KR950009957A - 감압분위기내에서의 피처리물의 처리방법 및 처리장치 - Google Patents

감압분위기내에서의 피처리물의 처리방법 및 처리장치 Download PDF

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마나부 에다무라
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Abstract

본 발명은 웨이퍼 온도제어를 용이하게할 수 있고, 또 전극 구조를 간소화할 수 있는 플라즈마 처리방법을 제공하는데 있다. 즉, 웨이퍼의 에칭처리 때에 먼저 에칭처리실 내의 프로세스 가스 또는 열전도성의 가스를 도입하면서 진공배기하여 아벽을, 예를들면 약 10Torr로 조정한다. 이 분위기중에서 웨이퍼의 정저흡착전극 상으로의 재치, 정전 흡착을 행하고, 정전흡착전극 상의 흠으로부터 웨이퍼 밀어 올림핀과 구멍의 틈새에 이르는 공간(리저버)에 약 10Torr의 프로세스 가스를 봉입한다. 그후, 에칭처리실내를 에칭처리압력으로 조정하고, 에칭처리를 행한다. 리저버에 봉입된 프로세스 가스는 웨이퍼의 냉각에 부여한다.
그리고 처리가 종료하면 리저버의 프로세스 가슬 진공펌프에 의하여 배기하고 정전흡착 전극으로부터 웨이퍼를 해방한다.

Description

감압분압기내에서의 피처리물의 처리방법 및 처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예를 적용한 에칭장치의 구성을 나타낸 도면이고,
제2도는 제1실시예를 적용한 에칭처리실의 구성을 나타낸 도면이며,
제3도는 제1실시예의 하부전극, 정전흡착전극의 구성을 나타낸 도면이고,
제4도는 제1실시예의 하부전극, 정전흡착전극의 구성을 나타낸 도면이며,
제5도는 제1실시예의 에칭처리방법을 설명하는 도면이다.

Claims (25)

  1. 감압분위기내에서 피처리물을 처리하는 처리방법에 있어서, 처리압력보다 높은 압력의 가스분위기 처리계 내에서 시료대 위에 피처리물을 재치한 후, 상기 시료대위에 상기 피처리물을 정전흡착하는 공정과, 처리실내를 소정의 처리압력으로 제어하는 공정과, 상기 처리실내에서 상기 처리압력으로 상기 피처리물을 처리하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 감압분위기 내에서의 피처리물의 처리방법.
  2. 감압분위기 내에서 피처리물을 처리하는 처리방법에 있어서, 처리압력보다 높은 압력의 가스분위기 처리실 내에서 시료대 위에 피처리물을 재치한 후, 상기 시료대 위에 상기 피처리물을 정전흡착하는 공정과, 처리실내를 소정의 처리압력으로 제어하는 공정과, 상기 처리실내에서 상기 처리압력웨로 상기 피처리물을 처리하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 감압분위기내에서의 피처리물의 처리방법.
  3. 감압분위기내에서 피처리물을 처리하는 처리방법에 있어서, 처리압력보다 높은 압력의 가스분위기 예비실 내에서 시료대 위에 피처리물을 재치한 후, 상기 시료대위에 상기 피처리물을 정전흡착하는 공정과, 처리실내를 소정의 처리압력으로 제어하는 공정과, 상기 처리실에서 상기 처리압력으로 상기 피처리물을 처리하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 감압분위기내에서의 피처리물의 처리방법.
  4. 감압분위기 내에서 피처리물을 처리하는 처리바업에 있어서, 처리방법보다 높은 압력의 가스분위기의 처리계 내에서 리저버를 가지는 시료대 위에 피처리물을 재치한 후, 상기 시료대위에 상기 피처리물을 정전흡착하는 공정과, 처리실내를 소정의 처리압력으로 제어하는 공정과, 상기 처리실내에서 상기 처리압력으로 상기 피처리물을 처리하는 것과 함께, 상기 리저버에 봉입된 상기 가스를 이용하여 상기 피처리물과 상기 시료대 사이에서 열을 이동시키는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 감압분위기내에서의 피처리물의 처리방법.
  5. 제1항 내지 제4항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 피처리물을 처리하는 처리방법이 플라즈마에 의하여 피처리물을 처리하는 플라즈마 처리방법인 것을 특징으로 하는 감압분위기 내에서의 피처리물의 처리방법.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피처리물을 처리하는 처리방법이 이온주입에 의하여 피처리물을 처리하는 이온주입 처리방법인 것을 특징으로 하는 감압분위기 내에서의 피처리물의 처리방법.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피처리물을 처리하는 처리방법이 분자성 에피탁시에 의하여 피처리물을 처리하는 방법인 것을 특징으로 하는 감압분위기 내에서의 피처리물의 처리방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 리저버에 봉입된 상기 가스를 이용한 상기 시료와 사이 시료대 사이의 열이동이 플라즈마의 처리에 의하여 피처리물을 발생하는 열을 상기 시료대에 부여하는 특징으로 하는 감압분위기 내에서의 피처리물의 처리방법.
  9. 제1항 내지 제4항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 시료대는, 표면에 흠을 가지는 정전흡착전극과 시료 밀어올림핀용의 구멍을 구비하고, 그 정전흡착전극상의 홈으로부터 시료 밀어 올림핀과 구멍의 틈새에 이르는 공간과 상기 웨이퍼 사이에 상기 처리 압력보다 높은 압력의 가스를 봉입하는 것을 특징으로 하는 감압분위기내에서의 피처리물의 처리방법.
  10. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리압력보다 높은 압력은 0.1Torr 이상의 압력인 것을 특징으로 하는 감압분위기내에서의 피처리물의 처리방법.
  11. 플리즈마에 의하여 시료를 처리하는 플리즈마 처리방법에 있어서, 처리압력보다 높은 압력의 가스분위기의 처리계내에서 리저버를 가지는 시료대위에 시료를 재치하는 공정과, 상기 시료대위에 상기 시료를 정전흡착함으로써 상기 리저버내에 상기 가스를 봉입하는 공정과, 처리실내를 소정의 처리압력으로 제어하는 공정과, 상기 처리실내에서 상기 처리압력으로 상기 시료를 플라즈마 처리하는 것과 함께, 상기 리저버에 봉입된 상기 가스를 이용하여 상기 시료와 상기 시료대 사이에서 열을 이동시키는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 플리즈마 처리장치.
  12. 감압분위기내에서 피처리물을 처리하는 처리장치에 있어서, 처리압력보다 높은 압력의 가스분위기 처리계 내에서 시료대위에 피처리물을 재치하는 수단과, 상기 시료대 위에 상기 피처리물을 정전흡착하는 수단과, 처리실내를 소정의 처리압력으로 제어하는 수단과, 상기 처리실내에 있어서 상기 처리압력으로 상기 피처리물을 처리하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 감압분위기내 처리장치.
  13. 감압분위기내에서 피처리물을 처리하는 처리장치에 있어서, 처리압력보다 높은 압력의 가스분위기의 처리실내에서 시료대 위에 피처리물을 재치하는 수단과, 상기 시료대위에 상기 피처리물을 정전 흡착하는 수단과, 상기 처리실내를 소정의 처리압력으로 제어하는 수단과, 상기 처리실내에 있어서 상기 처리압력으로 상기 피처리물을 처리하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 감압분위기내 처리장치.
  14. 감압분위기내에서 피처리물을 처리하는 처리장치에 있어서, 처리압력보다 높은 압력의 가스분위기의 예비실내에서 시료대 위에 피처리물을 재치하는 수단과, 상기 시료대위에 상기 피처리물을 정전 흡착하는 수단과, 처리실내를 소정의 처리압력으로 제어하는 수단과, 상기 처리실내에 있어서 상기 처리압력으로 상기 피처리물을 처리하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 감압분위기 내 처리장치.
  15. 감압분위기 내에서 피처리물을 처리하는 처리수단에 있어서, 처리압력 보다 높은 압력의 가스분위기의 처리실내에서 리저버를 가지는 시료대위에 피처리물을 재치하는 수단과, 상기 시료대 위에 상기 피처리물을 정전흡착하는 수단과, 처리실내를 소정의 처리압력으로 제어하는 수단과, 상기 처리실내에 있어서 상기 처리압력으로 상기 피처리물을 정전흡착하는 수단과, 처리실 내를 소정의 처리압력으로 제어하는 수단과, 상기 처리실 내에 있어서 상기 처리압력으로 상기 피처리물을 처리하는 수단과, 상기 리저버에 봉입된 상기 가스를 이용하여 상기 시료와 상기 시료대의 사이에서 열을 이동시키는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 감압분위기내 처리장치.
  16. 제12항 내지 제15항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 피처리물을 처리하는 처리장치가 플라즈마에 의하여 피처리물을 처리하는 플라즈마 처리장치인 것을 특징으로 하는 감압분위기내 처리장치.
  17. 제12항 내지 제15항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 피처리물을 이온주입 처리장치인 것을 특징으로 하는 감압분위기내 처리장치.
  18. 제12항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피처리물을 처리하는 처리장치가 분자선 에피탁시에의 하여 피처리물을 처리하는 MBE 처리장치인 것을 특징으로 하는 감압분위기 내 처리장치.
  19. 제15항에 있어서, 상기 시료대는, 표면상에 방사상으로 연장되는 홈을 가지는 정전흡착전극과 시료 밀어올림핀용의 구멍을 구비하고, 그 정전흡착전극상의 홈으로부터 시료 밀어올림핀과 구멍의 틈새에 이르는 공간과 상기웨이퍼 사이에 상기 처리압력보다 높은 압력의 가스를 봉입하는 리저버로 되는 것을 특징으로 하는 감압분위기내 처리장치.
  20. 제15항에 있어서, 상기 처리압력 보다 높은 압력의 가스를 봉입하는 상기 리저버는 상기 시료대에 설치되는 동시에 정전흡착전극의 표면에 개구되어 있는 것을 특징으로 하는 감압분위기내 처리장치.
  21. 플리즈마에 의하여 처리는 웨이퍼를 절연막과의 사이에 발생시킨 정전흡착력에 의하여 지지되는 정전흡착장치에 있어서, 웨이퍼와 절연막 사이의 열통과율에 불균일한 분포를 갖게한 것을 특징으로 하는 정전흡착장치.
  22. 제21항에 있어서, 웨이퍼와 절연막 사이의 격간을 변화시켜 웨이퍼 흡악부와 비흡착부를 번갈아 배치하고, 열통과율에 불균일한 분포를 부여한 것을 특징으로 하는 정전흡착장치.
  23. 제21항에 있어서, 절연막의 표면성김을 대소로 번갈아 변화시켜 열통과율에 불균일한 분포를 부여한 것을 특징으로 하는 정전흡착장치.
  24. 제21항에 있어서, 절연막 막종류를 번갈아 변화시켜 열통과율에 불균일한 분포를 부여한 것을 특징으로 하는 정전흡착장치.
  25. 제22항에 있어서, 웨이퍼와 절연막 사이에 틈새를 초음파 가공에 의하여 형성한 것을 특징으로 하는 정전흡착장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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