JPH04116165A - ウエハホルダのガス除去装置およびガス除去方法 - Google Patents
ウエハホルダのガス除去装置およびガス除去方法Info
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- JPH04116165A JPH04116165A JP23259490A JP23259490A JPH04116165A JP H04116165 A JPH04116165 A JP H04116165A JP 23259490 A JP23259490 A JP 23259490A JP 23259490 A JP23259490 A JP 23259490A JP H04116165 A JPH04116165 A JP H04116165A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェハの枚葉式スパッタ成膜装置にお
けるウェハホルダのガス除去装置およびガス除去方法に
関するものである。
けるウェハホルダのガス除去装置およびガス除去方法に
関するものである。
本発明は、半導体ウェハの枚葉式スパッタ成膜装置にお
いて、ウェハホルダより放出されるガスによるスパッタ
材料の汚染を防止するために、ロードロック室内または
前処理室内で、ウェハと同時にウェハホルダを加熱する
ヒータを設けたウェハホルダのガス除去装置、およびウ
ェハホルダをヒータにより加熱することによるウェハホ
ルダのガス除去方法である。
いて、ウェハホルダより放出されるガスによるスパッタ
材料の汚染を防止するために、ロードロック室内または
前処理室内で、ウェハと同時にウェハホルダを加熱する
ヒータを設けたウェハホルダのガス除去装置、およびウ
ェハホルダをヒータにより加熱することによるウェハホ
ルダのガス除去方法である。
（従来の技術〕
従来より、半導体ウェハの枚葉式スパッタ成膜装置（以
降、スパッタ装置と略称する）では、スパッタ時にスパ
ッタ室内でウェハの高温加熱成膜処理を行った際に、処
理すべきウェハに吸着された水分、ガスなどがウェハの
加熱により蒸発してウェハ表面から放出され、スパッタ
材料に付着して高純度のスパッタ材料を汚染する。そし
て汚染されたスパッタ材料がスパッタ時にウェハ表面の
薄膜に混入して、ウェハの特性不良、劣化などの悪影響
を与えるという重要な欠点が発生している。
降、スパッタ装置と略称する）では、スパッタ時にスパ
ッタ室内でウェハの高温加熱成膜処理を行った際に、処
理すべきウェハに吸着された水分、ガスなどがウェハの
加熱により蒸発してウェハ表面から放出され、スパッタ
材料に付着して高純度のスパッタ材料を汚染する。そし
て汚染されたスパッタ材料がスパッタ時にウェハ表面の
薄膜に混入して、ウェハの特性不良、劣化などの悪影響
を与えるという重要な欠点が発生している。
そして、このようなスパッタ材料の汚染の解決策として
ロードロック室内でウェハのプリヒートを行う提案がな
されている。（実開昭６３−１１２３３３号公報参照） 〔発明が解決しようとする課題］ しかしながら実開昭６３−１１２３３３号公報記載のス
パッタ装置では、ロートロ・ンク室内でウェハをウェハ
ホルダにセットする際、ウェハホルダは大気にさらされ
るのでウェハホルダ表面も汚染され、ロードロック室内
でプリヒートを行った際に、ヒータは前面のみを加熱す
るので、ヒータによりウェハ表面は加熱されてウェハ表
面のガス除去は完全に行われたとしても、ウェハホルダ
はウェハの裏側にあるので、ウェハホルダはほとんど加
熱されず、ウェハホルダのガス除去は不完全となり、ス
パッタ室で高温加熱（例えば、ＡＩの埋め込みスパッタ
の場合、４５０°Ｃ程度に加熱される。）しながら成膜
するプロセスを施した場合、ウェハホルダから放出され
るガスによるスパッタ材料の汚染が生ずる。
ロードロック室内でウェハのプリヒートを行う提案がな
されている。（実開昭６３−１１２３３３号公報参照） 〔発明が解決しようとする課題］ しかしながら実開昭６３−１１２３３３号公報記載のス
パッタ装置では、ロートロ・ンク室内でウェハをウェハ
ホルダにセットする際、ウェハホルダは大気にさらされ
るのでウェハホルダ表面も汚染され、ロードロック室内
でプリヒートを行った際に、ヒータは前面のみを加熱す
るので、ヒータによりウェハ表面は加熱されてウェハ表
面のガス除去は完全に行われたとしても、ウェハホルダ
はウェハの裏側にあるので、ウェハホルダはほとんど加
熱されず、ウェハホルダのガス除去は不完全となり、ス
パッタ室で高温加熱（例えば、ＡＩの埋め込みスパッタ
の場合、４５０°Ｃ程度に加熱される。）しながら成膜
するプロセスを施した場合、ウェハホルダから放出され
るガスによるスパッタ材料の汚染が生ずる。
そこで先に述べた課題を解決するために本発明は、スパ
ッタ装置において、ウェハホルダより放出されるガスに
よるスパッタ材料の汚染を防止するために、ロードロッ
ク室内または前処理室内で、ウェハと同時にウェハホル
ダを加熱するヒータを設けたウェハホルダのガス除去装
置、およびウェハホルダをヒータにより加熱することに
よるウェハホルダのガス除去方法を提案する。
ッタ装置において、ウェハホルダより放出されるガスに
よるスパッタ材料の汚染を防止するために、ロードロッ
ク室内または前処理室内で、ウェハと同時にウェハホル
ダを加熱するヒータを設けたウェハホルダのガス除去装
置、およびウェハホルダをヒータにより加熱することに
よるウェハホルダのガス除去方法を提案する。
［作用］
本発明によれば、スパッタ装置において、ロードロック
室内または前処理室内で、ウェハと同時にウェハホルダ
を加熱するヒータを設けたウェハホルダのガス除去装置
、およびウェハホルダをヒータにより加熱することによ
るウェハホルダのガス除去方法を採用することにより、
スパッタ室において、ウェハのみならずウェハホルダか
らのガスの放出を防止することが可能となり、スパッタ
材料の汚染を防止することができる。
室内または前処理室内で、ウェハと同時にウェハホルダ
を加熱するヒータを設けたウェハホルダのガス除去装置
、およびウェハホルダをヒータにより加熱することによ
るウェハホルダのガス除去方法を採用することにより、
スパッタ室において、ウェハのみならずウェハホルダか
らのガスの放出を防止することが可能となり、スパッタ
材料の汚染を防止することができる。
以下、本発明の一実施例のウェハホルダのガス除去装置
およびガス除去方法について図面を参照して説明する。
およびガス除去方法について図面を参照して説明する。
第１図および第２図は本発明の第一の実施例のウェハホ
ルダのガス除去装置の一部断面図で、第１図はガス除去
装置をロードロック室に設置した例、第２図はガス除去
装置を前処理室に設置した例である。
ルダのガス除去装置の一部断面図で、第１図はガス除去
装置をロードロック室に設置した例、第２図はガス除去
装置を前処理室に設置した例である。
第１図および第２図において１はウェハホルダ、２はウ
ェハで、ウェハ２はウェハホルダ１のチャッキングピン
３でウェハホルダ１に保持されている。４はフロントヒ
ータ、５はリアヒータで、フロントヒータ４、リアヒー
タ５ともにハロゲンランプなどのランプヒータが一般的
に使用されるが、ランプヒータ以外のヒータを使用する
ことも可能である。６はプリヒートの行われる加熱室で
、本発明の例では第１図ではロードロック室５ａ、第２
図では前処理室６ｂが使用される。
ェハで、ウェハ２はウェハホルダ１のチャッキングピン
３でウェハホルダ１に保持されている。４はフロントヒ
ータ、５はリアヒータで、フロントヒータ４、リアヒー
タ５ともにハロゲンランプなどのランプヒータが一般的
に使用されるが、ランプヒータ以外のヒータを使用する
ことも可能である。６はプリヒートの行われる加熱室で
、本発明の例では第１図ではロードロック室５ａ、第２
図では前処理室６ｂが使用される。
本発明の第一の実施例のウェハホルダのガス除去装置を
使用したガス除去方法について第１図および第２図によ
り説明する。
使用したガス除去方法について第１図および第２図によ
り説明する。
第１図は本発明の第一の実施例のガス除去装置をロード
ロック室６ａに設置した例で、フロントヒータ４は前扉
７ａに取りつけられている。まず、ロードロック室６ａ
は大気圧にされ、前扉７ａがフロントヒータ４とともに
開けられ処理すべきウェハ２をセットしたウェハホルダ
１がウェハホルダ１の保持用のアーム（図示せず）に装
着される。
ロック室６ａに設置した例で、フロントヒータ４は前扉
７ａに取りつけられている。まず、ロードロック室６ａ
は大気圧にされ、前扉７ａがフロントヒータ４とともに
開けられ処理すべきウェハ２をセットしたウェハホルダ
１がウェハホルダ１の保持用のアーム（図示せず）に装
着される。
ウェハホルダ１をアームに装着したら、前扉７ａを閉じ
てロードロック室６ａを真空ポンプ（図示せず）にて排
気する。そして所定の真空度に達したら、フロントヒー
タ４およびリアヒータ５に通電し、指定温度で指定時間
ウェハホルダｌおよびウェハ２を加熱し、ガス除去処理
を行う。ガス除去処理が終了したら、仕切り扉７ｂを開
き、ウェハホルダ１を移送機構（図示せず）により次工
程の前処理室６ｂあるいはスパッタ室に移送し、ウェハ
２は次工程における処理が行われる。
てロードロック室６ａを真空ポンプ（図示せず）にて排
気する。そして所定の真空度に達したら、フロントヒー
タ４およびリアヒータ５に通電し、指定温度で指定時間
ウェハホルダｌおよびウェハ２を加熱し、ガス除去処理
を行う。ガス除去処理が終了したら、仕切り扉７ｂを開
き、ウェハホルダ１を移送機構（図示せず）により次工
程の前処理室６ｂあるいはスパッタ室に移送し、ウェハ
２は次工程における処理が行われる。
第２図は本発明の第一の実施例のガス除去装置を前処理
室６ｂに設置した例である。まず、ロードロック室６ａ
は大気圧にされ、前扉７ａが開けられ処理すべきウェハ
２をセットしたウェハホルダ１がウェハホルダ１の保持
用のアーム（図示せず）うこ装着される。
室６ｂに設置した例である。まず、ロードロック室６ａ
は大気圧にされ、前扉７ａが開けられ処理すべきウェハ
２をセットしたウェハホルダ１がウェハホルダ１の保持
用のアーム（図示せず）うこ装着される。
ウェハホルダ１をアームに装着したら、前扉７ａを閉し
、仕切り扉７ｂを開けて、ウェハホルダ１を移送機構（
図示せず）により前処理室６ｂに移送する。そして仕切
り扉７ｂが閉しられ、前処理室６ｂを真空ポンプ（図示
せず）にて排気し、所定の真空度に達したら、フロント
ヒータ４およびリアヒータ５に通電し、指定温度で指定
時間ウェハホルダ１およびウェハ２を加熱し、ガス除去
処理を行う。
、仕切り扉７ｂを開けて、ウェハホルダ１を移送機構（
図示せず）により前処理室６ｂに移送する。そして仕切
り扉７ｂが閉しられ、前処理室６ｂを真空ポンプ（図示
せず）にて排気し、所定の真空度に達したら、フロント
ヒータ４およびリアヒータ５に通電し、指定温度で指定
時間ウェハホルダ１およびウェハ２を加熱し、ガス除去
処理を行う。
ガス除去処理が終了したら、仕切り扉７ｂを開き、ウェ
ハホルダ１を移送機構により次工程のスパッタ室に移送
し、ウェハ２のスパッタ処理が行われる。
ハホルダ１を移送機構により次工程のスパッタ室に移送
し、ウェハ２のスパッタ処理が行われる。
第３図本発明の第二の実施例のウェハホルダのガス除去
装置の斜視図である。
装置の斜視図である。
第３図において１はウェハホルダ、２はウエノ＼、３は
チャッキングピン、８はウェハホルダ１に埋め込まれた
ヒータ、９はウェハホルダを支えるアーム、１０はアー
ム９内に設けられた電源供給回路である。そして第３図
に示すようにウェハホルダ１は、アーム９に支えられた
状態でヒータ８が電源供給回路１０に接続され、電源供
給回路１０からヒータ８に電源が供給され、ウェハホル
ダ１が加熱される。
チャッキングピン、８はウェハホルダ１に埋め込まれた
ヒータ、９はウェハホルダを支えるアーム、１０はアー
ム９内に設けられた電源供給回路である。そして第３図
に示すようにウェハホルダ１は、アーム９に支えられた
状態でヒータ８が電源供給回路１０に接続され、電源供
給回路１０からヒータ８に電源が供給され、ウェハホル
ダ１が加熱される。
本発明の第二の実施例のウェハホルダのガス除去装置を
使用したガス除去方法について説明する。
使用したガス除去方法について説明する。
本発明の第二の実施例ではウェハホルダ１は内部のヒー
タ８により加熱されるので、ウェハ２のみを別のヒータ
により加熱してやればガス除去が行われる。そこで、先
に説明した第１図のロードロック室６ａあるいは第２図
の前処理室６ｂにおいて、フロントヒータ４のみを設置
し、ロードロック室６ａあるいは前処理室６ｂを所定の
真空度まで排気し、フロントヒータ４に通電する際に、
同時に電源供給回路１０に通電し、フロントヒータ４と
ヒータ８とを加熱することにより、ウェハホルダ１とウ
ェハ２が同時に加熱され、ウェハホルダ１とウェハ２の
ガス除去が行われる。
タ８により加熱されるので、ウェハ２のみを別のヒータ
により加熱してやればガス除去が行われる。そこで、先
に説明した第１図のロードロック室６ａあるいは第２図
の前処理室６ｂにおいて、フロントヒータ４のみを設置
し、ロードロック室６ａあるいは前処理室６ｂを所定の
真空度まで排気し、フロントヒータ４に通電する際に、
同時に電源供給回路１０に通電し、フロントヒータ４と
ヒータ８とを加熱することにより、ウェハホルダ１とウ
ェハ２が同時に加熱され、ウェハホルダ１とウェハ２の
ガス除去が行われる。
〔発明の効果］
本発明によれば、スパッタ装置において、ウェハホルダ
を加熱するヒータを設けたウェハホルダのガス除去装置
、およびウェハホルダをヒータにより加熱することによ
ろウェハホルダのガス除去方法を採用することにより、
ウェハのみならずウェハホルダからのガスを除去するこ
とが可能となり、スパッタ室においてスパック材料が汚
染されることなく、スパッタ時の特性不良、劣化などが
発生することなく、ウェハの品質を高く維持することが
できる。
を加熱するヒータを設けたウェハホルダのガス除去装置
、およびウェハホルダをヒータにより加熱することによ
ろウェハホルダのガス除去方法を採用することにより、
ウェハのみならずウェハホルダからのガスを除去するこ
とが可能となり、スパッタ室においてスパック材料が汚
染されることなく、スパッタ時の特性不良、劣化などが
発生することなく、ウェハの品質を高く維持することが
できる。
第１図は本発明のウェハホルダのガス除去装置の第一の
実施例をロードロック室に配置した一部断面図、第２図
は同じく本発明の第一の実施例を前処理室に配置した一
部断面図、第３図は本発明の第二の実施例の斜視図であ
る。 図において、 １・・・・・ウエハホルダ ２・・・・・ウェハ ３・・・・・チャンキングピン ４・ ・・・・フロントヒータ ５・・・ ・・リアヒータ ６・・・・・加熱室 ６ａ・・・・・ロードロック室 ６ｂ・・・・・前処理室 ７ａ・・・・・前扉 ７ｂ・・・・・仕切り扉 ８・・・ ・・ヒータ ９・・・・・アーム １０・・・・・電源供給回路 である。 置しＴこ一部断面図 一邪「ｎ匝図
実施例をロードロック室に配置した一部断面図、第２図
は同じく本発明の第一の実施例を前処理室に配置した一
部断面図、第３図は本発明の第二の実施例の斜視図であ
る。 図において、 １・・・・・ウエハホルダ ２・・・・・ウェハ ３・・・・・チャンキングピン ４・ ・・・・フロントヒータ ５・・・ ・・リアヒータ ６・・・・・加熱室 ６ａ・・・・・ロードロック室 ６ｂ・・・・・前処理室 ７ａ・・・・・前扉 ７ｂ・・・・・仕切り扉 ８・・・ ・・ヒータ ９・・・・・アーム １０・・・・・電源供給回路 である。 置しＴこ一部断面図 一邪「ｎ匝図
Claims (3)
- １． 半導体ウェハの枚葉式スパッタ成膜装置において
、 ロードロック室内またはロードロック室と スパッタ室間に設けられた前処理室内で、ウェハおよび
ウェハホルダの前後面を加熱可能な位置に複数のヒータ
を設置したことを特徴とするウェハホルダのガス除去装
置。 - ２． 半導体ウェハの枚葉式スパッタ成膜装置において
、 ウェハホルダ内にヒータを埋め込み、 前記ウェハホルダを支えるアーム内に、前 記ヒータと接続する電源供給回路を設け、 前記ロードロック室内または前処理室内で、前記電源供
給回路を通じて、前記ヒータに 電源を供給することを特徴とするウェハホルダのガス除
去装置。 - ３． 請求項１記載または請求項２記載のヒータにより
、ロードロック室内または前処理室内で、ウェハと同時
にウェハホルダを加熱することを特徴とするウェハホル
ダのガス除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23259490A JPH04116165A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | ウエハホルダのガス除去装置およびガス除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23259490A JPH04116165A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | ウエハホルダのガス除去装置およびガス除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04116165A true JPH04116165A (ja) | 1992-04-16 |
Family
ID=16941807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23259490A Pending JPH04116165A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | ウエハホルダのガス除去装置およびガス除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04116165A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07180054A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-18 | Toshiba Corp | 真空成膜装置 |
| JP2009228050A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 被成膜物の支持機構 |
-
1990
- 1990-09-04 JP JP23259490A patent/JPH04116165A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07180054A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-18 | Toshiba Corp | 真空成膜装置 |
| JP2009228050A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 被成膜物の支持機構 |
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