JP6290177B2 - 基板処理装置、基板処理装置のクリーニング方法及び半導体装置の製造方法並びにプログラム - Google Patents

Description

本発明は、基板の処理を行う基板処理装置、基板処理装置の制御方法、クリーニング方法及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体に関する。

フラッシュメモリやＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等の半導体装置の製造工程の一工程が基板処理装置により行われる。この基板処理装置では、処理室内に原料ガスが供給されて、基板に膜を形成する処理が行われる。しかしながら、基板に膜を形成する処理を行う際に、例えば処理室の内壁等にも堆積物が付着し、付着した堆積物が処理室の内壁から剥離して処理室内に異物が発生してしまう場合がある。従って、周期的に処理室内の内壁等に付着した堆積物を除去する必要がある。

処理室内の内壁等に付着物を除去する方法として、例えば、処理室を構成する部材を基板処理装置から取り外し、ＨＦ水溶液等の洗浄槽においてこの部材に付着した堆積物を除去するウェットクリーニング法がある。しかしながら、ウェットクリーニング法では、処理室を構成する構成部材等を基板処理装置から取り外すため、装置の稼働率が低下してしまう。

そこで、処理室内にクリーニングガスを供給することで、処理室内の内壁等に付着した堆積物をエッチングして除去するドライクリーニング法が行われる場合がある。ドライクリーニング法は、処理室を構成する構成部材等を基板処理装置から取り外す必要がないため、装置の稼働率の向上が見込まれる。しかしながら、処理室内にクリーニングガスを供給し、処理室内を一様にエッチングすると、処理室内でオーバーエッチングが発生し、処理室内を構成する部材に損傷が生じる場合があった。すなわち、堆積物の膜厚が小さい部分では、処理室の内壁等が浸食されて破損し、例えば処理室内の金属部材が腐食されて金属汚染が生じることがあった。

本発明は、処理室内を構成する構成部材に損傷を生じさせないように、処理室内の構成部材等に付着した堆積物を除去できる基板処理装置、基板処理装置の制御方法、クリーニング方法及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体を提供することができる。

本発明の一態様によれば、
基板を処理する複数の領域が設けられた少なくとも１つの処理室を備える基板処理装置であって、
前記処理室内に設けられ、前記基板を載置する基板載置部と、
前記基板の処理によって少なくとも前記基板載置部に堆積した堆積物を除去する反応性ガスを前記複数の領域に供給する反応性ガス供給部と、
前記複数の領域に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
前記反応性ガスを前記複数の領域に供給し、前記堆積物を除去する際、前記複数の領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び前記不活性ガスの供給流量をそれぞれ前記基板載置部に堆積した前記堆積物の膜厚値に応じて調整するように、少なくとも前記反応性ガス供給部及び前記不活性ガス供給部を制御する制御部と、を備える基板処理装置が提供される。

本発明の他の態様によれば、
基板を処理する複数の領域が設けられた少なくとも１つの処理室を備える基板処理装置で実行されるクリーニング方法あって、前記処理室内に、少なくとも反応性ガスを供給する際、前記複数の領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び不活性ガスの供給流量をそれぞれ前記処理室に設けられた基板載置部に堆積した前記堆積物の膜厚値に応じて調整して、前記基板載置部に堆積した堆積物を除去する除去工程を有する基板処理装置のクリーニング方法が提供される。

本発明の更に他の態様によれば、
複数の領域が設けられた処理室内で基板を処理する基板処理工程と、前記処理室内に、少なくとも反応性ガスを供給し、前記基板処理工程において前記処理室に設けられた基板載置部に堆積された堆積物を除去する際、前記複数の領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び不活性ガスの供給流量をそれぞれ前記基板載置部に堆積した前記堆積物の膜厚値に応じて調整して、前記基板載置部に堆積した堆積物を除去する除去工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。

本発明の更に他の態様によれば、基板を処理する複数の領域が設けられた少なくとも１つの処理室を備える基板処理装置で実行されるプログラムをコンピュータ読み取り可能に記録した記録媒体であって、前記処理室内に、少なくとも反応性ガスを供給する際、前記複数の領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び不活性ガスの供給流量をそれぞれ前記処理室に設けられた基板載置部に堆積した前記堆積物の膜厚に応じて調整して、前記基板載置部に堆積した堆積物を除去する手順と、を有するプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。

本発明の更に他の態様によれば、基板を処理する少なくとも１つの処理室を備える基板処理装置の制御方法であって、前記処理室内に設けられ、前記基板を載置する基板載置部と、前記基板の処理によって少なくとも前記基板載置部に堆積した堆積物を除去する反応性ガスを前記複数の領域に供給する反応性ガス供給部と、前記複数の領域に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、少なくとも前記反応性ガス供給部及び前記不活性ガス供給部を制御する制御部と、を有し、前記反応性ガスを前記複数の領域に供給し、前記堆積物を除去する際、前記複数の領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び前記不活性ガスの供給流量をそれぞれ前記基板載置部に堆積した前記堆積物の膜厚値に応じて調整する基板処理装置の制御方法が提供される。

本発明に係る基板処理装置、基板処理装置の制御方法、クリーニング方法及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体によれば、処理室内を構成する部品に損傷を生じさせないように、処理室内の各構成部材に付着した堆積物を除去することができる。

本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。 本発明の一実施形態に係る処理室が備える反応容器の概略斜視図である。 本発明の一実施形態に係る処理室の縦断面概略図である。 本発明の一実施形態に係るガス供給部の概略説明図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理工程を示すフロー図でる。 本発明の一実施形態で好適に用いられる基板処理装置の制御手段の概略構成図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の制御手段の機能構成を示すブロック図である。 本発明の一実施形態に係る制御手段によって表示される操作画面の一例を示す図であり、（ａ）はプロセスレシピの編集画面の一例を示し、（ｂ）は堆積比率テーブルの編集画面の一例を示す。 本発明の一実施形態に係る制御手段によって表示される操作画面の一例を示す図であり、（ａ）はクリーニングレシピの編集画面の一例を示し、（ｂ）はエッチング比率テーブルの編集画面の一例を示す。 本発明の一実施形態に係る制御手段が実行する累積膜厚データの更新処理のフロー図である。 本発明の一実施形態に係る制御手段が実行する累積膜厚データの更新処理のフロー図である。 （ａ）は、本発明の一実施形態に係る制御手段によって累積膜厚データが更新される様子の一例を説明する図であり、（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る制御手段によって累積膜厚テーブルの内容をグラフ化した図である。 本発明の一実施形態に係る制御手段によって累積膜厚データが更新される様子の一例を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る制御手段によって累積膜厚データが更新される様子の一例を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る制御手段によって累積膜厚データが更新される様子の一例を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る制御手段によって累積膜厚データが更新される様子の一例を説明する図である。 本発明の他の実施形態に係る制御手段が実行する累積膜厚データの更新処理のフロー図である。 本発明の一実施形態に係る制御手段によって累積膜厚データが更新される様子の一例を説明する図である。

＜発明者等が得た知見＞ まず、本発明の実施形態の説明に先立ち、発明者等が得た知見について説明する。

基板に薄膜を形成する処理を行う多枚葉式の基板処理装置として、例えば、基板を処理する処理室と、複数の基板を載置し、回転自在に構成された基板載置部と、基板載置部の回転方向に沿って第１の処理領域、第１のパージ領域、第２の処理領域、第２のパージ領域が交互に配列されるように、処理室内を仕切る仕切部と、を備える基板処理装置が提案されている。このような基板処理装置は、第１の処理領域に第１の原料ガスを供給するとともに、第２の処理領域に第２の原料ガスを供給し、第１のパージ領域及び第２のパージ領域に不活性ガスを供給するように構成されている。そして、基板載置部を回転させて、基板載置部上の基板が、第１の処理領域、第１のパージ領域、第２の処理領域、第２のパージ領域をこの順に通過することにより、基板への原料ガスの供給及び不活性ガスの供給を交互に行い、基板上に薄膜を形成するように構成されている。

このような多枚葉式の基板処理装置によって、基板上に薄膜を形成する際に、処理室を構成する構成部材(サセプタの表面、仕切部の側面等を構成する部材)であって基板表面以外の部分、例えば処理室の内壁や、仕切部の側面、基板載置部としてのサセプタの表面等に薄膜を含む堆積物が付着してしまう場合がある。かかる堆積物は、基板上に薄膜を形成する処理が実施される度に累積的に付着する。そして、堆積物は、所定の厚さ以上になると剥離、落下し、処理室内に異物が発生する要因となる。そのため、堆積物の膜厚が所定の値に到達する毎に、処理室内の各部品(サセプタ、仕切部等)に堆積した堆積物を除去するクリーニングを行う必要があった。

ところで、加熱部を包含するサセプタは、高温になりやすいため、処理室の内壁等に比べて堆積物が付着しやすい。すなわち、サセプタ上の堆積物の膜厚は、処理室の内壁の堆積物の膜厚よりも大きくなりやすい。また、原料ガスが供給される第１の処理領域や第２の処理領域を構成する仕切部の側面は、不活性ガスが供給される第１のパージ領域や第２のパージ領域と比べて堆積物が付着しやすい。すなわち、第１の処理領域や第２の処理領域に面する仕切部に付着する堆積物の膜厚は、第１のパージ領域や第２のパージ領域に面する仕切部に付着する堆積物の膜厚よりも大きくなりやすい。このように、処理室内の各部品に堆積する堆積物の膜厚は、処理室内で均一になることは殆どない。

このため、サセプタ上の堆積物の膜厚に基づいて処理室内を一様に例えばドライクリーニング法によりエッチングすると、処理室内でオーバーエッチングが発生してしまう。すなわち、堆積物の膜厚が小さい第１のパージ領域や第２のパージ領域を構成する仕切部の側面や、処理室の内壁等では、仕切部や処理室の内壁等がクリーニングガスによって浸食されて破損し、例えば、処理室内の金属部材が腐食されて金属汚染が生じることがあった。

このように、サセプタ等の処理室内の所定の一箇所に付着した堆積物の膜厚値のみに基づいてクリーニングガスの供給流量等が調整されると、処理室内を構成する部品(仕切部等)に損傷を生じさせる場合があった。

本発明は、発明者等が得たかかる知見に基づいてなされたものである。以下に、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。

＜本発明の一実施形態＞（１）基板処理装置の構成 まず、本実施形態に係る基板処理装置１０の構成について、主に図１を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理装置１０の概略構成図である。なお、本実施形態に係る基板処理装置１０は、一度に複数枚の基板としてのウエハ２００を処理する多枚葉式の装置として構成されている。なお、本実施形態に係る基板処理装置１０では、ウエハ２００を搬送するキャリアとして、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ。以下、ポッドという。）が使用されている。本実施形態にかかる基板処理装置１０の搬送装置は、真空側と大気側とに分かれている。本明細書中における「真空」とは工業的真空を意味する。なお、以下の説明において、前後左右は図１を基準とする。すなわち、図１が示されている紙面に対して、前は紙面の下、後ろは紙面の上、左右は紙面の左右とする。

（真空側の構成） 基板処理装置１０は、内部を真空状態などの大気圧未満の圧力（例えば１００Ｐａ）に減圧可能な第１搬送室としての搬送室ＴＭ（Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｍｏｄｕｌｅ）を備えている。搬送室ＴＭの筐体は、平面視が五角形で、上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。

搬送室ＴＭの筐体を構成する五枚の側壁のうち、前側に位置する一枚の側壁には、ゲートバルブを介して、予備室としてのロードロック室ＬＭ（Ｌｏａｄ Ｌｏｃｋ Ｍｏｄｕｌｅ）１，ＬＭ２が搬送室ＴＭと連通可能にそれぞれ設けられている。

搬送室ＴＭの筐体を構成する他の三枚の側壁のうち、後ろ側に位置する二枚の側壁には、ゲートバルブを介して、第１処理室としてのプロセスチャンバＰＭ（Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｍｏｄｕｌｅ）１，第２処理室としてのプロセスチャンバＰＭ２が搬送室ＴＭと連通可能にそれぞれ設けられている。プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２には、後述するガス供給部２５０、排気部等が設けられている。プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２には、ウエハ２００を載置する基板載置部としてのサセプタＳＴ１，ＳＴ２がそれぞれ設けられている。また、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２は、後述するように、１つの反応容器２０３内に複数の処理領域等が形成されており、基板載置部としてのサセプタＳＴ１を回転させて、基板であるウエハ２００が複数の処理領域等を順番に通過することにより、ウエハ２００への原料ガス等の供給を順番に行い、ウエハ２００上へ薄膜を形成する処理や、ウエハ２００表面を酸化、窒化、炭化等する処理や、ウエハ２００表面をエッチングする処理等の各種基板処理を実施するように構成されている。

搬送室ＴＭ内には、第１搬送機構としての搬送ロボットＶＲが設けられている。搬送ロボットＶＲは、第１予備室としてのロードロック室ＬＭ１，第２予備室としてのロードロック室ＬＭ２とプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２との間で、ウエハ２００を搬送可能に構成されている。搬送ロボットＶＲは、搬送室ＴＭの気密性を維持しつつ昇降可能に構成されている。搬送ロボットＶＲは、例えば基板保持部としての２本のアームを有し、２枚のウエハ２００を搬送可能に構成されている。搬送ロボットＶＲのアームは、水平方向に伸縮でき、係る水平面内で回転移動できるように構成されている。また、搬送室ＴＭ内であって、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２のゲートバルブ、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２のゲートバルブのそれぞれの近傍には、ウエハ２００の有無を検知する基板検知部としてのウエハ有無センサが設けられている。

ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２は、搬送室ＴＭ内へ搬入する又は搬送室ＴＭ内から搬出されたウエハ２００を一時的に収容する予備室として機能する。ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２内には、ウエハ２００を一時的に支持する基板支持部としてのバッファステージがそれぞれ設けられている。バッファステージは、複数枚（例えば２枚）のウエハ２００を保持する多段型スロットとしてそれぞれ構成されていてもよい。

また、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２は、内部を真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に減圧可能なロードロックチャンバ構造に構成されている。すなわち、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２は、その内部をそれぞれ真空排気可能に構成されている。また、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２の前側には、ゲートバルブを介して、第２搬送室としての搬送室ＥＦＥＭが設けられている。従って、搬送室ＥＦＥＭ側のゲートバルブを閉じてロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２内部を真空排気した後、搬送室ＴＭ側のゲートバルブを開けることで、搬送室ＴＭの真空状態を保持しつつ、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２と搬送室ＴＭとの間でウエハ２００を搬送可能に構成されている。

（大気側の構成） 基板処理装置１０の大気側には、略大気圧下で用いられる、第２搬送室としての搬送室ＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ）が設けられている。すなわち、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２の前側には、ゲートバルブを介して、搬送室ＥＦＥＭが設けられている。なお、搬送室ＥＦＥＭは、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２と連通可能に設けられている。

搬送室ＥＦＥＭ内には、ウエハ２００を搬送する第２搬送機構として、搬送ロボットＡＲが例えば１台設けられている。搬送ロボットＡＲは、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２と後述するロードポートＬＰ１〜ＬＰ３との間でウエハ２００の搬送を相互に行なうように構成されている。搬送ロボットＡＲは、昇降可能に構成されているとともに、左右方向に往復移動されるように構成されている。搬送ロボットＡＲは、例えば２本のアームを有し、２枚のウエハを搬送可能に構成されている。また、搬送室ＥＦＥＭのゲートバルブの近傍には、ウエハ２００の有無を検知する基板検知部としてのウエハ有無センサが設けられている。

また、搬送室ＥＦＥＭ内には、ウエハ２００の位置補正を行う装置として、ウエハ２００の結晶方向や位置合わせ等をウエハ２００のノッチを用いて行うノッチ合わせ装置が設けられている。なお、ノッチ合わせ装置の代わりに、オリフラ（Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｆｌａｔ）合わせ装置が設けられていてもよい。また、搬送室ＥＦＥＭには、搬送室ＥＦＥＭの内部にクリーンエアを供給するクリーンエアユニットが設けられている。

搬送室ＥＦＥＭの筐体の前側には、ウエハ２００を搬送室ＥＦＥＭ内外に搬送する基板搬送口が設けられている。基板搬送口を挟んで、搬送室ＥＦＥＭの外側には、キャリア載置台（キャリア載置部）としてのロードポート（Ｉ／Ｏステージ）ＬＰ１，ＬＰ２，ＬＰ３が設けられている。

各ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３は、各ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３上に、複数枚（例えば２５枚）のウエハ２００を収納する基板収納容器としてのキャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３をそれぞれ載置するように構成されている。各キャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３にはそれぞれ、キャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３を識別する例えばバーコード等のキャリアＩＤが付されている。そして、各ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３は、キャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３が載置されると、キャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３に付されたキャリアＩＤを読み取って記憶するよう構成されている。

主に、搬送室ＴＭ、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２及び搬送室ＥＦＥＭにより、本実施形態に係る基板処理装置１０の搬送装置が構成される。

基板処理装置１０の搬送装置の各構成には、後述する制御部２８０が電気的に接続されている。そして、上述した各構成の動作を、それぞれ制御するように構成されている。

（ウエハの搬送動作） 次に、本実施形態に係る基板処理装置１０内におけるウエハ２００の搬送動作を説明する。なお、基板処理装置１０の各搬送機構の各構成の動作は、後述する制御部２８０によって制御される。以下の動作は、例えば搬送レシピに基づいて実施される。搬送レシピは、基板処理装置１０内のウエハ２００の搬送に用いられ、基板の処理を行う基板処理レシピと併用されて基板処理工程を実現する。

まず、例えば２５枚のウエハ２００を収納したキャリアカセットＣＡ１，ＣＡ２、及び空のキャリアカセットＣＡ３をロードポートＬＰ１上にそれぞれ載置し、キャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３のそれぞれに付されたキャリアＩＤを読み取る。そして、基板搬送口及びキャリアカセットＣＡ１又はキャリアカセットＣＡ２のウエハ出入口を開放する。

キャリアカセットＣＡ１又はキャリアカセットＣＡ２のウエハ出入口を開放すると、搬送室ＥＦＥＭ内に設置されている搬送ロボットＡＲは、キャリアカセットＣＡ１又はキャリアカセットＣＡ２からウエハ２００を１枚ピックアップして、例えばロードロック室ＬＭ１にウエハ２００を搬入する。この搬送ロボットＡＲによるウエハ２００の搬送作業中は、ロードロック室ＬＭ１と搬送室ＴＭとの間のゲートバルブが閉じられており、搬送室ＴＭ内の減圧雰囲気が維持されている。搬送ロボットＡＲによるロードロック室ＬＭ１内へのウエハ２００の搬送が完了すると、排気装置によってロードロック室ＬＭ１内を負圧になるよう排気する。

以降、搬送ロボットＡＲは、上述の動作を繰り返す。但し、ロードロック室ＬＭ１内が負圧状態の場合、搬送ロボットＡＲは、ロードロック室ＬＭ１内へのウエハ２００の搬入を実行せず、ロードロック室ＬＭ１の直前位置で停止して待機する。なお、搬送ロボットＡＲは、ロードロック室ＬＭ２内にウエハ２００を搬入するように構成されていてもよい。

ロードロック室ＬＭ１内が予め設定された圧力値（例えば１００Ｐａ）に減圧されると、ロードロック室ＬＭ１と搬送室ＴＭとの間のゲートバルブが開けられる。続いて、搬送室ＴＭ内に設けられた搬送ロボットＶＲは、ロードロック室ＬＭ１からウエハ２００をピックアップして、搬送室ＴＭ内に搬入する。

搬送ロボットＶＲがロードロック室ＬＭ１からウエハ２００をピックアップした後、ロードロック室ＬＭ１と搬送室ＴＭとの間のゲートバルブが閉じられる。そして、ロードロック室ＬＭ１内が大気圧に復帰させられ、ロードロック室ＬＭ１内に次のウエハ２００を搬入するための準備が行われる。それと並行して、所定の圧力（例えば１００Ｐａ）にある例えばプロセスチャンバＰＭ１と搬送室ＴＭとの間のゲートバルブを開け、搬送ロボットＶＲによって、ウエハ２００をプロセスチャンバＰＭ１内に搬入する。この動作をプロセスチャンバＰＭ１内にウエハ２００が任意の枚数（例えば５枚）搬入されるまで繰り返す。プロセスチャンバＰＭ１内への任意の枚数（例えば５枚）のウエハ２００の搬入が完了し、プロセスチャンバＰＭ１と搬送室ＴＭとの間のゲートバルブが閉じられた後、プロセスチャンバＰＭ１内で、ウエハ２００に所定の処理が施される。

プロセスチャンバＰＭ１において所定の処理が終了すると、プロセスチャンバＰＭ１と搬送室ＴＭとの間のゲートバルブを開け、搬送ロボットＶＲによって、処理済みのウエハ２００をプロセスチャンバＰＭ１内から搬送室ＴＭへ搬出する。ウエハ２００を搬出した後、プロセスチャンバＰＭ１と搬送室ＴＭとの間のゲートバルブを閉じる。

続いて、搬送室ＴＭとロードロック室ＬＭ２との間のゲートバルブを開け、搬送ロボットＶＲによって、プロセスチャンバＰＭ１から搬出したウエハ２００を、ロードロック室ＬＭ２内へ搬入する。なお、ロードロック室ＬＭ２は、排気装置によって、予め設定された圧力値に減圧されている。そして、搬送室ＴＭとロードロック室ＬＭ２との間のゲートバルブを閉じた後、例えばロードロック室ＬＭ２に接続された不活性ガス供給部から不活性ガスが導入され、ロードロック室ＬＭ２内の圧力が大気圧に復帰させられる。

ロードロック室ＬＭ２内の圧力が大気圧に復帰させられると、ロードロック室ＬＭ２と搬送室ＥＦＥＭとの間のゲートバルブを開ける。続いて、搬送ロボットＡＲによって、処理済みのウエハ２００をロードロック室ＬＭ２内から搬送室ＥＦＥＭ内へ搬出した後、ロードロック室ＬＭ２と搬送室ＥＦＥＭとの間のゲートバルブを閉じる。その後、搬送ロボット１２４は、搬送室１２１の基板搬送口１３４を通して、処理済みのウエハ２００を例えば空のキャリアカセットＣＡ３に収納する。ここで、処理済みのウエハ２００は、キャリアカセットＣＡ３に収納せずにウエハ２００を搬出してきた元のキャリアカセットＣＡ１又はキャリアカセットＣＡ２に戻してもよい。

前述の工程によってキャリアカセットＣＡ１又はキャリアカセットＣＡ２内の全てのウエハ２００に所定の処理が施され、処理済みの２５枚のウエハ２００のすべてが所定のキャリアカセットＣＡ３へ収納されると、基板搬送口１３４が閉じられる。その後、キャリアカセットＣＡ３は、ロードポートＬＰ３上から次の工程へ、搬送装置によって搬送される。以上の動作が繰り返されることにより、ウエハ２００が２５枚ずつ順次処理されていく。

（２）プロセスチャンバの構成 続いて、本実施形態に係る第１処理室としてのプロセスチャンバＰＭ１の構成について、主に図２〜図４を用いて説明する。図２は、本実施形態に係る処理室が備える反応容器の概略斜視図である。図３は、本実施形態に係る処理室の縦断面概略図である。図４は、本実施形態に係るガス供給部の概略説明図である。なお、プロセスチャンバＰＭ２については、プロセスチャンバＰＭ１と同様に構成されているため、説明を省略する。

（反応容器） 図２及び図３に示すように、第１処理室としてのプロセスチャンバＰＭ１は、円筒状の気密容器である反応容器２０３を備えている。反応容器２０３内には、ウエハ２００の処理空間が形成されている。反応容器２０３内の処理空間の上側、即ち天井側には、中心部から放射状に延びる仕切板２０５が設けられている。仕切板２０５は、反応容器２０３内の処理空間を、複数の処理領域に仕切るように構成されている。具体的には、本実施形態では、反応容器２０３内を、第１の処理領域２０１ａ、第１のパージ領域２０４ａ、第２の処理領域２０１ｂ、第２のパージ領域２０４ｂに仕切るように構成されている。

第１の処理領域２０１ａ内には第１の原料ガスが供給され、第２の処理領域２０１ｂ内には第２の原料ガスが供給され、第１のパージ領域２０４ａ内及び第２のパージ領域２０４ｂ内には、不活性ガスが供給されるように構成されている。そのため、サセプタＳＴ１を回転させることで、ウエハ２００上には、第１の原料ガス、不活性ガス、第２の原料ガス、不活性ガスがこの順に交互に供給されることとなる。なお、サセプタＳＴ１及びガス供給部２５０の構成については後述する。

仕切板２０５の端部と反応容器２０３の側壁との間には、所定の幅の隙間が設けられており、この隙間をガスが通過できるように構成されている。第１のパージ領域２０４ａ内及び第２のパージ領域２０４ｂ内や上述の隙間から第１の処理領域２０１ａ内及び第２の処理領域２０１ｂ内に向けて不活性ガスを噴出させるようにすることで、第１のパージ領域２０４ａ内及び第２のパージ領域２０４ｂ内への第１原料ガス及び第２の原料ガスの侵入を抑制することができるように構成されている。これにより、第１の原料ガス及び第２の原料ガスの反応（及びこれによる異物の生成）を防止することができる。

なお、本実施形態では、各仕切板２０５の間の角度をそれぞれ９０度としたが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、ウエハ２００への各種ガスの供給時間等を考慮して、例えば第２の処理領域２０１ｂを形成する２枚の仕切板２０５の間の角度を大きくしたりする等、適宜変更してもよい。

（サセプタ） 仕切板２０５の下側、すなわち反応容器２０３内の底側中央には、基板載置部としてのサセプタＳＴ１が設けられている。サセプタＳＴ１は、反応容器２０３の中心に回転軸の中心を有し、回転自在に構成されている。サセプタＳＴ１は、ウエハ２００の金属汚染を低減することができるように、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、セラミックス、石英等の非金属材料で形成されている。なお、サセプタＳＴ１は、反応容器２０３とは電気的に絶縁されている。

サセプタＳＴ１は、反応容器２０３内にて、複数枚（本実施形態では例えば５枚）のウエハ２００を同一面上に、かつ同一円周上に並べて支持するように構成されている。ここで、同一面上とは、完全な同一面に限られるものではなく、サセプタＳＴ１を上面から見たときに、図２に示すように、複数枚のウエハ２００が互いに重ならないように並べられていればよい。

なお、サセプタＳＴ１表面におけるウエハ２００の載置位置には、円形状の凹部２１６（図１参照）を設けてもよい。この凹部２１６は、その直径がウエハ２００の直径よりもわずかに大きくなるように構成するとよい。この凹部２１６内にウエハ２００を載置することにより、ウエハ２００の位置決めを容易に行うことができ、また、サセプタＳＴ１の回転に伴う遠心力によりウエハ２００がサセプタＳＴ１から飛び出してしまう場合等で発生する位置ズレを防止できる。

サセプタＳＴ１には、サセプタＳＴ１を昇降させる昇降機構２６８が設けられている。サセプタＳＴ１には、貫通孔が複数設けられている。また、反応容器２０３の底面には、反応容器２０３内へのウエハ２００の搬入・搬出時に、ウエハ２００を突き上げて、ウエハ２００の裏面を支持するウエハ突き上げピンが複数設けられている。貫通孔及びウエハ突き上げピンは、ウエハ突き上げピンが上昇させられた時、又は昇降機構２６８によりサセプタＳＴ１が下降させられた時に、ウエハ突き上げピンがサセプタＳＴ１とは非接触な状態で貫通孔を突き抜けるように、互いに配置されている。

昇降機構２６８には、サセプタＳＴ１を回転させる回転機構２６７が設けられている。回転機構２６７の回転軸は、サセプタＳＴ１に接続されており、回転機構２６７を作動させることでサセプタＳＴ１を回転させることができるように構成されている。回転機構２６７には、後述する制御部２８０が、カップリング部２６６を介して接続されている。カップリング部２６６は、回転側と固定側との間を金属ブラシ等により電気的に接続するスリップリング機構として構成されている。これにより、サセプタＳＴ１の回転が妨げられないように構成されている。制御部２８０は、サセプタＳＴ１を所定の速度で所定時間回転させるように、回転機構２６７への供給電力を制御するように構成されている。上述したように、サセプタＳＴ１を回転させることにより、サセプタＳＴ１上に載置されたウエハ２００は、第１の処理領域２０１ａ、第１のパージ領域２０４ａ、第２の処理領域２０１ｂ及び第２のパージ領域２０４ｂの間を移動することとなる。

（加熱部） サセプタＳＴ１の内部には、加熱部としてのヒータ２１８が一体的に埋め込まれており、ウエハ２００を加熱できるように構成されている。ヒータ２１８に電力が供給されると、ウエハ２００表面が所定温度（例えば室温〜１０００℃程度）にまで加熱される。なお、ヒータ２１８は、サセプタＳＴ１に載置されたそれぞれのウエハ２００を個別に加熱するように、同一面上に複数（例えば５つ）設けてもよい。

サセプタＳＴ１には温度センサ２７４が設けられている。ヒータ２１８及び温度センサ２７４には、電力供給線２２２を介して、温度調整器２２３、電力調整器２２４及びヒータ電源２２５が電気的に接続されている。温度センサ２７４により検出された温度情報に基づいて、ヒータ２１８への供給電力が制御されるように構成されている。

（ガス供給部） 図２及び図３に示すように、第１の処理領域２０１ａの反応容器２０３の上側には、開口２５１ａが開設されている。開口２５１ａには、第１の処理領域２０１ａ内へ第１の原料ガスを供給する第１の原料ガス供給部２５１が設けられている。すなわち、開口２５１ａには、第１の原料ガス供給管２３２ａの下流端が気密に接続されている。図４（ａ）に示すように、第１の原料ガス供給管２３２ａの上流側には、上流方向から順に、第１の原料ガス供給源２３３ａ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３４ａ、及び開閉弁であるバルブ２３５ａが設けられている。

第１の原料ガス供給管２３２ａからは、第１の原料ガスとして、例えば、シリコン含有ガスが、マスフローコントローラ２３４ａ、バルブ２３５ａ、及び開口２５１ａを介して、第１の処理領域２０１ａ内に供給される。シリコン含有ガスとしては、例えばトリシリルアミン（（ＳｉＨ_３）_３Ｎ、略称：ＴＳＡ）ガス等を用いることができる。なお、第１の原料ガスは、常温常圧で固体、液体、及び気体のいずれであっても良いが、ここでは気体として説明する。第１の原料ガスが常温常圧で液体の場合は、第１の原料ガス供給源２３３ａとマスフローコントローラ２３４ａとの間に、気化器を設ければよい。

第１の原料ガス供給管２３２ａのバルブ２３５ａよりも下流側には、第１の不活性ガス供給管２３２ｂの下流端が接続されている。第１の不活性ガス供給管２３２ｂの上流側には、上流方向から順に、第１の不活性ガス供給源２３３ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３４ｂ、及び開閉弁であるバルブ２３５ｂが設けられている。第１の不活性ガス供給管２３２ｂからは、不活性ガスとして、例えばＮ_２ガスが、マスフローコントローラ２３４ｂ、バルブ２３５ｂ、第１の原料ガス供給管２３２ａ、及び開口２５１ａを介して、第１の処理領域２０１ａ内に供給される。

図２及び図３に示すように、第２の処理領域２０１ｂの反応容器２０３の上側には、開口２５１ｂが開設されている。開口２５１ｂには、第２の処理領域２０１ｂ内へ第２の原料ガスを供給する第２の原料ガス供給部２５３が設けられている。すなわち、開口２５１ｂには、第２の原料ガス供給管２３２ｃの下流端が気密に接続されている。図４（ｂ）に示すように、第２の原料ガス供給管２３２ｃの上流側には、上流方向から順に、第２の原料ガス供給源２３３ｃ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３４ｃ、及び開閉弁であるバルブ２３５ｃが設けられている。

第２の原料ガス供給管２３２ｃからは、第２の原料ガスとして、例えば、酸素含有ガスである酸素（Ｏ_２）ガスが、マスフローコントローラ２３４ｃ、バルブ２３５ｃ、及び開口２５２ｂを介して、第２の処理領域２０１ｂ内に供給される。第２の原料ガスである酸素ガスは、例えばリモートプラズマユニット等によりプラズマ状態とされ、ウエハ２００に供給される。なお、第２の原料ガスである酸素ガスは、ヒータ２１８の温度及び反応容器２０３内の圧力を所定の範囲に調整し、熱で活性化させてもよい。なお、酸素含有ガスとしては、オゾン（Ｏ_３）ガスや水蒸気（Ｈ_２Ｏ）を用いてもよい。

第２の原料ガス供給管２３２ｃのバルブ２３５ｃよりも下流側には、第２の不活性ガス供給管２３２ｄの下流端が接続されている。第２の不活性ガス供給管２３２ｄの上流側には、上流方向から順に、第２の不活性ガス供給源２３３ｄ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３４ｄ、及び開閉弁であるバルブ２３５ｄが設けられている。第２の不活性ガス供給管２３２ｄからは、不活性ガスとして、例えばＮ_２ガスが、マスフローコントローラ２３４ｄ、バルブ２３５ｄ、第２の原料ガス供給管２３２ｃ、及び開口２５１ｂを介して、第２の処理領域２０１ｂ内に供給される。

主に、第２の原料ガス供給管２３２ｂ、マスフローコントローラ２３４ｂ及びバルブ２３５ｂにより、第２の原料ガス供給部２５３が構成される。なお、第２の原料ガス供給源２３３ｂを第２の原料ガス供給部２５３に含めて考えてもよい。また、主に、第２の不活性ガス供給管２３２ｄ、マスフローコントローラ２３４ｄ及びバルブ２３５ｄにより、第２の不活性ガス供給部２５４が構成される。なお、第２の不活性ガス供給源２３３ｄや第２の原料ガス供給管２３２ｃを第２の不活性ガス供給部２５４に含めて考えてもよい。

図２及び図３に示すように、第１のパージ領域２０４ａの反応容器２０３の上側には、開口が開設されている。この開口には、第１のパージ領域２０４ａ内へ不活性ガスを供給する第３の不活性ガス供給部２５５が設けられている。すなわち、第１のパージ領域２０４ａの上側の反応容器２０３に開設された開口には、第３の不活性ガス供給管２３２ｅの下流端が気密に接続されている。図４（ｃ）に示すように、第３の不活性ガス供給管２３２ｅの上流側には、上流方向から順に、第３の不活性ガス供給源２３３ｅ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３４ｅ、及び開閉弁であるバルブ２３５ｅが設けられている。

主に、第３の不活性ガス供給管２３２ｅ、マスフローコントローラ２３４ｅ及びバルブ２３５ｅにより、第３の不活性ガス供給部２５５が構成される。なお、第３の不活性ガス供給源２３３ｅを第３の不活性ガス供給部２５５に含めて考えてもよい。

図２及び図３に示すように、第２のパージ領域２０４ｂの反応容器２０３の上側には、開口が開設されている。この開口には、第２のパージ領域２０４ｂ内へ不活性ガスを供給する第４の不活性ガス供給部２５６が設けられている。すなわち、第２のパージ領域２０４ｂの上側の反応容器２０３に開設された開口には、第４の不活性ガス供給管２３２ｆの下流端が気密に接続されている。図４（ｄ）に示すように、第４の不活性ガス供給管２３２ｆの上流側には、上流方向から順に、第４の不活性ガス供給源２３３ｆ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３４ｆ、及び開閉弁であるバルブ２３５ｆが設けられている。

主に、第４の不活性ガス供給管２３２ｆ、マスフローコントローラ２３４ｆ及びバルブ２３５ｆにより、第４の不活性ガス供給部２５６が構成される。なお、第４の不活性ガス供給源２３３ｆを第４の不活性ガス供給部２５６に含めて考えてもよい。

図２及び図３に示すように、仕切板２０５の交差部（中心部）には、仕切板２０５の交差部を縦方向に貫通する開口２０９が開設されている。開口２０９には、第１の処理領域２０１ａ、第２の処理領域２０１ｂ、第１のパージ領域２０４ａ、及び第２のパージ領域２０４ｂの各領域（以下、「反応容器２０３内の各領域」とも言う。）に分配するように、クリーニングガスとしての反応性ガスを供給する反応性ガス供給部２５７が設けられている。すなわち、開口２０９には、反応性ガス供給管２３２ｇの下流端が気密に接続されている。図４（ｅ）に示すように、反応性ガス供給管２３２ｇの上流側には、上流方向から順に、反応性ガス供給源２３３ｇ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３４ｇ、及び開閉弁であるバルブ２３５ｇが設けられている。

反応性ガス供給管２３２ｇからは、反応性ガスとして、例えば、フッ素含有ガスや塩素含有ガス等が、マスフローコントローラ２３４ｇ、バルブ２３５ｇ、及び開口２０９を介して、反応容器２０３内の各領域に供給される。フッ素含有ガスとしては、例えば、三フッ化窒素（ＮＦ_３）ガス、フッ素（Ｆ_２）ガス、三フッ化塩素（ＣｌＦ_３）ガス等を用いることができる。また、塩素含有ガスとしては、例えば、塩化水素（ＨＣｌ）ガス、塩素（Ｃｌ_２）ガス、ジクロロシラン（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２）、ジクロロエチレン（ＤＣＥ）等を用いることができる。

主に、反応性ガス供給管２３２ｇ、マスフローコントローラ２３４ｇ及びバルブ２３５ｇにより、反応性ガス供給部２５７が構成される。なお、反応性ガス供給源２３３ｇを反応性ガス供給部２５７に含めて考えてもよい。

主に、第１の原料ガス供給管２３２ａ、マスフローコントローラ２３４ａ及びバルブ２３５ａにより、第１の原料ガス供給部２５１が構成される。なお、第１の原料ガス供給源２３３ａを第１の原料ガス供給部２５１に含めて考えてもよい。また、主に第１の不活性ガス供給管２３２ｂ、マスフローコントローラ２３４ｂ及びバルブ２３５ｂにより、第１の不活性ガス供給部２５２が構成される。なお、第１の不活性ガス供給源２３３ｂや第１の原料ガス供給管２３２ａを第１の不活性ガス供給部２５２に含めて考えてもよい。

そして、主に、第１の原料ガス供給部２５１及び第２の原料ガス供給部２５３により、原料ガス供給部が構成される。また、主に、第１の不活性ガス供給部２５２、第２の不活性ガス供給部２５４、第３の不活性ガス供給部２５５及び第４の不活性ガス供給部２５６により、不活性ガス供給部が構成される。また、主に、原料ガス供給部、不活性ガス供給部及び反応性ガス供給部２５７により、ガス供給部２５０が構成される。

（排気部） 反応容器２０３には、処理領域２０１ａ，２０１ｂ内及びパージ領域２０４ａ，２０４ｂ内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１には、反応容器２０３内（処理領域２０１ａ，２０１ｂ内及びパージ領域２０４ａ，２０４ｂ内）の雰囲気を排出する際に流量を調整する流量調整バルブ２４５、及び圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４３を介して、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されており、反応容器２０３内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。なお、ＡＰＣバルブ２４３は、弁を開閉して反応容器２０３内の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能となっている開閉弁である。主に、排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４３、及び流量調整バルブ２４５により排気部が構成される。なお、真空ポンプ２４６を排気部に含めて考えてもよい。

（制御部） 基板処理装置１０には、制御手段としての制御部（コントローラ）２８０が電気的に接続されている。制御部２８０は、ヒータ２１８、マスフローコントローラ２３４ａ〜２３４ｇ、バルブ２３５ａ〜２３５ｇ、ＡＰＣバルブ２４３、真空ポンプ２４６等をそれぞれ制御するように構成されている。制御部２８０の構成や動作については、後述する。

（３）基板処理工程 続いて、本実施形態にかかる半導体製造工程の一工程として、上述した反応容器２０３を備えるプロセスチャンバＰＭ１を用いて実施される基板処理工程について、主に図５を用いて説明する。図５は、本実施形態に係る基板処理工程を示すフロー図である。係る基板処理工程は、ウエハ２００に所定の処理を施すプロセスレシピに基づいて繰り返し実行される。また、プロセスレシピには複数のステップが含まれることがある。なお、以下の説明において、基板処理装置１０のプロセスチャンバＰＭ１を構成する各部の動作は制御部２８０により制御される。

ここでは、原料ガスとして、シリコン含有ガスであるトリシリルアミン（ＴＳＡ）を用い、反応ガスとして、酸素含有ガスである酸素ガスを用い、ウエハ２００上に絶縁膜としてシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２膜。以下、ＳｉＯ膜という）を形成する例について説明する。

（基板搬入・載置工程（Ｓ１０）） まず、ウエハ２００の搬送位置まで、ウエハ突き上げピンを上昇させ、サセプタＳＴ１の貫通孔にウエハ突き上げピンを貫通させる。その結果、ウエハ突き上げピンが、サセプタＳＴ１の表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。続いて、プロセスチャンバＰＭ１と搬送室ＴＭとの間のゲートバルブを開き、搬送ロボットＶＲを用いて、反応容器２０３内に所定枚数（例えば５枚）のウエハ２００を搬入する。そして、サセプタＳＴ１の回転軸を中心として、各ウエハ２００が重ならないように、サセプタＳＴ１の同一面上に載置する。これにより、ウエハ２００は、サセプタＳＴ１の表面から突出したウエハ突き上げピン上に水平姿勢で支持される。

反応容器２０３内にウエハ２００を搬入したら、搬送ロボットＶＲを反応容器２０３外へ退避させ、プロセスチャンバＰＭ１と搬送室ＴＭとの間のゲートバルブを閉じて反応容器２０３内を密閉する。その後、ウエハ突き上げピンを下降させて、第１の処理領域２０１ａ、第１のパージ領域２０４ａ、第２の処理領域２０１ｂ、第２のパージ領域２０４ｂの各底面のサセプタ２１７上にウエハ２００を載置する。

なお、ウエハ２００を反応容器２０３内に搬入する際には、排気部により反応容器２０３内を排気しつつ、不活性ガス供給部から、反応容器２０３内にパージガスとしてのＮ_２ガスを供給するとよい。すなわち、真空ポンプ２４６を作動させ、ＡＰＣバルブ２４３を開けて反応容器２０３内を排気しつつ、例えば第１の不活性ガス供給部２５２のバルブ２３５ａを開けて反応容器２０３内にＮ_２ガスを供給するとよい。これにより、処理領域２０１ａ，２０１ｂ内へのパーティクルの侵入や、ウエハ２００上へのパーティクルの付着を抑制することが可能となる。ここで、第１の不活性ガス供給部２５２から不活性ガスを供給する場合に限らず、第１〜第４の不活性ガス供給部２５２，２５４，２５５，２５６の少なくともいずれかから不活性ガスを供給すればよい。

（温度・圧力調整工程（Ｓ２０）） 続いて、サセプタＳＴ１の内部に埋め込まれたヒータ２１８に電力を供給し、ウエハ２００の表面が所定の温度（例えば２００℃以上であって４００℃以下）となるように加熱する。この際、ヒータ２１８の温度は、温度センサ２７４により検出された温度情報に基づいてヒータ２１８への供給電力を制御することによって調整される。

また、反応容器２０３内が所望の圧力（例えば０．１Ｐａ〜３００Ｐａ、好ましくは２０Ｐａ〜４０Ｐａ）となるように、反応容器２０３内を真空ポンプ２４６によって真空排気する。この際、反応容器２０３内の圧力は圧力センサで測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ２４３の開度をフィードバック制御する。

また、ウエハ２００を加熱しつつ、回転機構２６７を作動して、サセプタＳＴ１の回転を開始する。この際、サセプタＳＴ１の回転速度は制御部２８０によって制御される。サセプタＳＴ１の回転速度は例えば１回転／秒である。なお、サセプタＳＴ１は、後述する成膜工程（Ｓ３０）が終了するまでの間は、常に回転させた状態とする。サセプタＳＴ１を回転させることにより、ウエハ２００は、第１の処理領域２０１ａ、第１のパージ領域２０４ａ、第２の処理領域２０１ｂ、第２のパージ領域２０４ｂの順に移動を開始し、各領域をウエハ２００が通過することになる。

（成膜工程（Ｓ３０）） 次に、第１の処理領域２０１ａ内に第１の原料ガスとしてのＴＳＡガスを供給し、第２の処理領域２０１ｂ内に第２の原料ガスとしての酸素ガスを供給することによりウエハ２００上にＳｉＯ膜を成膜する工程を行う。なお、以下の説明では、ＴＳＡガスの供給、酸素ガスの供給、及び不活性ガスの供給を併行して行う。

ウエハ２００を加熱して所望とする温度に達し、サセプタＳＴ１が所望とする回転速度に到達したら、少なくともバルブ２３５ａ，２３５ｃ，２３５ｅ及び２３５ｆを開け、第１の原料ガス、第２の原料ガス及び不活性ガスの処理領域２０１ａ，２０１ｂ及びパージ領域２０４ａ，２０４ｂへの供給を開始する。すなわち、バルブ２３５ａを開けて第１の処理領域２０１ａ内にＴＳＡガスの供給を開始し、バルブ２３５ｃを開けて第２の処理領域２０１ｂ内に酸素ガスを供給を開始し、バルブ２３５ｅを開けて第１のパージ領域２０４ａ内に不活性ガスであるＮ_２ガスの供給を開始するとともに、バルブ２３５ｆを開けて第２のパージ領域２０４ｂ内に不活性ガスであるＮ_２ガスの供給を開始する。このとき、少なくともＡＰＣバルブ２４３を適正に調整して反応容器２０３内の圧力を、例えば１０Ｐａ〜１０００Ｐａの範囲内の圧力とする。このときヒータ２１８の温度は、ウエハ２００の温度が、例えば２００℃〜４００℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。

すなわち、バルブ２３５ａを開け、第１の原料ガス供給管２３２ａから開口２５１ａを介して第１の処理領域２０１ａ内にＴＳＡガスを供給しつつ、排気管２３１から排気する。このとき、ＴＳＡガスの流量が所定の流量となるように、マスフローコントローラ２３４ａを調整する。なお、マスフローコントローラ２３４ａで制御するＴＳＡガスの供給流量は、例えば１００ｓｃｃｍ〜５０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。

ＴＳＡガスを第１の処理領域２０１ａ内に供給する際には、バルブ２３５ｂを開け、第１の不活性ガス供給管２３２ｂからキャリアガス或いは希釈ガスとしてのＮ_２ガスを第１の処理領域２０１ａ内に供給するとよい。これにより、第１の処理領域２０１ａ内へのＴＳＡガスの供給を促進させることができる。

また、バルブ２３５ａを開けると共に、さらにバルブ２３５ｃを開け、第２の原料ガス供給管２３２ｃから開口２５２ｂを介して第２の処理領域２０１ｂ内に酸素ガスを供給しつつ、排気管２３１から排気する。このとき、酸素ガスの流量が所定の流量となるように、マスフローコントローラ２３４ｃを調整する。なお、マスフローコントローラ２３４ｃで制御する酸素ガスの供給流量は、例えば１０００ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。なお、酸素ガスは、第２の処理領域２０１ｂに供給される前に、例えばリモートプラズマユニット等によりプラズマ状態とされている。

酸素ガスを第２の処理領域２０１ｂ内に供給する際には、バルブ２３５ｄを開け、第２の不活性ガス供給管２３２ｄからキャリアガス或いは希釈ガスとしてのＮ_２ガスを第２の処理領域２０１ｂ内に供給するとよい。これにより、第２の処理領域２０１ｂ内への酸素ガスの供給を促進することができる。

また、バルブ２３５ａ及びバルブ２３５ｃを開けると共に、さらにバルブ２３５ｅ及び２３５ｆを開け、パージガスとしての不活性ガスであるＮ_２ガスを、第３の不活性ガス供給管２３２ｅ、第４の不活性ガス供給管２３２ｆから、第１のパージ領域２０４ａ及び第２のパージ領域２０４ｂにそれぞれ供給しつつ、排気管２３１から排気する。このとき、Ｎ_２ガスの流量が所定の流量となるように、マスフローコントローラ２３４ｅ及び２３４ｆをそれぞれ調整する。なお、仕切板２０５の端部と反応容器２０３の側壁との間には、隙間が設けられている。第１のパージ領域２０４ａ内及び第２のパージ領域２０４ｂ内や上述の隙間から、第１の処理領域２０１ａ内及び第２の処理領域２０１ｂ内に向けて不活性ガスを噴出させることで、第１のパージ領域２０４ａ内及び第２のパージ領域２０４ｂ内への第１の原料ガスや第２の原料ガスの侵入を抑制できる。

上述したように、サセプタＳＴ１を回転させることにより、ウエハ２００は、第１の処理領域２０１ａ、第１のパージ領域２０４ａ、第２の処理領域２０１ｂ、第２のパージ領域２０４ｂの順に移動を繰り返す。そのため、ウエハ２００には、ＴＳＡガスの供給、Ｎ_２ガスの供給（パージ）、プラズマ状態とされた酸素ガスの供給、Ｎ_２ガスの供給（パージ）を１サイクルとして、このサイクルが所定回数実施されることになる。

まず、第１の処理領域２０１ａを通過したウエハ２００表面にＴＳＡガスが供給され、ウエハ２００上にシリコン含有層が形成される。

次に、シリコン含有層が形成されたウエハ２００が第１のパージ領域２０４ａを通過する。このとき、ウエハ２００に不活性ガスであるＮ_２ガスが供給される。

次に、第２の処理領域２０１ｂを通過したウエハ２００に酸素ガスが供給され、ウエハ２００上にシリコン酸化層（ＳｉＯ層）が形成される。すなわち、酸素ガスは、第１の処理領域２０１ａでウエハ２００上に形成されたシリコン含有層の一部と反応する。これにより、シリコン含有層は酸化されて、シリコン及び酸素を含むＳｉＯ層へと改質される。

そして、第２の処理領域２０１ｂでＳｉＯ層が形成されたウエハ２００が第２のパージ領域２０４ｂを通過する。このとき、ウエハ２００に不活性ガスであるＮ_２ガスが供給される。

このように、サセプタＳＴ１の１回転を１サイクルとし、すなわち第１の処理領域２０１ａ、第１のパージ領域２０４ａ、第２の処理領域２０１ｂ及び第２のパージ領域２０４ｂのウエハ２００の通過を１サイクルとし、このサイクルを少なくとも１回以上行うことにより、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＯ膜を成膜することができる。

ウエハ２００上に所望の膜厚のＳｉＯ膜が形成された後、少なくともバルブ２３４ａ及びバルブ２３５ｃを閉じ、ＴＳＡガス及び酸素ガスの第１の処理領域２０１ａ及び第２の処理領域２０１ｂへの供給を停止し、成膜工程（Ｓ３０）を終了する。

なお、上述の基板搬入・載置工程（Ｓ１０）〜成膜工程（Ｓ３０）において、ウエハ２００の温度、反応容器２０３内の圧力、各ガスの流量、処理時間等の条件等は、改質対象の膜の材料や膜厚等によって任意に調整する。

（圧力調整・基板搬出工程（Ｓ４０）） 成膜工程（Ｓ３０）が終了したら、ＡＰＣバルブ２４３の開度を調整して反応容器２０３内の圧力を所定の圧力にする（圧力調整）。そして、ウエハ突き上げピンを上昇させ、サセプタＳＴ１の表面から突出させたウエハ突き上げピン上にウエハ２００を支持する。このとき、ウエハ２００はヒータ２１８の影響を受けない程度の高さに支持する。その後、プロセスチャンバＰＭ１と搬送室ＴＭとの間のゲートバルブを開け、搬送ロボットＶＲを用いてウエハ２００をプロセスチャンバＰＭ１の外（反応容器２０３の外）へ搬出する。

（累積膜厚値更新工程（Ｓ５０）） 成膜工程（Ｓ３０）が終了した後、後述する制御部２８０が有する累積膜厚値更新機能２８５によって、上述の成膜工程（Ｓ３０）によってサセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域に面する仕切部のそれぞれに堆積する膜厚値を、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の領域毎にそれぞれ算出する。そして算出した膜厚値を、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域に面する仕切部の堆積物の累積膜厚値にそれぞれ加算し、累積膜厚値をそれぞれ更新する。なお、加算する膜厚値の算出方法については後述する。

（クリーニング工程（Ｓ６０）） 累積膜厚値更新工程（Ｓ５０）を終了した後、累積膜厚値が所定の値を超えたら、上述の成膜工程（Ｓ３０）で反応容器２０３内の各領域に面する仕切部やサセプタＳＴ１に付着（堆積）したパーティクルや、反応容器２０３内で生成された副生成物等からなる堆積物をエッチングして除去するクリーニング工程（Ｓ６０）を実施する。本実施形態に係るクリーニング工程（Ｓ６０）は、堆積物の膜厚値が最も小さい領域（最小膜厚領域）から順番に堆積物を除去していく（堆積物の膜厚値を０（ゼロ）にする）。ここで、クリーニング工程は、サセプタＳＴ１の累積膜厚値を基準に所定の閾値を超えたら実行するのが好ましい。なぜなら、反応容器２０３内の各領域に面する仕切部やサセプタＳＴ１のうち、サセプタＳＴ１は、ヒータを包含しているため最も累積膜厚値が高くなるからである。但し、これに限らず、堆積物の膜厚値が最も小さい領域(最小膜厚領域)に面する仕切部に付着した堆積物の膜厚値を基準に閾値を設定してもよいのは言うまでもない。

［反応性ガス供給時間算出工程（Ｓ６１）］ まず、サセプタＳＴ１又は反応容器２０３内の各領域のうち、最も堆積物の膜厚値の小さい領域（最少膜厚領域）の膜厚値に基づいて、後述するように反応性ガスの供給時間を算出する。なお、最小膜厚領域の膜厚値は０（ゼロ）ではないものとする。また、反応性ガスの供給時間は、サセプタＳＴ１又は反応容器２０３内の各領域でそれぞれ算出してもよいのは言うまでもない。詳細は後述するが、各領域に供給する反応性ガス及び不活性ガスの供給流量をそれぞれ調整するように構成すれば、サセプタＳＴ１又は反応容器２０３内の各領域に面する仕切部に堆積される堆積物の膜厚値がそれぞれ異なるため、各領域でそれぞれ算出された供給時間が異なった場合に、最も堆積物の膜厚値の大きい領域（最大膜厚領域）に供給する反応性ガスの供給時間に合わせることができる。

［クリーニングガス供給工程（Ｓ６２）］ 続いて、サセプタＳＴ１の内部に埋め込まれたヒータ２１８に電力を供給し、反応容器２０３内が所定の温度となるように加熱する。この際、ヒータ２１８の温度は、温度センサ２７４により検出された温度情報に基づいてヒータ２１８への供給電力を制御することによって調整される。

また、反応容器２０３内が所望の圧力（例えば０．１Ｐａ〜３００Ｐａ、好ましくは２０Ｐａ〜４０Ｐａ）となるように、反応容器２０３内を真空ポンプ２４６によって真空排気する。この際、反応容器２０３内の圧力は圧力センサで測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ２４３の開度をフィードバック制御する。

また、反応容器２０３内を加熱しつつ、回転機構２６７を作動して、サセプタＳＴ１の回転を開始させる。この際、サセプタＳＴ１の回転速度はコントローラ２２１によって制御される。サセプタＳＴ１の回転速度は例えば１回転／秒である。なお、サセプタＳＴ１は、クリーニングガス供給工程（Ｓ６２）が終了するまでの間は、回転させた状態とするとよい。更に、サセプタＳＴ１には、ダミー基板が載置されているとよい。

反応容器２０３内を加熱して所望とする温度に達したら、第１のクリーニングガス供給部２５３又は第２のクリーニングガス供給部２５４の少なくともいずれかから反応容器２０３内に、クリーニングガスとしての三フッ化窒素（ＮＦ_３）ガスの供給を開始する。このとき、ＡＰＣバルブ２４３を適正に調整して、反応容器２０３内の圧力を例えば１０Ｐａ〜１０００Ｐａの範囲内の圧力とするとよい。

反応容器２０３内が、所望の圧力、所望の温度に達したら、反応性ガス供給部２５７から反応容器２０３内の各領域へのクリーニングガスとしての反応性ガスの供給を開始する。すなわち、バルブ２３５ｇを開け、反応性ガス供給管２３２ｇから、マスフローコントローラ２３４ｇで流量制御しながら、第１の処理領域２０１ａ、第２の処理領域２０１ｂ、第１のパージ領域２０４ａ又は第２のパージ領域２０４ｂの少なくともいずれかに反応性ガスを供給する。反応性ガスとしては、例えば三フッ化窒素（ＮＦ_３）を用い、反応性ガス供給部２５７から供給される反応性ガスは、例えばリモートプラズマ機構により予めプラズマ状態として反応容器２０３内へ供給する。なお、マスフローコントローラ２３４ｇで制御する反応性ガスの供給流量は、例えば１００ｓｃｃｍ〜５０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とするとよい。

反応性ガス供給部２５７から反応容器２０３内の各領域に少なくとも反応性ガスを供給する際、反応容器２０３内の各領域に面する仕切部の堆積物の膜厚値に基づいて、各領域に供給する反応性ガス及び不活性ガスの供給流量をそれぞれ調整する。すなわち、膜厚値が０（ゼロ）の領域（例えば堆積物の除去が終了した領域）には、反応性ガスが供給されないように、不活性ガスを供給する。例えば、第１のパージ領域２０４ａの堆積物の膜厚値が０（ゼロ）の場合、第１のパージ領域２０４ａには反応性ガスが供給されないように、バルブ２３５ｅを開け、マスフローコントローラ２３４ｆで流量制御しながら不活性ガス（例えばＮ_２ガス）を第１のパージ領域２０４ａに供給する。このように、反応性ガス(クリーニングガス)により堆積物の膜厚値が０（ゼロ）の領域に供給するガスを反応性ガスから不活性ガスに切り替える。

算出した反応ガスの供給時間が経過したら、少なくともバルブ２３５ｇを閉じ、反応性ガスの反応容器２０３内の各領域への供給を停止する。そして、ＡＰＣバルブ２４３の開度を調整して反応容器２０３内の圧力を所定の圧力にする。尚、上述のように各領域に供給するガスを反応性ガスから不活性ガスに切り替えるようにしてもよい。このように、反応性ガス(クリーニングガス)により堆積物の膜厚値が０（ゼロ）の領域に反応性ガスを供給しないようにする。ここで、堆積物の膜厚値が０（ゼロ）の領域に供給する不活性ガスの供給流量を他の領域に供給する不活性ガスの供給流量及び反応性ガスの供給流量よりも多くするように構成してもよい。

（累積膜厚値更新工程（Ｓ７０）） クリーニング工程（Ｓ６０）が終了した後、後述する制御部２８０が有する累積膜厚値更新機能２８５によって、上述のクリーニング工程（Ｓ６０）によってサセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域に面する仕切部からエッチングされて除去される堆積物の膜厚値を、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の領域に面する仕切部毎に算出する。そして、算出した膜厚値を、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域に面する仕切部の堆積物の累積膜厚値からそれぞれ減算し、累積膜厚値をそれぞれ更新する。なお、減算する膜厚値の算出方法については後述する。

上述のクリーニング工程（Ｓ６０）及び累積膜厚値更新工程（Ｓ７０）は、反応容器２０３内の各領域のうち、最小膜厚領域から順番に堆積物を除去し（堆積物の膜厚値を０（ゼロ）にし）、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の全ての領域に面する仕切部の膜厚値が０になるまで、繰り返し行われる。サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の全ての領域に面する仕切部の膜厚値が０になったら、本実施形態に係る基板処理工程を終了する。

（４）制御手段の構成 次に、基板処理装置１０を制御する制御手段としての制御部２８０について、主に図６を用いて説明する。図６は、本実施形態で好適に用いられる基板処理装置の制御部２８０の概略構成図である。なお、プロセスチャンバＰＭ２については、プロセスチャンバＰＭ１と同様に構成されているため、説明を省略する。

図６に示すように、制御部２８０は、操作部コントローラ２３６と、操作部コントローラ２３６に接続されるスイッチングハブ（ＳＷ Ｈｕｂ）２３９ｈと、スイッチングハブ２３９ｈに接続される搬送制御部としての搬送コントローラ２３９ｔと、スイッチングハブ２３９ｈに接続される処理制御部としてのプロセスチャンバコントローラ２３９ｐと、を備えている。搬送コントローラ２３９ｔ及びプロセスチャンバコントローラ２３９ｐは、スイッチングハブ２３９ｈを介して、例えばＬＡＮ等の通信ネットワーク２０により、操作部コントローラ２３６に電気的に（データ交換可能なように）接続されている。また、操作部コントローラ２３６には、スイッチングハブ２３９ｈを介して、搬送室ＴＭが備える搬送ロボットＶＲと、搬送室ＥＦＥＭが備える搬送ロボットＡＲとを制御するロボットコントローラ１１が、通信ネットワーク２０により接続されている。また、操作部コントローラ２３６には、スイッチングハブ２３９ｈを介して、顧客のホストコンピュータ２３７ｕに接続されている。

制御手段としての制御部２８０は、基板処理装置１０の内部に設けられ、搬送コントローラ２３９ｔ、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐを備えることで、基板処理装置１０の各部を制御するよう構成されている。なお、搬送コントローラ２３９ｔとプロセスチャンバコントローラ２３９ｐとは、基板処理装置１０外に設けられていても良い。

（操作部コントローラ） 操作部コントローラ２３６は、例えば中央処理装置（ＣＰＵ）等からなる。操作部コントローラ２３６は、操作員とのインタフェースであり、例えば入出力部や表示部等を含む操作端末２３６ｓを介して操作員による操作を受け付けるよう構成されている。すなわち、操作端末２３６ｓには、入出力部として、例えばマウス、キーボード等が接続されている。また、操作端末２３６ｓには、例えばディスプレイ等の表示部が接続されている。操作端末２３６ｓは、例えば、タッチパネル等の操作入力受付画面や、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域内の堆積物の累積膜厚値が記載された累積膜厚データ等を表示させるように構成されている。

操作部コントローラ２３６は、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＣＤ−ＲＯＭ等で構成される記憶装置等の記憶部２３６ｍを備えている。記憶部２３６ｍ内には、基板処理装置１００の動作を制御する制御プログラムや、例えばウエハ２００上に薄膜を形成する処理の手順や条件などが記載されたプロセスレシピ、処理室ＰＭ１内の堆積物を除去するクリーニング処理の手順や条件などが記載されたクリーニングレシピ、ウエハ２００の搬送手順や条件などが記載された搬送レシピ等を含むレシピ、及びこれらのレシピを実行する際に使用される各種パラメータが、読み出し可能に格納されている。

また、プロセスレシピには、堆積レートが設定されている。堆積レートとは、プロセスチャンバＰＭ１内に原料ガスを供給してウエハ２００上に薄膜を形成する成膜処理を実施することによって、例えば単位時間当たりにサセプタＳＴ１上に堆積する堆積物のレートである。サセプタＳＴ１上に堆積する堆積物の膜厚値は、堆積レートに原料ガスの供給時間を乗じることで算出される。例えば、堆積レートの設定値が１０ｎｍ／分であり、原料ガスの供給時間が１分である成膜処理を実行すると、サセプタＳＴ１上に堆積する堆積物の膜厚値は１０ｎｍとなる。なお、堆積レートの単位時間の単位は分に限らず、例えば秒などであってもよい。

また、クリーニングレシピには、エッチングレートが設定されている。エッチングレートとは、プロセスチャンバＰＭ１内に反応性ガス（クリーニングガス）を供給して、プロセスチャンバＰＭ１内の堆積物を除去する処理（除去処理）を実施することによって、例えば単位時間当たりにサセプタＳＴ１上から除去される堆積物のレートである。サセプタＳＴ１上から除去される堆積物の膜厚値は、エッチングレートに反応性ガスの供給時間を乗じることで算出される。例えば、エッチングレートの設定値が１０ｎｍ／分であり、反応性ガスの供給時間が１分である除去処理を実行すると、サセプタＳＴ１上からエッチングされる堆積物の膜厚値は１０ｎｍとなる。なお、エッチングレートの時間の単位は分に限らず、例えば秒などであってもよい。

また、記憶部２３６ｍ内には、堆積比率テーブルファイルや、エッチング比率テーブルファイルが読み出し可能に格納されている。堆積比率テーブルファイルは、プロセスレシピに関連付けられている。記憶部２３６ｍ内に複数の堆積比率テーブルが格納されている場合、例えばプロセスレシピの各ステップの設定の際に、堆積比率テーブル番号を指定することで、使用する堆積比率テーブルファイルを指定するように構成されている。また、エッチング比率テーブルファイルは、クリーニングレシピに関連付けられている。記憶部２３６ｍ内に複数のエッチング比率テーブルが格納されている場合、例えばクリーニングレシピの各ステップの設定の際に、エッチング比率テーブル番号を指定することで、使用するエッチング比率テーブルファイルを指定するように構成されている。

ここで、堆積比率テーブルとは、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のそれぞれの堆積比率が記載されたテーブルである。堆積比率とは、堆積比率テーブルが関連付けられたプロセスレシピを実行した場合にサセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域に面する仕切部２０５の表面に堆積する堆積物の膜厚値の、プロセスレシピ内に設定された堆積レートに対する比率である。また、エッチング比率テーブルとは、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のそれぞれのエッチング比率が記載されたテーブルである。エッチング比率とは、エッチング比率テーブルが関連付けられたクリーニングレシピを実行した場合にサセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のそれぞれから除去される堆積物の膜厚値の、クリーニングレシピ内に設定されたエッチングレートに対する比率である。

尚、操作部コントローラ２３６は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていてもよい。この場合、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）を用意し、かかる外部記憶装置を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐや搬送コントローラ２３９ｔを構成することができる。なお、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、上述の外部記憶装置を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、上述の外部記憶装置を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。なお、記憶部２３６ｍとしての記憶装置や外部記憶装置は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置単体のみを含む場合、外部記憶装置単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。

（搬送コントローラ） 搬送コントローラ２３９ｔは、主にウエハ２００の搬送制御を行うよう構成されている。搬送コントローラ２３９ｔは、例えば中央処理装置（ＣＰＵ）等からなる。搬送コントローラ２３９ｔには、ＤｅｖｉｃｅＮｅｔ等のデジタル信号回線３０を通じて、原料ガスや反応性ガスの供給や排気用バルブのオン／オフを制御するバルブデジタルＩ／Ｏ１３、各種スイッチ（ＳＷ）等のオン／オフを制御するＳＷデジタルＩ／Ｏ１４が、シーケンサ１２を介してそれぞれ接続されている。すなわち、搬送コントローラ２３９ｔは、例えば搬送ロボットＶＲ、搬送ロボットＡＲ、サセプタＳＴ１、回転機構２６７、昇降機構２６８等に接続されている。搬送コントローラ２３９ｔは、例えば操作部コントローラ２３６を介して操作員により作成又は編集された搬送レシピの内容に基づいて、ウエハ２００を搬送する際の制御データ（制御指示）を、搬送ロボットＶＲ、搬送ロボットＡＲ、サセプタＳＴ１、回転機構２６７、昇降機構２６８等に対して出力し、ウエハ２００の搬送動作を制御するように構成されている。

また、搬送コントローラ２３９ｔには、ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３に載置されたキャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３を識別するキャリアＩＤを示すバーコード１，２，３・・・等が記憶される記憶部１６が、例えばシリアル回線４０を通じて接続されている。

（プロセスチャンバコントローラ） プロセスチャンバコントローラ２３９ｐは、プロセスチャンバＰＭ１内でのウエハ２００の処理を制御するよう構成されている。プロセスチャンバコントローラ２３９ｐは、例えば中央処理装置（ＣＰＵ）等からなる。また、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＣＤ−ＲＯＭ等で構成される記憶装置を備えている。記憶装置内には、制御プログラムや、例えば処理室ＰＭ１内のサセプタＳＴ１及び各領域のそれぞれに堆積している堆積物の膜厚値（以下、累積膜厚データともいう。）が読み出し可能に格納されている。

プロセスチャンバコントローラ２３９ｐには、ＤｅｖｉｃｅＮｅｔ等のデジタル信号回線３０を通じて、原料ガスや反応性ガスの供給や排気用バルブのオン／オフを制御するバルブデジタルＩ／Ｏ１３、各種スイッチ（ＳＷ）等のオン／オフを制御するＳＷデジタルＩ／Ｏ１４が、シーケンサ１２を介してそれぞれ接続されている。プロセスチャンバコントローラ２３９ｐは、例えば操作部コントローラ２３６を介して操作員により作成又は編集されたプロセスレシピの内容に基づいて、ウエハ２００を処理する際の制御データ（制御指示）を、圧力コントローラ１５や、バルブ２３５ａ〜２３５ｇ，２４３、各種スイッチ、マスフローコントローラ２３４ａ〜２３４ｇ、ヒータ２１８等に対して出力し、プロセスチャンバＰＭ１内におけるウエハ２００の処理の制御を行うように構成されている。

圧力コントローラ１５は、例えばシリアル回線４０を介して、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐに接続されている。圧力コントローラ１５には、プロセスチャンバＰＭ１内の圧力を制御する圧力センサ、ＡＰＣバルブ２４３及び真空ポンプ２４６等が接続されている。圧力コントローラ１５は、圧力センサにより検知された圧力値に基づいて、プロセスチャンバＰＭ１内の圧力が所定のタイミングにて所定の圧力となるように、ＡＰＣバルブ２４３及び真空ポンプ２４６を制御するように構成されている。

（５）制御手段の機能構成 続いて、制御手段としての制御部２８０の機能構成について、主に図７を用いて説明する。図７は、本実施形態に係る制御部２８０の機能構成を示すブロック図である。なお、プロセスチャンバＰＭ２については、プロセスチャンバＰＭ１と同様に構成されているため、説明を省略する。

図７に示すように、操作部コントローラ２３６は、記憶部２３６ｍとしての記憶装置内に保管されているプログラムを読み出して実行することで、レシピ開始機能２８１、レシピ編集機能２８２、累積膜厚表示機能２８３等を実現させるように構成されている。また、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐは、記憶部２３６ｍ内に保管されているプログラムを読み出して実行することで、レシピ実行機能２８４、累積膜厚値更新機能２８５等を実現させるように構成されている。尚、予め、操作部コントローラ２３６内のプロセスレシピがダウンロードされ、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐが備える記憶装置内に格納されていることはいうまでもない。

（レシピ開始機能） レシピ開始機能２８１は、例えば操作員がレシピ名称を入力欄に入力することで、入出力部からレシピ特定情報の入力を受け付ける。レシピ開始機能２８１は、入出力部からのレシピ特定情報の入力を受け付けると、レシピの実行開始の指示を後述のプロセスチャンバコントローラ２３９ｐが有するレシピ実行機能２８４に送信する。

（レシピ編集機能） レシピ編集機能２８２は、例えばプロセスレシピやクリーニングレシピを特定するレシピ特定情報、堆積比率テーブルやエッチング比率テーブルを特定するテーブル特定情報等を入力する入力欄等を表示部に表示する。レシピ編集機能２８２は、例えば操作員が、レシピ名称やテーブル名称を入力欄に入力することで、入出力部からレシピ特定情報やテーブル特定情報の入力を受け付ける。レシピ編集機能２８２は、入出力部からのレシピ特定情報やテーブル特定情報の入力を受け付けると、記憶部２３６ｍ内からレシピ特定情報により特定されるプロセスレシピやクリーニングレシピ、又はテーブル特定情報により特定される堆積比率テーブルや、エッチング比率テーブルを読み出す。レシピ編集機能２８２は、記憶部２３６ｍ内から読み出したプロセスレシピの編集画面や、クリーニングレシピの編集画面、堆積比率テーブルの編集画面、エッチング比率テーブルの編集画面を表示部に表示する。なお、レシピ編集機能２８２は、入出力部から複数のレシピ特定情報やテーブル特定情報の入力を受け付けた場合、複数の編集画面を操作端末２３６ｓが備える表示部に表示してもよい。

ここで、操作端末２３６ｓの表示部（操作画面）に表示される編集画面の一例を図８及び図９に示す。図８は、本実施形態に係る制御部２８０によって表示される操作画面の一例を示す図であり、（ａ）はプロセスレシピの編集画面の一例を示し、（ｂ）は堆積比率テーブルの編集画面の一例を示す。図９は、本実施形態に係る制御部２８０によって表示される操作画面の一例を示す図であり、（ａ）はクリーニングレシピの編集画面の一例を示し、（ｂ）はエッチング比率テーブルの編集画面の一例を示す。なお、プロセスチャンバＰＭ２については、プロセスチャンバＰＭ１と同様に構成されているため、説明を省略する。すなわち、例えば図８（ａ）に示すように、プロセスレシピの編集画面には、プロセスレシピのファイル名称や、堆積レートの設定値、プロセスレシピに関連する堆積比率テーブル番号（堆積比率テーブル名称）等を入力する入力欄等が表示される。また、例えば図８（ｂ）に示すように、堆積比率テーブルの編集画面には、堆積比率テーブル番号や、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のそれぞれの堆積比率等を入力する入力欄等が表示される。また、例えば図９（ａ）に示すように、クリーニングレシピの編集画面には、クリーニングレシピのファイル名称や、エッチングレートの設定値、クリーニングレシピに関連するエッチング比率テーブル番号（エッチング比率テーブル名称）等を入力する入力欄等が表示される。また、例えば図９（ｂ）に示すように、エッチング比率テーブルの編集画面には、エッチング比率テーブル番号や、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のそれぞれのエッチング比率等を入力する入力欄や、最小膜厚領域を指定するチェックボックス等が表示される。

また、図８（ａ）に示すプロセスレシピ編集画面や、図９（ａ）に示すクリーニングレシピの編集画面には、例えば、成膜処理やクリーニング処理の処理温度、原料ガスや、反応性ガス、不活性ガス等の供給流量、バルブの開閉、プロセスチャンバＰＭ１内の圧力、機構動作、高周波（ＲＦ）出力などの設定値や、モニタ値との偏差アラームの監視方法などの設定を入力する入力欄等が表示されてもよい。

レシピ編集機能２８２は、例えば操作員が、堆積レートやエッチングレート、堆積比率やエッチング比率等の設定値を所定の入力欄に入力することで、入出力部から設定値の更新情報を受け付ける。レシピ編集機能２８２は、入出力部から設定値の更新情報を受け付けると、プロセスレシピ、クリーニングレシピ、堆積比率テーブル、エッチング比率テーブルの設定値を更新して、更新したプロセスレシピ、クリーニングレシピ、堆積比率テーブル、エッチング比率テーブルを記憶部２３６ｍ内に読み出し可能に格納する。

ここで、上述のプロセスチャンバＰＭ１において、第１の処理領域２０１ａや第２の処理領域２０１ｂは、第１のパージ領域２０４ａや第２のパージ領域２０４ｂに比べて、これらの領域に面する仕切部に堆積する堆積物が多くなるため、堆積物の膜厚値が大きくなる。また、第１の原料ガスとして例えばプリカーサと呼ばれるＴＳＡガスが供給される第１の処理領域２０１ａは、第２の原料ガスとして例えば酸素（Ｏ_２）ガスが供給される第２の処理領域２０１ｂと比べて、この領域に面する仕切部に堆積する堆積物の量が多くなる。また、第１のパージ領域２０４ａ、第２のパージ領域２０４ｂにはそれぞれ、上述のように不活性ガスとして例えば窒素（Ｎ_２）ガスが供給されるが、サセプタＳＴ１の回転方向により、第１のパージ領域２０４ａに堆積する堆積物の量と、第２のパージ領域２０４ｂに堆積する堆積物の量とが異なることがある。

従って、レシピ編集機能２８２は、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の領域毎に、堆積比率やエッチング比率の設定値を編集して更新できるように構成されている。具体的には、例えば図８（ｂ）に示すように、例えば操作員が、サセプタＳＴ１の堆積比率の設定値を１００％、第１の処理領域２０１ａの堆積比率の設定値を８０％、第２の処理領域２０１ｂの堆積比率の設定値を６０％、第１のパージ領域２０４ａの堆積比率の設定値を３０％、第２のパージ領域２０４ｂの堆積比率の設定値を４０％と所定の入力欄に入力することで、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の領域毎に堆積比率の設定値を編集できる。また、例えば図９（ｂ）に示すように、例えば操作員が、サセプタＳＴ１のエッチング比率の設定値を１００％とし、第１の処理領域２０１ａのエッチング比率の設定値を５０％、第２の処理領域２０１ｂのエッチング比率の設定値を５０％、第１のパージ領域２０４ａのエッチング比率の設定値を５０％、第２のパージ領域２０４ｂのエッチング比率の設定値を５０％と所定の入力欄に入力することで、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の領域毎にエッチング比率の設定値を編集できる。なお、堆積比率又はエッチング比率は、サセプタＳＴ１の回転速度や回転方向、原料ガスや反応性ガスの種類、成膜温度やエッチング温度、圧力等を考慮して適宜設定できる。また、堆積比率又はエッチング比率は、例えば、実験結果や経験値により適宜設定してもよい。

（累積膜厚表示機能） 累積膜厚表示機能２８３は、例えば、後述するプロセスチャンバコントローラ２３９ｐが有する累積膜厚値更新機能２８５によって更新された累積膜厚データを、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐから受信する。累積膜厚表示機能２８３は、受信した累積膜厚データを操作端末２３６ｓが備える表示部に表示する。

（レシピ実行機能） レシピ実行機能２８４は、上述のレシピ開始機能２８１からレシピの実行開始の指示を受け付けると、入出力部が受け付けたレシピ特定情報により特定されるプロセスレシピ又はクリーニングレシピの送信要求を操作部コントローラ２３６に出す。レシピ実行機能２８４は、レシピ特定情報により特定されるプロセスレシピ又はクリーニングレシピを操作部コントローラ２３６から受信して取得し、例えばプロセスチャンバコントローラ２３９ｐが備える記憶装置内に保管する。

また、レシピ実行機能２８４は、取得したプロセスレシピ又はクリーニングレシピに堆積比率テーブルファイル又はエッチング比率テーブルファイルが関連付けられている場合には、関連する堆積比率テーブルファイル又はエッチング比率テーブルファイルの送信要求を操作部コントローラ２３６に出す。レシピ実行機能２８４は、操作部コントローラ２３６から、堆積比率テーブルファイル又はエッチング比率テーブルファイルを自動で受信して取得し、例えばプロセスチャンバコントローラ２３９ｐが備える記憶装置内に保管する。レシピ実行機能２８４は、エッチング比率テーブルファイルを取得したら、エッチング比率テーブルファイル取得情報を後述の累積膜厚値更新機能２８５に送信する。

レシピ実行機能２８４は、操作部コントローラ２３６から取得したプロセスレシピの内容を読み出し、プロセスレシピの内容に沿うようにバルブデジタルＩ／Ｏ１３やＳＷデジタルＩ／Ｏ１４を制御し、プロセスレシピを実行する。レシピ実行機能２８４は、プロセスレシピの実行を終了すると、プロセスレシピの実行終了の情報を後述の累積膜厚値更新機能２８５に送信する。

［反応性ガス供給時間算出］ レシピ実行機能２８４は、エッチング比率テーブルファイルの取得情報を受信すると、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐが備える記憶装置内に保管されている累積膜厚データを読み出す。レシピ実行機能２８４は、読み出した累積膜厚データを操作端末２３６ｓが備える表示部に表示する。累積膜厚値更新機能２８５は、操作端末２３６ｓが備える表示部に、エッチング比率テーブル番号（エッチング比率テーブルの名称）を入力する入力欄等を表示する。

レシピ実行機能２８４は、例えば操作員がエッチング比率テーブル番号を入力欄に入力することで、入出力部から、エッチング比率テーブル特定情報の入力を受け付ける。レシピ実行機能２８４は、エッチング比率テーブル特定情報の入力を受け付けると、記憶部２３６ｍ内に保管されているエッチング比率テーブルファイルから、エッチング比率テーブル特定情報により特定されるエッチング比率テーブルを読み出す。レシピ実行機能２８４は、読み出したエッチング比率テーブルを例えば図９（ｂ）に示すように操作端末２３６ｓが備える表示部に表示する。

レシピ実行機能２８４は、例えば操作員が操作端末２３６ｓを備える表示部に表示された累積膜厚データを確認し、最小膜厚領域のチェックボックスにチェックを入れることで、入出力部から、最小膜厚領域を特定する最小膜厚領域特定情報の入力を受け付ける。レシピ実行機能２８４は、最小膜厚領域特定情報の入力を受け付けると、累積膜厚データに記載された最小膜厚領域の膜厚値（累積膜厚値）及びエッチング比率と、記憶部２３６ｍ内に保管されているクリーニングレシピに記載されているエッチングレートとを読み出して取得する。

そして、レシピ実行機能２８４は、取得した最小膜厚領域の膜厚値を、エッチングレートと最小膜厚領域のエッチング比率との積で除して（最小膜厚領域の累積膜厚値／（エッチングレート×最小膜厚領域のエッチング比率）を計算して）、反応性ガス供給時間を算出する。

ここで、反応性ガス供給時間の算出の具体例として、図９（ｂ）を用いて説明する。図９（ｂ）では、最小膜厚領域として例えば第１のパージ領域２０４ａが指定されている。また、エッチング比率テーブルに記載された第１のパージ領域２０４ａのエッチング比率は５０％である。なお、累積膜厚データに記載された第１のパージ領域２０４ａの膜厚値（累積膜厚値）は１００ｎｍであり、エッチングレートは１０ｎｍ／分である。このとき、レシピ実行機能２８４は、第１のパージ領域２０４ａの累積膜厚値を、エッチングレートと第１のパージ領域２０４ａのエッチング比率との積で除して反応性ガス供給時間を算出する。すなわち、レシピ実行機能２８４により算出される反応性ガス供給時間は、１００ｎｍ÷（１０ｎｍ／分×５０％）＝２０分となる。

レシピ実行機能２８４は、反応性ガス供給時間の算出が終了すると、操作部コントローラ２３６から取得したクリーニングレシピの内容を読み出し、クリーニングレシピの内容及び算出した反応性ガス供給時間に沿うようにバルブデジタルＩ／Ｏ１３やＳＷデジタルＩ／Ｏ１４を制御し、クリーニングレシピを実行する。

レシピ実行機能２８４は、クリーニングレシピの実行を終了すると、算出した反応性ガス供給時間を後述の累積膜厚値更新機能２８５に送信する。

なお、プロセスレシピやクリーニングレシピ内に複数の処理ステップ（例えば成膜ステップやエッチングステップ）が含まれている場合、レシピ実行機能２８４は、一の処理ステップが終了すると、一の処理ステップの実行終了の情報を後述の累積膜厚値更新機能２８５に送信する。そして、レシピ実行機能２８４は、後述の累積膜厚値更新機能２８５から累積膜厚データ更新終了の情報を受信すると、プロセスレシピ内又はクリーニングレシピ内の他の処理ステップがある場合は、その処理ステップの内容を読み出し、読み出した処理ステップを実行し、処理ステップの実行終了の情報を後述の累積膜厚値更新機能２８５に送信する。レシピ実行機能２８４は、プロセスレシピ内又はクリーニングレシピ内の全ての処理ステップの実行が終了するまで、この動作を繰り返す。

（累積膜厚値更新機能） 累積膜厚値更新機能２８５は、以下のように、累積膜厚値加算機能と累積膜厚値減算機能とを備えている。

［累積膜厚値加算機能］ 累積膜厚値更新機能２８５は、レシピ実行機能２８４からプロセスレシピの実行終了の情報を受け取ると、記憶部２３６ｍ内に保管されているプロセスレシピに記載されている堆積レートを読み出す。累積膜厚値更新機能２８５は、プロセスレシピに記載されている原料ガス供給時間を読み出す。累積膜厚値更新機能２８５は、堆積レートに原料ガス供給時間を乗じて基準加算膜厚値を算出する。

累積膜厚値更新機能２８５は、プロセスレシピに記載されている堆積比率テーブル番号を読み出す。累積膜厚値更新機能２８５は、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐが備える記憶装置内に保管されている堆積比率テーブルファイルの中から、読み出した堆積比率テーブル番号と一致する堆積比率テーブルを読み出す。累積膜厚値更新機能２８５は、上述のように算出した基準加算膜厚値に、堆積比率テーブルに記載された堆積比率をそれぞれ乗じることで、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のそれぞれの加算膜厚値を算出する。

累積膜厚値更新機能２８５は、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐが備える記憶装置内に保管されている累積膜厚データを読み出す。累積膜厚値更新機能２８５は、読み出した累積膜厚データに記載されたそれぞれの累積膜厚値に、算出した加算膜厚値をそれぞれ加算して、累積膜厚データを更新する。すなわち、累積膜厚値更新機能２８５は、読み出した累積膜厚データに記載されているサセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のそれぞれの累積膜厚値に、算出した加算膜厚値をそれぞれ加算して累積膜厚データを更新する。そして、累積膜厚値更新機能２８５は、更新した累積膜厚データを上述の累積膜厚表示機能２８３に送信する。

［累積膜厚値減算機能］ 累積膜厚値更新機能２８５は、レシピ実行機能２８４から反応性ガス供給時間を受信すると、記憶部２３６ｍ内に保管されているクリーニングレシピに記載されているエッチングレートを読み出す。累積膜厚値更新機能２８５は、エッチングレートに反応性ガス供給時間を乗じて基準減算膜厚値を算出する。

累積膜厚値更新機能２８５は、クリーニングレシピに記載されているエッチング比率テーブル番号を読み出す。累積膜厚値更新機能２８５は、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐが備える記憶装置内に保管されているエッチング比率テーブルファイルの中から、読み出したエッチング比率テーブル番号と一致するエッチング比率テーブルを読み出す。累積膜厚値更新機能２８５は、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐが備える記憶装置内に保管されている累積膜厚データを読み出す。累積膜厚値更新機能２８５は、上述のように算出した基準減算膜厚値に、エッチング比率テーブルに記載されたエッチング比率をそれぞれ乗じることで、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のそれぞれの減算膜厚値を算出する。

累積膜厚値更新機能２８５は、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐが備える記憶装置内に保管されている累積膜厚データを読み出す。累積膜厚値更新機能２８５は、読み出した累積膜厚データに記載されたそれぞれの累積膜厚値から算出した減算膜厚値をそれぞれ減算して、累積膜厚データを更新する。すなわち、累積膜厚値更新機能２８５は、読み出した累積膜厚データに記載されているサセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のそれぞれの累積膜厚値から、算出した減算膜厚値をそれぞれ減算して累積膜厚データを更新する。そして、累積膜厚値更新機能２８５は、更新した累積膜厚データを上述の累積膜厚表示機能２８３に送信する。

なお、プロセスレシピ内やクリーニングレシピ内に複数の処理ステップが含まれている場合、累積膜厚値更新機能２８５は、累積膜厚データの更新が終了したら、更新した累積膜厚データを累積膜厚表示機能２８３に送信するとともに、レシピ実行機能２８４に累積膜厚データ更新終了の情報を送信する。

（６）制御手段の動作 次に、本実施形態に係る制御部２８０の動作について、主に図１０及び図１１を用いて説明する。かかる動作は、半導体装置の製造工程の一工程として行われる。ここでは、プロセスレシピ内及びクリーニングレシピ内にそれぞれ、複数の処理ステップが含まれている場合について説明する。図１０及び図１１は、本実施形態に係る制御部２８０が実行する累積膜厚データの更新処理のフロー図である。

（累積膜厚加算処理）［プロセスレシピ実行工程］ 図１０に示すように、入出力部がプロセスレシピを特定するレシピ特定情報の入力を受け付けると、レシピ開始機能２８１が、レシピ実行機能２８４に、レシピの実行開始の指示を送信する。レシピ実行機能２８４がレシピの実行開始の指示を受信すると、レシピ実行機能２８４は、操作部コントローラ２３６が備える記憶部２３６ｍ内からレシピ特定情報により特定されるプロセスレシピを受信して取得する。

レシピ実行機能２８４は、取得したプロセスレシピを読み出し、プロセスレシピに関連付けられている堆積比率テーブルファイルがあるか否かを判定する。プロセスレシピに関連付けられた堆積比率テーブルファイルがある場合は、その堆積比率テーブルファイルを操作部コントローラ２３６が備える記憶部２３６ｍ内から自動で受信して取得する。

そして、レシピ実行機能２８４は、プロセスレシピに含まれる一の処理ステップの内容に沿うように、マスフローコントローラ２３４ａ〜２３４ｇや、バルブ２３５ａ〜２３５ｇ、ヒータ２１８、ＡＰＣバルブ２４３等を制御して処理ステップを実行する。レシピ実行機能２８４は、処理ステップの実行を終了すると、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐが備える累積膜厚値更新機能２８５に、処理ステップの実行終了の情報を送信する。

［累積膜厚値加算工程］ 累積膜厚値更新機能２８５が処理ステップの実行終了の情報を受信すると、累積膜厚値更新機能２８５は、プロセスレシピ（実行した処理ステップ）に記載されている堆積レートを読み出し、読み出した堆積レートが０（ゼロ）よりも大きいか否かを判定する。

累積膜厚値更新機能２８５は、堆積レートが０よりも大きいと判定した場合、プロセスレシピ（実行した処理ステップ）に記載されている原料ガス供給時間を読み出す。そして、累積膜厚値更新機能２８５は、読み出した堆積レートに原料ガス供給時間を乗じてサセプタＳＴ１上に堆積する堆積物の膜厚値（基準加算膜厚値）（Ａ）を算出する。

なお、累積膜厚値更新機能２８５は、堆積レートが０であると判定した場合、レシピ実行機能２８４に累積膜厚データ更新終了の情報を送信し、レシピ実行機能２８４がプロセスレシピ内の全ての処理ステップがあるか否かを判定する。

累積膜厚値更新機能２８５は、実行した処理ステップ（プロセスレシピ）に記載されている堆積比率テーブル番号が０であるか否かを判定する。なお、ここでは、堆積比率テーブル番号が０である（堆積比率テーブル番号＝０）とは、プロセスレシピに堆積比率テーブルが関連付けられていないことを意味する。

累積膜厚値更新機能２８５は、堆積比率テーブル番号が０であると判定した場合、算出した基準加算膜厚値（Ａ）を、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のそれぞれの累積膜厚値にそれぞれ加算する加算膜厚値（Ｂ）とする。

累積膜厚値更新機能２８５は、堆積比率テーブル番号が０ではないと判定した場合、実行した処理ステップ（プロセスレシピ）に記載されている堆積比率テーブル番号と一致する堆積比率テーブルを、堆積比率テーブルファイルから読み出す。累積膜厚値更新機能２８５は、読み出した堆積比率テーブルを参照して、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のそれぞれの堆積比率を取得する。そして、累積膜厚値更新機能２８５は、上述の基準加算膜厚値（Ａ）に、それぞれの堆積比率を乗じて、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のそれぞれの加算膜厚値（Ｂ）を算出する。

そして、累積膜厚値更新機能２８５は、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐの記憶装置内から、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のそれぞれの累積膜厚値を記載した累積膜厚データを読み出す。累積膜厚値更新機能２８５は、読み出した累積膜厚データに記載されているサセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域それぞれの累積膜厚値に、算出した加算膜厚値（Ｂ）をそれぞれ加算して累積膜厚データを更新する。

累積膜厚値更新機能２８５は、累積膜厚テーブルの更新が終了したら、更新した累積膜厚テーブルを操作部コントローラ２３６が備える累積膜厚表示機能２８３に送信する。累積膜厚表示機能２８３は、受信した累積膜厚テーブルを操作端末２３６ｓが備える表示部に表示する。また、累積膜厚値更新機能２８５は、レシピ実行機能２８４に累積膜厚データ更新終了の情報を送信する。

レシピ実行機能２８４は、累積膜厚値更新機能２８５から累積膜厚データ更新終了の情報を送信したら、プロセスレシピ内に含まれるすべての処理ステップを実行したか否かを判定する。レシピ実行機能２８４がプロセスレシピ内に含まれるすべての処理ステップを実行していないと判定した場合、レシピ実行機能２８４は、上述のプロセスレシピ実行処理及び累積膜厚値加算処理を、プロセスレシピ内に含まれるすべての処理ステップの実行が終了するまで繰り返し行う。

（累積膜厚加算処理）［反応性ガス供給時間算出工程］ また、図１１に示すように、入出力部がクリーニングレシピを特定するレシピ特定情報の入力を受け付けると、レシピ開始機能２８１が、レシピ実行機能２８４に、レシピの実行開始の指示を送信する。レシピ実行機能２８４がレシピの実行開始の指示を受信すると、レシピ実行機能２８４は、操作部コントローラ２３６が備える記憶部２３６ｍ内からレシピ特定情報により特定されるクリーニングレシピを受信して取得する。

レシピ実行機能２８４は、取得したクリーニングレシピを読み出し、クリーニングレシピに関連付けられているエッチング比率テーブルファイルがあるか否かを判定する。クリーニングレシピに関連付けられたエッチング比率テーブルファイルがある場合は、そのエッチング比率テーブルファイルを操作部コントローラ２３６が備える記憶部２３６ｍ内から自動で受信して取得する。

そして、レシピ実行機能２８４は、クリーニングレシピ（実行する処理ステップ）に記載されているエッチングレートを読み出し、読み出したエッチングレートが０（ゼロ）であるか否かを判定する。

レシピ実行機能２８４は、エッチングレートが０であると判定した場合、クリーニングレシピの実行を終了する。

レシピ実行機能２８４は、エッチングレートが０ではないと判定した場合、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐが備える記憶装置内に保管されている累積膜厚データを読み出し、読み出した累積膜厚データを操作端末２３６ｓが備える表示部に表示する。そして、入出力部がエッチング比率テーブルを特定するエッチング比率テーブル特定情報の入力を受け付けると、レシピ実行機能２８４は、記憶部２３６ｍ内に保管されているエッチング比率テーブルファイルから、エッチング比率テーブル特定情報により特定されるエッチング比率テーブルを読み出し、操作端末２３６ｓが備える表示部に表示する。

また、入出力部が最小膜厚領域特定情報の入力を受け付けると、レシピ実行機能２８４は、最小膜厚領域特定情報により特定される領域の、累積膜厚データに記載された累積膜厚値及びエッチング比率テーブルに記載されたエッチング比率を読み出す。レシピ実行機能２８４は、最小膜厚領域の累積膜厚値を、エッチングレートとエッチング比率との積で除することで、反応性ガス供給時間を算出する。

［クリーニングレシピ実行工程］ レシピ実行機能２８４は、算出した反応性ガス供給時間が０であるか否かを判定する。レシピ実行機能２８４が算出した反応性ガス供給時間が０ではないと判定した場合、レシピ実行機能２８４は、取得したクリーニングレシピに含まれる一の処理ステップの内容及び算出した反応性ガス供給時間に沿うように、マスフローコントローラ２３４ａ〜２３４ｇや、バルブ２３５ａ〜２３５ｇ、ヒータ２１８、ＡＰＣバルブ２４３等を制御して処理ステップを実行する。レシピ実行機能２８４は、処理ステップの実行を終了すると、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐが備える累積膜厚値更新機能２８５に、処理ステップの実行終了の情報及び反応性ガス供給時間の情報を送信する。

［累積膜厚値減算工程］ 累積膜厚値更新機能２８５は、レシピ実行機能２８４から処理ステップの実行終了の情報及び反応性ガス供給時間の情報を受信すると、累積膜厚値更新機能２８５は、クリーニングレシピ（実行した処理ステップ）に記載されているエッチングレートを読み出し、読み出したエッチングレートに受信した反応性ガス供給時間を乗じてサセプタＳＴ１上からエッチングして除去される堆積物の膜厚値（基準減算膜厚値）（Ｃ）を算出する。

累積膜厚値更新機能２８５は、実行した処理ステップ（クリーニングレシピ）に記載されているエッチング比率テーブル番号が０であるか否かを判定する。なお、ここでは、エッチング比率テーブル番号が０である（エッチング比率テーブル番号＝０）とは、クリーニングレシピにエッチング比率テーブルが関連付けられていないことを意味する。

累積膜厚値更新機能２８５がエッチング比率テーブル番号が０であると判定した場合、累積膜厚値更新機能２８５は、算出した基準減算膜厚値（Ｃ）を、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のそれぞれの累積膜厚値からそれぞれ減算する減算膜厚値（Ｄ）とする。

累積膜厚値更新機能２８５はエッチング比率テーブル番号が０ではないと判定した場合、累積膜厚値更新機能２８５は、実行した処理ステップ（クリーニングレシピ）に記載されているエッチング比率テーブル番号と一致するエッチング比率テーブルを、エッチング比率テーブルファイルから読み出す。累積膜厚値更新機能２８５は、読み出したエッチング比率テーブルを参照して、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のそれぞれのエッチング比率を取得する。そして、累積膜厚値更新機能２８５は、上述の基準減算膜厚値（Ｃ）に、それぞれのエッチング比率を乗じて、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のそれぞれの減算膜厚値（Ｄ）を算出する。

そして、累積膜厚値更新機能２８５は、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐの記憶装置内から、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のそれぞれの累積膜厚値を記載した累積膜厚データを読み出す。累積膜厚値更新機能２８５は、読み出した累積膜厚データに記載されているサセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のそれぞれの累積膜厚値から、算出した減算膜厚値（Ｄ）をそれぞれ減算して累積膜厚データを更新する。

累積膜厚値更新機能２８５は、累積膜厚テーブルの更新が終了したら、更新した累積膜厚テーブルを操作部コントローラ２３６が備える累積膜厚表示機能２８３に送信する。累積膜厚表示機能２８３は、受信した累積膜厚テーブルを操作端末２３６ｓが備える表示部に表示する。また、累積膜厚値更新機能２８５は、レシピ実行機能２８４に累積膜厚データ更新終了の情報を送信する。

レシピ実行機能２８４は、累積膜厚値更新機能２８５から累積膜厚データ更新終了の情報を受信したら、クリーニングレシピ内に含まれるすべての処理ステップを実行したか否かを判定する。レシピ実行機能２８４がクリーニングレシピ内に含まれるすべての処理ステップを実行していないと判定した場合、レシピ実行機能２８４は、反応性ガス供給時間算出処理、クリーニングレシピ実行処理及び累積膜厚値減算処理を、クリーニングレシピ内に含まれるすべての処理ステップの実行が終了するまで繰り返し行う。

［実施例］ ここで、累積膜厚値更新機能２８５によって加算膜厚値を算出し、累積膜厚データを更新する一例を、主に図１２を用いて説明する。図１２（ａ）は累積膜厚値更新機能２８５が加算膜厚値を算出して、累積膜厚テーブルを更新する様子の一例を説明する図であり、図１２（ｂ）は、累積膜厚値更新機能２８５によって更新された累積膜厚テーブルに記載されたサセプタ及び各領域の累積膜厚値をグラフ化した図である。

図１２に示すように、例えば、レシピ実行機能２８４によって、ウエハ２００上に薄膜を形成する（成膜を行う）プロセスレシピが実行されたとする。このプロセスレシピには、堆積レートが１０ｎｍ／ｍｉｎ、原料ガス供給時間が１分と記載されている。また、プロセスレシピには、堆積比率テーブル番号が「１」の堆積比率テーブルが関連付けられている。この堆積比率テーブルには、第１の処理領域２０１ａの堆積比率が８０％、第２の処理領域２０１ｂの堆積比率が６０％、第１のパージ領域２０４ａの堆積比率が３０％、第２のパージ領域２０４ｂの堆積比率が４０％、サセプタＳＴ１の堆積比率が１００％と記載されている。従って、累積膜厚値更新機能２８５によって算出される加算膜厚値は、第１の処理領域２０１ａに面する仕切板２０５が８ｎｍ、第２の処理領域２０１ｂに面する仕切板２０５が６ｎｍ、第１のパージ領域２０４ａに面する仕切板２０５が３ｎｍ、第２のパージ領域２０４ｂに面する仕切板２０５が４ｎｍ、サセプタＳＴ１が１０ｎｍである。そして、このプロセスレシピを例えば１０００回実行した場合、第１の処理領域２０１ａに面する仕切板２０５の累積膜厚は８μｍ、第２の処理領域２０１ｂに面する仕切板２０５の累積膜厚は６μｍ、第１のパージ領域２０４ａに面する仕切板２０５の累積膜厚は３μｍ、第２のパージ領域２０４ｂに面する仕切板２０５の累積膜厚は４μｍ、サセプタＳＴ１の累積膜厚は１０μｍになる。

また、累積膜厚値更新機能２８５によって減算膜厚値を算出し、累積膜厚データを更新する一例を、主に図１３〜図１６を用いて説明する。図１３〜図１６はそれぞれ、累積膜厚値更新機能２８５が減算膜厚値を算出し、累積膜厚テーブルを更新する様子を示す図である。

本実施例では、レシピ実行機能２８４によって、プロセスチャンバＰＭ１内に堆積した堆積物をエッチングして除去するクリーニングレシピとして、４つの処理ステップを有するクリーニングレシピが実行される場合について説明する。なお、１番目の処理ステップをエッチングステップ１（図１３）、２番目の処理ステップをエッチングステップ２（図１４）、３番目の処理ステップをエッチングステップ３（図１５）、４番目の処理ステップをエッチングステップ４（図１６）とする。すなわち、本実施例では、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のうち、堆積物の膜厚が小さい領域（堆積物の膜厚が小さい箇所）から順番に堆積物を除去していき、図１２に示す累積膜厚値からサセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域の堆積物を除去する場合について説明する。

まず、図１３に示すように、レシピ実行機能２８４によって、エッチングステップ１のレシピが実行される。このエッチングステップ１のレシピには、エッチングレートが２００ｎｍ／ｍｉｎと記載されている。また、このレシピには、エッチング比率テーブル番号が「１」のエッチング比率テーブルが関連付けられている。このエッチング比率テーブルには、第１の処理領域２０１ａ、第２の処理領域２０１ｂ、第１のパージ領域２０４ａ及び第２のパージ領域２０４ｂのエッチング比率がそれぞれ５０％、サセプタＳＴ１のエッチング比率が１００％と記載されている。また、最小膜厚領域として、第１のパージ領域２０４ａが指定されている。

従って、レシピ実行機能２８４は、第１のパージ領域２０４ａの累積膜厚値及びエッチング比率を基に、エッチングステップ１での反応性ガス供給時間を算出する。すなわち、レシピ実行機能２８４によって算出される反応性ガス供給時間は、第１のパージ領域２０４ａの累積膜厚値／（エッチングレート×第１のパージ領域２０４ａの堆積比率）＝３（μｍ）／（２００（ｎｍ／ｍｉｎ）×５０（％））で３０分となる。

レシピ実行機能２８４は、算出した反応性ガス供給時間に基づき、クリーニングレシピを実行する。すなわち、エッチングステップ１では、図４に示すバルブ２３５ａ〜２３５ｆを閉め、バルブ２３５ｇを開け、各領域に反応性ガスを３０分間供給する。このとき、サセプタＳＴ１は回転させる。これにより、サセプタＳＴ１、第１の処理領域２０１ａに面する仕切板２０５、第２の処理領域２０１ｂに面する仕切板２０５、第１のパージ領域２０４ａに面する仕切板２０５及び第２のパージ領域２０４ｂに面する仕切板２０５がそれぞれエッチングされる。なお、第１の処理領域２０１ａ、第２の処理領域２０１ｂ、第１のパージ領域２０４ａ及び第２のパージ領域２０４ｂにそれぞれ面する仕切板２０５のエッチング速度はそれぞれ同一である。

エッチングステップ１のレシピの実行終了後、累積膜厚値更新機能２８５によって算出される基準減算膜厚値は、エッチングレート×反応性ガス供給時間＝２００ｎｍ／ｍｉｎ×３０分で６μｍとなる。エッチング比率テーブルを参照して、累積膜厚値更新機能２８５によって算出される第１の処理領域２０１ａ、第２の処理領域２０１ｂ、第１のパージ領域２０４ａ及び第２のパージ領域２０４ｂの減算膜厚値はそれぞれ３μｍ、サセプタＳＴ１の減算膜厚値は６μｍとなる。

累積膜厚値更新機能２８５は、図１２（ｂ）に示す累積膜厚データから算出した各減算膜厚値をそれぞれ減算して、図１３に示すように累積膜厚データを更新する。その結果、各領域の累積膜厚値（残膜厚値）は、第１の処理領域２０１ａが５μｍ、第２の処理領域２０１ｂが３μｍ、第１のパージ領域２０４ａが０μｍ、第２のパージ領域２０４ｂが１μｍ、サセプタＳＴ１が４μｍとなる。

なお、上述したように、サセプタＳＴ１は、加熱部としてのヒータ２１８を内包する。このため、サセプタＳＴ１の温度は、第１の処理領域２０１ａ、第２の処理領域２０１ｂ、第１のパージ領域２０４ａ、第２のパージ領域２０４ｂ内のそれぞれの温度（各領域を構成する反応容器２０３の内壁や天井、仕切板２０５の側面等の温度）と比べて高くなることが多い。従って、本実施例（図１３）では、サセプタＳＴ１のエッチング比率は、各領域の２倍とした。

エッチングステップ１のレシピの実行が終了した後、図１４に示すように、レシピ実行機能２８４によって、エッチングステップ２のレシピが実行される。このエッチングステップ２のレシピには、エッチングレートが２００ｎｍ／ｍｉｎと記載されている。また、このレシピには、エッチング比率テーブル番号が「２」のエッチング比率テーブルが関連付けられている。このエッチング比率テーブルには、第１の処理領域２０１ａ、第２の処理領域２０１ｂ及び第２のパージ領域２０４ｂのエッチング比率がそれぞれ５０％、第１のパージ領域２０４ａのエッチング比率が０％と記載されている。また、サセプタＳＴ１のエッチング比率は７５％と記載されている。これは、サセプタＳＴ１は回転されるため、サセプタＳＴ１が第１のパージ領域２０４ａを通過する間は、サセプタＳＴ１上の堆積物はエッチングされないためである。また、最小膜厚領域として、第２のパージ領域２０４ｂが指定されている。

従って、レシピ実行機能２８４は、第２のパージ領域２０４ｂの累積膜厚値及びエッチング比率を基に、エッチングステップ２での反応性ガス供給時間を算出する。すなわち、レシピ実行機能２８４によって算出される反応性ガス供給時間は、第２のパージ領域２０４ｂの累積膜厚値／（エッチングレート×第２のパージ領域２０４ｂの堆積比率）＝１（μｍ）／（２００（ｎｍ／ｍｉｎ）×５０（％））で１０分となる。

レシピ実行機能２８４は、算出した反応性ガス供給時間に基づき、クリーニングレシピを実行する。すなわち、エッチングステップ２では、図４に示すバルブ２３５ａ〜２３５ｄ，２３５ｆを閉め、バルブ２３５ｇを開けて反応性ガスを１０分間供給する。このとき、第１のパージ領域２０４ａには反応性ガスが供給されないように、バルブ２３５ｇを開けるとともに、バルブ２３５ｅを開け、第１のパージ領域２０４ａに不活性ガスを供給する。また、サセプタＳＴ１は回転させる。これにより、サセプタＳＴ１、第１の処理領域２０１ａに面する仕切板２０５、第２の処理領域２０１ｂに面する仕切板２０５及び第２のパージ領域２０４ｂに面する仕切板２０５にそれぞれ堆積された堆積物がそれぞれエッチングされる。

エッチングステップ２のレシピの実行終了後、累積膜厚値更新機能２８５によって算出される基準減算膜厚値は、エッチングレート×反応性ガス供給時間＝２００ｎｍ／ｍｉｎ×１０分で２μｍとなる。エッチング比率テーブルを参照して、累積膜厚値更新機能２８５によって算出される第１の処理領域２０１ａ、第２の処理領域２０１ｂ及び第２のパージ領域２０４ｂの減算膜厚値はそれぞれ１μｍ、第１のパージ領域２０４ａの減算膜厚値は０μｍサセプタＳＴ１の減算膜厚値は１．５μｍとなる。

累積膜厚値更新機能２８５は、図１３に示す累積膜厚データから算出した各減算膜厚値をそれぞれ減算して、図１４に示すように累積膜厚データを更新する。その結果、各領域の累積膜厚値（残膜厚値）は、第１の処理領域２０１ａが４μｍ、第２の処理領域２０１ｂが２μｍ、第１のパージ領域２０４ａが０μｍ、第２のパージ領域２０４ｂが０μｍ、サセプタＳＴ１が２．５μｍとなる。

エッチングステップ２のレシピの実行が終了した後、図１５に示すように、レシピ実行機能２８４によって、エッチングステップ３のレシピが実行される。エッチングステップ３のレシピには、エッチングレートが２００ｎｍ／ｍｉｎと記載されている。また、このレシピには、エッチング比率テーブル番号が「３」のエッチング比率テーブルが関連付けられている。このエッチング比率テーブルには、第１の処理領域２０１ａ及び第２の処理領域２０１ｂのエッチング比率がそれぞれ５０％、第１のパージ領域２０４ａ及び第２のパージ領域２０４ｂのエッチング比率がそれぞれ０％と記載されている。また、サセプタＳＴ１のエッチング比率は５０％と記載されている。これは、サセプタＳＴ１は回転されるため、サセプタＳＴ１が第１のパージ領域２０４ａ及び第２のパージ領域２０４ｂを通過する間は、サセプタＳＴ１上の堆積物はエッチングされないためである。また、最小膜厚領域として、第２の処理領域２０１ｂが指定されている。

従って、レシピ実行機能２８４は、第２の処理領域２０１ｂの累積膜厚値及びエッチング比率を基に、エッチングステップ３での反応性ガス供給時間を算出する。すなわち、レシピ実行機能２８４によって算出される反応性ガス供給時間は、第２の処理領域２０１ｂの累積膜厚値／（エッチングレート×第２の処理領域２０１ｂの堆積比率）＝２（μｍ）／（２００（ｎｍ／ｍｉｎ）×５０（％））で２０分となる。

レシピ実行機能２８４は、算出した反応性ガス供給時間に基づき、クリーニングレシピを実行する。すなわち、エッチングステップ３では、図４に示すバルブ２３５ａ〜２３５ｄを閉め、バルブ２３５ｇを開けて反応性ガスを２０分間供給する。このとき、第１のパージ領域２０４ａ及び第２のパージ領域２０４ｂには、反応性ガスが供給されないように、バルブ２３５ｇを開けるとともに、バルブ２３５ｅ及びバルブ２３５ｆを開け、第１のパージ領域２０４ａ及び第２のパージ領域に不活性ガスを供給する。また、サセプタＳＴ１は回転させる。これにより、サセプタＳＴ１、第１の処理領域２０１ａに面する仕切板２０５及び第２の処理領域２０１ｂに面する仕切板２０５にそれぞれ堆積した堆積物がエッチングされる。

エッチングステップ３のレシピの実行終了後、累積膜厚値更新機能２８５によって算出される基準減算膜厚値は、エッチングレート×反応性ガス供給時間＝２００ｎｍ／ｍｉｎ×２０分で４μｍとなる。エッチング比率テーブルを参照して、累積膜厚値更新機能２８５によって算出される第１の処理領域２０１ａ、第２の処理領域２０１ｂ及びサセプタＳＴ１の減算膜厚値はそれぞれ２μｍ、第１のパージ領域２０４ａ及び第２のパージ領域２０４ｂの減算膜厚値はそれぞれ０μｍとなる。

累積膜厚値更新機能２８５は、図１４に示す累積膜厚データから算出した各減算膜厚値をそれぞれ減算して、図１５に示すように累積膜厚データを更新する。その結果、各領域の累積膜厚値（残膜厚値）は、第１の処理領域２０１ａが２μｍ、第２の処理領域２０１ｂが０μｍ、第１のパージ領域２０４ａが０μｍ、第２のパージ領域２０４ｂが０μｍ、サセプタＳＴ１が０．５μｍとなる。

エッチングステップ３のレシピの実行が終了した後、図１６に示すように、レシピ実行機能２８４によって、エッチングステップ４のレシピが実行される。エッチングステップ４のレシピには、エッチングレートが２００ｎｍ／ｍｉｎと記載されている。また、このレシピには、エッチング比率テーブル番号が「４」のエッチング比率テーブルが関連付けられている。このエッチング比率テーブルには、第１の処理領域２０１ａのエッチング比率が５０％、第２の処理領域２０１ｂ、第１のパージ領域２０４ａ及び第２のパージ領域２０４ｂのエッチング比率がそれぞれ０％と記載されている。また、サセプタＳＴ１のエッチング比率は２５％と記載されている。これは、サセプタＳＴ１は回転されるため、サセプタＳＴ１が第２の処理領域２０１ｂ、第１のパージ領域２０４ａ及び第２のパージ領域２０４ｂを通過する間は、サセプタＳＴ１上の堆積物はエッチングされないためである。また、最小膜厚領域として、第１の処理領域２０１ａが指定されている。

従って、レシピ実行機能２８４は、第１の処理領域２０１ａの累積膜厚値及びエッチング比率を基に、エッチングステップ４での反応性ガス供給時間を算出する。すなわち、レシピ実行機能２８４によって算出される反応性ガス供給時間は、第１の処理領域２０１ａの累積膜厚値／（エッチングレート×第１の処理領域２０１ａの堆積比率）＝２（μｍ）／（２００（ｎｍ／ｍｉｎ）×５０（％））で２０分となる。

レシピ実行機能２８４は、算出した反応性ガス供給時間に基づき、クリーニングレシピを実行する。すなわち、エッチングステップ４では、図４に示すバルブ２３５ａ〜２３５ｃを閉め、バルブ２３５ｇを開けて反応性ガスを２０分間供給する。このとき、第２の処理領域２０１ｂ、第１のパージ領域２０４ａ及び第２のパージ領域２０４ｂには、反応性ガスが供給されないように、バルブ２３５ｇを開けるとともに、バルブ２３５ｄ、バルブ２３５ｅ及びバルブ２３５ｆを開け、第２の処理領域２０１ｂ、第１のパージ領域２０４ａ及び第２のパージ領域２０４ｂに不活性ガスを供給する。また、サセプタＳＴ１は回転させる。これにより、サセプタＳＴ１及び第１の処理領域２０１ａに面する仕切板２０５に堆積された堆積物がそれぞれエッチングされる。

エッチングステップ４のレシピの実行終了後、累積膜厚値更新機能２８５によって算出される基準減算膜厚値は、エッチングレート×反応性ガス供給時間＝２００ｎｍ／ｍｉｎ×２０分で４μｍとなる。エッチング比率テーブルを参照して、累積膜厚値更新機能２８５によって算出される第１の処理領域２０１ａの減算膜厚値は２μｍ、第２の処理領域２０１ｂ、第１のパージ領域２０４ａ及び第２のパージ領域２０４ｂの減算膜厚値はそれぞれ０μｍ、サセプタＳＴ１の減算膜厚値は１μｍとなる。

累積膜厚値更新機能２８５は、図１５に示す累積膜厚データから算出した各減算膜厚値をそれぞれ減算して、図１６に示すように累積膜厚データを更新する。その結果、各領域の累積膜厚値（残膜厚値）は、第１の処理領域２０１ａが０μｍ、第２の処理領域２０１ｂが０μｍ、第１のパージ領域２０４ａが０μｍ、第２のパージ領域２０４ｂが０μｍ、サセプタＳＴ１が０μｍとなる。

なお、本実施例では、サセプタＳＴ１は０．５μｍオーバーエッチングされることになる。この際は、例えば、クリーニングレシピの処理温度、反応性ガスの供給流量、圧力などの処理条件を変更することで、ドメインとサセプタとのエッチング比率のを５０：１００から５０：９５等にチューニング可能である。その結果、サセプタＳＴ１に発生するオーバーエッチング量を極めて小さい値に補正することができる。

（７）本実施形態に係る効果 本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。

（ａ）本実施形態によれば、反応容器２０３内の各領域（すなわち第１の処理領域２０１ａ、第２の処理領域２０１ｂ、第１のパージ領域２０４ａ及び第２のパージ領域２０４ｂ）に分配するように反応性ガスを供給する反応性ガス供給部を備えている。また、第１の処理領域２０１ａ内に不活性ガスを供給する第１の不活性ガス供給部２５２、第２の処理領域２０１ｂ内に不活性ガスを供給する第２の不活性ガス供給部２５４、第１のパージ領域２０４ａ内に不活性ガスを供給する第３の不活性ガス供給部２５５、第２のパージ領域２０４ｂ内に不活性ガスを供給する第４の不活性ガス供給部２５６を備えている。そして、反応容器２０３内の各領域に反応性ガスを供給する際、反応容器２０３内の各領域に面する仕切板２０５のそれぞれの堆積物の膜厚値に応じて、反応容器２０３内の各領域に供給される不活性ガスの供給流量をそれぞれ調整している。すなわち、例えば第１のパージ領域２０４ａに面する仕切板２０５の堆積物の膜厚値が０（ゼロ）である場合、第１のパージ領域２０４ａ内には反応性ガスが供給されないように、第１のパージ領域２０４ａ内に供給される不活性ガスの供給量を調整している。これにより、反応容器２０３内の各部品でオーバーエッチングが発生することを抑制でき、プロセスチャンバＰＭ１内の各部品に生じる損傷を低減できる。

（ｂ）本実施形態によれば、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のうち、堆積物の膜厚値が小さい領域から順番に堆積物を除去している。すなわち、最小膜厚領域から順番に堆積物の膜厚値が０（ゼロ）になるように、堆積物を除去する処理を行っている。これにより、反応容器２０３内の各部品でオーバーエッチングが発生することをより抑制できる。

（ｃ）本実施形態によれば、制御部２８０は、サセプタＳＴ１又は反応容器２０３内の各領域の内、最小膜厚領域の膜厚値を、エッチングレートと最小膜厚領域のエッチング比率との積で除して反応性ガスの供給時間を算出している。これにより、反応容器２０３内の各部品でオーバーエッチングが発生することをより抑制できる。

（ｄ）本実施形態によれば、反応性ガス供給部２５７から反応容器２０３内の各領域に反応性ガスを供給する際、堆積物が堆積していない領域には反応性ガスが供給されないように、不活性ガスの供給流量を調整している。すなわち、堆積物の除去が終了した領域（堆積物の累積膜厚値が０（ゼロ）である領域）には、不活性ガス供給部から不活性ガスを供給し、反応性ガスが供給されないようにしている。これにより、堆積物が堆積していない領域でオーバーエッチングが発生することを抑制できる。従って、反応容器２０３内の各部品でオーバーエッチングが発生することをより抑制できる。

（ｅ）本実施形態によれば、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域に面する仕切板２０５の少なくともいずれかの堆積物の累積膜厚値が、他の箇所の堆積物の累積膜厚値と異なっている。このようにサセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域で堆積物の膜厚値が異なっていても、反応容器２０３内の各部品でオーバーエッチングを発生させることなく、ドライクリーニング法でクリーニングを行うことができる。従って、従来のウェットクリーニング法によるクリーニングの場合と比べて、装置の稼働効率を向上させることができる。

（ｆ）本実施形態によれば、制御部２８０は、堆積物が堆積する堆積レートに、原料ガス供給部から供給される原料ガスの供給時間を乗じることで、サセプタＳＴ１に堆積する堆積物の膜厚値を算出している。また、制御部２８０は、サセプタＳＴ１に堆積する堆積物の膜厚値に所定の堆積比率を乗じることで、反応容器２０３内の各領域に面する仕切板２０５に堆積する堆積物の膜厚値をそれぞれ算出している。また、制御部２８０は、堆積物を除去するエッチングレートに反応性ガスの供給時間を乗じることで、サセプタＳＴ１から除去される堆積物の膜厚値を算出している。また、制御部２８０は、サセプタＳＴ１から除去される堆積物の膜厚値に所定のエッチング比率を乗じることで、反応容器２０３内の各領域に面する仕切板２０５から除去される堆積物の膜厚値をそれぞれ算出している。これにより、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域に面する仕切板２０５の累積膜厚をより確実に管理できる。従って、反応容器２０３内の各部品でオーバーエッチングが発生することをより抑制できる。

（ｇ）本実施形態によれば、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域の堆積比率をそれぞれ記載した堆積比率テーブル、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のエッチング比率を記載したエッチング比率テーブルが、制御部２８０が備える記憶部２３６ｍ内に読み出し可能に保管されている。そして、プロセスレシピ又はクリーニングレシピで、例えば堆積比率テーブル番号又はエッチング比率テーブル番号を指定することで、プロセスレシピ又はクリーニングレシピに堆積比率テーブル又はエッチング比率テーブルが関連付けられている。これにより、堆積比率テーブルやエッチング比率テーブルを、複数のプロセスレシピやクリーニングレシピで共用することができる。すなわち、一つの堆積比率テーブル又はエッチング比率テーブルを、異なるプロセスレシピやクリーニングレシピから関連付けることができる。

＜本発明の他の実施形態＞ 以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

上述の実施形態では、レシピ実行機能２８４は、最小膜厚領域特定情報により特定された領域の膜厚値に基づいて反応性ガス供給時間を算出したが、これに限定されるものではない。すなわち、例えば、レシピ実行機能２８４は、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域に面する仕切板２０５の膜厚値に基づいてそれぞれ反応性ガス供給時間を算出し、算出した反応性ガス供給時間の内、最短供給時間に基づいて反応性ガス供給部２５７を制御するように構成されていてもよい。

また、上述の実施形態では、制御部２８０が反応容器２０３内の各領域のうち、最小膜厚領域に基づいて反応性ガス供給時間を算出し、最小膜厚領域から順番に膜厚値を０（ゼロ）にしていき、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域の堆積物を除去する場合について説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、例えば、制御部２８０は、最大膜厚領域に基づいて反応性ガス供給時間を算出し、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域にそれぞれ堆積した堆積物の膜厚値に応じて、反応容器２０３内の各領域で反応性ガスの濃度を調整し、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域の堆積物を除去するようにしてもよい。具体的には、反応性ガスを供給する際、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域の堆積物の膜厚値に応じて、反応容器２０３内に供給する不活性ガスの流量を調整して、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域から堆積物を除去するようにしてもよい。以下、本実施形態に係る制御部２８０が最大膜厚領域に基づいて反応性ガス供給時間を算出し、累積膜厚データを更新する場合の一例を、主に図１７及び図１８を参照して説明する。

図１７に示すように、レシピ実行機能２８４が、クリーニングレシピの実行開始の指示を受信すると、レシピ実行機能２８４は、操作部コントローラ２３６が備える記憶部２３６ｍ内からレシピ特定情報により特定されるクリーニングレシピを受信して取得し、クリーニングレシピ（実行する処理ステップ）に記載されているエッチングレートを読み出し、読み出したエッチングレートが０（ゼロ）であるか否かを判定する。

レシピ実行機能２８４がエッチングレートが０であると判定した場合、レシピ実行機能２８４は、クリーニングレシピの実行を終了する。

レシピ実行機能２８４がエッチングレートが０ではないと判定した場合、レシピ実行機能２８４は、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐが備える記憶装置内に保管されている累積膜厚データを読み出し、読み出した累積膜厚データを操作端末２３６ｓが備える表示部に表示する。そして、入出力部がサセプタＳＴ１又は反応容器２０３内の各領域のうち、最も大きい膜厚を有する領域（最大膜厚領域）を特定する最大膜厚領域特定情報の入力を受け付けると、レシピ実行機能２８４は、最大膜厚領域特定情報により特定される領域の、累積膜厚データに記載された累積膜厚値を読み出す。レシピ実行機能２８４は、最大膜厚領域の累積膜厚値を、エッチングレートで除することで、反応性ガス供給時間を算出する。

次に、レシピ実行機能２８４は、最大膜厚領域以外の領域の累積膜厚値をそれぞれ取得し、取得した累積膜厚値を、算出した反応性ガス供給時間とエッチングレートとの積で除することで、最大膜厚領域以外の領域のエッチング比率を算出する。すなわち、レシピ実行機能２８４は、最大膜厚領域のエッチング比率を１００％とした場合の、最大膜厚領域以外の領域のエッチング比率を算出し、エッチング比率テーブルを作成する。

レシピ実行機能２８４は、反応性ガスを反応容器２０３内の各領域に供給する際、作成したエッチング比率テーブルの内容に沿うように、不活性ガス供給部をそれぞれ制御する。すなわち、レシピ実行機能２８４は、作成したエッチング比率テーブルの内容に沿うように、マスフローコントローラ２３４ｃ〜２３４ｆをそれぞれ制御することで、第１の処理領域２０１ａ、第２の処理領域２０１ｂ、第１のパージ領域２０４ａ、第１のパージ領域２０４ｂに供給する不活性ガスの流量を調整する。例えば、レシピ実行機能２８４は、エッチング比率の低い第１のパージ領域２０４ａや第２のパージ領域２０４ｂでは、第１のパージ領域２０４ａ内又は第２のパージ領域２０４ｂ内での反応性ガスの濃度が低くなるように、不活性ガスの供給流量を多くするように、不活性ガス供給部を制御する。

また、レシピ実行機能２８４は、取得したクリーニングレシピの内容及び算出した反応性ガス供給時間に沿うように、マスフローコントローラ２３４ａ〜２３４ｇや、バルブ２３５ａ〜２３５ｇ、ヒータ２１８、ＡＰＣバルブ２４３等を制御して処理ステップを実行する。

レシピ実行機能２８４は、処理ステップの実行を終了すると、累積膜厚値更新機能２８５に、反応性ガス供給時間の情報と、エッチング比率テーブルの情報と、をそれぞれ送信する。累積膜厚値更新機能２８５は、レシピ実行機能２８４から反応性ガス供給時間の情報及びエッチング比率テーブルの情報を受信すると、累積膜厚値更新機能２８５は、取得したエッチング比率テーブルを参照して、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域の減算膜厚値を算出する。すなわち、累積膜厚値更新機能２８５は、反応性ガス供給時間とエッチングレートとエッチング比率とをそれぞれ乗じて、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域の減算膜厚値をそれぞれ算出する。

そして、累積膜厚値更新機能２８５は、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐの記憶装置内から、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のそれぞれの累積膜厚値を記載した累積膜厚データを読み出す。累積膜厚値更新機能２８５は、読み出した累積膜厚データに記載されているサセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域それぞれの累積膜厚値から、算出した減算膜厚値（Ｄ）をそれぞれ減算して累積膜厚データを更新する。なお、本実施形態においては、クリーニングレシピが正常終了した場合、累積膜厚値更新機能２８５によって更新された累積膜厚データに記載のサセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域の累積膜厚値は、０（ゼロ）になる。

ここで、レシピ実行機能２８４によって最大膜厚領域から反応性ガス供給時間を算出し、累積膜厚データを更新する一例を、主に図１８を用いて説明する。なお、本例では、図１２に示すサセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域の累積膜厚値から、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域の堆積物を除去する場合について説明する。累積膜厚データから反応性ガス供給時間を算出し、累積膜厚データを更新する様子を例を示す。

レシピ実行機能２８４によって、エッチングステップ１のレシピが実行されるとする。このエッチングステップ１のレシピには、エッチングレートが１５０ｎｍ／ｍｉｎと記載されている。レシピ実行機能２８４は、図１２に示す累積膜厚データを参照し、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のうち、最大膜厚領域であるサセプタＳＴ１の累積膜厚値を取得する。そして、レシピ実行機能２８４は、サセプタＳＴ１の累積膜厚値をエッチングレートで除して反応性ガスの供給時間を算出する。すなわち、レシピ実行機能２８４によって算出される反応性ガス供給時間は、サセプタＳＴ１の累積膜厚値／エッチングレート＝１０（μｍ）／１５０（ｎｍ／ｍｉｎ）で６６．６分となる。

レシピ実行機能２８４は、算出した反応性ガス供給時間に基づき、図１２に示す最大膜厚領域以外の領域（すなわち、第１の処理領域２０１ａ、第２の処理領域２０１ｂ、第１のパージ領域２０４ａ、第２のパージ領域２０４ｂ）のエッチング比率を算出し、エッチング比率テーブルを作成する。レシピ実行機能２８４によって算出される各領域のエッチング比率は、第１の処理領域２０１ａは８０％、第２の処理領域２０１ｂは６０％、第１のパージ領域２０４ａは３０％、第２のパージ領域２０４ｂは４０％である。

レシピ実行機能２８４は、算出した反応性ガス供給時間に基づき、バルブ２３５ｇを開けて反応容器２０３内の各領域へのクリーニングガスの供給を開始し、クリーニングレシピの実行を開始する。このとき、レシピ実行機能２８４は、作成したエッチング比率テーブルの内容に沿うように、不活性ガス供給部をそれぞれ制御する。すなわち、レシピ実行機能２８４は、マスフローコントローラ２３４ｃ〜２３４ｆをそれぞれ制御することで、第１の処理領域２０１ａのエッチング比率が８０％、第２の処理領域２０１ｂのエッチング比率が６０％、第１のパージ領域２０４ａのエッチング比率が３０％、第１のパージ領域２０４ｂのエッチング比率が４０％になるように、反応容器２０３内の各領域に供給する不活性ガスの流量を調整する。

エッチングステップ１のレシピの実行終了後、累積膜厚値更新機能２８５によって算出される第１の処理領域２０１ａの減算膜厚値は８μｍ、第２の処理領域２０１ｂの減算膜厚値は６μｍ、第１のパージ領域２０４ａの減算膜厚値は３μｍ、第２のパージ領域２０４ｂの減算膜厚値は４μｍ、サセプタＳＴ１の減算膜厚値は１０μｍとなる。累積膜厚値更新機能２８５は、図１２に示す累積膜厚データから算出した各減算膜厚値をそれぞれ減算して、図１８に示すように累積膜厚データを更新する。その結果、各領域の累積膜厚値（残膜厚値）は、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域で０μｍとなる。

このように、サセプタＳＴ１又は反応容器２０３内の各領域の最大膜厚領域の膜厚値に基づいて反応性ガス供給時間を算出し、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域に面する仕切板２０５の膜厚値に基づいて、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域内に供給される不活性ガスの流量を調整し、反応性ガスの濃度を調整することで、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域に面する仕切板２０５から堆積物を除去するようにしてもよい。これによっても、オーバーエッチングの発生を抑制でき、反応容器２０３内の各部材が受ける損傷を抑制できる。

また、上述の実施形態では、プロセスレシピやクリーニングレシピが正常に終了した場合について説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、なんらかのトラブルにより、プロセスレシピやクリーニングレシピが異常終了した場合であっても、上述の実施形態を適用できる。クリーニングレシピが異常終了した場合について、上述の図１３を例に説明する。

上述したように、図１３に示すエッチングステップ１では、レシピ実行機能２８４によって算出された反応性ガス供給時間は３０分である。しかしながら、反応性ガスの供給を始めて１０分後に異常終了した場合、レシピ実行機能２８４は、レシピの異常終了の情報及びレシピの実行時間を累積膜厚値更新機能２８５に送信する。累積膜厚値更新機能２８５は、レシピ実行機能２８４からレシピの異常終了の情報及びレシピの実行時間を受信すると、レシピの実行時間にエッチングレートを乗じて基準減算膜厚値を算出する。そして、累積膜厚値更新機能２８５は、基準減算膜厚値に、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域のエッチング比率をそれぞれ乗じて、サセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域の減算膜厚値をそれぞれ算出する。本実施例では、基準減算膜厚値は２μｍとなり、サセプタＳＴ１の減算膜厚値は２μｍ、反応容器２０３内の各領域の減算膜厚値はそれぞれ１μｍとなる。そして、累積膜厚値更新機能２８４は、図１２に示す累積膜厚データから、算出した各減算膜厚値をそれぞれ減算して累積膜厚データを更新する。なお、更新後のそれぞれ累積膜厚値（残膜厚値）は、サセプタＳＴ１の累積膜厚値が８μｍ、第１の処理領域２０１ａが７μｍ、第２の処理領域２０１ｂが５μｍ、第１のパージ領域２０４ａが２μｍ、第２のパージ領域２０４ｂが３μｍとなる。

累積膜厚値更新機能２８５は、累積膜厚データの更新が終了したら、レシピ実行機能２８４に累積膜厚データ更新終了の情報を送信する。レシピ実行機能２８４は、累積膜厚値更新機能２８５から累積膜厚データ更新終了の情報を受信したら、更新後の最小膜厚領域の累積膜厚に基づいて、反応性ガス供給時間を算出し、続きのレシピを行うようにすればよい。

このように、プロセスレシピやクリーニングレシピが異常終了した場合であっても、累積膜厚値更新機能２８５は、異常終了した時点までのサセプタＳＴ１及び反応容器２０３内の各領域の加算膜厚値又は減算膜厚値を算出することができる。従って、累積膜厚データに記載される累積膜厚値を適切に管理することができる。その結果、予期せぬオーバーエッチングの発生を抑制できる。

上述の実施形態では、１つ以上の堆積比率テーブルを堆積比率テーブルファイルに格納し、また１つ以上のエッチング比率テーブルをエッチング比率テーブルファイルに格納し、レシピ実行機能２８４が、操作部コントローラ２３６が備える記憶部２３６ｍから、堆積比率テーブルファイル又はエッチング比率テーブルファイルで、堆積比率テーブルやエッチング比率テーブルを取得する場合について説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、例えば操作部コントローラ２３６が備える記憶部２３６ｍに、堆積比率テーブルやエッチング比率テーブル単位で保管し、レシピ実行機能２８４は、堆積比率テーブルを指定する情報やエッチング比率テーブルを指定する情報を受け付けることで、記憶部２３６ｍから堆積比率テーブル又はエッチング比率テーブルを取得するように構成されていてもよい。このとき、レシピ実行機能２８４は、プロセスレシピ又はクリーニングレシピに関連する堆積比率テーブル又はエッチング比率テーブルが複数ある場合は、全ての堆積比率テーブル又はエッチング比率テーブルを操作部コントローラ２３６から取得するように構成されている。

上述の実施形態では、堆積レートはサセプタＳＴ１上に堆積する堆積物のレートとしたが、これに限定されるものではない。すなわち、例えば第１の処理領域２０１ａ等に堆積する堆積物のレートであってもよい。また、エッチングレートも同様に、サセプタＳＴ１からエッチングされる堆積物のレートに限定されるものではなく、例えば第１の処理領域２０１ａ等から除去される堆積物のレートであってもよい。

また、本発明は、酸化膜や窒化膜、金属膜等の種々の膜を形成する成膜処理を行う場合に適用できるほか、拡散処理、アニール処理、酸化処理、窒化処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理を行う場合にも適用できる。また、本発明は、薄膜形成装置の他、エッチング装置、アニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、モールド装置、現像装置、ダイシング装置、ワイヤボンディング装置、乾燥装置、加熱装置、検査装置等の他の基板処理装置にも適用できる。また、本発明は、これらの装置が混在していてもよい。また、本発明では、縦型の基板処理装置１００に限らず、横型の基板処理装置や、枚葉式の各種基板処理装置であってもよく、これらの装置が混在していてもよい。

また、本発明は、本実施形態に係る基板処理装置１０のような半導体ウエハを処理する半導体製造装置等に限らず、ガラス基板を処理するＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）製造装置等の基板処理装置にも適用できる。

＜本発明の好ましい態様＞ 以下に、本発明の好ましい態様について付記する。

［付記１］ 本発明の一態様によれば、
基板を処理する少なくとも１つの処理室を備える基板処理装置であって、
前記処理室内に設けられ、基板を載置する基板載置部と、
前記処理室内を複数の領域に仕切る仕切部と、
前記基板の処理によって前記基板載置部及び前記仕切部に堆積した堆積物を除去する反応性ガスを前記領域に供給する反応性ガス供給部と、
前記領域に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
少なくとも前記反応性ガスを前記領域に供給し、前記堆積物を除去する際、前記領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び前記不活性ガスの供給流量をそれぞれ前記基板載置部及び前記仕切部に堆積した前記堆積物の膜厚値に応じて調整するように、少なくとも前記反応性ガス供給部及び前記不活性ガス供給部を制御する制御部と、を備える基板処理装置が提供される。

［付記２］ 付記１の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、
前記基板載置部又は前記複数の領域の内、前記堆積物の膜厚値が最も小さい領域に基づいて反応性ガスの供給時間を算出する処理と、前記反応性ガスを供給する際、前記堆積物が堆積していない前記領域には反応性ガスが供給されないように、不活性ガスの供給流量を調整する処理と、を所定回数繰り返すことで、前記基板載置部及び前記複数の領域に堆積された前記堆積物を除去する。

［付記３］ 付記１の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、
前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部のそれぞれの前記堆積物の膜厚値に基づいて反応性ガスの供給時間をそれぞれ算出する処理と、算出した前記反応性ガスの供給時間に基づいて、前記反応性ガスを供給する際、前記堆積物の除去が終了した前記基板載置部及び前記領域には、前記反応性ガスが供給されないように不活性ガスを供給し、前記堆積物の除去が終了していない前記基板載置部及び前記領域には、前記反応性ガスを供給するように、前記反応性ガス及び前記不活性ガスの供給流量を調整する処理と、を所定回数繰り返すことで、前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部に堆積された前記堆積物を除去する。

［付記４］ 付記１の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、
前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部のそれぞれに堆積した堆積物の膜厚値に応じて前記領域内での反応性ガスの濃度が調整されるように、前記領域に供給される不活性ガスの供給流量をそれぞれ調整する。

［付記５］ 付記４の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、
前記基板載置部又は前記複数の領域の内、前記堆積物の膜厚値が最も大きい領域に基づいて反応性ガスの供給時間を算出し、前記基板載置部及び前記複数の領域のエッチング比率をそれぞれ算出する。

［付記６］ 付記１ないし５のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記基板載置部及び前記各領域に面する仕切部の少なくともいずれかの前記堆積物の膜厚値が、他の箇所の前記堆積物の膜厚値と異なる。

［付記７］ 付記１ないし６のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記基板に原料ガスを供給する原料ガス供給部を備え、
前記制御部は、
前記基板載置部に前記堆積物が堆積する堆積レートに、前記原料ガス供給部から供給される原料ガスの供給時間を乗じることで、前記基板載置部に堆積する堆積物の膜厚値を算出する。

［付記８］ 付記７の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、
前記基板載置部に堆積する前記堆積物の膜厚値に所定の堆積比率を乗じることで、前記領域に面する仕切部に堆積する堆積物の膜厚値をそれぞれ算出する。

［付記９］ 付記１ないし８のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、
前記堆積物を除去するエッチングレートに前記反応性ガスの供給時間を乗じることで、前記基板載置部から除去される堆積物の膜厚値を算出する。

［付記１０］ 付記９の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、
前記基板載置部から除去される前記堆積物の膜厚値に所定のエッチング比率を乗じることで、前記領域に面する仕切部から除去される堆積物の膜厚値をそれぞれ算出する。

［付記１１］ 付記１ないし１０のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記反応性ガス供給部は、前記仕切部の中心部から前記各仕切る仕切部に堆積した堆積物を除去するクリーニングガスである。

［付記１３］ 付記１ないし１２のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記クリーニングガスは、フッ素含有ガス、塩素含有ガス、あるいはフッ素含有ガス又は塩素含有ガスと不活性ガスとを混合した混合ガスである。

［付記１４］ 付記１ないし１３のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、少なくとも、プロセスレシピ、クリーニングレシピ、堆積比率テーブル、エッチング比率テーブルが格納される記憶部と、少なくとも前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部のそれぞれの前記堆積物の前記累積膜厚値を表示する表示部と、を備えるコンピュータとして構成されている。

［付記１５］ 本発明の他の態様によれば、
基板を処理する少なくとも１つの処理室を備える基板処理装置で実行されるクリーニング方法あって、仕切部によって複数の領域に仕切られた前記処理室内に、少なくとも反応性ガスを供給する際、前記領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び不活性ガスの供給流量をそれぞれ前記処理室に設けられた基板載置部及び前記仕切部に堆積した前記堆積物の膜厚値に応じて調整して、前記基板載置部に堆積した堆積物、及び前記仕切部に堆積した堆積物をそれぞれ除去する除去工程を有するクリーニング方法が提供される。

［付記１６］ 本発明の更に他の態様によれば、
処理室内で基板を処理する基板処理工程と、
仕切部によって複数の領域に仕切られた前記処理室内に、少なくとも反応性ガスを供給し、前記基板処理工程において前記処理室に設けられた基板載置部及び前記仕切部に堆積された堆積物を除去する際、前記領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び不活性ガスの供給流量をそれぞれ前記基板載置部及び前記仕切部に堆積した前記堆積物の膜厚値に応じて調整して、前記基板載置部に堆積した堆積物、及び前記仕切部に堆積した堆積物を除去する除去工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。

［付記１７］ 付記１６の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記除去工程は、前記基板載置部又は前記各領域に面する前記仕切部に堆積した堆積物の累積膜厚値が所定の値を超えた場合に実施される。

［付記１８］ 本発明の更に他の態様によれば、基板を処理する少なくとも１つの処理室を備える基板処理装置で実行されるプログラムをコンピュータ読み取り可能に記録した記録媒体であって、
仕切部によって複数の領域に仕切られた前記処理室内に、少なくとも反応性ガスを供給し、前記処理室に設けられた基板載置部及び前記仕切部に堆積された堆積物を除去する際、前記領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び不活性ガスの供給流量をそれぞれ前記基板載置部及び前記仕切部に堆積した前記堆積物の膜厚に応じて調整して、前記処理室内に設けられた基板を載置する基板載置部に堆積した堆積物、及び前記各領域に堆積した堆積物を除去する手順と、をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。

［付記１９］ 本発明の更に他の態様によれば、基板を処理する少なくとも１つの処理室を備える基板処理装置で実行されるプログラムをコンピュータ読み取り可能に記録した記録媒体であって、仕切部によって複数の領域に仕切られた前記処理室内に、少なくとも反応性ガスを供給し、前記処理室に設けられた基板載置部及び前記仕切部に堆積された堆積物を除去する際、前記領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び不活性ガスの供給流量をそれぞれ前記基板載置部及び前記仕切部に堆積した前記堆積物の膜厚に応じて調整して、前記処理室内に設けられた基板を載置する基板載置部に堆積した堆積物、及び前記各領域に堆積した堆積物を除去する手順と、を有するプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。

［付記２０］ 本発明の更に他の態様によれば、
基板を載置する基板載置部が設けられ、仕切部によって複数の領域に仕切られた処理室内に、原料ガス供給部から前記領域内に原料ガスを供給して基板を処理する手順と、
前記基板を処理することで前記基板載置部に堆積した堆積物の堆積レートに、前記原料ガス供給部から供給される原料ガスの供給時間を乗じることで、前記基板載置部に堆積する堆積物の膜厚値である基準加算膜厚値を算出する手順と、
前記基準加算膜厚値に、所定の堆積比率を乗じることで、前記領域毎にそれぞれ堆積する堆積物の膜厚値である加算膜厚値をそれぞれ算出する手順と、を有する累積膜厚管理プログラムが提供される。

［付記２１］ 本発明の更に他の態様によれば、
仕切部によって複数の領域に仕切られた処理室内の各領域及び前記処理室内に設けられた基板を載置する基板載置部のうち、前記各領域に面する前記仕切部及び前記基板載置部に堆積した堆積物の膜厚値が最も小さい箇所(最小膜厚領域)の堆積物の膜厚値を、前記基板載置部から除去される堆積物のエッチングレートと前記最小膜厚領域の所定のエッチング比率との積で除して、反応性ガス供給時間を算出する手順と、
前記反応性ガス供給時間に基づいて、反応性ガス供給部から前記各領域内に反応性ガスを供給して、前記基板載置部及び前記各領域に面する前記仕切部の前記堆積物を除去する手順と、
前記エッチングレートに、前記反応性ガス供給時間を乗じることで、前記基板載置部から除去される堆積物の膜厚値である基準減算膜厚値を算出する手順と、
前記基準減算膜厚値に、所定のエッチング比率を乗じることで、前記各領域に面する前記仕切部からそれぞれ除去される堆積物の膜厚値である減算膜厚値をそれぞれ算出する手順と、を有する累積膜厚管理プログラムが提供される。

［付記２２］ 本発明の更に他の態様によれば、
仕切部によって複数の領域に仕切られた処理室内の各領域に面する前記仕切部及び前記処理室内に設けられた基板を載置する基板載置部のそれぞれに堆積した堆積物の膜厚値を、前記基板載置部から除去される堆積物のエッチングレートと所定のエッチング比率との積でそれぞれ除して反応性ガス供給時間をそれぞれ算出する手順と、
前記反応性ガス供給時間の内の最短時間に基づいて、前記各領域内に反応性ガスを供給して、前記基板載置部及び前記仕切部の前記堆積物を除去する手順と、
前記エッチングレートに、前記反応性ガス供給時間を乗じることで、前記基板載置部から除去される堆積物の膜厚値である基準減算膜厚値を算出する手順と、
前記基準減算膜厚値に、所定のエッチング比率を乗じることで、前記仕切部からそれぞれ除去される堆積物の膜厚値である減算膜厚値をそれぞれ算出する手順と、を有する累積膜厚管理プログラムが提供される。

［付記２３］ 本発明の更に他の態様によれば、
仕切部によって複数の領域に仕切られた処理室内の各領域及び前記処理室内に設けられた基板を載置する基板載置部のうち、前記各領域に面する前記仕切部及び前記基板載置部に堆積した堆積物の膜厚値が最も大きい箇所の堆積物の膜厚値を、前記基板載置部から除去される堆積物のエッチングレートで除して、反応性ガス供給時間を算出する手順と、
前記基板載置部及び前記仕切部の前記堆積物の膜厚値を、前記反応性ガス供給時間及び前記エッチングレートの積でそれぞれ除して、前記基板載置部及び前記各領域のエッチング比率を算出する手順と、
反応性ガス供給部から前記各領域内に反応性ガスを供給する際、前記エッチング比率に基づいて、前記各領域に供給する不活性ガスの供給量をそれぞれ調整して、前記各領域内の反応性ガスの濃度をそれぞれ調整して、前記基板載置部及び前記仕切部の前記堆積物を除去する手順と、
前記反応性ガス供給時間と、前記エッチングレートと、前記基板載置部及び前記各領域に面する前記仕切部の前記エッチング比率をそれぞれ乗じることで、前記基板載置部及び前記仕切部からそれぞれ除去される堆積物の膜厚値である減算膜厚値をそれぞれ算出する手順と、を有する累積膜厚管理プログラムが提供される。

［付記２４］ 本発明の更に他の態様によれば、基板を処理する少なくとも１つの処理室を備える基板処理装置の制御方法であって、 前記処理室内に設けられ、前記基板を載置する基板載置部と、 前記処理室内を複数の領域に仕切る仕切部と、 前記基板の処理によって前記基板載置部及び前記仕切部に堆積した堆積物を除去する反応性ガスを前記領域に供給する反応性ガス供給部と、 前記領域に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、 少なくとも前記反応性ガス供給部及び前記不活性ガス供給部を制御する制御部と、を有し少なくとも前記反応性ガスを前記領域に供給し、前記堆積物を除去する際、前記領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び前記不活性ガスの供給流量をそれぞれ前記基板載置部及び前記仕切部に堆積した前記堆積物の膜厚値に応じて調整する基板処理装置の制御方法が提供される。

［付記２５］ 更に、前記基板載置部を回転する回転機構を備え、好ましくは、前記堆積物を除去する際、前記回転機構により前記基板載置部を回転する付記２４の基板処理装置の制御方法が提供される。

［付記２６］ 更に、前記基板を前記基板載置部に搬送する搬送機構を備え、好ましくは、前記搬送機構により前記基板のうち製品基板ではない疑似基板(ダミー基板)を前記基板載置部に載置した後、前記堆積物を除去するように構成されている付記２４の基板処理装置の制御方法が提供される。

［付記２７］ 本発明の更に他の態様によれば、基板を処理する複数の領域が設けられた少なくとも１つの処理室を備える基板処理装置であって、前記処理室内に設けられ、前記基板を載置する基板載置部と、前記基板の処理によって少なくとも前記基板載置部に堆積した堆積物を除去する反応性ガスを前記複数の領域に供給する反応性ガス供給部と、前記複数の領域に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、前記反応性ガスを前記複数の領域に供給し、前記堆積物を除去する際、前記複数の領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び前記不活性ガスの供給流量をそれぞれ前記基板載置部に堆積した前記堆積物の膜厚値に応じて調整するように、少なくとも前記反応性ガス供給部及び前記不活性ガス供給部を制御する制御部と、を備える基板処理装置が提供される。

［付記２８］ 本発明の更に他の態様によれば、基板を処理する複数の領域が設けられた少なくとも１つの処理室を備える基板処理装置で実行されるクリーニング方法あって、前記処理室内に、少なくとも反応性ガスを供給する際、前記複数の領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び不活性ガスの供給流量をそれぞれ前記処理室に設けられた基板載置部に堆積した前記堆積物の膜厚値に応じて調整して、前記基板載置部に堆積した堆積物を除去する除去工程を有する基板処理装置のクリーニング方法が提供される。

［付記２９］ 本発明の更に他の態様によれば、複数の領域が設けられた処理室内で基板を処理する基板処理工程と、
前記処理室内に、少なくとも反応性ガスを供給し、前記基板処理工程において前記処理室に設けられた基板載置部に堆積された堆積物を除去する際、前記複数の領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び不活性ガスの供給流量をそれぞれ前記基板載置部に堆積した前記堆積物の膜厚値に応じて調整して、前記基板載置部に堆積した堆積物を除去する除去工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。

［付記３０］本発明の更に他の態様によれば、基板を処理する複数の領域が設けられた少なくとも１つの処理室を備える基板処理装置で実行されるプログラムをコンピュータ読み取り可能に記録した記録媒体であって、前記処理室内に、少なくとも反応性ガスを供給する際、前記複数の領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び不活性ガスの供給流量をそれぞれ前記処理室に設けられた基板載置部に堆積した前記堆積物の膜厚に応じて調整して、前記基板載置部に堆積した堆積物を除去する手順と、を有するプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。

［付記３１］付記２７の基板処理装置において、好ましくは、前記制御部は、前記基板載置部を含む前記複数の領域に面する前記処理室を構成する構成部材のうち、前記堆積物の膜厚値が最も小さい構成部材に基づいて反応性ガスの供給時間を算出する工程と、前記供給時間経過後、前記構成部材に面する領域に供給するガスを、前記反応性ガスから不活性ガスに切替える工程と、を所定回数繰り返すことで、前記構成部材に堆積した前記堆積物を除去する。

［付記３２］付記２７の基板処理装置において、好ましくは、前記制御部は、 前記基板載置部を含む前記複数の領域に面する前記処理室を構成する構成部材のそれぞれの前記堆積物の膜厚値に基づいて反応性ガスの供給時間をそれぞれ算出する工程と、算出した前記反応性ガスの供給時間に基づいて前記反応性ガスを供給する際、前記堆積物の除去が終了した前記構成部材に面する領域には、前記反応性ガスが供給されないように不活性ガスを供給し、前記堆積物の除去が終了していない前記構成部材に面する領域には、前記反応性ガスを供給するように、前記反応性ガス及び前記不活性ガスの供給流量を調整して、前記構成部材に堆積された前記堆積物を除去する工程と、を有する。

［付記３３］付記２７の基板処理装置において、好ましくは、
前記制御部は、 前記複数の領域に面する構成部材のそれぞれに堆積した堆積物の膜厚値に応じて前記領域内での反応性ガスの濃度が調整されるように、前記複数の領域に供給される不活性ガスの供給流量をそれぞれ調整する。

［付記３４］付記３３の基板処理装置において、好ましくは、前記制御部は、 前記複数の領域の内、前記堆積物の膜厚値が最も大きい構成部材が面する領域に基づいて反応性ガスの供給時間を算出し、前記複数の領域のエッチング比率をそれぞれ算出する。

［付記３５］更に、好ましくは、前記基板に原料ガスを供給する原料ガス供給部を備え、前記制御部は、
前記基板載置部に堆積する前記堆積物の膜厚値に所定の堆積比率を乗じることで、前記領域に面する構成部材に堆積する堆積物の膜厚値をそれぞれ算出する付記２７の基板処理装置が提供される。

［付記３６］付記３５の基板処理装置において、好ましくは、前記制御部は、
前記堆積物を除去する除去比率に前記反応性ガスの供給時間を乗じることで、前記基板載置部から除去される堆積物の膜厚値を算出する。

［付記３７］本発明の更に他の態様によれば、基板を処理する少なくとも１つの処理室を備える基板処理装置の制御方法であって、 前記処理室内に設けられ、前記基板を載置する基板載置部と、前記基板の処理によって少なくとも前記基板載置部に堆積した堆積物を除去する反応性ガスを前記複数の領域に供給する反応性ガス供給部と、前記複数の領域に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、少なくとも前記反応性ガス供給部及び前記不活性ガス供給部を制御する制御部と、を有し、前記反応性ガスを前記複数の領域に供給し、前記堆積物を除去する際、前記複数の領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び前記不活性ガスの供給流量をそれぞれ前記基板載置部に堆積した前記堆積物の膜厚値に応じて調整する基板処理装置の制御方法が提供される。

基板の処理を行う処理室を備え、特に、この処理室を構成する部材に堆積した堆積物を除去する基板処理装置に適用できる。

この出願は、２０１３年３月１３日に出願された日本出願特願２０１３−０５０５５９を基礎として優先権の利益を主張するものであり、その開示の全てを引用によってここに取り込む。

１０ 基板処理装置 ＰＭ１，ＰＭ２ プロセスチャンバ（処理室） ＳＴ１，ＳＴ２ サセプタ（基板載置部） ２０５ 仕切板（仕切部） ２５７ 反応性ガス供給部 ２５４〜２５６ 不活性ガス供給部 ２８０ 制御部

Claims (10)

1. 基板を処理する複数の領域が設けられた少なくとも１つの処理室を備える基板処理装置であって、
   前記処理室内に設けられ、前記基板を載置する基板載置部と、
   前記処理室を前記複数の領域に仕切る仕切部と、
   前記基板の処理によって少なくとも前記基板載置部及び前記仕切部に堆積した堆積物を除去する反応性ガスを前記複数の領域に供給する反応性ガス供給部と、
   前記複数の領域に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
   前記基板載置部の累積膜厚値が所定の閾値を超えたら、前記反応性ガスを前記複数の領域に供給し、前記基板載置部及び前記仕切部に付着した前記堆積物を除去する際、前記複数の領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び前記不活性ガスの供給流量をそれぞれ前記基板載置部に堆積した前記堆積物の膜厚値に応じて調整するように、少なくとも前記反応性ガス供給部及び前記不活性ガス供給部を制御する制御部と、を備え、
   前記制御部は、
   前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部の前記堆積物の膜厚値に基づいて、前記反応性ガス及び前記不活性ガスの供給時間を算出する算出処理と、
   前記基板載置部及び前記複数の領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び前記不活性ガスの供給流量を調整してそれぞれ前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部に堆積した前記堆積物を除去し、算出した前記供給時間が経過したら前記反応性ガスの供給を停止するクリーニング処理と、
   前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部から除去される前記堆積物の膜厚値を算出し、算出した膜厚値を前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部の前記堆積物の膜厚値からそれぞれ減算して、それぞれの膜厚値を更新する更新処理と、
   を、前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部の前記堆積物の膜厚値がそれぞれゼロになるよう繰返し実行する基板処理装置。
2. 基板を処理する複数の領域が設けられた少なくとも１つの処理室を備える基板処理装置で実行されるクリーニング方法あって、前記処理室内に、少なくとも反応性ガスを供給する際、前記複数の領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び不活性ガスの供給流量をそれぞれ前記処理室に設けられた基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部に堆積した前記堆積物の膜厚値に応じて調整して、前記基板載置部及び前記仕切部に堆積した堆積物を除去する除去工程を有し、
   前記除去工程は、
   前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部の前記堆積物の膜厚値に基づいて、前記反応性ガス及び前記不活性ガスの供給時間を算出する工程と、
   前記基板載置部及び前記複数の領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び前記不活性ガスの供給流量をそれぞれ前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部に堆積した前記堆積物を除去し、算出した前記供給時間が経過したら前記反応性ガスの供給を停止するクリーニング工程と、
   前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部から除去される前記堆積物の膜厚値を算出し、算出した膜厚値を前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部の前記堆積物の膜厚値からそれぞれ減算して、それぞれの膜厚値を更新する更新工程と、
   を、前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部の前記堆積物の膜厚値がそれぞれゼロになるよう繰返し実行する基板処理装置のクリーニング方法。
3. 複数の領域が設けられた処理室内で基板を処理する基板処理工程と、
   前記処理室内に、少なくとも反応性ガスを供給し、前記基板処理工程において前記処理室に設けられた基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部に堆積された堆積物を除去する際、前記複数の領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び不活性ガスの供給流量をそれぞれ前記基板載置部及び前記仕切部に堆積した前記堆積物の膜厚値に応じて調整して、前記基板載置部及び前記仕切部に堆積した堆積物を除去する除去工程と、を有し、
   前記除去工程では、
   前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部の前記堆積物の膜厚値に基づいて、前記反応性ガス及び前記不活性ガスの供給時間を算出する工程と、
   前記基板載置部及び前記複数の領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び前記不活性ガスの供給流量をそれぞれ前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部に堆積した前記堆積物を除去し、算出した前記供給時間が経過したら前記反応性ガスの供給を停止するクリーニング工程と、
   前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部から除去される前記堆積物の膜厚値を算出し、算出した膜厚値を前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部の前記堆積物の膜厚値からそれぞれ減算して、それぞれの膜厚値を更新する更新工程と、
   を、前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部の前記堆積物の膜厚値がそれぞれゼロになるよう繰返し実行する半導体装置の製造方法。
4. 基板を処理する複数の領域が設けられた少なくとも１つの処理室を備える基板処理装置で実行されるプログラムであって、前記処理室内に、少なくとも反応性ガスを供給する際、前記複数の領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び不活性ガスの供給流量をそれぞれ前記処理室に設けられた基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部に堆積した前記堆積物の膜厚に応じて調整して、前記基板載置部及び前記仕切部に堆積した堆積物を除去する手順と、を有し、
   前記堆積物を除去する手順では、
   前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部の前記堆積物の膜厚値に基づいて、前記反応性ガス及び前記不活性ガスの供給時間を算出する手順と、
   前記基板載置部及び前記複数の領域に供給する前記反応性ガスの供給流量及び前記不活性ガスの供給流量をそれぞれ前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部に堆積した前記堆積物を除去し、算出した前記供給時間が経過したら前記反応性ガスの供給を停止する手順と、
   前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部から除去される前記堆積物の膜厚値を算出し、算出した膜厚値を前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部の前記堆積物の膜厚値からそれぞれ減算して、それぞれの膜厚値を更新する手順と、
   を、コンピュータに、前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部の前記堆積物の膜厚値がそれぞれゼロになるよう繰返し実行させるプログラム。
5. 前記制御部は、前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部を含む前記処理室を構成する構成部材のうち、前記堆積物の膜厚値が最も小さい構成部材に基づいて反応性ガスの供給時間を算出し、前記供給時間経過後、前記構成部材に面する領域に供給するガスを、前記反応性ガスから不活性ガスに切替え、前記構成部材に堆積した前記堆積物を除去する請求項１記載の基板処理装置。
6. 前記制御部は、前記反応性ガスの供給時間に基づいて前記反応性ガスを供給する際、前記堆積物の除去が終了した前記構成部材に面する領域には、前記反応性ガスが供給されないように不活性ガスを供給し、前記堆積物の除去が終了していない前記構成部材に面する領域には、前記反応性ガスを供給するように、前記反応性ガス及び前記不活性ガスの供給流量を調整して、前記構成部材に堆積された前記堆積物を除去する請求項５記載の基板処理装置。
7. 前記制御部は、前記複数の領域に面する仕切部に堆積した堆積物の膜厚値に応じて前記領域内での反応性ガスの濃度が調整されるように、前記複数の領域に供給される不活性ガスの供給流量をそれぞれ調整する請求項１記載の基板処理装置。
8. 前記制御部は、前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部を含む前記処理室を構成する構成部材のうち、前記堆積物の膜厚値が最も大きい構成部材に基づいて反応性ガスの供給時間を算出し、前記複数の領域のエッチング比率をそれぞれ算出する請求項１記載の基板処理装置。
9. 前記基板に原料ガスを供給する原料ガス供給部を備え、前記制御部は、前記基板載置部に堆積する前記堆積物の膜厚値に所定の堆積比率を乗じることで、前記複数の領域に面する仕切部に堆積する堆積物の膜厚値をそれぞれ算出する請求項１記載の基板処理装置。
10. 前記制御部は、
    前記堆積物を除去する除去比率に前記反応性ガスの供給時間を乗じることで、前記基板載置部及び前記複数の領域に面する仕切部から除去される堆積物の膜厚値を算出する請求項１記載の基板処理装置。