JPH1088344A - 成膜装置 - Google Patents

成膜装置

Info

Publication number
JPH1088344A
JPH1088344A JP23886096A JP23886096A JPH1088344A JP H1088344 A JPH1088344 A JP H1088344A JP 23886096 A JP23886096 A JP 23886096A JP 23886096 A JP23886096 A JP 23886096A JP H1088344 A JPH1088344 A JP H1088344A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
work
film
film forming
heater heating
jig
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP23886096A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3933734B2 (ja
Inventor
Kentaro Shingo
健太郎 新郷
Takashi Sueyoshi
貴志 末吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP23886096A priority Critical patent/JP3933734B2/ja
Publication of JPH1088344A publication Critical patent/JPH1088344A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3933734B2 publication Critical patent/JP3933734B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 成膜室を大気に開放することなくワークを供
給して高温に保持することができる成膜装置を提供す
る。 【解決手段】 ワーク11に対向する面に熱輻射率の大
きい熱輻射層12が形成されたヒータ加熱部5と、ヒー
タ加熱部5に非接触で対向し、ヒータ加熱部5に対向す
る面に熱輻射率の大きい熱輻射層12が形成されかつ熱
伝導率の大きい材料から成るワーク保持用治具6と、ワ
ーク保持用治具6を支持して搬送する搬送手段7と、搬
送手段7とワーク保持用治具6の間に介装された熱伝導
率の低い材料から成るスペーサ10とを備え、ワーク保
持用治具6を搬送手段7でヒータ加熱部5に対向する位
置に供給してワーク11を輻射加熱するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品等の薄膜
デバイスを製造する装置において、スパッタリング方式
や蒸着方式等による成膜装置に関するもので、特にワー
クを高温に保持しながら成膜する成膜装置に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来、ワークを高温に保持しながら成膜
する成膜装置においては、ワークを保持した治具を常
温、大気圧の状態で作業者がヒータ加熱部に直接ボルト
等で締結固定し、所定の条件にした後成膜を行ってい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年の成膜
装置においては、成膜室にロードロック機構を設け、ワ
ークの交換時に成膜室が大気に開放されないようにし、
真空排気時間の影響を無くし、スループットの向上を図
ったものが多い。しかしながら、ワークを高温に加熱し
て成膜する方式では、ワークを保持した治具を上記のよ
うにヒータ加熱部に作業者がボルト等で締結するため
に、ワークの交換時には成膜室を大気に開放せざるを得
ず、スループットの向上が望めないという問題があっ
た。
【0004】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、成膜
室を大気に開放することなくワークを供給して高温に保
持することができる成膜装置を提供することを目的とし
ている。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の成膜装置は、ワ
ークに対向する面が熱輻射率の大きい面に形成されたヒ
ータ加熱部と、ヒータ加熱部に非接触で対向し、ヒータ
加熱部に対向する面が熱輻射率の大きい面に形成されか
つ熱伝導率の大きい材料から成るワーク保持用治具と、
ワーク保持用治具を支持して搬送する搬送手段と、搬送
手段とワーク保持用治具の間に介装された熱伝導率の低
い材料から成るスペーサとを備え、ワーク保持用治具を
搬送手段でヒータ加熱部に対向する位置に供給して、ワ
ークをヒータ加熱部からの輻射熱で直接加熱すると同時
に、熱輻射率の大きい面を介して効率的にワーク保持治
具を輻射熱で加熱するとともにその熱をスペーサにて搬
送手段側に逃がすことなく熱伝導率良く熱伝導にてワー
クを間接加熱することにより、短時間でワークを高温に
保持できるようにし、成膜室内を大気に開放することな
くワークを搬送手段にて供給して加熱できるようにした
ものである。
【0006】また、熱輻射率の大きい面は熱輻射率の大
きい物質を塗布しまたは黒体化処理によって容易に形成
することができる。また、搬送手段のヒータ加熱部に対
向する面を熱輻射率の小さい面に形成すると、搬送手段
が加熱されにくく、搬送手段の高温化による弊害を抑制
することができる。
【0007】また、ヒータ加熱部に対向して搬送手段を
挿入可能な空間をあけて成膜材料を配設し、搬送手段の
ヒータ加熱部と成膜材料に対向する部分に成膜用開口を
設けてその成膜用開口にワーク保持用治具を保持し、ワ
ーク保持用治具の熱輻射率の大きい面とは反対側の面に
ワークの成膜する面を露出させることにより、簡単な移
動構成の搬送手段にてワークを供給して成膜することが
できる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態のスパ
ッタリング方式の成膜装置について図1を参照して説明
する。
【0009】図1において、1は成膜室で、図示しない
真空排気手段、ガス導入手段を有し、成膜室1内の圧力
を調整できるように構成されている。この成膜室1内に
成膜材料から成るターゲット2を備えた電極3が配設さ
れている。電極3は直流電力あるいは高周波電力を印加
する電源(図示せず)に接続されている。4は成膜室1
と電極3との間に介装された絶縁材である。また、成膜
室1内には電極3に所要の空間をあけて対向するように
ヒータを内蔵したヒータ加熱部5が配設されている。
【0010】6は複数のワーク11を保持したワーク保
持用治具であり、このワーク保持用治具6が搬送手段7
にてヒータ加熱部5に非接触で近接して対向する位置に
供給される。搬送手段7には成膜用開口8が形成され、
その内周に断面形状が略Z字形の枠状の保持治具9が嵌
合固定され、その上に熱伝導率の低い材料から成りかつ
断面積を最小限に小さくしたスペーサ10が装着され、
このスペーサ10を介して保持治具9にてワーク保持用
治具6を支持するように構成されている。そして、ワー
ク保持用治具6は成膜用開口8に嵌合固定した枠状の保
持治具9を通して所定の間隔をあけてターゲット2に対
向する。また、成膜室1にはその内部を大気に開放する
ことなく搬送手段7の保持治具9上にワーク保持用治具
6を供給し、又は取出しを行えるようにロードロック機
構が設けられている。
【0011】ヒータ加熱部5のワーク保持用治具6に対
向する面、及びワーク保持用治具6のヒータ加熱部5に
対向する面には、例えば酸化クロム等の熱輻射率の大き
い物質を塗布し、又はその他の黒体化処理を施して熱輻
射層12が形成されている。
【0012】一方、保持治具9のヒータ加熱部5に対向
する面は、例えば鏡面仕上げ等の表面処理が施されて熱
輻射率の小さい表面状態に形成されている。
【0013】次に、以上の構成の成膜装置における動作
について説明する。まず、高真空に排気された成膜室1
の外部において、ワーク保持用治具6に複数の未成膜の
ワーク11を保持させる。次に、ロードロック機構を用
いて成膜室1を大気に開放することなく、ワーク保持用
治具6を搬送手段7の保持治具9上に設置し、搬送手段
7により既に所定温度まで加熱されているヒータ加熱部
5に非接触で近接して対向する位置に供給する。ワーク
保持用治具6はワーク11とともにヒータ加熱部5によ
り輻射により効率良く所定温度まで加熱される。その
際、ワーク11がヒータ加熱部5からの輻射熱で直接加
熱されると同時に、熱輻射率の大きい熱輻射層12を介
してワーク保持治具6が効率的に輻射熱で加熱され、そ
の熱はスペーサ10によって保持治具9や搬送手段7側
に逃げることなく、熱伝導率の高いワーク保持用治具6
から熱伝導にてワーク11に伝熱されて間接加熱され、
ワーク11は効率良く短時間で加熱される。
【0014】加熱後、成膜室1を所定の圧力に調整し、
電極3に直流電力または高周波電力を印加し、ワーク1
1の成膜を行う。成膜されたワーク11は、ワーク保持
用治具6とともに搬送手段7により搬送され、図示して
いないロードロック機構を通して成膜室1の外部に取り
出される。
【0015】なお、温度によっては保持治具9と同じ形
態を持った保持治具を用いて保持治具9を多段保持する
ようにしてもよい。また、成膜装置の構成は、上記実施
形態のものに限定されるものではない。
【0016】
【発明の効果】本発明の成膜装置によれば、以上の説明
から明らかなように、ワークに対向する面が熱輻射率の
大きい面に形成されたヒータ加熱部と、ヒータ加熱部に
非接触で対向し、ヒータ加熱部に対向する面が熱輻射率
の大きい面に形成されかつ熱伝導率の大きい材料から成
るワーク保持用治具と、ワーク保持用治具を支持して搬
送する搬送手段と、搬送手段とワーク保持用治具の間に
介装された熱伝導率の低い材料から成るスペーサとを備
えているので、ワーク保持用治具を搬送手段でヒータ加
熱部に対向する位置に供給することにより、ワークをヒ
ータ加熱部からの輻射熱による直接加熱と、熱輻射率の
大きい面を介して効率的に輻射加熱されたワーク保持治
具からの伝熱による間接加熱によって、ワーク保持用治
具をヒータ加熱部にボルト締結しなくても短時間で高温
に保持することができ、成膜室を大気に開放することな
く搬送手段にてワークを供給して高温に保持できるの
で、スループットを向上することができる。
【0017】また、熱輻射率の大きい面は熱輻射率の大
きい物質を塗布しまたは黒体化処理によって容易に形成
することができる。また、搬送手段のヒータ加熱部に対
向する面を熱輻射率の小さい面に形成すると、搬送手段
が加熱されにくく、搬送手段の高温化による弊害を抑制
することができる。
【0018】また、ヒータ加熱部に対向して搬送手段を
挿入可能な空間をあけて成膜材料を配設し、搬送手段に
設けた成膜用開口にワーク保持用治具を保持し、ワーク
保持用治具の熱輻射率の大きい面とは反対側の面にワー
クの成膜する面を露出させることにより、簡単な移動構
成の搬送手段にてワークを供給して成膜することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の成膜装置の一実施形態の装置構成を示
す概略構成図である。
【符号の説明】
1 成膜室 2 ターゲット(成膜材料) 5 ヒータ加熱部 6 ワーク保持用治具 7 搬送手段 8 成膜用開口 10 スペーサ 11 ワーク 12 熱輻射層

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 成膜室内に配設したヒータ加熱部にてワ
    ークを高温に保持しながら成膜する成膜装置において、
    ワークに対向する面が熱輻射率の大きい面に形成された
    ヒータ加熱部と、ヒータ加熱部に非接触で対向し、ヒー
    タ加熱部に対向する面が熱輻射率の大きい面に形成され
    かつ熱伝導率の大きい材料から成るワーク保持用治具
    と、ワーク保持用治具を支持して搬送する搬送手段と、
    搬送手段とワーク保持用治具の間に介装された熱伝導率
    の低い材料から成るスペーサとを備えたことを特徴とす
    る成膜装置。
  2. 【請求項2】 熱輻射率の大きい面を熱輻射率の大きい
    物質を塗布して形成したことを特徴とする請求項1記載
    の成膜装置。
  3. 【請求項3】 熱輻射率の大きい面を黒体化処理によっ
    て形成したことを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
  4. 【請求項4】 搬送手段のヒータ加熱部に対向する面を
    熱輻射率の小さい面に形成したことを特徴とする請求項
    1記載の成膜装置。
  5. 【請求項5】 ヒータ加熱部に対向して搬送手段を挿入
    可能な空間をあけて成膜材料を配設し、搬送手段のヒー
    タ加熱部と成膜材料に対向する部分に成膜用開口を設け
    てその成膜用開口にワーク保持用治具を保持し、ワーク
    保持用治具の熱輻射率の大きい面とは反対側の面にワー
    クの成膜する面を露出させたことを特徴とする請求項1
    の成膜装置。
JP23886096A 1996-09-10 1996-09-10 成膜装置 Expired - Fee Related JP3933734B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23886096A JP3933734B2 (ja) 1996-09-10 1996-09-10 成膜装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23886096A JP3933734B2 (ja) 1996-09-10 1996-09-10 成膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1088344A true JPH1088344A (ja) 1998-04-07
JP3933734B2 JP3933734B2 (ja) 2007-06-20

Family

ID=17036343

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23886096A Expired - Fee Related JP3933734B2 (ja) 1996-09-10 1996-09-10 成膜装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3933734B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JP3933734B2 (ja) 2007-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6064800A (en) Apparatus for uniform gas and radiant heat dispersion for solid state fabrication processes
JP4599363B2 (ja) 基板加熱処理装置及び基板加熱処理に用いられる基板搬送用トレイ
JP4318504B2 (ja) 成膜装置の基板トレイ
JPH1088344A (ja) 成膜装置
JPH0234164B2 (ja)
JP2778598B2 (ja) 加熱方法及び加熱装置
CN111386599B (zh) 真空处理装置
JP2000243719A (ja) ランプアニール方法とその装置
JPH07194965A (ja) 成膜方法及び成膜装置
JPH01179309A (ja) 加熱法
JP2004059990A (ja) 成膜装置
JP4094127B2 (ja) アモルファスシリコン製造装置
JP7287838B2 (ja) 成膜システム、および、成膜方法
JPH1126370A (ja) 露光前処理装置
JPH04116165A (ja) ウエハホルダのガス除去装置およびガス除去方法
JPH10173025A (ja) 半導体製造装置のロードロック室
JPH08148480A (ja) 半導体製造装置およびこれによる半導体製造方法
JP2000235950A (ja) 基板加熱装置及びこれを用いた半導体製造装置
JPS59100536A (ja) マイクロ波処理装置
JPH0136976B2 (ja)
JPH0860358A (ja) 加熱可能な旋回テーブル
JPH01120812A (ja) 処理装置
KR100390539B1 (ko) 유기 반도체 장치에서 기화물질의 운송관의 가열 장치 및방법
JPS6165419A (ja) 気相成長装置
JPH0677134A (ja) 真空加熱方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061121

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070119

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070213

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070314

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110330

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110330

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120330

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130330

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees