JPH0786247A - 減圧雰囲気内における被処理物の処理方法及び処理装置 - Google Patents

減圧雰囲気内における被処理物の処理方法及び処理装置

Info

Publication number
JPH0786247A
JPH0786247A JP23018693A JP23018693A JPH0786247A JP H0786247 A JPH0786247 A JP H0786247A JP 23018693 A JP23018693 A JP 23018693A JP 23018693 A JP23018693 A JP 23018693A JP H0786247 A JPH0786247 A JP H0786247A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
processed
pressure
wafer
atmosphere
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP23018693A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoichi Ito
陽一 伊藤
Manabu Edamura
学 枝村
Naoyuki Tamura
直行 田村
Hiroyuki Shichida
弘之 七田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP23018693A priority Critical patent/JPH0786247A/ja
Priority to DE69405499T priority patent/DE69405499T2/de
Priority to EP94108878A priority patent/EP0644577B1/en
Priority to KR1019940012930A priority patent/KR950009957A/ko
Publication of JPH0786247A publication Critical patent/JPH0786247A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】ウエハ温度制御を容易にでき、しかも電極構造
を簡素化できるプラズマ処理方法を提供する。 【構成】ウエハ１のエッチング処理に際して、先ずエッ
チング処理室６内にプロセスガス１１もしくは熱伝導性
のガスを導入しながら真空排気して圧力を例えば約１０
Ｔｏｒｒに調整する。この雰囲気中でウエハ１の静電吸
着電極２１上への載置、静電吸着を行い、静電吸着電極
２１上の溝２８、２９からウエハ押し上げピン２６と孔
２７のすきまに至る空間（リザーバー）に約１０Ｔｏｒ
ｒのプロセスガス１１を封じ込める。その後、エッチン
グ処理室６内をエッチング処理圧力に調整し、エッチン
グ処理を行う。リザーバーに封じ込められたプロセスガ
ス１１は、ウエハの冷却に寄与する。そして、処理が終
了するとリザーバーのプロセスガス１１を、真空ポンプ
３６により排気し、静電吸着電極２１からウエハ１を解
放する。 【効果】ウエハ温度制御を容易にでき、しかも電極構造
を簡素化できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、減圧雰囲気において、
プラズマ等によりウエハ等の被処理物を処理する処理方
法において、被処理物の温度制御が容易にでき、しかも
電極構造の簡素化を図るのに好適な減圧雰囲気における
被処理物の処理方法及び処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】減圧雰囲気において、プラズマ等により
ウエハ等の被処理物を処理する処理方法に関し、第１の
従来技術としては特公昭５６−５３８５３、特公昭５７
−４４７４７記載のように、ウエハを試料台上に静電吸
着してプラズマにより処理することが提案されている。
また、第２の従来技術としては特公平２−２７７７８、
特開平２−３０１２８記載のようにウエハを試料台上に
クランプにより機械的に支持した状態でウエハ裏面にＨ
ｅガスを導入して、ガスの熱伝導、自由対流、強制対流
を利用してウエハを冷却しながら処理することが提案さ
れている。
【０００３】さらに、第３の従来技術として特開昭５８
−３２４１０、特開昭６０−１１５２２６記載のように
ウエハを試料台上に静電吸着した後、ウエハ裏面にＨｅ
ガスを導入してガスの熱伝導、自由対流、強制対流を利
用してウエハを冷却しながら処理することが提案されて
いる。
【０００４】また、第４の従来技術として、特開昭６３
−３００５１７記載のようにエッチングされるウエハの
直径より大きな直径を有する静電吸着電極を使用するこ
とが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術をウエハ
を連続して処理するエッチング処理に適用することを想
定すると次のような解決すべき課題がある。まず、第１
の従来技術ではウエハと試料台間の伝熱が固体と固体の
接触のみであるために処理中のウエハを十分に冷却する
ことが困難である。
【０００６】また、第２の従来技術は第１の従来技術に
比べてウエハの冷却特性は優れているが新たな問題とし
てウエハの外周をクランプにより機械的に支持するため
にチッピングによる異物やクランプへのデポ物の付着に
よって異物を生じ易く、低塵埃化の点で問題がある。
【０００７】第３の従来技術は第２の従来技術に比べて
低塵埃化を図ることができる。しかしながら、第２、第
３の従来技術のようにウエハ裏面に冷却ガスを導入しな
がらプラズマにより処理する方法では処理中のウエハ温
度を制御するために冷却ガスの導入流量と排気量を交互
に微調整して裏面圧力を制御する必要があり、制御が複
雑であった。また、試料台に冷却ガスを導入する手段を
設ける必要があり、構造が複雑になっていた。
【０００８】また、第１，第３の従来技術では、ウエハ
の静電吸着電極に吸着されていない外周部分が真空断熱
状態となって冷却されないために外周部での温度上昇が
中央に比べて大きくなりウエハ内の温度分布が不均一に
なるという問題がある。この傾向は、ウエハへの入熱量
の増加、ウエハの大口径化によりますます顕著になる。
【０００９】次に、第４の従来技術では、ウエハの直径
に対して静電吸着電極の直径の方が大きいためにウエハ
を吸着していない部分の絶縁膜がプラズマによりエッチ
ングされて削られ、絶縁膜の寿命が短くなるとともに安
定した吸着力が得られなくなるという問題がある。
【００１０】本発明の第一の目的は、被処理物の温度制
御を容易にでき、しかも電極構造を簡素化できる、減圧
雰囲気における被処理物の処理方法及び処理装置を提供
することにある。
【００１１】本発明の第二の目的は、プラズマ等により
冷却、加熱処理される被処理物の面内の温度分布の均一
化を図るのに好適な、被処理物の静電吸着装置を提供す
ることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記第一の目的を達成す
るために、処理系（予備室又は処理室）にガスを導入し
てエッチング等の処理圧力より高い圧力に制御された雰
囲気中で被処理物を試料台上に載置した後、静電吸着し
て試料台上に固定する。その後、処理室の圧力を処理圧
力に制御し、被処理物の処理を行う。上記ガスは、プロ
セスガスであってもよく、あるいはＨｅのような熱伝導
性のガスであってもよい。
【００１３】上記第二の目的を達成するために、ウエハ
と静電吸着電極間の熱通過率に分布を与える。分布を与
える手段としては、ウエハと静電吸着電極間のすきまを
変化させてウエハ吸着部と非吸着部を交互に配置するこ
と、絶縁膜の表面粗さを交互に変化させること、絶縁膜
の膜種を交互に変化させること等が考えられる。
【００１４】
【作用】処理圧力より高い圧力に制御された雰囲気中で
ウエハ等の被処理物を静電吸着することにより、被処理
物と試料台の間の空間にも処理圧力より高い圧力のガス
が封じ込められる。その後、処理室を処理圧力に制御
し、被処理物を処理する。この間に、被処理物と試料台
の間に封じ込められたガスは被処理物と試料台間の表面
粗さによる隙間から処理室に洩れるためにガスの圧力は
次第に低下する。しかし、封じ込めの圧力、静電吸着力
を調整することにより、処理中の被処理物を冷却もしく
は加熱するのに十分な熱通過率を有するガス圧に維持す
ることが可能である。
【００１５】次に、ウエハと静電吸着電極間のすきまを
変化してウエハ吸着部と非吸着部を交互に配置した場合
について説明する。ウエハ、電極間の熱通過率はウエハ
吸着部で高く、ウエハ非吸着部で低くなる。従って、ウ
エハ温度は吸着部中央で最低、ウエハ非吸着部中央で最
高となり、ウエハ面内の温度分布はウエハ吸着部中央と
非吸着部中央の温度差となるので、従来のように外周部
が中央に比べて一方的に温度上昇して不均一になること
を防止でき、温度分布の均一化を図ることができる。ま
た、熱通過率は静電吸着力に依存するので絶縁膜の表面
粗さ、絶縁膜の膜種を交互に変化して実施しても同様の
効果が得られる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の第１の実施例を適用した有磁
場マイクロ波エッチング装置の構成を図１から図４によ
り説明する。まず、ウエハ１の搬送について図１により
説明する。ウエハ１は、直進ア−ム２によりロ−ドカセ
ット３から取り出されロ−ドロック室４に搬入される。
そして、ロ−ドロック室４内に搬入されたウエハ１は真
空雰囲気であるバッファ室５内をエッチング処理室６に
向かって、旋回ア−ム７により搬送され、エッチング処
理室６に搬入される。そして、後述する方法によりエッ
チング処理され、バッファ室５、アンロ−ドロック室８
を介して大気中に取り出されアンロ−ドカセット９内に
収納される。
【００１７】次に、エッチング処理室６の構成を図２に
より説明する。ウエハ１のエッチング処理は放電管１０
内に所定の流量導入したプロセスガス１１をマイクロ波
１２とソレノイド１３による磁場の相互作用によりプラ
ズマ１４化し、さらに下部電極１５に高周波電源１６に
より高周波を印加してウエハ１に入射するイオンのエネ
ルギ−を制御しながら行なっており、下部電極１５はサ
−キュレ−タ１７により冷媒１８を循環することにより
温調されている。
【００１８】また、下部電極１５上にはＡｌ製の電極１
９にＡｌ2Ｏ3を減圧した雰囲気中で溶射して絶縁膜２０
を形成して構成した静電吸着電極２１が固定してあり、
さらに下部電極１５にはロ−パスフィルタ２２を介して
スイッチ２３と直流電源２４が接続してある。エッチン
グ処理中のウエハ１の支持は、下部電極１５を上昇して
ウエハ押え２５によりウエハ１外周を支持し、その後前
述した方法によりプラズマ１４を生成し、スイッチ２３
をＯＮして絶縁膜２０の両端に直流電圧を印加すること
により生じる静電吸着力により行う。
【００１９】次に、下部電極１５、静電吸着電極２１の
構成について図３から図４により説明する。下部電極１
５、静電吸着電極２１には、ウエハ１載置面の中央部に
ウエハ１を搬送するために静電吸着電極２１からウエハ
１を持ち上げるウエハ押し上げピン２６の挿入される孔
２７が、板厚方向に形成されている。
【００２０】また、静電吸着電極２１のウエハ１載置面
には孔２７から放射状に延びる複数の溝２８とこの溝２
８を互いに連結する環状の溝２９が形成されている。こ
れらの溝２８、２９は、深さが０．０５から０．１ｍ
ｍ、巾が０．５から１ｍｍで超音波加工により加工され
ている。また、ウエハ押し上げピン２６は、一端をスラ
イド軸受３０により支持され、他端をＯリング３１によ
りシ−ルされており、スライド軸受３０の外周には複数
のすきま（連通通路）３２が設けてある。よって、静電
吸着電極２１上にウエハ１が無い時は、静電吸着電極２
１上の溝２８、２９からウエハ押し上げピン２６と孔２
７のすきまに至る空間（リザーバー）はエッチング処理
室６と連通状態となる。また、下部電極１５にはウエハ
押し上げピン２６と孔２７のすきままで貫通する排気孔
３３が設けてあり、バルブ３４を開くことによりバルブ
３５を介してエッチング処理室６を排気する真空ポンプ
３６により排気できるようにしてある。
【００２１】次に、本発明の第１の実施例のエッチング
処理のシーケンスを図５により説明する。まず、エッチ
ング処理室６内にプロセスガス１１を所定の流量で導入
しながら真空排気することにより、圧力を例えば約１０
Ｔｏｒｒ以上に調節する。これにより、エッチング処理
室６と連通状態にある静電吸着電極２１上の溝２８、２
９からウエハ押し上げピン２６と孔２７のすきまに至る
空間（リザーバー）の圧力も約１０Ｔｏｒｒ以上とな
る。
【００２２】一般に、ガスの圧力と熱通過率の間には、
図６に示すような関係が有り、約１０Ｔｏｒｒ以上では
熱通過率が圧力に依存せず、一定となる。一方、処理圧
力は、エッチングやＣＶＤの場合約０．０１Ｔｏｒｒ、
スパッタが約０．１Ｔｏｒｒ以下である。イオン注入の
場合、１／１０5〜１／１０7Ｔｏｒｒ、ＭＢＥで １／
１０10Ｔｏｒｒ程度である。従って、処理圧力よりも高
い圧力、すなわち０．１Ｔｏｒｒよりも高い、望ましく
は約１０Ｔｏｒｒ以上の圧力にすれば、安定した高い熱
通過率が得られる。
【００２３】このような処理圧力よりも高いガス圧力の
状態で、ウエハ１を旋回ア−ム７によりエッチング処理
室６に搬送し、ウエハ押し上げピン２６を上昇させてウ
エハ１を持ち上げた後、旋回ア−ム７をロ−ドロック室
４側に旋回し、再びウエハ押し上げピン２６を下降す
る。これによりウエハ１は静電吸着電極２１上に載置さ
れる。
【００２４】そして、下部電極１５を上昇してウエハ１
外周をウエハ押え２５により支持した状態で、マイクロ
波１２、ソレノイド１３をＯＮしてプラズマ１４を生成
した後、スイッチ２３をＯＮしてウエハ１を静電吸着電
極２１上に静電吸着する。こうすることにより、リザー
バーすなわち、静電吸着電極２１上の溝２８、２９から
ウエハ押し上げピン２６と孔２７のすきまに至る空間
に、ガス圧約１０Ｔｏｒｒ以上のプロセスガス１１が封
じ込められ、ウエハ１裏面の圧力は約１０Ｔｏｒｒ以上
となる。
【００２５】次に、一旦、マイクロ波１２、ソレノイド
１３をＯＦＦしてプラズマ１４を消滅、スイッチ２３を
ＯＦＦして静電吸着を解放した後、エッチング処理室６
内からのプロセスガス１１の排気量を増加させ、当初の
圧力よりは低い圧力であるエッチング処理圧力に調節す
る。この間、ウエハ１は残留吸着力により支持され、リ
ザーバーすなわち、静電吸着電極２１上の溝２８、２９
からウエハ押し上げピン２６と孔２７のすきまに至る空
間、に存在するプロセスガス１１は、エッチング処理室
６内の圧力低下によりウエハ１外周部裏面と静電吸着電
極２１の外周部表面の表面粗さ程度のすきまからエッチ
ング処理室６に漏出し、この漏出分を除いたプロセスガ
ス１１が封じ込められた状態となる。
【００２６】次に、マイクロ波１２、ソレノイド１３を
再びＯＮしてプラズマ１４を生成して、スイッチ２３を
ＯＮすることにより、ウエハ１に静電吸着力が付与され
てこの状態下で処理される。ウエハ１のエッチング処理
中、リザーバーすなわち静電吸着電極２１上の溝２８、
２９からウエハ押し上げピン２６と孔２７のすきまに至
る空間のプロセスガス１１は、エッチング処理室６内の
圧力との差圧により漏出し、圧力は次第に低下するがエ
ッチング処理中のウエハ１の温度を所定の温度に維持す
るのに必要な圧力以上に維持される。
【００２７】その後、エッチング処理が終了するとバル
ブ３４を開いて真空ポンプ３６により、リザーバーすな
わち静電吸着電極２１上の溝２８、２９からウエハ押し
上げピン２６と孔２７のすきまに至る空間のプロセスガ
ス１１を排気する。その後、マイクロ波１２、ソレノイ
ド１３をＯＦＦしてプラズマ１４を消滅し、スイッチ２
３をＯＦＦしてウエハ１の静電吸着を解放する。そし
て、下部電極１５を下降してウエハ押え２５によるウエ
ハ１の支持を解放する。
【００２８】次に、本エッチング方法についてエッチン
グ処理中のウエハ１の温度変化について実験により検討
を行った結果を表１に示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】この結果より、ウエハ１のそり量（凸状）
が約５μｍと小さい場合では、静電吸着電極２１への印
加電圧が−３００Ｖ以上でエッチング処理中のウエハ１
の温度変化は約１℃以内であリ、良好な結果が得られ
た。また、ウエハ１のそり量（凸状）が約３０μｍとさ
らに大きい場合では、印加電圧−３００Ｖでエッチング
処理中のウエハ１の温度変化が約２．７℃と大きくなっ
た。しかしこの場合でも、印加電圧を−６００Ｖに高く
して、吸着力を増加することにより、温度変化を１℃以
内に低減でき、同様に良好な結果が得られた。なお、こ
のときのウエハ１への入熱量は約１２０Ｗ／６インチで
あった。
【００３１】また、ウエハ１の処理温度は初期の静電吸
着時のウエハ１裏面の圧力を変化して、エッチング処理
開始時のウエハ１裏面圧力を変化することにより設定で
きる。ウエハ１の温度の再現性は、排気孔３３とバルブ
３４の間に圧力計を設け、エッチング開始時の圧力を一
定値に制御することにより簡単に得られた。
【００３２】また、リザーバーすなわち、静電吸着電極
２１上の溝２８、２９からウエハ押し上げピン２６と孔
２７のすきまに至る空間、へ封じ込めるガスとしてプロ
セスガス１１の他にＨｅガスも使用可能である。この場
合、当初エッチング処理室６内にＨｅガスが導入され
る。そして、静電吸着が完了した時点でＨｅガスに替え
てプロセスガス１１をエッチング処理室６内に導入し、
エッチング処理圧力に制御した後、同様にエッチング処
理を行う。
【００３３】次に、本発明の第２の実施例を適用した有
磁場マイクロ波エッチング装置の構成及びエッチング方
法を図７、図８により説明する。第１の実施例と構成で
異なるところは、接地とフロ−ティング状態をスイッチ
３７により切り替え可能な、ウエハ１を静電吸着電極２
１上に載置した際にウエハ１裏面に接触する電極３８を
下部電極１５に設けたところである。ウエハ１の静電吸
着はスイッチ３７をＯＮして電極３８を接地した状態で
スイッチ２３をＯＮすることにより行い、エッチング処
理が開始されるとスイッチ３７をＯＦＦして電極３８を
フロ−ティング状態にする。このようにすることによ
り、図８に示すように、エッチング処理開始前にエッチ
ング処理室６内の圧力を処理圧力に制御する際に、ウエ
ハ１の静電吸着を解放することがなくなり、ウエハ裏面
圧力の低下を第１の実施例に比べてさらに少なくするこ
とができる。
【００３４】次に、本発明の第３の実施例を適用した有
磁場マイクロ波エッチング装置の構成及びエッチング方
法を図９、図１０により説明する。第１、第２の実施例
と構成で異なるところは、エッチング電極３９の表面の
外周部にＯリング４０を設け、エッチング電極３９にウ
エハ１を載置した後、下部電極１５を上昇させて、ウエ
ハ押え２５によりエッチング処理中のウエハ１の支持を
行うようにしたところである。このようにすることによ
り、図１０のシーケンスに示すように、ウエハ１をウエ
ハ押え２５により支持した後エッチング処理室６内の圧
力を処理圧力に制御することにより、上記実施例同様に
ウエハ１のエッチング処理を行うことができる。
【００３５】次に、本発明を適用した他のエッチング装
置の例として、平行平板形のＲＩＥ装置に適用した第４
の実施例を図１１に示す。有磁場マイクロ波エッチング
装置と異なるところは、マイクロ波１２とソレノイド１
３の磁場の相互作用によりプラズマ１４を生成する変わ
りに、下部電極１５に対向する接地された上部電極４１
を設けて、この電極間に高周波電源１６により高周波を
印加してプラズマ１４を生成するようにしたところであ
る。
【００３６】従って、前述した第１、第２、第３の実施
例とはプラズマ１４の生成方法が異なるだけであり、下
部電極１５を上記各実施例と同様に構成することにより
同様なエッチング処理を行うことができる。
【００３７】次に、本発明をスパッタ装置に適用した構
成を第５の実施例として図１２に示す。スパッタ装置
は、上部電極４１に成膜用タ−ゲット４２を、またウエ
ハ１を加熱するためのヒ−タ４３を設けた下部電極１５
上にウエハ１を配置し、上部電極４１と下部電極１５間
に高周波電源１６により高周波を印加してプラズマ１４
を生成した後シャッタ４４を開いてウエハ１表面にタ−
ゲット４２を成膜する装置である。従って、エッチング
装置と異なるところは、処理圧力がさらに低圧であるこ
ととウエハ１を加熱しながら処理するところであり、下
部電極１５を前述したような第１、第２、第３の実施例
のように構成することにより同様にスパッタ処理を行う
ことができる。
【００３８】なお、処理ガスの一部を保持するリザーバ
ーは、前記実施例で述べたような構成に限定されるもの
ではない。例えば所定の容積を有し、静電吸着電極の表
面すなわちウエハとの熱交換面に開口する凹部を、静電
吸着電極２１に別途設けてもよい。
【００３９】次に、本発明を複数の処理室を有した処理
装置に適用した他の構成例を第６の実施例として図１
３、図１４に示す。図１４は図１３のＡ−Ａ断面図であ
る。処理装置として、例えば、スパッタ装置に適用した
場合について説明する。
【００４０】スパッタ装置は、ウエハ取入取出室４５、
ロ−ディング室４６の両予備室と、第２処理ステ−ショ
ン４７、第３処理ステ−ション４８、第４処理ステ−シ
ョン４９、第５処理ステ−ション５０の各処理室を有す
る。また、両予備室すなわちウエハ取入取出室４５、ロ
−ディング室４６間のウエハ１の搬送を行う搬送装置５
１を有する。また、エアシリンダ５２により円錐カム５
３を上昇下降することにより、ロ−ディング室４６と各
処理室（第２処理ステ−ション４７から第５処理ステ−
ション５０）に向かって前進後退する５組のウエハホル
ダ５４（第２処理ステ−ション４７、第３処理ステ−シ
ョン４８、第５処理ステ−ション５０のウエハホルダ５
４は図示省略）を有する。また、ウエハホルダ５４を１
処理ステ−ションピッチで回転するためにモ−タ５５、
ギヤ５６、チェ−ン５７により駆動されるドラム５８、
ロ−ディング室４６内で搬送装置５１からウエハホルダ
５４間のウエハ１の受け渡しを行うウエハチャック装置
（図示省略）の各ウエハ搬送手段を有する。さらに、ウ
エハ取入取出室４５を排気するための真空ポンプ５９大
気開放するためのリ−クバルブ６０とロ−ディング室４
６、第２処理ステ−ション４７から第５処理ステ−ショ
ン５０の各処理室を排気するための真空ポンプ６１、大
気開放またはＡｒガス等のプロセスガス６２を導入する
ためのバルブ６３を有する。
【００４１】処理されるウエハ１は、リ−クバルブ６０
を開いて大気開放されたウエハ取入取出室４５にゲ−ト
バルブ６４を開いて搬入され、ウエハ取入取出室４５が
真空ポンプ５９によりロ−ディング室４６と同程度の圧
力まで真空排気されるとゲ−トバルブ６５を開いて搬送
装置５１により、ロ−ディング室４６に搬入される。
【００４２】そして、ロ−ディング室４６においてウエ
ハチャック装置からウエハホルダ５４に受け渡されたウ
エハ１は、ドラム５８を回転して第２処理ステ−ション
４７から第５処理ステ−ション５０の間で所定の処理が
行われる。その後、処理済みのウエハ１は前述と逆の手
順により、ロ−ディング室４６を経てウエハ取入取出室
４５に搬送され、ウエハ取入取出室４５から搬出され
る。
【００４３】なお、第２処理ステ−ション４７から第５
処理ステ−ション５０では、ウエハ１の表面に吸着した
汚染ガスを除去するウエハベ−ク処理、スパッタ前のウ
エハ１表面の酸化物層を除去するスパッタエッチ処理、
あるいは薄膜を形成するスパッタ処理を任意に組合せて
処理を行うが、標準的には第２処理ステ−ション４７で
ウエハベ−ク処理、第３処理ステ−ション４８でスパッ
タエッチ処理、第４処理ステ−ション４９、第５処理ス
テ−ション５０でスパッタ処理を行う。その場合、各ス
テ−ションの処理ユニット６６は、第２処理ステ−ショ
ン４７はウエハベ−クユニット、第３処理ステ−ション
４８はスッパタエッチングユニット、第４処理ステ−シ
ョン４９、第５処理ステ−ション５０はスパッタ処理ユ
ニットである。
【００４４】この実施例では、ウエハホルダ５４を例え
ば本発明の第２の実施例に示したような静電吸着方式に
よりウエハ１を支持する構造とし、予備室すなわちロ−
ディング室４６において同様の手順でウエハ１裏面にＡ
ｒガス等のプロセスガス６２またはＨｅガスを封じ込め
る。その後、処理室においてウエハベ−ク処理、スパッ
タエッチ処理、スパッタ処理を順次行うことにより、ウ
エハ１の処理温度を制御することが可能である。
【００４５】以上説明したように、本発明は減圧雰囲気
内でウエハ等の試料を冷却あるいは加熱しながらプラズ
マ等により処理する処理装置における、被処理物の温度
制御に広く適用することができる。例えば、プラズマを
利用して被処理物を処理する例としては、プラズマエッ
チング、プラズマＣＶＤ、スパッタ等が挙げられる。ま
た、プラズマを利用しないで被処理物を処理する例とし
ては、イオン注入、ＭＢＥ、蒸着、減圧ＣＶＤ等が挙げ
られる。
【００４６】また、試料を冷却する場合としては、エッ
チング、イオン注入、スパッタ等が挙げられる。また、
加熱する場合としては、ＣＶＤ、スパッタ、ＭＢＥ、蒸
着等が挙げられる。
【００４７】次に、本発明の第７の実施例を適用した静
電吸着電極の構成を図１５、図１６により説明する。エ
ッチング処理されるウエハ１００は、静電吸着電極１２
０のオリフラ１３０とウエハ１００のオリフラ１４０が
一致するようにあらかじめオリフラ合わせを行う。その
後、エッチング処理室のＡｌ製電極１５０表面にＡｌ2
Ｏ3を減圧した雰囲気中で溶射して形成した絶縁膜１６
０から構成された静電吸着電極１２０上に、搬送装置に
より載置される。その後、ウエハ１００のエッチング処
理は放電管内に導入したプロセスガスをマイクロ波とソ
レノイドの相互作用によりプラズマ化し、さらに静電吸
着電極１２０を固定している下部電極に高周波電源によ
り高周波を印加してウエハ１００に入射するイオンのエ
ネルギ−を制御しながら行われる。
【００４８】そして、ウエハ１００のエッチング処理が
終了するとウエハ１００は押し上げピンを上昇すること
により静電吸着電極１２０から取り外された後、搬送装
置）に渡され他の場所に搬送される。
【００４９】静電吸着電極１２０はウエハ１００と同一
形状でオリフラ１３０を有する形状となっている。また
表面にはウエハ１００と接触するリング状のウエハ吸着
部１２２と絶縁膜１６０を溶射した後、超音波加工によ
り形成された深さ約１００μｍのくぼみであるリング状
のウエハ非吸着部１２３が交互に配置されている。ま
た、Ｈｅガスを貯める１リザーバー１２４が静電吸着電
極１２０の上表面に開口するようにして、設けてある。
また、リザーバー１２４に封じ込められたＨｅガスが周
辺に向かって流れるための深さ約１００μｍの溝１２５
が同様に超音波加工により形成されている。なお、押し
上げピン用の孔１２６は図示していないがＨｅガスが洩
れないようにシールされている。
【００５０】次に、ウエハ吸着部１２２とウエハ非吸着
部１２３におけるウエハ１００と静電吸着電極１２０間
の熱通過率を計算により求めた結果を図１７に示す。熱
通過率はウエハ吸着部１２２とウエハ非吸着部１２３と
もに裏面圧力の増加とともに大きくなるが、ウエハ吸着
部１２２の方がウエハ非吸着部１２３より大きく、裏面
圧力約４Ｔｏｒｒでそれぞれ約６００Ｗ／m2Ｋ、約２０
０Ｗ／m2Ｋである。
【００５１】次に、この結果を基にしてエッチング処理
中のウエハ１００内の温度分布を従来技術と本発明につ
いて計算した結果を第５図に示す。計算はウエハのサイ
ズを８インチ、ウエハへの入熱量を２００Ｗ、ウエハ吸
着部１２２の熱通過率を６００Ｗ／m2Ｋ、ウエハ非吸着
部１２３の熱通過率を２００Ｗ／m2Ｋ、ウエハ外周部の
吸着されていない部分の熱通過率を０Ｗ／m2Ｋの条件で
行った。
【００５２】従来技術では、ウエハの外周から中心に向
かって温度上昇は小さくなっており約±２．５℃の温度
分布を生じるのに対して本発明ではウエハの温度は全体
的に高くなるが、温度上昇が交互に増加、減少しており
約±０．７５℃の温度分布に低減できることが明らかに
なった。
【００５３】以上説明したようにウエハ１００と静電吸
着電極１２０間の熱通過率の高い部分と低い部分を交互
に変化して、ウエハ１００内の温度分布の均一化を図る
ことができる。なお、絶縁膜１６０の表面粗さを大小に
交互に変化すること、あるいは絶縁膜１６０の膜種を交
互に変化することにより静電吸着力を変化しても同様の
効果が得られる。また、実施例は、リザーバー１２４に
Ｈｅガスを封じ込める例で説明したが、他の種類のガス
を封じ込めても同様な効果がある。
【００５４】
【発明の効果】本発明によれば、減圧雰囲気内における
被処理物の処理方法において、被処理物の温度制御を容
易に行うことができ、しかも電極構造を簡素化できる。
【００５５】また、本発明によれば減圧雰囲気において
処理される被処理物の温度分布の均一化を図ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を適用したエッチング装
置の構成を示した図。
【図２】第１の実施例を適用したエッチング処理室の構
成を示した図。
【図３】第１の実施例の下部電極、静電吸着電極の構成
を示した図。
【図４】第１の実施例の下部電極、静電吸着電極の構成
を示した図。
【図５】第１の実施例のエッチング処理方法を説明する
図。
【図６】ガスの圧力と熱通過率の関係を示す図。
【図７】本発明の第２の実施例を適用したエッチング処
理室の構成を示した図。
【図８】第２の実施例のエッチング処理方法を説明する
図。
【図９】本発明の第３の実施例を適用したエッチング処
理室の構成を示した図。
【図１０】第３の実施例のエッチング処理方法を説明す
る図。
【図１１】本発明の第４の実施例を適用した他のエッチ
ング装置の構成を示した図。
【図１２】本発明の第５の実施例を適用したスパッタ装
置の構成を示した図。
【図１３】本発明の第６の実施例を適用したスパッタ装
置の構成を示した図。
【図１４】図１３のＡ−Ａ断面図。
【図１５】本発明の第７の実施例を適用した静電吸着電
極の平面図。
【図１６】図１５の実施例の静電吸着電極の側面図。
【図１７】図１５の実施例の熱通過率の計算結果を示し
た図。
【図１８】図１５の実施例のウエハ内の温度分布の計算
結果を示した図。
【符号の説明】
１…ウエハ、６…エッチング処理室、１１…プロセスガ
ス、１５…下部電極、１６…高周波電源、２０…絶縁
膜、２１…静電吸着電極、２２…ローパスフィルタ、２
３…スイッチ、２４…直流電源、２５…ウエハ押え、２
６…ウエハ押し上げピン、２７…孔、２８，２９…溝、
３０…スライド軸受、３１…Ｏリング、３３…排気孔、
３４…バルブ、３６…真空ポンプ、３７…スイッチ、３
８…電極、３９…エッチング電極、４０…Ｏリング、４
１…上部電極、４２…ターゲット、４３…ヒータ、４６
…ローディング室、４７…第２処理ステーション、４８
…第３処理ステーション、４９…第４処理ステーショ
ン、５０…第５処理ステーション、５４…ウエハホル
ダ、１００…ウエハ、１２０…静電吸着電極、１２２…
ウエハ吸着部、１２３…ウエハ非吸着部、１２４…リザ
ーバー、１２５…溝、１６０…絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 七田 弘之 山口県下松市東豊井794番地株式会社日立 製作所笠戸工場内

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】減圧雰囲気内で被処理物を処理する処理方
    法において、処理圧力より高い圧力のガス雰囲気の処理
    系内で試料台上に被処理物を載置した後、前記試料台上
    に前記被処理物を静電吸着する工程と、処理室内を所定
    の処理圧力に制御する工程と、前記処理室内において前
    記処理圧力で前記被処理物を処理する工程からなること
    を特徴とする減圧雰囲気内における被処理物の処理方
    法。
  2. 【請求項２】減圧雰囲気内で被処理物を処理する処理方
    法において、処理圧力より高い圧力のガス雰囲気の処理
    室内で試料台上に被処理物を載置した後、前記試料台上
    に前記被処理物を静電吸着する工程と、前記処理室内を
    所定の処理圧力に制御する工程と、前記処理室内におい
    て前記処理圧力で前記被処理物を処理する工程からなる
    ことを特徴とする減圧雰囲気内における被処理物の処理
    方法。
  3. 【請求項３】減圧雰囲気内で被処理物を処理する処理方
    法において、処理圧力より高い圧力のガス雰囲気の予備
    室内で試料台上に被処理物を載置した後、前記試料台上
    に前記被処理物を静電吸着する工程と、処理室内を所定
    の処理圧力に制御する工程と、前記処理室内において前
    記処理圧力で前記被処理物を処理する工程からなること
    を特徴とする減圧雰囲気内における被処理物の処理方
    法。
  4. 【請求項４】減圧雰囲気内で被処理物を処理する処理方
    法において、処理圧力より高い圧力のガス雰囲気の処理
    系内でリザーバーを有する試料台上に被処理物を載置し
    た後、前記試料台上に前記被処理物を静電吸着する工程
    と、処理室内を所定の処理圧力に制御する工程と、前記
    処理室内において前記処理圧力で前記被処理物を処理す
    ると共に、前記リザーバーに封じ込められた前記ガスを
    用いて前記試料と前記試料台の間で熱を移動させる工程
    からなることを特徴とする減圧雰囲気内における被処理
    物の処理方法。
  5. 【請求項５】前記被処理物を処理する処理方法が、プラ
    ズマにより被処理物を処理するプラズマ処理方法である
    ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記
    載の減圧雰囲気内における被処理物の処理方法。
  6. 【請求項６】前記被処理物を処理する処理方法が、イオ
    ン注入により被処理物を処理するイオン注入処理方法で
    あることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項
    に記載の減圧雰囲気内における被処理物の処理方法。
  7. 【請求項７】前記被処理物を処理する処理方法が、分子
    線エピタキシーにより被処理物を処理する方法であるこ
    とを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載
    の減圧雰囲気内における被処理物の処理方法。
  8. 【請求項８】前記リザーバーに封じ込められた前記ガス
    を用いた前記試料と前記試料台間の熱の移動が、プラズ
    マ処理により被処理物に発生する熱を前記試料台に伝え
    るものであることを特徴とする請求項４に記載の減圧雰
    囲気内における被処理物の処理方法。
  9. 【請求項９】前記試料台は、表面に溝を有する静電吸着
    電極と、試料押し上げピン用の孔を備え、該静電吸着電
    極上の溝から試料押し上げピンと孔のすきまに至る空間
    と前記ウエハの間に、前記処理圧力より高い圧力のガス
    を封じ込めることを特徴とする請求項１ないし４のいず
    れか１項に記載の減圧雰囲気内における被処理物の処理
    方法。
  10. 【請求項１０】前記処理圧力より高い圧力は、１０Ｔｏ
    ｒｒ以上の圧力であることを特徴とする請求項１ないし
    ４のいずれか１項に記載の減圧雰囲気内における被処理
    物の処理方法。
  11. 【請求項１１】プラズマにより試料を処理するプラズマ
    処理方法において、処理圧力より高い圧力のガス雰囲気
    の処理系内でリザーバーを有する試料台上に試料を載置
    する工程と、前記試料台上に前記試料を静電吸着するこ
    とにより前記リザーバー内に前記ガスを封じ込める工程
    と、処理室内を所定の処理圧力に制御する工程と、前記
    処理室内において前記処理圧力で前記試料をプラズマ処
    理すると共に、前記リザーバーに封じ込められた前記ガ
    スを用いて前記試料と前記試料台の間で熱を移動させる
    工程からなることを特徴とするプラズマ処理方法。
  12. 【請求項１２】減圧雰囲気内で被処理物を処理する処理
    装置において、処理圧力より高い圧力のガス雰囲気の処
    理系内で試料台上に被処理物を載置する手段と、前記試
    料台上に前記被処理物を静電吸着する手段と、処理室内
    を所定の処理圧力に制御する手段と、前記処理室内にお
    いて前記処理圧力で前記被処理物を処理する手段とを備
    えたことを特徴とする減圧雰囲気内処理装置。
  13. 【請求項１３】減圧雰囲気内で被処理物を処理する処理
    装置において、処理圧力より高い圧力のガス雰囲気の処
    理室内で試料台上に被処理物を載置する手段と、前記試
    料台上に前記被処理物を静電吸着する手段と、前記処理
    室内を所定の処理圧力に制御する手段と、前記処理室内
    において前記処理圧力で前記被処理物を処理する手段と
    を備えたことを特徴とする減圧雰囲気内処理装置。
  14. 【請求項１４】減圧雰囲気内で被処理物を処理する処理
    装置において、処理圧力より高い圧力のガス雰囲気の予
    備室内で試料台上に被処理物を載置する手段と、前記試
    料台上に前記被処理物を静電吸着する手段と、処理室内
    を所定の処理圧力に制御する手段と、前記処理室内にお
    いて前記処理圧力で前記被処理物を処理する手段とを備
    えたことを特徴とする減圧雰囲気内処理装置。
  15. 【請求項１５】減圧雰囲気内で被処理物を処理する処理
    手段において、処理圧力より高い圧力のガス雰囲気の処
    理系内でリザーバーを有する試料台上に被処理物を載置
    する手段と、前記試料台上に前記被処理物を静電吸着す
    る手段と、処理室内を所定の処理圧力に制御する手段
    と、前記処理室内において前記処理圧力で前記被処理物
    を処理する手段と、前記リザーバーに封じ込められた前
    記ガスを用いて前記試料と前記試料台の間で熱を移動さ
    せる手段とを備えたことを特徴とする減圧雰囲気内処理
    装置。
  16. 【請求項１６】前記被処理物を処理する処理装置が、プ
    ラズマにより被処理物を処理するプラズマ処理装置であ
    ることを特徴とする請求項１２ないし１５のいずれか１
    項に記載の減圧雰囲気内処理装置。
  17. 【請求項１７】前記被処理物を処理する処理装置が、イ
    オン注入により被処理物を処理する処理装置であること
    を特徴とする請求項１２ないし１５のいずれか１項に記
    載の減圧雰囲気内処理装置。
  18. 【請求項１８】前記被処理物を処理する処理装置が、分
    子線エピタキシーにより被処理物を処理するＭＢＥ処理
    装置であることを特徴とする請求項１２ないし１５のい
    ずれか１項に記載の減圧雰囲気内処理装置。
  19. 【請求項１９】前記試料台は、表面上に放射状に延びる
    溝を有する静電吸着電極と、試料押し上げピン用の孔を
    備え、該静電吸着電極上の溝から試料押し上げピンと孔
    のすきまに至る空間と前記ウエハの間が、前記処理圧力
    より高い圧力のガスを封じ込める前記リザーバーとなる
    ことを特徴とする請求項１５に記載の減圧雰囲気内処理
    装置。
  20. 【請求項２０】前記処理圧力より高い圧力のガスを封じ
    込める前記リザーバーは、前記試料台に設けられ、かつ
    静電吸着電極の表面に開口していることを特徴とする請
    求項１５に記載の減圧雰囲気内処理装置。
  21. 【請求項２１】プラズマにより処理されるウエハを絶縁
    膜との間に発生させた静電吸着力により支持する静電吸
    着装置において、ウエハと絶縁膜間の熱通過率に不均一
    な分布を持たせたことを特徴とする静電吸着装置。
  22. 【請求項２２】ウエハと絶縁膜間の隙間を変化して、ウ
    エハ吸着部と非吸着部を交互に配置し、熱通過率に不均
    一な分布を与えたことを特徴とする請求項２１記載の静
    電吸着装置。
  23. 【請求項２３】絶縁膜の表面粗さを大小に交互に変化し
    て、熱通過率に不均一な分布を与えたことを特徴とする
    請求項２１記載の静電吸着装置。
  24. 【請求項２４】絶縁膜膜種を交互に変化して、熱通過率
    に不均一な分布を与えたことを特徴とする請求項２１記
    載の静電吸着装置。
  25. 【請求項２５】ウエハと絶縁膜間のすきまを超音波加工
    により形成したことを特徴とする請求項２２記載の静電
    吸着装置。
JP23018693A 1993-09-16 1993-09-16 減圧雰囲気内における被処理物の処理方法及び処理装置 Pending JPH0786247A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23018693A JPH0786247A (ja) 1993-09-16 1993-09-16 減圧雰囲気内における被処理物の処理方法及び処理装置
DE69405499T DE69405499T2 (de) 1993-09-16 1994-06-09 Verfahren und Einrichtung zur Bearbeitung eines Gegenstands in einer Umgebung unter vermindertem Druck
EP94108878A EP0644577B1 (en) 1993-09-16 1994-06-09 Treating method and treating apparatus for treated object under reduced pressure environment
KR1019940012930A KR950009957A (ko) 1993-09-16 1994-06-09 감압분위기내에서의 피처리물의 처리방법 및 처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23018693A JPH0786247A (ja) 1993-09-16 1993-09-16 減圧雰囲気内における被処理物の処理方法及び処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0786247A true JPH0786247A (ja) 1995-03-31

Family

ID=16903945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23018693A Pending JPH0786247A (ja) 1993-09-16 1993-09-16 減圧雰囲気内における被処理物の処理方法及び処理装置

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0644577B1 (ja)
JP (1) JPH0786247A (ja)
KR (1) KR950009957A (ja)
DE (1) DE69405499T2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002270681A (ja) * 2001-03-07 2002-09-20 Anelva Corp 基板処理用静電吸着機構
US7096911B2 (en) 2000-11-30 2006-08-29 Fujitsu Limited Apparatus for manufacturing bonded substrate
WO2009081761A1 (ja) * 2007-12-20 2009-07-02 Ulvac, Inc. プラズマソース機構及び成膜装置
JP2009260041A (ja) * 2008-04-17 2009-11-05 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置の製造方法および成膜装置
JP2017174855A (ja) * 2016-03-18 2017-09-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板保持装置および基板処理装置
JP2020092196A (ja) * 2018-12-06 2020-06-11 東京エレクトロン株式会社 基板支持器、基板処理装置、基板処理システム、及び基板支持器における接着剤の浸食を検出する方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5810933A (en) * 1996-02-16 1998-09-22 Novellus Systems, Inc. Wafer cooling device
GB9805014D0 (en) * 1998-03-11 1998-05-06 Siemens Plc Improved mechanical arrangement for water quality measuring apparatus
JP4697833B2 (ja) * 2000-06-14 2011-06-08 キヤノンアネルバ株式会社 静電吸着機構及び表面処理装置
JP4328003B2 (ja) * 2000-10-19 2009-09-09 日本碍子株式会社 セラミックヒーター
GB0108002D0 (en) 2001-03-30 2001-05-23 Trikon Holdings Ltd A method of etching a substrate

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6372877A (ja) * 1986-09-12 1988-04-02 Tokuda Seisakusho Ltd 真空処理装置
TW221318B (ja) * 1990-07-31 1994-02-21 Tokyo Electron Co Ltd
US5199483A (en) * 1991-05-15 1993-04-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cooling wafers
US5213349A (en) * 1991-12-18 1993-05-25 Elliott Joe C Electrostatic chuck

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7621310B2 (en) 2000-11-30 2009-11-24 Fujitsu Limited Apparatus for manufacturing bonded substrate
US7819165B2 (en) 2000-11-30 2010-10-26 Fujitsu Limited Apparatus for manufacturing bonded substrate
US7300532B2 (en) 2000-11-30 2007-11-27 Fujitsu Limited Method for manufacturing bonded substrate
US7513966B2 (en) 2000-11-30 2009-04-07 Fujitsu Limited Apparatus for manufacturing bonded substrate
US8128768B2 (en) 2000-11-30 2012-03-06 Fujitsu Limited Apparatus for manufacturing bonded substrate
US7703494B2 (en) 2000-11-30 2010-04-27 Fujitsu Limited Apparatus for manufacturing bonded substrate
US7096911B2 (en) 2000-11-30 2006-08-29 Fujitsu Limited Apparatus for manufacturing bonded substrate
US7681522B2 (en) 2000-11-30 2010-03-23 Fujitsu Limited Apparatus for manufacturing bonded substrate
JP2002270681A (ja) * 2001-03-07 2002-09-20 Anelva Corp 基板処理用静電吸着機構
JPWO2009081761A1 (ja) * 2007-12-20 2011-05-06 株式会社アルバック プラズマソース機構及び成膜装置
WO2009081761A1 (ja) * 2007-12-20 2009-07-02 Ulvac, Inc. プラズマソース機構及び成膜装置
JP2009260041A (ja) * 2008-04-17 2009-11-05 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置の製造方法および成膜装置
JP2017174855A (ja) * 2016-03-18 2017-09-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板保持装置および基板処理装置
JP2020092196A (ja) * 2018-12-06 2020-06-11 東京エレクトロン株式会社 基板支持器、基板処理装置、基板処理システム、及び基板支持器における接着剤の浸食を検出する方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0644577B1 (en) 1997-09-10
DE69405499T2 (de) 1998-01-15
KR950009957A (ko) 1995-04-26
EP0644577A1 (en) 1995-03-22
DE69405499D1 (de) 1997-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6057244A (en) Method for improved sputter etch processing
US4756815A (en) Wafer coating system
US6949143B1 (en) Dual substrate loadlock process equipment
US5382311A (en) Stage having electrostatic chuck and plasma processing apparatus using same
US5024747A (en) Wafer coating system
US4985372A (en) Method of forming conductive layer including removal of native oxide
US4909314A (en) Apparatus for thermal treatment of a wafer in an evacuated environment
US4680061A (en) Method of thermal treatment of a wafer in an evacuated environment
US4743570A (en) Method of thermal treatment of a wafer in an evacuated environment
JPH05166757A (ja) 被処理体の温調装置
JP2879887B2 (ja) プラズマ処理方法
JPH0786247A (ja) 減圧雰囲気内における被処理物の処理方法及び処理装置
CN113614274A (zh) 用于沉积具有超导膜的多层器件的方法及装置
US5856906A (en) Backside gas quick dump apparatus for a semiconductor wafer processing system
CN113614275B (zh) 用于沉积金属氮化物的方法及装置
US8361549B2 (en) Power loading substrates to reduce particle contamination
KR100270458B1 (ko) 스터퍼링후의 기판의 취급방법 및 스퍼터링 장치
JP2869384B2 (ja) プラズマ処理方法
JPH07147311A (ja) 搬送アーム
JPH06124998A (ja) プラズマ処理装置
JP2882254B2 (ja) プラズマ処理方法
JPH05152425A (ja) 処理装置およびスパツタリング装置
JP3027781B2 (ja) プラズマ処理方法
JP2001230217A (ja) 基板処理装置及び方法
JPH11233600A (ja) 静電吸着装置、及びその静電吸着装置を用いた真空処理装置