KR960042935A - 플라즈마 크리닝 방법 및 그 방법에서 사용되는 배치면 프로텍터 - Google Patents

플라즈마 크리닝 방법 및 그 방법에서 사용되는 배치면 프로텍터 Download PDF

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KR960042935A
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다카히로 다무라
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니시하라 슌지
아넬바 가부시기가이샤
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases

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Abstract

반도체 디바이스 제조 과정에서 사용되는 진공처리 장치에서, 판형 배치면 프로텍터(400)는 기질(40) 위치내의 기질 스테이지(4) 표면내에의 기질 배치를 위한 면 또는 기질(40)표면의 것들과 동일한 크기 및 형상을 가지고 있는 유전체 물질로 만들어진다. 에칭가스는 가스 도입기구(2)에 의해 진공용기(1)내로 도입되고 소정의 고주파 전자기파 동력을 스테이지 고주파 전자기파 전원(41)으로 부터 기질 스테이지 (4)로 인가된다. 플라즈마는 인가된 고주파 전자기파 동력에 의해 스테이지(4) 표면 근처에 형성되고, 기질 스테이지(4) 표면상에 침전된 박막은 플라즈마에 의해 제거된다.

Description

플라즈마 크리닝 방법 및 그 방법에서 사용되는 배치면 프로텍터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 크리닝 방법이 실행되는 진공처리 장치의 개략도.

Claims (7)

  1. 면을 도포하기 위한 기질 배치용 면위에, 기질 스테이지(4) 표면내에 기질 배치를 위한 면 또는 처리될 기질(40) 표면의 것들과 일치하는 크기 및 형상을 가지고 있는 유전체 물질로 만들어진 판형 배치면 프로텍터(400)을 배치하는 단계; 가스 도입 기구(2)에 의해 진공용기(1)내로 에칭가스를 도입하는 단계; 기질 스테이지(4) 표면 근처에 플라즈마를 형성하기 위하여 스테이지 고주파 전자기파 전원(41)으로부터 기질 스테이지(4)로 소정의 고주파 전자기파 동력을 인가하는 단계; 플라즈마에 의해 강화된 가스의 에칭 동작을 사용함으로서 진공용기(1)의 내부면과 기질 스테이지 (4)의 표면에 침전된 박막을 제거하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 크리닝 방법.
  2. 제1항에 있어서, 도입된 에칭가스의 압력이 0.5내지 5Torr의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 형성 방법.
  3. 면을 도포하기 위하여 진공용기(1)내의 기질 스테이지(4)의 표면내의 기질 배치를 위한 면상에 상기 배치면 프로텍터(400)를 배치하는 단계; 진공용기(1)내로 에칭가스를 도입하는 단계; 기질 스테이지(4) 표면 근처에 플라즈마를 형성하기 위하여 기질 스테이지(4)로 소정의 고주파 전자기파 동력을 인가하는 단계; 및 플라즈마에 의해 강화된 가스의 에칭동작을 사용함으로서 진공용기(1)의 내부면과 기질 스테이지(4)의 표면에 침전된 박막을 제거하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 크리닝 방법에서 사용되는 판형 배치면 프로텍터.
  4. 제3항에 있어서, 실리카 글라스로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 크리닝 방법에서 사용되는 배치면 프로텍터.
  5. 제3항에 있어서, 실리콘 산화물로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 크리닝 방법에서 사용되는 배치면 프로텍터.
  6. 제3항에 있어서, 처리된 기질(40) 무게의 3배 또는 그 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 크리닝 방법에서 사용되는 배치면 프로텍터.
  7. 제3항에 있어서, 처리된 기질(40) 두께의 3배 또는 그 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 크리닝 방법에서 사용되는 배치면 프로텍터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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