ（７）に移す。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記従来の装置には次のような問題が
ある。
ある。
通常、半導体製造はクリーンルーム内で行われ、クリ
ーンエアが上方から下方に向ってダウンフローされてい
る。
ーンエアが上方から下方に向ってダウンフローされてい
る。
したがって、装置近傍を通るクリーンエア（14）がカ
バー（10）の両端の開口部（12）（13）を通ってカバー
（10）内に流入して熱板（３）（４）の開口部（12）
（13）に近い側を部分的に冷却し、上記熱板（３）
（４）上の温度分布を乱す可能性がある。
バー（10）の両端の開口部（12）（13）を通ってカバー
（10）内に流入して熱板（３）（４）の開口部（12）
（13）に近い側を部分的に冷却し、上記熱板（３）
（４）上の温度分布を乱す可能性がある。
また、熱板（３）（４）で発生した熱は対流によりカ
バー（10）の両端の開口部（12）（13）を通って外部に
向って上昇する上昇気流（15）となり、カバー（10）の
側面部（16）の温度を上昇させ高温となり、火傷するな
ど人体に対しても安全性が低い。
バー（10）の両端の開口部（12）（13）を通って外部に
向って上昇する上昇気流（15）となり、カバー（10）の
側面部（16）の温度を上昇させ高温となり、火傷するな
ど人体に対しても安全性が低い。
本発明は、上述の従来事情に対処してなされたもの
で、加熱温度分布が均一で、安全な加熱方法及び処理装
置及び処理方法を提供しようとするものである。
で、加熱温度分布が均一で、安全な加熱方法及び処理装
置及び処理方法を提供しようとするものである。
（課題を解決するための手段） 上記課題を解決するために、本発明は、 第１に、カバーで包囲された発熱部材上に被処理体を
配置し、被処理体を加熱するに際し、前記被処理体の出
入り口を遮蔽部材により略閉状態として熱を遮断し、か
つ被処理体側へ空気取り入れ可能な隙間を設け、前記カ
バー内を熱排気しながら加熱することを特徴とする加熱
方法を提供する。
配置し、被処理体を加熱するに際し、前記被処理体の出
入り口を遮蔽部材により略閉状態として熱を遮断し、か
つ被処理体側へ空気取り入れ可能な隙間を設け、前記カ
バー内を熱排気しながら加熱することを特徴とする加熱
方法を提供する。
第２に、発熱部材上に被処理体を配置し、この被処理
体を加熱処理する処理装置であって、 前記発熱部材上に載置された被処理体を包囲するカバ
ーと、 前記発熱部材体に対する前記被処理体の出入り口と、 前記出入り口を略閉状態とする遮蔽部材と、 前記被処理体側へ空気取り入れ可能な隙間と、 前記カバーの前記発熱部材の上方位置に設けられ、前
記カバー内を排気する排気口とを具備し、 前記隙間から空気を流入させるとともに、前記排気口
から排気しながら前記被処理体に対して加熱処理を施す
ことを特徴とする処理装置を提供する。
体を加熱処理する処理装置であって、 前記発熱部材上に載置された被処理体を包囲するカバ
ーと、 前記発熱部材体に対する前記被処理体の出入り口と、 前記出入り口を略閉状態とする遮蔽部材と、 前記被処理体側へ空気取り入れ可能な隙間と、 前記カバーの前記発熱部材の上方位置に設けられ、前
記カバー内を排気する排気口とを具備し、 前記隙間から空気を流入させるとともに、前記排気口
から排気しながら前記被処理体に対して加熱処理を施す
ことを特徴とする処理装置を提供する。
第３に、発熱部材上に被処理体を配置し、この被処理
体を加熱処理する処理装置であって、 前記発熱部材上に載置された被処理体を包囲するカバ
ーと、 前記発熱部材体に対する前記被処理体の出入り口と、 前記出入り口を略閉状態とする遮蔽部材と、 前記被処理体側へ空気取り入れ可能な隙間と、 前記カバーの前記発熱部材の上方位置に設けられ、前
記カバー内を排気する排気口と、 前記カバーの排気口と前記被処理体との間に設けられ
た断熱部材と を具備し、 前記隙間から空気を流入させるとともに、前記断熱部
材の上方を通って前記排気口から排気しながら前記被処
理体に対して加熱処理を施すことを特徴とする処理装置
を提供する。
体を加熱処理する処理装置であって、 前記発熱部材上に載置された被処理体を包囲するカバ
ーと、 前記発熱部材体に対する前記被処理体の出入り口と、 前記出入り口を略閉状態とする遮蔽部材と、 前記被処理体側へ空気取り入れ可能な隙間と、 前記カバーの前記発熱部材の上方位置に設けられ、前
記カバー内を排気する排気口と、 前記カバーの排気口と前記被処理体との間に設けられ
た断熱部材と を具備し、 前記隙間から空気を流入させるとともに、前記断熱部
材の上方を通って前記排気口から排気しながら前記被処
理体に対して加熱処理を施すことを特徴とする処理装置
を提供する。
第４に、発熱部材に被処理体を配置し、この被処理体
をカバーで包囲した状態で加熱処理する処理方法であっ
て、 前記発熱部材に対する前記被処理体の出入り口を遮蔽
部材で略閉状態とする工程と、 前記被処理体側へ空気を流入させながら、前記被処理
体の上方位置から、前記カバー内を排気する工程と を具備することを特徴とする処理方法を提供する。
をカバーで包囲した状態で加熱処理する処理方法であっ
て、 前記発熱部材に対する前記被処理体の出入り口を遮蔽
部材で略閉状態とする工程と、 前記被処理体側へ空気を流入させながら、前記被処理
体の上方位置から、前記カバー内を排気する工程と を具備することを特徴とする処理方法を提供する。
（作 用） 本発明においては、発熱部材上に載置された被処理体
をカバーで包囲し、被処理体の出入り口を遮蔽部材で略
閉状態とするので、外気の流入を遮蔽部材により防止す
ることができる。また、このような遮蔽部材を設けると
ともに、隙間から空気を取り入れつつ前記カバーの被処
理体上方位置から排気することにより熱排気状態で加熱
処理するので、カバー内の熱気は上記出入り口を通って
外部に流れ出すことはない。
をカバーで包囲し、被処理体の出入り口を遮蔽部材で略
閉状態とするので、外気の流入を遮蔽部材により防止す
ることができる。また、このような遮蔽部材を設けると
ともに、隙間から空気を取り入れつつ前記カバーの被処
理体上方位置から排気することにより熱排気状態で加熱
処理するので、カバー内の熱気は上記出入り口を通って
外部に流れ出すことはない。
（実施例） 以下、本発明を半導体製造のレジスト塗布後の加熱工
程に適用した一実施例を図面を参照して説明する。
程に適用した一実施例を図面を参照して説明する。
第１図第２図に示すように、基台（17）には、被処理
体例えばレジスト塗布基板の半導体ウェハ（18）を載置
して吸着保持し加熱するための発熱体、例えばヒーター
（図示せず）を内蔵し温度制御器（図示せず）によって
温度制御される２個の発熱板Ａ（19）Ｂ（20）が、断熱
性を有する支持材（図示せず）により支持並置されてい
る。
体例えばレジスト塗布基板の半導体ウェハ（18）を載置
して吸着保持し加熱するための発熱体、例えばヒーター
（図示せず）を内蔵し温度制御器（図示せず）によって
温度制御される２個の発熱板Ａ（19）Ｂ（20）が、断熱
性を有する支持材（図示せず）により支持並置されてい
る。
この発熱体Ａ（19）Ｂ（20）の両端側、例えば左側に
は半導体ウェハ（18）を載置して搬送するベルト（21）
を備えた搬送機構Ａ（22）が、右側には同様の搬送機構
Ｂ（23）が配置されている。
は半導体ウェハ（18）を載置して搬送するベルト（21）
を備えた搬送機構Ａ（22）が、右側には同様の搬送機構
Ｂ（23）が配置されている。
また、基台（17）上には、一般にウォーキングビーム
方式と呼称されている搬送機構Ｃ（24）が設けられてい
る。この搬送機構Ｃ（24）は、搬送機構Ａ（22）Ｂ（2
3）の近傍を通過可能で且つ常時は発熱板Ａ（19）Ｂ（2
0）に設けられた溝部（図示せず）に納まる如く形成さ
れた２本の搬送部材の搬送ビーム（25）を上部に備えて
いる。さらに、上記搬送機構Ｃ（24）は、上記搬送ビー
ム（25）を昇降するための、切換弁（26）によって動作
制御されるエアシリンダーＡ（27）と、上記搬送ビーム
（25）を左右に移動するためのエアシリンダーＢ（図示
せず）とを備えている。そして、上記エアシリンダーＡ
（27）を動作させることにより、搬送機構Ａ（22）発熱
板Ａ（19）Ｂ（20）に載置されている半導体ウェハ（1
8）を搬送ビーム（25）で持ち上げ、エアシリンダーＢ
（図示せず）を動作させることにより上記半導体ウェハ
（18）を右方向に所定の距離だけ搬送する如く構成され
ている。
方式と呼称されている搬送機構Ｃ（24）が設けられてい
る。この搬送機構Ｃ（24）は、搬送機構Ａ（22）Ｂ（2
3）の近傍を通過可能で且つ常時は発熱板Ａ（19）Ｂ（2
0）に設けられた溝部（図示せず）に納まる如く形成さ
れた２本の搬送部材の搬送ビーム（25）を上部に備えて
いる。さらに、上記搬送機構Ｃ（24）は、上記搬送ビー
ム（25）を昇降するための、切換弁（26）によって動作
制御されるエアシリンダーＡ（27）と、上記搬送ビーム
（25）を左右に移動するためのエアシリンダーＢ（図示
せず）とを備えている。そして、上記エアシリンダーＡ
（27）を動作させることにより、搬送機構Ａ（22）発熱
板Ａ（19）Ｂ（20）に載置されている半導体ウェハ（1
8）を搬送ビーム（25）で持ち上げ、エアシリンダーＢ
（図示せず）を動作させることにより上記半導体ウェハ
（18）を右方向に所定の距離だけ搬送する如く構成され
ている。
一方、発熱板Ａ（19）Ｂ（20）の上方には、この発熱
板Ａ（19）Ｂ（20）の上面近傍を包囲するカバー（28）
が配置されている。そして、このカバー（28）の左右す
なわち搬送機構Ａ（22）とＢ（23）側には、搬送機構Ｃ
（24）の搬送ビーム（25）によって半導体ウェハ（18）
が通過可能に形成された出入り口Ａ（29）Ｂ（30）が設
けられている。この出入り口Ａ（29）Ｂ（30）のカバー
（28）内側には、切換弁（26）にエアシリンダー（27）
と並列に配管接続されたエアシリンダーＣ（図示せず）
Ｄ（図示せず）によって昇降され上記出入り口Ａ（29）
Ｂ（30）を開閉する開閉手段例えば遮蔽板Ａ（31）Ｂ
（32）が設けられている。この遮蔽板Ａ（31）Ｂ（32）
の下方には隙間（39）を有し、カバー（28）内への空気
の取り入れが可能となっている。
板Ａ（19）Ｂ（20）の上面近傍を包囲するカバー（28）
が配置されている。そして、このカバー（28）の左右す
なわち搬送機構Ａ（22）とＢ（23）側には、搬送機構Ｃ
（24）の搬送ビーム（25）によって半導体ウェハ（18）
が通過可能に形成された出入り口Ａ（29）Ｂ（30）が設
けられている。この出入り口Ａ（29）Ｂ（30）のカバー
（28）内側には、切換弁（26）にエアシリンダー（27）
と並列に配管接続されたエアシリンダーＣ（図示せず）
Ｄ（図示せず）によって昇降され上記出入り口Ａ（29）
Ｂ（30）を開閉する開閉手段例えば遮蔽板Ａ（31）Ｂ
（32）が設けられている。この遮蔽板Ａ（31）Ｂ（32）
の下方には隙間（39）を有し、カバー（28）内への空気
の取り入れが可能となっている。
次に、カバー（28）内の発熱板Ａ（19）Ｂ（20）上面
近傍には、耐熱ガラス等により平板状に形成された断熱
材（33）が、カバー（28）内上壁と離間してカバー（2
8）に取着されている。
近傍には、耐熱ガラス等により平板状に形成された断熱
材（33）が、カバー（28）内上壁と離間してカバー（2
8）に取着されている。
なお、上記断熱材（33）の左右端と遮蔽板Ａ（31）お
よびＢ（32）との中間には、一端をカバー（28）内上壁
に取着された仕切板Ａ（34）Ｂ（35）が配置されてお
り、それぞれ空気の流通可能な如く隙間（36）を設けて
構成されている。
よびＢ（32）との中間には、一端をカバー（28）内上壁
に取着された仕切板Ａ（34）Ｂ（35）が配置されてお
り、それぞれ空気の流通可能な如く隙間（36）を設けて
構成されている。
一方、カバー（28）上壁には、カバー（28）内を熱排
気するための少くとも１個の排気管（37）が取着されて
いる。そして上記仕切板Ａ（34）Ｂ（35）と排気管（3
7）とから構成されたカバー（28）内の排気手段を、排
気装置（図示せず）に配管接続し、カバー（28）内の空
気を所定の流量にて排気する如く構成されている。
気するための少くとも１個の排気管（37）が取着されて
いる。そして上記仕切板Ａ（34）Ｂ（35）と排気管（3
7）とから構成されたカバー（28）内の排気手段を、排
気装置（図示せず）に配管接続し、カバー（28）内の空
気を所定の流量にて排気する如く構成されている。
次に、動作作用について説明する。
先ず、搬送アーム等の搬送機構（図示せず）により、
処理前の半導体ウェハ（18）を搬送機構Ａ（22）のベル
ト（21）上に載置した後、必要に応じて上記搬送機構Ａ
（22）を動作させて上記半導体ウェハ（18）を搬送して
所定の位置となるように位置決めする。
処理前の半導体ウェハ（18）を搬送機構Ａ（22）のベル
ト（21）上に載置した後、必要に応じて上記搬送機構Ａ
（22）を動作させて上記半導体ウェハ（18）を搬送して
所定の位置となるように位置決めする。
次に、切換弁（26）を切換えて圧縮空気供給源からの
圧縮空気をエアシリンダー（27）に供給して搬送機構Ｃ
（24）を上昇させ、搬送ビーム（25）に半導体ウェハ
（18）を載置して搬送機構Ａ（22）から持ち上げる。同
時に、エアシリンダーＣ（図示せず）Ｄ（図示せず）も
動作して、遮蔽板Ａ（31）Ｂ（32）は上昇して出入り口
Ａ（29）Ｂ（30）は開状態になる。このように、同時動
作させることにより、搬送ビーム（25）に載置されて搬
送される半導体ウェハ（18）と遮蔽板Ａ（31）Ｂ（32）
が接触干渉する等のトラブルを防止することができる。
圧縮空気をエアシリンダー（27）に供給して搬送機構Ｃ
（24）を上昇させ、搬送ビーム（25）に半導体ウェハ
（18）を載置して搬送機構Ａ（22）から持ち上げる。同
時に、エアシリンダーＣ（図示せず）Ｄ（図示せず）も
動作して、遮蔽板Ａ（31）Ｂ（32）は上昇して出入り口
Ａ（29）Ｂ（30）は開状態になる。このように、同時動
作させることにより、搬送ビーム（25）に載置されて搬
送される半導体ウェハ（18）と遮蔽板Ａ（31）Ｂ（32）
が接触干渉する等のトラブルを防止することができる。
そして、エアシリンダーＢ（図示せず）を動作させて
搬送ビーム（25）を右方向つまり発熱板Ａ（19）方向に
所定の距離例えば発熱板Ａ（19）Ｂ（20）の配置間隔に
相等する距離だけ移動させる。この時、半導体ウェハ
（18）はカバー（28）の出入り口Ａ（29）を通過して発
熱板Ａ（19）の所定の載置位置に搬送される。
搬送ビーム（25）を右方向つまり発熱板Ａ（19）方向に
所定の距離例えば発熱板Ａ（19）Ｂ（20）の配置間隔に
相等する距離だけ移動させる。この時、半導体ウェハ
（18）はカバー（28）の出入り口Ａ（29）を通過して発
熱板Ａ（19）の所定の載置位置に搬送される。
次に、切換弁（26）を元の状態に切換えてエアシリン
ダーＡ（27）、エアシリンダーＣ（図示せず）Ｄ（図示
せず）の動作を復帰させ、搬送ビーム（25）上の半導体
ウェハ（18）を発熱板Ａ（19）上に載置して設け吸着保
持すると共に、遮蔽板Ａ（31）Ｂ（32）を下降して出入
り口Ａ（29）Ｂ（30）を閉状態にする。そして、エアシ
リンダーＢ（図示せず）を復帰させて搬送機構Ｃ（24）
を左方向に移動して元の位置に戻し待機させる。
ダーＡ（27）、エアシリンダーＣ（図示せず）Ｄ（図示
せず）の動作を復帰させ、搬送ビーム（25）上の半導体
ウェハ（18）を発熱板Ａ（19）上に載置して設け吸着保
持すると共に、遮蔽板Ａ（31）Ｂ（32）を下降して出入
り口Ａ（29）Ｂ（30）を閉状態にする。そして、エアシ
リンダーＢ（図示せず）を復帰させて搬送機構Ｃ（24）
を左方向に移動して元の位置に戻し待機させる。
一方、熱板Ａ（19）Ｂ（20）は、ヒーター（図示せ
ず）を温度制御器（図示せず）によって制御し、予め所
定の温度例えば80〜200℃程度の範囲内の所定の温度に
設定しておき、半導体ウェハ（18）の表面に塗布された
レジストを予め定められた期間加熱する。
ず）を温度制御器（図示せず）によって制御し、予め所
定の温度例えば80〜200℃程度の範囲内の所定の温度に
設定しておき、半導体ウェハ（18）の表面に塗布された
レジストを予め定められた期間加熱する。
この時、第２図に示すように、カバー（28）の出入り
口Ａ（29）は遮蔽板Ａ（31）によって閉じられているの
で、外部からクリーンエアー等の冷えた空気がカバー
（28）内に流入することによる発熱板Ａ（19）上の温度
分布の乱れを防止できるので、発熱板Ａ（19）の良好な
温度均一性を得ることができる。
口Ａ（29）は遮蔽板Ａ（31）によって閉じられているの
で、外部からクリーンエアー等の冷えた空気がカバー
（28）内に流入することによる発熱板Ａ（19）上の温度
分布の乱れを防止できるので、発熱板Ａ（19）の良好な
温度均一性を得ることができる。
また、出入り口Ａ（29）が遮蔽板Ａ（31）により略閉
状態とされており、しかも隙間（39）から空気を取り入
れつつ隙間（36）および断熱材（33）の上方を通り排気
管（37）から排気されるので、カバー（28）内の発熱板
Ａ（19）上の対流熱は、外部に流出することはない。し
たがってカバー（28）の側面部出入り口Ａ（29）上方部
分の温度が上がることはないので、安全性も高くなる。
なお、上記排気管（37）からの排気量は、発熱板Ａ（1
9）の温度分布に影響を及ぼさない程度に設定するのは
言うまでもない。
状態とされており、しかも隙間（39）から空気を取り入
れつつ隙間（36）および断熱材（33）の上方を通り排気
管（37）から排気されるので、カバー（28）内の発熱板
Ａ（19）上の対流熱は、外部に流出することはない。し
たがってカバー（28）の側面部出入り口Ａ（29）上方部
分の温度が上がることはないので、安全性も高くなる。
なお、上記排気管（37）からの排気量は、発熱板Ａ（1
9）の温度分布に影響を及ぼさない程度に設定するのは
言うまでもない。
なお、カバー（28）の右側の発熱板Ｂ（20）出入り口
Ｂ（30）遮蔽板Ｂ（32）についても上記同様のことが言
えるので説明は省略する。発熱板Ａ（19）による半導体
ウェハ（18）の加熱が終了すると、上記説明した動作に
より、発熱板Ａ（19）上の半導体ウェハ（18）を発熱板
Ｂ（20）に移すと共に、次に処理すべき半導体ウェハ
（18）を発熱体Ａ（19）に載置する。
Ｂ（30）遮蔽板Ｂ（32）についても上記同様のことが言
えるので説明は省略する。発熱板Ａ（19）による半導体
ウェハ（18）の加熱が終了すると、上記説明した動作に
より、発熱板Ａ（19）上の半導体ウェハ（18）を発熱板
Ｂ（20）に移すと共に、次に処理すべき半導体ウェハ
（18）を発熱体Ａ（19）に載置する。
以後、上記動作を繰り返し順次、搬送機構Ａ（22）上
の半導体ウェハ（18）を搬送して発熱板Ａ（19）Ｂ（2
0）にて加熱し、加熱が終了した半導体ウェハ（18）を
搬送機構Ｂ（23）で搬出し、次の工程に送り出す。
の半導体ウェハ（18）を搬送して発熱板Ａ（19）Ｂ（2
0）にて加熱し、加熱が終了した半導体ウェハ（18）を
搬送機構Ｂ（23）で搬出し、次の工程に送り出す。
なお、上記実施例では、搬送機構Ａ（22）Ｂ（23）と
してベルト搬送方式のものを使用したものについて説明
したが、上記搬送機構は例えば吸着アームを使用したも
のを使用してもよい。
してベルト搬送方式のものを使用したものについて説明
したが、上記搬送機構は例えば吸着アームを使用したも
のを使用してもよい。
また、搬送機構Ｃ（24）や遮蔽板Ａ（31）Ｂ（32）を
昇降する機構も、上記説明のエアシリンダを使用したも
のに限定されるものではなく、例えばボールスクリュー
を使用したもの、モータを使用したもので構成してもよ
い。さらに、例えば昇降用にエアシリンダ（27）を１個
だけ使用し機械的に搬送機構Ｃ（24）、遮蔽板Ａ（31）
Ｂ（32）を同時に昇降する如く構成してもよい。
昇降する機構も、上記説明のエアシリンダを使用したも
のに限定されるものではなく、例えばボールスクリュー
を使用したもの、モータを使用したもので構成してもよ
い。さらに、例えば昇降用にエアシリンダ（27）を１個
だけ使用し機械的に搬送機構Ｃ（24）、遮蔽板Ａ（31）
Ｂ（32）を同時に昇降する如く構成してもよい。
また、仕切板Ａ（34）Ｂ（35）は、第２図に示すよう
にカバー（28）内側上壁部付近に、上記仕切板Ａ（34）
Ｂ（35）を貫通する連通口（38）を設け、遮蔽板Ａ（3
1）Ｂ（32）上方の熱気を、この連通口（38）を通して
排気するように構成してもよい。
にカバー（28）内側上壁部付近に、上記仕切板Ａ（34）
Ｂ（35）を貫通する連通口（38）を設け、遮蔽板Ａ（3
1）Ｂ（32）上方の熱気を、この連通口（38）を通して
排気するように構成してもよい。
なお、遮蔽板Ａ（31）Ｂ（32）は、出入り口Ａ（29）
Ｂ（30）部分と非接触に配置した方がゴミの発生がな
く、且つ形状は出入り口Ａ（29）Ｂ（30）近傍の状態に
即して形成することは言うまでもない。
Ｂ（30）部分と非接触に配置した方がゴミの発生がな
く、且つ形状は出入り口Ａ（29）Ｂ（30）近傍の状態に
即して形成することは言うまでもない。
上述したように本発明によれば、人体に安全且つ均一
な加熱を行うことが可能となる。
な加熱を行うことが可能となる。
第１図は本発明をレジスト塗布後の加熱工程に適用した
一実施例を示す構成図、第２図は第１図の主要部の説明
図、第３図は従来例の図である。 18……半導体ウェハ、19……発熱板Ａ、 20……発熱板Ｂ、22……搬送機構Ａ、 23……搬送機構Ｂ、24……搬送機構Ｃ、 25……搬送ビーム、27……エアシリンダー、 28……カバー、29……出入り口Ａ、 30……出入り口Ｂ、31……遮蔽板Ａ、 32……遮蔽板Ｂ、33……断熱材、 34……仕切板Ａ、35……仕切板Ｂ、 37……排気管、38……連通口、39……隙間。
一実施例を示す構成図、第２図は第１図の主要部の説明
図、第３図は従来例の図である。 18……半導体ウェハ、19……発熱板Ａ、 20……発熱板Ｂ、22……搬送機構Ａ、 23……搬送機構Ｂ、24……搬送機構Ｃ、 25……搬送ビーム、27……エアシリンダー、 28……カバー、29……出入り口Ａ、 30……出入り口Ｂ、31……遮蔽板Ａ、 32……遮蔽板Ｂ、33……断熱材、 34……仕切板Ａ、35……仕切板Ｂ、 37……排気管、38……連通口、39……隙間。
Claims (4)
- 【請求項１】カバーで包囲された発熱部材上に被処理体
を配置し、被処理体を加熱するに際し、前記被処理体の
出入り口を遮蔽部材により略閉状態として熱を遮断し、
かつ被処理体側へ空気取り入れ可能な隙間を設け、前記
カバー内を熱排気しながら加熱することを特徴とする加
熱方法。 - 【請求項２】発熱部材上に被処理体を配置し、この被処
理体を加熱処理する処理装置であって、 前記発熱部材上に載置された被処理体を包囲するカバー
と、 前記発熱部材体に対する前記被処理体の出入り口と、 前記出入り口を略閉状態とする遮蔽部材と、 前記被処理体側へ空気取り入れ可能な隙間と、 前記カバーの前記発熱部材の上方位置に設けられ、前記
カバー内を排気する排気口とを具備し、 前記隙間から空気を流入させるとともに、前記排気口か
ら排気しながら前記被処理体に対して加熱処理を施すこ
とを特徴とする処理装置。 - 【請求項３】発熱部材上に被処理体を配置し、この被処
理体を加熱処理する処理装置であって、 前記発熱部材上に載置された被処理体を包囲するカバー
と、 前記発熱部材体に対する前記被処理体の出入り口と、 前記出入り口を略閉状態とする遮蔽部材と、 前記被処理体側へ空気取り入れ可能な隙間と、 前記カバーの前記発熱部材の上方位置に設けられ、前記
カバー内を排気する排気口と、 前記カバーの排気口と前記被処理体との間に設けられた
断熱部材と を具備し、 前記隙間から空気を流入させるとともに、前記断熱部材
の上方を通って前記排気口から排気しながら前記被処理
体に対して加熱処理を施すことを特徴とする処理装置。 - 【請求項４】発熱部材に被処理体を配置し、この被処理
体をカバーで包囲した状態で加熱処理する処理方法であ
って、 前記発熱部材に対する前記被処理体の出入り口を遮蔽部
材で略閉状態とする工程と、 前記被処理体側へ空気を流入させながら、前記被処理体
の上方位置から、前記カバー内を排気する工程と を具備することを特徴とする処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63130722A JP2691907B2 (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 加熱方法及び処理装置及び処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63130722A JP2691907B2 (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 加熱方法及び処理装置及び処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01300519A JPH01300519A (ja) | 1989-12-05 |
| JP2691907B2 true JP2691907B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=15041065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63130722A Expired - Lifetime JP2691907B2 (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 加熱方法及び処理装置及び処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2691907B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101378049B1 (ko) * | 2007-10-03 | 2014-03-27 | 이시이 효키 가부시키가이샤 | 도포막용 건조장치 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4672538B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置 |
| JP4499147B2 (ja) * | 2007-11-21 | 2010-07-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP6925213B2 (ja) * | 2017-09-22 | 2021-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置及び加熱処理方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6018919A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-01-31 | Toshiba Corp | 半導体ウエハ−の加熱装置 |
| JPS6375032U (ja) * | 1986-11-04 | 1988-05-19 |
-
1988
- 1988-05-27 JP JP63130722A patent/JP2691907B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101378049B1 (ko) * | 2007-10-03 | 2014-03-27 | 이시이 효키 가부시키가이샤 | 도포막용 건조장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01300519A (ja) | 1989-12-05 |
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