JPH10176272A - クリーニング方法及びクリーニング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 クリーニングの終点で確実にクリーニング処
理を終了させることができるようにする。 【解決手段】 ガス導入点Ａとガス排出点Ｂとがそれぞ
れ１つずつ設けられる。温度検出点Ｃがガス導入点Ａと
ガス排出点Ｂとの間にクリーニングガスの流れの方向Ｄ
に沿って複数設けられる。これら複数の温度検出点Ｃ
（１），Ｃ（２），…，Ｃ（Ｎ）の温度が最上流の温度
検出点Ｃ（１）から最下流の温度検出点Ｃ（Ｎ）まで一
旦上昇した後下降したとき、クリーニング処理が終了さ
せられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、反応炉の内部に付
着した膜を除去するためのクリーニング方法及びクリー
ニング装置に係り、特に、減圧ＣＶＤ装置における石英
反応炉のドライクリーニングの終点判定を行うのに好適
なものに関する。

【０００２】

【従来の技術】ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置を連続して稼働させる場
合、反応炉の内部にパーティクルなどの原因となる膜が
付着するので、この膜を定期的にクリーニングする必要
がある。このクリーニング方法として、近年、反応炉の
分解を必要としないドライガスクリーニング方法が開発
された。

【０００３】ドライガスクリーニング方法は、クリーニ
ングガスとしてＮＦ3 ガスやＣｌＦ3 ガスを使用し、Ｆ
原子を発生させて、反応炉の内壁に付着・堆積した膜を
エッチングして除去するものである。ＮＦ3 ガスは、ク
リーニングに必要なＦ原子を発生させるためにプラズマ
を必要とする。これに対して、ＣｌＦ3 ガスはプラズマ
を必要とせず、常温でも分解して容易にＦ原子を放出す
るので、減圧ＣＶＤ装置で注目されている。

【０００４】従来、ＣｌＦ3 ガスを使用して反応炉のク
リーニングを行う場合、反応炉ごとにクリーニング対象
である膜を予め定めた厚さだけ形成し、その膜厚につい
て予め条件出しを行ない、その結果分かったクリーニン
グ時間を経験的に設定することにより行なっていた。

【０００５】例えば、図１４に示すような反応炉７１の
ドライクリーニングにおける一般的処理条件は、次の通
りである。ここに反応炉７１は、高さが２８００ｍｍタ
イプの反応炉であり、符号７２はバラトロンを示し、７
３はガス導入口を示し、７４はガス排出口を示す。

【０００６】

【０００７】この場合、反応炉４０の内部に形成された
膜の累積膜厚が６μｍのとき、クリーニング時間はおよ
そ６０分であった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、反応
炉７１ごとにクリーニングの条件出しを行なう方法で
は、クリーニングの終点を判定することが難しく、従来
は、条件出しの際に目視にて反応炉７１を確認し、クリ
ーニングの終点を判定していた。

【０００９】このように、従来は、ＣｌＦ3 ガスによる
クリーニングの終点を正確に判定する方法が見い出され
ていなかったため、最適なクリーニング時間を設定する
ことができず、クリーニング時間が短すぎたり、長すぎ
たりしていた。クリーニング時間が短かすぎた場合に
は、反応炉７１の内部にＣＶＤ膜が残り、パーティクル
の原因になったり、再度、クリーニングする必要が生じ
るという不具合があった。逆に、クリーニング時間が長
すぎた場合は、反応炉７１の内部に設けられた部品の寿
命が短くなって部品の交換サイクルを短くし、高価なク
リーニングガスを無駄に消費するという問題があった。

【００１０】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
で、クリーニングの終点で確実にクリーニング処理を終
了させることができるクリーニング方法及びクリーニン
グ装置を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１記載のクリーニング方法は、クリーニングガ
スを予め定めたガス導入点から反応炉の内部に導入した
後、この反応炉の軸芯方向に沿って流し、予め定めたガ
ス排出点から排出することにより反応炉の内部に付着し
た膜を除去する方法において、クリーニング時、少なく
ともクリーニングが遅く終了する部分に定められた温度
検出点の温度が一旦上昇した後下降したとき、クリーニ
ング処理を終了させることを特徴とする。

【００１２】この請求項１記載のクリーニング方法で
は、クリーニング時、クリーニングが遅く終了する部分
に定められた温度検出点の温度が一旦上昇した後下降す
ると、クリーニング処理が終了させられる。

【００１３】このような構成によれば、クリーニングの
実際の進行状況に基づいてクリーニングの終点を判定す
ることができるので、クリーニングの終点を正確に判定
することができる。これにより、クリーニングの終点で
確実にクリーニング処理を終了させることができる。

【００１４】すなわち、反応炉の内部に付着した膜は、
クリーニングガスとの反応により除去される。この反応
に際しては、熱が発生する。これにより、反応点の温度
は反応により一旦上昇し、反応が終了すると下降する。
したがって、温度検出点を少なくともクリーニングが遅
く終了する部分に設定し、この温度検出点の温度の変化
を監視すれば、クリーニングの終点を正確に判定するこ
とができる。これにより、クリーニングの終点で確実に
クリーニング処理を終了させることができる。

【００１５】請求項２記載のクリーニング方法は、請求
項１記載の方法において、図１に示すように、ガス導入
点Ａとガス排出点Ｂとをそれぞれ１つずつ設け、温度検
出点Ｃをガス導入点Ａとガス排出点Ｂとの間にクリーニ
ングガスの流れの方向Ｄに沿って複数設け、これら複数
の温度検出点Ｃ（１），Ｃ（２），…，Ｃ（Ｎ）の温度
が最上流の温度検出点Ｃ（１）から最下流の温度検出点
Ｃ（Ｎ）まで一旦上昇した後下降したとき、クリーニン
グ処理を終了させることを特徴とする。

【００１６】なお、図１（ａ）は、ガス導入点Ａを反応
炉の軸芯方向の一端に設け、ガス排出点Ｂを反応炉の軸
芯方向の他端に設けた場合を示す。このような反応炉の
例としては、例えば、一槽構造の反応炉がある。また、
図１（ｂ）は、ガス導入点Ａとガス排出点Ｂとをいずれ
も反応炉の軸芯方向の一端に設けた場合を示す。このよ
うな反応炉の例としては、例えば、二槽構造の反応炉が
ある。

【００１７】この請求項２記載のクリーニング方法で
は、複数の温度検出点Ｃ（１），Ｃ（２），…，Ｃ
（Ｎ）の温度が最上流の温度検出点Ｃ（１）から最下流
の温度検出点Ｃ（Ｎ）まで一旦上昇した後下降したと
き、クリーニング処理が終了させられる。

【００１８】このような構成によれば、クリーニング位
置の変化状況も確認しながら、クリーニングの終点を判
定することができるので、終点の判定精度を高めること
ができる。

【００１９】請求項３記載のクリーニング方法は、請求
項１記載の方法において、図２に示すように、ガス導入
点Ａとガス排出点Ｂとをそれぞれ１つずつ設けるととも
に、温度検出点Ｃをガス排出点Ｂ付近に設けるようにし
たことを特徴とする。ここで、ガス排出点付近として
は、例えば、炉口部がある。

【００２０】この請求項３記載のクリーニング方法で
は、ガス排出点Ｂ付近に設けられた温度検出点の温度が
一旦上昇した後下降すると、クリーニング処理が終了さ
せられる。

【００２１】このような構成によれば、ガス導入点Ａと
ガス排出点Ｂとがそれぞれ１つしかない構成において、
クリーニングが最も遅く終了する部分に温度検出点を設
定することができるので、温度検出点Ｃを１つしか設け
ないにもかかわらず、クリーニングの終点を確実に検出
することができる。

【００２２】請求項４記載のクリーニング方法は、請求
項１記載の方法において、ガス導入点をクリーニングガ
スの流れの方向に沿って複数設けるとともに、２箇所以
上の複数のガス導入点からクリーニングガスを導入する
ことを特徴とする。

【００２３】この請求項４記載のクリーニング方法によ
れば、複数箇所からクリーニングガスが導入されるた
め、反応炉内全体のクリーニング時間を短縮することが
できる。

【００２４】請求項５記載のクリーニング方法は、請求
項１記載の方法において、図３に示すように、ガス導入
点Ａをクリーニングガスの流れの方向Ｄに沿って複数設
けるとともに、温度検出点Ｃを各ガス導入点Ａ（ｎ）
（ｎ＝１，２，…，Ｎ）ごとに設け、あるガス導入点Ａ
（ｍ）（ｍ＝１，２，…，Ｎ−１）からクリーニングガ
スを導入し、このガス導入点Ａ（ｍ）に対応する温度検
出点Ｃ（ｍ）の温度が一端上昇した後下降すると、この
ガス導入点Ａ（ｍ）からのクリーニングガスの導入を停
止し、１つ下流のガス導入点Ａ（ｍ＋１）からクリーニ
ングガスを導入するという処理を最上流のガス導入点Ａ
（１）から最下流のガス導入点Ａ（Ｎ）まで実行し、最
下流の温度検出点Ｄ（Ｎ）の温度が一旦上昇した後下降
したとき、クリーニング処理を終了させるようにしたも
のである。ここで、ｔ（ｎ）は、各ガス導入口Ａ（ｎ）
におけるガス導入タイミングを示す。

【００２５】なお、図３（ａ）は、反応路が例えば一槽
構造の反応炉である場合を示し、同図（ｂ）は、反応炉
が例えば２槽構造の反応炉である場合を示す。

【００２６】この請求項５記載のクリーニング方法で
は、クリーニングガスは、まず、最上流のガス導入点Ａ
（１）から導入される。これにより、このガス導入点Ａ
（１）付近でクリーニングが実行される。その結果、こ
のガス導入点Ａ（１）に対応する温度検出点Ｃ（１）の
温度が一旦上昇した後下降する。温度検出点Ｃ（１）の
温度が一旦上昇した後下降すると、ガス導入点Ａ（１）
からのクリーニングガスの導入を停止され、１つ下流の
ガス導入点Ａ（２）からのクリーニングガスの導入が開
始される。以下、同様に、クリーニングガスの導入点が
順次切り替えられ、最下流の温度検出点Ｃ（Ｎ）の温度
が一旦上昇した後下降すると、クリーニング処理が終了
させられる。

【００２７】このような構成によれば、クリーニングが
終了した部分にクリーニングガスが供給されることがな
いので、この部分でのオーバークリーニングを防止する
ことができる。

【００２８】請求項６記載のクリーニング方法は、請求
項１記載の方法において、図４に示すように、ガス導入
点Ａをクリーニングガスの流れの方向Ｄに沿って複数設
け、すべてのガス導入点Ａ（１），Ａ（２），…，Ａ
（Ｎ）から同時にクリーニングガスを導入するようにし
たものである。ここで、ｔ（１）は、すべてのガス導入
口Ａ（１），Ａ（２），…，Ａ（Ｎ）におけるガス導入
タイミングを示す。

【００２９】なお、図４（ａ）は、反応路が例えば一槽
構造の反応炉である場合を示し、同図（ｂ）は、反応炉
が例えば２槽構造の反応炉である場合を示す。

【００３０】この請求項６記載のクリーニング方法で
は、クリーニングガスは、すべてのガス導入点Ａ
（１），Ａ（２），…，Ａ（Ｎ）から同時に導入され
る。そして、予め定めた温度検出点Ｄの温度が一旦上昇
した後下降すると、クリーニング処理が終了させられ
る。

【００３１】このような構成によれば、反応炉内のすべ
ての部分で同時にクリーニング処理を開始することがで
きるので、クリーニング時間を短縮することができる。
また、図４に示すように、温度検出点Ｃとして、１つの
温度検出点を設定するだけで、クリーニングの終点を検
出することができる。なお、この場合、温度検出点Ｃ
は、ガス排出点Ｂ付近である必要がない。これは、本ク
リーニング方法の場合、すべての部分で同時にクリーニ
ングが開始されるため、クリーニングが最も遅く終了す
る部分に温度検出点Ｃを設定すればよいからである。

【００３２】請求項７記載のクリーニング方法は、請求
項４，５または６記載の方法において、複数のガス導入
点Ａ（１），Ａ（２），…，Ａ（Ｎ）から導入されるク
リーニングガスの流量が各ガス導入点Ａ（ｎ）ごとに独
立に制御されることを特徴とする。

【００３３】この請求項７記載のクリーニング方法によ
れば、複数のガス導入点Ａ（１），Ａ（２），…，Ａ
（Ｎ）から導入されるクリーニングガスの流量を各ガス
導入点Ａ（ｎ）ごとに独立に制御することができるの
で、各ガス導入点Ａ（ｎ）付近の状況に合わせてクリー
ニングガスの流量を決定することができる。

【００３４】請求項８記載のクリーニング方法は、請求
項２または５記載の方法において、複数の温度検出点の
うち、最下流の温度検出点がガス排出点付近に設けられ
ていることを特徴とする。

【００３５】この請求項８記載のクリーニング方法によ
れば、最下流の温度検出点をガス排出点付近に設けるよ
うにしたので、請求項３記載のクリーニング方法と同様
に、反応炉におけるクリーニングの終点を確実に検出す
ることができる。

【００３６】請求項９記載のクリーニング方法は、請求
項１記載の方法において、温度検出点の温度が一旦上昇
した後所定値以下に下降したとき、クリーニング処理を
終了させることを特徴とする。

【００３７】この請求項９記載のクリーニング方法で
は、クリーニングの終点で温度が所定値以下に下降する
反応点とクリーニングの終点で温度が下降し始める反応
点とのどちらにも温度検出点を設定することができるの
で、温度検出点の設定の自由度を高めることができる。

【００３８】請求項１０記載のクリーニング方法は、請
求項１記載の方法において、温度検出点の温度が一旦上
昇した後下降し始めたとき、クリーニング処理を終了さ
せることを特徴とする。

【００３９】この請求項１０記載のクリーニング方法で
は、クリーニングの終点で温度が下降し始める点に温度
検出点を設定しなければならないため、温度検出点の設
定の自由度は請求項９の場合より小さくなる。しかし、
温度が下降し始めた時点でクリーニング処理を終了させ
ることができるため、請求項９のクリーニング方法をク
リーニングの終点で温度が下降し始める点に適用する場
合に比べクリーニング時間を短縮することができる。

【００４０】請求項１１記載のクリーニング方法は、請
求項１記載の方法において、温度検出点の温度が一旦上
昇した後下降したときから所定時間経過後、クリーニン
グ処理を終了させることを特徴とする。

【００４１】この請求項１１記載のクリーニング方法に
よれば、反応炉全体にクリーニング残りが生じないよう
にすることができ、また、炉口部においても、確実にク
リーニングすることができる。

【００４２】請求項１２記載のクリーニング方法は、請
求項２記載の方法において、反応炉が、この反応炉の軸
芯方向に沿って設定され、かつ、加熱特性を独立に制御
可能な複数のヒータゾーンによって加熱され、複数の温
度検出点Ｃ（１），Ｃ（２），…，Ｃ（Ｎ）が、それぞ
れ各ヒータゾーンごとに設けられていることを特徴とす
る。

【００４３】この請求項１２記載のクリーニング方法で
は、複数の温度検出点Ｃ（１），Ｃ（２），…，Ｃ
（Ｎ）をヒータによる加熱温度がほぼ同じ点に設けるこ
とができるので、クリーニングのための反応による温度
変化を正確に検出することができる。

【００４４】請求項１３記載のクリーニング方法は、請
求項５記載の方法において、反応炉が、この反応炉の軸
芯方向に沿って設定され、かつ、加熱特性を独立に制御
可能な複数のヒータゾーンによって加熱され、複数のガ
ス導入点Ａ（１），Ａ（２），…，Ａ（Ｎ）が、それぞ
れ各ヒータゾーンごとに設けられていることを特徴とす
る。

【００４５】この請求項１３記載のクリーニング方法で
も、複数のガス導入点Ａ（１），Ａ（２），…，Ａ
（Ｎ）に対応する複数の温度検出点Ｃ（１），Ｃ
（２），…，Ｃ（Ｎ）をヒータによる加熱温度がほぼ同
じ点に設けることができるので、クリーニングのための
反応による温度変化を正確に検出することができる。

【００４６】請求項１４記載のクリーニング方法は、請
求項１記載の方法で、クリーニングガスがＣｌＦ3 であ
ることを特徴とする。

【００４７】この請求項１４記載のクリーニング方法で
は、活性エネルギーとしてプラズマを使用しないＣＶＤ
装置にも適用することができる。

【００４８】請求項１５記載のクリーニング装置は、ク
リーニングガスを予め定めたガス導入点から反応炉の内
部に導入した後、この反応炉の軸心方向に沿って流し、
予め定めたガス排出点から排出することにより反応炉の
内部に付着した膜を除去するためのクリーニング装置に
おいて、クリーニング時、少なくともクリーニングが遅
く終了する部分に定められた温度検出点の温度が一旦上
昇した後下降したか否かを判定する温度判定手段と、こ
の温度判定手段により温度検出点の温度が一旦上昇した
後下降したと判定されるとクリーニング処理を終了させ
るクリーニング処理終了手段とを備えたことを特徴とす
る。

【００４９】この請求項１５記載のクリーニング装置で
は、請求項１記載のクリーニング方法と同様に、少なく
ともクリーニングが遅く終了する部分に定めれられた温
度検出点の温度が一旦上昇した後下降したとき、クリー
ニング処理を終了させるようにしたので、クリーニング
の終点で確実にクリーニング処理を終了させることがで
きる。

【００５０】請求項１６記載のクリーニング装置は、請
求項１５記載の装置において、温度判定手段が、予め定
めたクリーニング時間算定方式に基づいて算定されたク
リーニング時間だけクリーニングを実行した後、温度検
出点の温度が一旦上昇した後下降したか否かを判定する
ことを特徴とする。

【００５１】この請求項１６記載のクリーニング装置で
は、まず、予め定めたクリーニング時間算定方式に基づ
いて、クリーニング時間が算定される。次に、算定され
たクリーニング時間だけクリーニング処理が実行され
る。算定されたクリーニング時間が経過すると、予め定
めた温度検出点の温度が一旦上昇した後下降したか否か
判定される。一旦上昇した後下降しない場合は、クリー
ニング処理がそのまま継続される。これに対し、一旦上
昇した後下降した場合は、クリーニング処理が終了させ
られる。

【００５２】このような構成によれば、少なくともクリ
ーニング時間算定方式に基づいて算定されたクリーニン
グ時間だけは、クリーニング処理が実行されるので、温
度検出点の温度が何らかの原因で本来の変化とは異なる
変化を示した場合でも、クリーニング処理の終了タイミ
ングがクリーニングの終点から大幅にずれてしまうこと
を防止することができる。

【００５３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明に係るクリーニング方法及びクリーニング装置の実施
の形態を詳細に説明する。

【００５４】［第１の実施の形態］本実施の形態は、図
１に示すように、ガス導入点Ａとガス排出点Ｂとをそれ
ぞれ１つずつ設け、温度検出点Ｃをガス導入点Ａとガス
排出点Ｂとの間にクリーニングガスの流れの方向Ｄに沿
って複数設け、これら複数の温度検出点Ｃ（１），Ｃ
（２），…，Ｃ（Ｎ）の温度が最上流の温度検出点Ｃ
（１）から最下流の温度検出点Ｃ（Ｎ）まで順次一旦上
昇した後下降したとき、クリーニング処理を終了させる
ようにしたものである。

【００５５】また、本実施の形態は、「温度検出点Ｃ
（ｎ）の温度が一旦上昇した後、下降したとき」とし
て、「温度検出点Ｃ（ｎ）の温度が一旦上昇した後、所
定値以下に下降したとき」を用いるようにしたものであ
る。

【００５６】また、本実施の形態は、軸芯方向に沿って
設定され、かつ、加熱特性を独立に制御可能な複数のヒ
ータゾーンによって加熱される反応炉において、複数の
温度検出点Ｃ（１），Ｃ（２），…，Ｃ（Ｎ）をそれぞ
れ各ヒータゾーンごとに設けるようにしたものである。

【００５７】また、本実施の形態は、予め所定のクリー
ニング時間算定方式に基づいてクリーニング時間を算定
し、算定したクリーニング時間だけクリーニング処理を
実行した後、複数の温度検出点Ｃ（１），Ｃ（２），
…，Ｃ（Ｎ）の温度が最上流の温度検出点Ｃ（１）から
最下流の温度検出点Ｃ（Ｎ）まで一旦上昇した後下降し
たとき、クリーニング処理を終了させるようにしたもの
である。なお、本実施の形態の形態では、クリーニング
時間算定方式として、例えば、所定のクリーニング時間
算出式を用いるようになっている。

【００５８】では、上述した本実施の形態を具体例を使
って説明する。なお、以下の説明では、本発明を減圧Ｃ
ＶＤ装置の反応炉の内部に付着したＳｉ系ＣＶＤ膜をＣ
ｌＦ3 ガスでドライクリーニングする場合を代表として
説明する。

【００５９】図５は、本実施の形態が適用される減圧Ｃ
ＶＤ装置の反応系の構成を示す側断面図である。

【００６０】図示の減圧ＣＶＤ装置は、基板ＷにＳｉ系
ＣＶＤ膜を形成するための反応炉１と、この反応炉１の
内部を加熱するためのヒータ２と、このヒータ２を覆う
ためのカバー３と、基板Ｗに所定のＳｉ系ＣＶＤ膜を形
成する場合に基板Ｗを収納するためのボート４と、この
ボート４が載置される載置台５と、断熱板６と、予め定
めた温度検出点の温度を検出するための温度検出器７
と、反応炉１の内部にＣｌＦ3 ガスを導入するためのガ
ス導入口８と、反応炉１の内部の未反応ガスを排出する
ためのガス排気口９とを有する。

【００６１】反応炉１は、アウタチューブ１０とインナ
チューブ１１とによって二槽構造の反応炉として構成さ
れている。ここで、アウタチューブ１０は、例えば、一
端部が閉塞され、他端部が開口された円筒状に形成さ
れ、開口端部で円筒状のフランジ部１２の上端部に設置
されている。インナチューブ１１は、両端部が開口され
た円筒状に形成され、アウタチューブ１０と同軸的に配
設されるとともに、フランジ部１２の内壁に形成された
顎部１３に設置されている。

【００６２】ガス導入口８は、フランジ部１２に対し
て、顎部８の下方に位置するように形成されている。ガ
ス排出口９は、フランジ部１２に対して、顎部１３の上
方に位置するように形成されている。

【００６３】ヒータ２は、円筒状に形成され、アウタチ
ューブ１０の周囲を囲むように配設されている。このヒ
ータ２によって加熱される領域（以下「ヒータゾーン」
という。）は、反応炉１の軸芯方向に沿って複数に分割
されている。この分割により得られるヒータゾーン（以
下「分割ゾーン」という。）の加熱特性は、独立に制御
されるようになっている。これは、反応炉１の内部の温
度の均一化を図るためである。この分割制御は、例え
ば、ヒータ２に３個以上の給電点で設けることにより行
われる。図には、４つの分割ゾーン１４（１），１４
（２），１４（３），１４（４）に分割する場合を示
す。以下、これらを下方からそれぞれＬゾーン、ＣＬゾ
ーン、ＣＵゾーン、Ｕゾーンという。

【００６４】温度検出器７は、各分割ゾーン１４（ｐ）
（ｐ＝１，２，３，４）ごとに設けられている。これに
より、温度検出器７としては、４つの温度検出器７
（１），７（２），７（３），７（４）が設けられる。
図には、温度検出器７（１），７（２），７（３），７
（４）を反応炉１の外部に配設し、この外部の温度を検
出することにより間接的に内部の温度を検出する場合を
代表として示す。

【００６５】温度検出点Ｃとしては、インナチューブ１
１の内部において、４つの分割ゾーン１４（１）〜１４
（４）に対応する４つの点と、インナチューブ１１とア
ウタチューブ１０との間の空間１５において、４つの分
割ゾーン１４（１）〜１４（４）に対応する４つの点と
の合計８個の点Ｃ（１），Ｃ（２），…，Ｃ（８）があ
る（ここで、８はＮに相当する）。この場合、各温度検
出器７（ｐ）は、インナチューブ１１の内部において、
各分割ゾーン１４（ｐ）に対応する温度検出点Ｃの温度
の検出と、空間１５において、各分割ゾーン１４（ｐ）
に対応する温度検出点Ｃの温度の検出とに兼用される。
例えば、温度検出器７（１）は、インナチューブ１１の
内部において、分割ゾーン１４（１）に対応する温度検
出点Ｃ（１）の温度の検出と、空間１５において、分割
ゾーン１４（１）に対応する温度検出点Ｃ（８）の温度
の検出とに兼用される。なお、温度検出器７（ｐ）とし
ては、例えば、熱電対が使用される。

【００６６】上記構成において、動作を説明する。ま
ず、成膜動作を説明する。

【００６７】この場合、複数の基板Ｗが収納されたボー
ト４が、図５に示すごとく、反応炉１の内部に搬入され
る。また、成膜用のプロセスガスがガス導入口８から反
応炉１の内部に導入される。反応炉１の内部に導入され
たプロセスガスは、インナチューブ１１の内部を反応炉
１の軸芯方向に沿って流れる。これにより、ボート４に
収納されている基板Ｗの表面で化学反応が起こり、この
表面に所定の膜が形成される。この反応に使用されなか
った未反応ガスは、インナチューブ１１の上端部で折り
返され、インナチューブ１１とアウタチューブ１２との
間の空間１５を流下した後、ガス排気口９から排出され
る。

【００６８】以上が、成膜動作である。次に、成膜動作
によって反応炉１の内部に付着、堆積したＳｉ系ＣＶＤ
膜をＣｌＦ3 ガスで除去するクリーニング動作を説明す
る。

【００６９】成膜動作によって反応炉１の内部に付着、
堆積したＳｉ系ＣＶＤ膜をＣｌＦ3ガスにてドライクリ
ーニングするには、成膜処理するときのプロセスガスの
経路と同じく、ＣｌＦ3 ガスをインナチューブ１１の下
部から導入し、インナチューブ１１の内側を通り上部で
折り返して、次いでインナチューブ１１とアウタチュー
ブ１０の間の空間１５を通り、反応炉１の下部から排出
させる。

【００７０】このとき、反応炉１の温度を監視したとこ
ろ、温度検出器７（１）から７（４）の温度が、図６に
示す通り、上流側のＬゾーン１４（１）から中流のＵゾ
ーン１４（４）へ、そして、再び下流側のＬゾーン１４
（１）へかけて波状的に上昇して下降することが観察さ
れた。同図の縦軸は温度の上昇幅（℃）を示し、横軸は
エッチング時間（秒）を示す。この温度の波状的な昇降
はＣｌＦ3 ガスとクリーニング対象のＳｉ系ＣＶＤ膜と
の反応熱で起きると考えられ、クリーニング中は反応に
より各分割ゾーン１４（ｐ）の温度が上昇し、Ｓｉ系Ｃ
ＶＤ膜が除去されると（反応が終了すると）、発熱がな
くなり、各分割ゾーン１４（ｐ）の温度は下降する。各
分割ゾーン１４（ｐ）に順次波状的に生じるのは、Ｓｉ
とＣｌＦ3 との反応速度が速いため、ガス導入口２８の
上流側から下流側にかけて、順次クリーニング反応が起
きるためである。

【００７１】検討した結果、このヒータゾーンごとに生
じる温度上昇とドライクリーニングの進行状況とは合致
することがわかった。これは、炉内温度がＬゾーン１
４（１）→ＣＬゾーン１４（２）→ＣＵゾーン１４
（３）→Ｕゾーン１（４）→ＣＵゾーン１４（３）
→ＣＬゾーン１４（２）→Ｌゾーン１４（１）と変
化していく中で、例えば、途中のＣＵゾーン１４
（３）でクリーニングを止めると、その部分で温度上昇
が終了することから確認できた。

【００７２】ところで、ＳｉとＣｌＦ3 ガスとの反応式
は次の（１），（２）のように考えられている。 Ｓｉ＋ＣｌＦ3 →ＳｉＣｌＦ3 …（１） Ｓｉ＋２ＣｌＦ3 →ＳｉＦ4 ＋２ＣｌＦ …（２）

【００７３】これを確認するために、反応炉１に一定量
のＳｉ系ＣＶＤ膜を成長させ、ドライクリーニングを行
なったところ、（１）、（２）のうち（２）式が実際と
合致することが分かった。これはガス供給量とクリーニ
ング面積との比較実験により確認したものである。

【００７４】これより、クリーニング時間Ｔを見積る式
は、次式（３）で表される。 Ｔ＝Ｘ／Ｙ …（３） 但し、Ｘは、反応炉１に付着、堆積されたＳｉ系ＣＶＤ
膜をクリーニングするのに必要なＣｌＦ3 ガスの量を示
し、Ｙは、単位時間当たりに供給するＣｌＦ3 ガスの量
を示す。

【００７５】本実施の形態は、上記のごとく、クリーニ
ング時間Ｔを（３）式で見積り、見積もったクリーニン
グ時間Ｔだけクリーニング処理を行った後、予め定めた
複数の温度検出点Ｃ（１）〜Ｃ（８）の温度変化が上記
のように進行したかを判定することにより、ドライクリ
ーニングの終点ｔか否かを判定し、終点でなければ、ク
リーニング処理を続行し、終点であれば、クリーニング
処理を終了させるものである。

【００７６】図７は、このような制御を実現するための
減圧ＣＶＤ装置の制御系の構成を示すブロック図であ
る。

【００７７】図示の制御系は、反応炉１の軸芯方向に形
成され、反応炉１の下部から上部までに対応した複数の
分割ゾーン１４（１）〜１４（４）の温度を独立に制御
する温度コントローラ２７と、各分割ゾーン１４（ｐ）
に配置した温度検出器７（１）〜７（４）と、反応炉１
の内部に連通するＣｌＦ3 ガスの導入路３５に流れるＣ
ｌＦ3 ガスの流量を制御する流量制御弁３２と、流量制
御弁３２の前後に設けられガス導入路３５を開閉する開
閉弁３１、３３と、ポンプ３７によって反応炉１から排
出されるＣｌＦ3 ガスの排出路３６を開閉する開閉弁３
４と、これら開閉弁３１、３３、３４を制御するバルブ
コントローラ２９と、流量制御弁３２を制御するガス流
量コントローラ２８と、コントローラ２７，２８，２９
の制御を司るメインコントローラ２３とを有する。

【００７８】メインコントローラ２３は、温度コントロ
ーラ２７、ガス流量コントローラ２８及びバルブコント
ローラ２９を制御するシーケンス制御部２６と、演算部
２４と、記憶部２５とを備える。メインコントローラ２
３には、後述するクリーニング時間演算用のモデル式を
用いてクリーニング時間Ｔを演算するための各種物理デ
ータを入力する入力手段２２が接続されている。入力さ
れた各種物理データは記憶部２５に記憶される。また、
表示手段２１がメインコントローラ２３に接続され、ク
リーニングするために必要な情報がメインコントローラ
２３によって表示されるようになっている。

【００７９】演算部２４は、入力手段２２から各種物理
データを入力され、これらよりモデル式を用いてクリー
ニング時間Ｔを演算する。シーケンス制御部２６は、各
分割ゾーン１４（ｐ）に配置した温度検出器７（ｐ）の
検出温度が温度コントローラ２７を介して入力され、こ
れに基づいて、クリーニングの終点ｔを判定する。

【００８０】クリーニングするに際して、反応炉１から
処理済みの基板Ｗを取り出した後、温度コントローラ２
７によって各分割ゾーン１４（ｐ）ごとに温度設定を行
い、ガス流量コントローラ２８によってＣｌＦ3 ガスの
量を設定し、かつ、反応炉１の内部の圧力を設定する。
これらの設定は、図１の場合を例示すると次の通りであ
る。

【００８１】Ｕゾーン ： ６１５℃ ＣＵゾーン ： ６１３℃ ＣＬゾーン ： ６０７℃ Ｌゾーン ： ５９７℃ 圧力 ： ７０Ｐａ（炉口部排気側バラトロ
ン） ガス流量 Ｎ2 ： ２０００ｃｃｍ ＣｌＦ3 ： １０００ｃｃｍ

【００８２】図６から分かるように、各分割ゾーン１４
（ｐ）の温度変化（傾き）は、上昇時の正からピークを
経て下降時の負になった後、ゼロとなる。シーケンス制
御部２６は、反応炉１の下部に対応したＬゾーン１４
（１）から上部に対応したＵゾーン１４（４）まで順次
所定値以上温度が上昇し、これら全ての分割ゾーン１４
（１）〜１４（４）の温度が再び所定値以下に下がった
時点をクリーニングの終点ｔと判定する。シーケンス制
御部２６は、この判定結果と演算部２４によって演算さ
れたクリーニング時間Ｔとに基づいて、開閉弁３１、３
３、３４の開閉動作を制御する制御信号をバルブコント
ローラ２９に供給する。バルブコントローラ２９は、こ
の制御信号の基づいて、少なくともクリーニング処理を
開始してからクリーニング時間Ｔが経過するまでは、開
閉弁３１、３３、３４を開け、その後はクリーニングの
終点ｔに達した時点で開閉弁３１、３３を閉じ、図示し
ないＮ2 ガス等の不活性ガスの供給ラインから不活性ガ
スパージを行う。その後、反応炉１の内部の圧力を大気
圧に戻す場合には、開閉弁３４を閉じる。

【００８３】上述した制御系の動作を、図８のフローチ
ャートを参照しながら、さらに詳細に説明する。

【００８４】図８のフローチャートに示すように、成膜
された石英部品の表面積Ｓ、累積膜厚Ｆ、成膜物質の密
度ｄ、成膜物質の分子量Ｍ、成膜物質に反応するＣｌＦ
3 ガスのモル比ｋ、エッチングガス供給量Ｇ0 、１モル
当りの気体体積値Ａ、予備クリーニング時間αを示すデ
ータを入力手段２２からメインコントローラ２３の記憶
部２５に入力する（１０１）。これらのデータに基づい
て、演算部２４は、クリーニング時間Ｔを算出する（１
０２）。算出結果は、シーケンス制御部２６からバルブ
コントローラ２９に送られる。これにより、開閉弁３
１、３３、３４が開かれる。その結果、反応炉１の内部
にＣｌＦ3 ガスが導入され、算出したクリーニング時間
Ｔだけクリーニング処理が実行される（１０３）。

【００８５】クリーニング処理の開始により各分割ゾー
ン１４（ｐ）に温度変化が生じるが、この温度変化は、
温度検出器７（ｐ）で検出された温度に基づいて、シー
ケンス制御部２６で監視される。シーケンス制御部２６
は、算出したクリーニング時間Ｔ分のクリーニング処理
が終了すると、各温度検出点Ｃ（ｎ）の温度が上流側か
ら順次１つずつ波状的に変化したか否かを判定する（１
０４）。すなわち、温度変化がクリーニングの終点ｔを
示すか否かを判定する。

【００８６】シーケンス制御部２６は、クリーニングの
終点ｔを示さなければ、さらに一定時間クリーニング処
理を続行し（１０５）、続行した後、終点ｔを示すと判
定された場合にはクリーニング処理を終了させる（１０
６）。これにより、開閉弁３１，３３が閉じられ、図示
しない不活性ガス供給ラインから不活性ガスパージが行
われる。その後、反応炉１の内部の圧力を大気圧に戻す
場合には、開閉弁３４が閉じられる。

【００８７】このように、モデル式により見積もったク
リーニング時間Ｔが経過しても、終点ｔに基づく制御信
号がシーケンス制御部２６からバルブコントローラ２９
に供給されるまで、開閉弁３１、３３、３４の開放は維
持される。これにより、モデル式で見積もったクリーニ
ング時間Ｔを実際のクリーニング状況に合わせて補正す
ることができるので、クリーニング処理を正確に行うこ
とができる。

【００８８】モデル式に基づくクリーニング時間Ｔは次
の(1) 〜(10)のステップで求める。

【００８９】（１）アウタチューブ１０、インナチュー
ブ１１、ボート４の各表面積を求める。 アウタチューブ表面積 Ｓ1 （ｃｍ² ） インナチューブ表面積 Ｓ2 （ｃｍ² ） ボート表面積 Ｓ3 （ｃｍ² ）

【００９０】（２）Ｄｏｐｅｄ−Ｐｏｌｙ−Ｓｉ、Ｓｉ
3 Ｎ4 等が実際に付着された表面積を求める。 アウタチューブ表面積 Ｓ1 （ｃｍ² ） インナチューブ表面積 Ｓ2 （ｃｍ² ） ボート表面積 Ｓ3 （ｃｍ² ） 成膜されている表面積 Ｓ （ｃｍ² ）（Ｓ＝Ｓ1 ＋
Ｓ2 ＋Ｓ3 ）

【００９１】（３）成膜された累積膜厚をランシート等
で確認する。 累積膜厚 ｆ（μｍ） ｃｍに単位変換した累積膜厚 Ｆ（ｃｍ）（Ｆ＝ｆ×
１０^-4）

【００９２】（４）成膜された領域の体積を求める。 Ｄｏｐｅｄ−Ｐｏｌｙ−Ｓｉ、Ｓｉ3 Ｎ4 等の体積Ｖ
（ｃｍ3 ）（Ｖ＝Ｓ×Ｆ）

【００９３】（５）（４）の体積の重量を求める。 Ｓｉの密度：２．３３（ｇ／ｃｍ³ ） Ｓｉ3 Ｎ4 の密度：２．９〜３．１（ｇ／ｃｍ³ ） 成膜物質密度：ｄ（ｇ／ｃｍ³ ） 物質の重量：Ｗ（ｇ）（Ｗ＝ｄ×Ｖ）

【００９４】（６）（５）より成膜物質のモル数Ａｌを
求める。 Ｓｉの分子量：２８．１（ｇ／ｍｏｌ） Ｓｉ3 Ｎ4 の分子量：１４０．３（ｇ／ｍｏｌ） 成膜物質の分子量：Ｍ（ｇ／ｍｏｌ） 成膜物質のモル数：Ａ1 （ｍｏｌ）（Ａ1 ＝Ｗ／Ｍ）

【００９５】（７）Ｓｉ及びＳｉ3 Ｎ4 とＣｌＦ3 ガス
の反応式より、成膜物質をクリーニングするＣｌＦ3 ガ
スのモル比を求める。 ２Ｓｉ＋４ＣｌＦ3 →ＳｉＦ4 ＋ＳｉＣｌ4 ＋２Ｆ2
＋Ｃｌ2 これよりＳｉ：１に対しＣｌＦ3 ：２が必要であること
が分かる。 Ｓｉ3 Ｎ4 ＋１０ＣｌＦ3 →ＳｉＦ4 ＋２ＳｉＣｌ4
＋１３Ｆ2 ＋２Ｎ2＋Ｃｌ2 これよりＳｉ3 Ｎ4 ：１に対し、ＣｌＦ3 ：１０が必要
であることが分かる。 モル比：ｋ

【００９６】（８）（７）より成膜物質をクリーニング
するために必要な標準状態でのＣｌＦ3 ガス流量を求め
る。 クリーニングに必要なＣｌＦ3 ガス総流量：Ｇ（ｌ）
（Ｇ＝２２．４×ｋ×Ａ1 ）

【００９７】（９）単位時間当たりのＣｌＦ3 ガス供給
量をクリーニング条件から確認し、ＣｌＦ3 クリーニン
グ時間Ｔを算出する。 単位時間当たりのＣｌＦ3 ガス供給量：Ｇ0 （ｌ／ｍ
ｉｎ） ＣｌＦ3 クリーニング時間 ：Ｔ（ｍｉｎ）
（Ｔ＝Ｇ／Ｇ0 ）

【００９８】（１０）以上を１つの式にまとめると Ｔ＝［｛（Ｓ×Ｆ×ｄ）／Ｍ｝×ｋ×Ａ］／Ｇ0 ＋α ＝（ＡＳＦｄｋ）／ＭＧ0 ＋α ここで、Ｓ：成膜された石英部品の表面積 Ｆ：累積膜厚 ｄ：成膜物質の密度 ｋ：成膜物質に反応するＣｌＦ3 のモル比 Ｍ：成膜物質の分子量 Ｇ0 ：単位時間当たりのＣｌＦ3 ガス供給量 Ａ：１モル当りの気体体積値 α：予備クリーニング時間時間

【００９９】以上詳述した本実施の形態によれば、次の
ような効果を得ることができる。

【０１００】（１）まず、本実施の形態によれば、クリ
ーニングが遅く終了する部分に温度検出点Ｃ（Ｎ）を設
け、この温度検出点Ｃ（Ｎ）の温度の変化に基づいて、
クリーニングの終点ｔを判定するようにしたので、クリ
ーニングの終点ｔを正確に判定することができる。これ
により、クリーニングの終点ｔで確実にクリーニング処
理を終了させることができる。

【０１０１】（２）また、本実施の形態によれば、温度
検出点Ｃを１つのガス導入点Ａと１つのガス排出点Ｂと
の間にＣｌＦ3 ガスの流れの方向Ｄに沿って複数設け、
これら複数の温度検出点Ｃ（１），（２），…，（Ｎ）
の温度が最上流の温度検出点Ｃ（１）から最下流の温度
検出点Ｃ（Ｎ）まで一旦上昇して下降したとき、クリー
ニング処理を終了させるようにしたので、クリーニング
位置の変化も確認した上で、クリーニングの終点ｔを判
定することができる。これにより、クリーニングの終点
ｔの判定精度を高めることができる。

【０１０２】（３）また、本実施の形態によれば、各温
度検出点Ｃ（ｎ）を各分割ゾーン１４（ｐ）ごとに設け
るようにしたので、各温度検出点Ｃ（ｎ）をヒータ２に
よる加熱温度がほぼ同じ点に設けることができる。これ
により、クリーニングのための反応による加熱温度を正
確に検出することができる。

【０１０３】（４）また、本実施の形態によれば、「温
度検出点Ｃ（ｎ）の温度が一旦上昇した後、下降したと
き」として、「温度検出点Ｃ（ｎ）の温度が一旦上昇し
た後、所定値以下に下降したとき」を用いるようにした
ので、温度検出点Ｃ（ｎ）として、温度が所定値以下に
下降したとき、クリーニングの終点に達する反応点と、
温度が下降し始めたとき、クリーニングの終点に達する
反応点との２つの反応点を選択することができる。これ
により、温度検出点Ｃ（ｎ）の選択の自由度を高めるこ
とができる。

【０１０４】（５）また、本実施の形態によれば、所定
のモデル式に基づいてクリーニング時間Ｔを算出し、算
出したクリーニング時間Ｔだけクリーニング処理を実行
し、このクリーニング時間Ｔが経過した時点でクリーニ
ングの終点ｔに達しているか否かを判定し、達していな
ければ達するまでクリーニング処理を続行し、達してい
ればクリーニング処理を終了させるようにしたので、少
なくとも、所定のモデル式に基づいて算出されたクリー
ニング時間Ｔだけは、クリーニング処理を実行すること
ができる。これにより、温度検出点Ｃの温度が何らかの
原因で、本来の変化とは異なる変化を示した場合でも、
クリーニング処理を終了させるタイミングがクリーニン
グの終点ｔから大幅にずれてしまうことを防止すること
ができる。

【０１０５】［第２の実施の形態］図９は、本発明に係
るクリーニング方法及びクリーニング装置の第２の実施
の形態の要部の構成を示す側面図である。なお、図９に
おいて、先の図５とほぼ同一機能を果たす部分には同一
符号を付して詳細な説明を省略する。

【０１０６】先の実施の形態では、温度検出器７を反応
炉１の外部に配設することにより、反応炉１の内部の温
度を間接的に検出する場合を説明した。これに対し、本
実施の形態では、図９に示すように、温度検出器１９を
反応炉１の内部に設けるようにしたものである。このよ
うな構成によれば、反応炉１の内部の温度を直接検出す
ることができるので、先の実施の形態よりクリーニング
の終点ｔを正確に判定することができる。

【０１０７】［第３の実施の形態］先の実施の形態で
は、「温度検出点Ｃ（ｎ）の温度が一旦上昇した後、下
降したとき」として、「温度検出点Ｃ（ｎ）の温度が一
旦上昇した後、所定値以下に下降したとき」を用いる場
合を説明した。これに対し、本実施の形態は、「温度検
出点Ｃ（ｎ）の温度が一旦上昇した後、下降し始めたと
きを」を用いるようにしたものである。

【０１０８】このような構成によれば、各温度検出点Ｃ
（ｎ）を、温度が下降し始めたときクリーニングの終点
に達する反応点に設定しなければならないため、温度検
出点Ｃ（ｎ）の設定の自由度は低下するが、温度が下降
し始めた時点でクリーニング処理を終了させることがで
きるため、先の実施の形態をクリーニングの終点で温度
が下降し始める反応点に適用する場合に比べ、クリーニ
ング時間を短縮することができる。

【０１０９】［第４の実施の形態］先の実施の形態で
は、「温度検出点Ｃ（Ｎ）の温度が一旦上昇した後、下
降したとき」として、「温度検出点Ｃ（Ｎ）の温度が一
旦上昇した後、下降したときからすぐに」を用いる場合
を説明した。これに対し、本実施の形態は、「温度検出
点Ｃ（Ｎ）の温度が一旦上昇した後、下降したときから
所定時間経過したとき」を用いるようにしたものであ
る。

【０１１０】このような構成によれば、反応炉１全体に
クリーニング残りが生じないようにすることができ、ま
た、炉口部においても、確実にクリーニングを行うこと
ができる。ここで、炉口部とは、例えば、先の図５にお
いて、アウタチューブ１０とインナチューブ１１との間
の空間１５を流下してきたＣｌＦ3 が接する部分をいう
ものとする。具体的には、反応炉１のうち、ヒータ２か
ら出ている部分と、フランジ部１２と、ガス排気口９に
接続される排気管等からなる部分をいう。

【０１１１】すなわち、炉口部は、温度が低いので、基
板への成膜中に、反応副生成物が付着する。この反応副
生成物は、はがれ易く、パーティクルとなり易い。した
がって、これをそのまま放置すると、成膜処理が悪影響
を受ける。そこで、この反応副生成物は、確実に除去す
る必要がある。

【０１１２】ここで、本実施の形態では、Ｌゾーン１４
（１）に対応する最下流の温度検出点Ｃ（Ｎ）（図５の
場合、温度検出点Ｃ（８））の温度が一旦上昇した後、
下降したときから所定時間経過後にクリーニング処理を
終了させるようにしたので、炉口部においても、クリー
ニングを行うことができる。これにより、炉口部に付着
した反応副生成物を除去することができる。

【０１１３】［第５の実施の形態］先の実施の形態で
は、Ｌゾーン１４（１）に最下流の温度検出点Ｃ（Ｎ）
を設ける場合を説明した。これに対し、本実施の形態
は、炉口部に最下流の温度検出点Ｃ（Ｎ）を設けるよう
にしたものである。

【０１１４】このような構成によれば、温度検出点Ｃ
（Ｎ）の温度が一旦上昇した後、下降したときすぐにク
リーニング処理を終了させても、先の第５の実施の形態
と同様に、炉口部に付着した反応副生成物を除去するこ
とができる。

【０１１５】図１０は、本実施の形態の要部の具体的構
成を示す側断面図である。ここで、図１０（ａ）は、フ
ランジ部１２に貫通孔を形成し、この貫通孔に温度検出
器７（５）を挿入した後、押え用フランジ４１とＯリン
グ４２とを用いて温度検出器７（５）をフランジ部１２
に取り付けるようにしたものである。このような構成に
よれば、フランジ部１２とインナチューブ１０との間の
空間１５の温度を検出することができる。なお、この場
合は、温度検出器７（５）のうち、フランジ部１２とイ
ンナチューブ１０との間に空間１５に存在する部分がＣ
ｌＦ３ガスにさらされるので、この部分を耐圧性でかつ
耐腐食性のカバーで覆う必要がある。

【０１１６】これに対し、図１０（ｂ）は、フランジ部
１２にその外壁から内壁近くまで至る孔を形成し、この
孔に温度検出器７（５）を勘合することにより、温度検
出器７（５）をフランジ部１２に取り付けるようにした
ものである。このような構成によれば、フランジ部１２
そのものの温度を検出することができる。

【０１１７】なお、図には示さないが、温度検出器７
（５）をフランジ部１２の外壁に取り付ける場合、フラ
ンジ部１２に密着させるようにしてもよい。

【０１１８】［第６の実施の形態］先の実施の形態で
は、ガス導入部Ａとガス排出部Ｂとの間に、ＣｌＦ3 ガ
スをの流れの方向Ｄに沿って複数の温度検出点Ｃ
（１），（２），…，（Ｎ）を設ける場合を説明した。
これに対し、本実施の形態は、図２に示すように、ガス
排出部Ｂ付近に１つだけ温度検出点Ｃを設定するように
したものである。

【０１１９】このような構成によれば、クリーニングが
遅く終了する部分に温度検出点Ｃを設けることができる
ので、温度検出部Ｃを１つしか設けないにも係わらず、
クリーニングの終点を正確に判定することができる。

【０１２０】［第７の実施の形態］先の実施の形態で
は、ガス導入点Ａを１つだけ設ける場合を説明した。こ
れに対し、本実施の形態は、図３に示すように、ガス導
入点ＡをＣｌＦ3 ガスの流れの方向Ｄに沿って複数設け
るとともに、温度検出点Ｃを各ガス導入点Ａ（ｎ）ごと
に設け、あるガス導入点Ａ（ｍ）からＣｌＦ3 ガスを導
入し、このガス導入点Ａ（ｍ）に対応する温度検出点Ｃ
（ｍ）の温度が一端上昇した後下降すると、このガス導
入点Ａ（ｍ）からのＣｌＦ3 ガスの導入を停止し、１つ
下流のガス導入点Ａ（ｍ＋１）からＣｌＦ3 ガスを導入
するという処理を最上流のガス導入点Ａ（１）から最下
流のガス導入点Ａ（Ｎ）まで実行し、最下流の温度検出
点Ｃ（Ｎ）の温度が一旦上昇した後下降したとき、クリ
ーニング処理を終了させるようにしたものである。

【０１２１】このような構成によれば、クリーニングが
終了した部分にＣｌＦ3 ガスが供給されることがないの
で、この部分でのオーバークリーニングを防止すること
ができる。

【０１２２】また、本実施の形態は、各ガス導入点Ａ
（ｎ）から導入されるＣｌＦ3 ガスの流量を独立に制御
することができるようにしたものである。

【０１２３】このような構成によれば、各温度検出点Ｃ
（ｎ）におけるヒータ２による加熱温度の違い、付着膜
（Ｓｉ系ＣＶＤ膜）の膜厚の違い、付着膜の結晶状態の
違い、被クリーニング対象の表面積の違い等を考慮し
て、各温度検出部Ｃ（ｎ）ごとに最適なガス流量を流す
ことができる。

【０１２４】また、本実施の形態は、各ガス導入点Ａ
（ｎ）を、各分割ゾーン１４（ｐ）ごとに設けるように
したものである。

【０１２５】このような構成によれば、複数のガス導入
点Ａ（１），Ａ（２），…，Ａ（Ｎ）に対応する複数の
温度検出点Ｃ（１），Ｃ（２），…，Ｃ（Ｎ）をヒータ
２による加熱温度がほぼ同じ点に設けることができるの
で、クリーニングのための反応による温度変化を正確に
検出することができる。

【０１２６】図１１は、本実施の形態のガス導入点Ａ
（１），Ａ（２），…，Ａ（Ｎ）の配設の仕方を示す側
断面図である。なお、図１１において、先の図５とほぼ
同一機能を果たす部分には、同一符号を付して詳細な説
明を省略する。

【０１２７】図１１（ａ）は、インナチューブ１１の内
部におけるガス導入点Ａ（ｎ）の配設の仕方を示す側断
面図である。これに対し、図１１（ｂ）は、インナチュ
ーブ１１とアウタチューブ１０との間の空間１５におけ
るガス導入点Ａ（ｎ）の配設の仕方を示す側断面図であ
る。なお、図１１（ｂ）には、図をわかりやすくするた
めに、インナチューブ１１は示さない。

【０１２８】図１１（ａ）に示すように、インナーチュ
ーブ１１の内部には、４つのノズル５１（１），５１
（２），５１（３），５１（４）が設けられている。こ
れらは、ボート４と接触しないように、インナーチュー
ブ１１の側壁に沿って設けられている。各ノズル５１
（ｐ）の先端には、ガス導入孔が設けられている。Ｃｌ
Ｆ3 ガスは、このガス導入孔からインナチューブ１１の
内部に導入される。

【０１２９】ノズル５１（１），５１（２），５１
（３），５１（４）のガス導入孔は、それぞれＬゾーン
１４（１）、ＣＬゾーン１４（２）、ＣＵゾーン１４
（３）、Ｕゾーン１４（４）に対して、その上流側から
ＣｌＦ3 ガスを導入するように位置決めされている。こ
の位置決めは、各ノズル５１（ｐ）の折曲点から先端ま
での長さを調整することにより可能となる。

【０１３０】この場合、ノズル５１（１）は、Ｌゾーン
１４（１）のほかに、その上流の部分も受け持つように
なっている。また、ノズル５１（４）は、インナチュー
ブ１１の内部のＵゾーン１４（４）のほかに、インナチ
ューブ１１とアウタチューブ１０との間の空間１５のＵ
ゾーン１４（４）も受け持つようになっている。

【０１３１】図１１（ｂ）に示すように、インナーチュ
ーブ１１とアウタチューブ１０との間の空間１８にも、
４つのノズル５２（１），５２（２），５２（３），５
２（４）が設けられている。各ノズル５２（ｐ）の先端
には、ガス導入孔が設けられている。ＣｌＦ3 ガスは、
このガス導入孔からインナーチューブ１１とアウタチュ
ーブ１０との間の空間１５に導入される。

【０１３２】ノズル５２（１），５２（２），５２
（３），５２（４）のガス導入孔は、それぞれ炉口部、
Ｌゾーン１４（１）、ＣＬゾーン１４（２）、ＣＵゾー
ン１４（３）に対して、その上流側からＣｌＦ3 ガスを
導入するように位置決めされている。この位置決めは、
各ノズル５２（ｐ）の折曲点から先端までの長さを調整
することにより可能となる。

【０１３３】上記構成においては、クリーニング時、ま
ず、ノズル５１（１）からＣｌＦ3ガスが導入される。
これにより、まず、Ｌゾーン１４（１）の上流の部分が
クリーニングされる。その結果、温度検出器７（５）の
検出温度が一旦上昇した後、下降する。次に、インナチ
ューブ１１の内部のＬゾーン１４（１）がクリーニング
される。これにより、温度検出器７（１）の検出温度が
一旦上昇した後、下降する。

【０１３４】温度検出器７（１）の温度が一旦上昇した
後下降すると、ノズル５１（１）からＣｌＦ3 ガスの導
入が停止され、ノズル５１（２）からのＣｌＦ3 ガスの
導入が開始される。これにより、ＣＬゾーン１４（２）
がクリーニングされる。その結果、温度検出器７（２）
の検出温度が一旦上昇した後、下降する。温度検出器７
（２）の温度が一旦上昇した後下降すると、ノズル５１
（２）からＣｌＦ3 ガスの導入が停止され、ノズル５１
（３）からのＣｌＦ3 ガスの導入が開始される。以下、
同様に、温度検出器７（ｐ）の検出温度が一旦上昇した
後、下降するたびに、ＣｌＦ3 ガスの導入ノズルが切り
替えられる。

【０１３５】最後に、温度検出器７（１）の温度が再度
一旦上昇した後下降すると、ノズル５２（２）からＣｌ
Ｆ3 ガスの導入が停止され、ノズル５２（１）からのＣ
ｌＦ3 ガスの導入が開始される。これにより、炉口部が
クリーニングされる。その結果、温度検出器７（５）の
検出温度が再度一旦上昇した後、下降する。温度検出器
７（５）の検出温度が再度一旦上昇した後、下降する
と、ノズル５２（１）からのＣｌＦ3 ガスの導入が停止
される。これにより、クリーニング処理が終了させられ
たことになる。

【０１３６】なお、各ノズル５１（１）〜５１（４），
５２（１）〜５２（４）から導入されるＣｌＦ3 ガスの
流量は、独立に制御される。

【０１３７】図１２は、本実施の形態の制御系の構成を
示すブロック図である。なお、図１２において、先の図
７とほぼ同一機能を果たす部分には、同一符号を付して
詳細な説明を省略する。

【０１３８】図１２に示すごとく、本実施の形態では、
各ノズル５１（ｐ），５２（ｐ）ごとに、ガス導入路６
１（ｐ），６２（ｐ）が設けられる。また、各ガス導入
路６１（ｐ），６２（ｐ）には、流量制御弁６３
（ｐ），６４（ｐ）と、開閉弁６５（ｐ），６６
（ｐ），６７（ｐ），６８（ｐ）が設けられている。

【０１３９】このような構成においては、各流量制御弁
６３（ｐ），６４（ｐ）の開閉度は、ガス流量コントロ
ーラ２８により各流量制御弁６３（ｐ），６４（ｐ）ご
とに独立に制御される。これにより、各ノズル５１
（ｐ），５２（ｐ）から導入されるＣｌＦ3 ガスの流量
が各ノズル５１（ｐ），５２（ｐ）ごとに独立に制御さ
れる。なお、図において、Ｓ１（ｐ），Ｓ２（ｐ）は、
それぞれ流量制御弁６３（ｐ），６４（ｐ）の開閉度を
制御する制御信号を示す。

【０１４０】また、各開閉弁６５（ｐ），６６（ｐ），
６７（ｐ），６８（ｐ）の開閉は、温度検出器７（１）
〜７（５）の検出温度に基づいて、バルブコントローラ
２９により制御される。これにより、各ノズル５１
（ｐ），５２（ｐ）からのＣｌＦ3 ガスの導入が、温度
検出器７（１）〜７（５）の検出温度に基づいて、バル
ブコントローラ２９により制御されることになる。な
お、図において、Ｓ３（ｐ）は、開閉弁６５（ｐ）、６
６（ｐ）の開閉を制御する制御信号を示し、Ｓ４（ｐ）
は、開閉弁６７（ｐ）、６８（ｐ）の開閉を制御する制
御信号を示す。

【０１４１】また、排気路３６に設けられる開閉弁３４
は、ノズル５１（１）に対応する開閉弁６５（１），６
６（１）を開くとき開かれ、反応炉１の内部の圧力を大
気圧に戻す場合に閉じられる。すなわち、この開閉弁３
４は、開閉弁６５（１），６６（１）の制御信号Ｓ３
（１）により開かれ、反応炉１の内部の圧力を大気圧に
戻すための制御信号Ｓ８により閉じられる。

【０１４２】［第８の実施の形態］先の第７の実施の形
態では、複数のガス導入点Ａ（１），Ａ（２），…，Ａ
（Ｎ）から異なるタイミングでＣｌＦ3 ガスを導入する
場合を説明した。これに対し、本実施の形態では、図４
に示すように、複数のガス導入点Ａ（１），Ａ（２），
…，Ａ（Ｎ）から同時にＣｌＦ3 ガスを導入するように
したものである。

【０１４３】このような構成によれば、反応炉１の内部
のすべての部分で同時にクリーニング処理を開始するこ
とができるので、クリーニング時間を短縮することがで
きる。また、図４に示すように、温度検出点Ｃとして、
１つの温度検出点を設定するだけで、クリーニングの終
点を検出することができる。

【０１４４】なお、この場合、温度検出点Ｃは、ガス排
出点Ｂ付近である必要がない。これは、本クリーニング
方法の場合、すべての部分で同時にクリーニングが開始
されるため、クリーニングが最も遅く終了する部分に温
度検出点Ｃを設定すればよいからである。

【０１４５】図１３は、本実施の形態の制御系の構成を
示すブロック図である。なお、図１３において、先の図
１２とほぼ同一機能を果たす部分には、同一符号を付し
て詳細な説明を省略する。

【０１４６】図１３において、図１２と異なる点は、開
閉弁６５（ｐ），６６（ｐ），６７（ｐ），６８（ｐ）
は、開くときは同時に開かれ、閉じるときは、対応する
温度検出器７（ｐ）、７（５）の検出温度に基づいて、
別々に閉じられる点である。

【０１４７】但し、この場合、温度検出器７（ｐ）、７
（５）を共用する開閉弁６５（ｐ），６６（ｐ）と開閉
弁６７（ｐ），６８（ｐ）とは、同時に開かれ、かつ、
同時に閉じられる。例えば、温度検出器７（２）を共用
する開閉弁６５（２），６６（２）と開閉弁６７
（３），６８（３）とは、同時に開かれ、かつ、同時に
閉じられる。図において、Ｓ５は、各開閉弁６５
（ｐ），６６（ｐ），６７（ｐ），６８（ｐ）を同時に
開くための制御信号を示し、Ｓ６（ｐ）は、各開閉弁６
５（ｐ），６６（ｐ）を閉じるための制御信号を示し、
Ｓ７（ｐ）は、各開閉弁６７（ｐ），６８（ｐ）を閉じ
るための制御信号を示す。この場合、上記の例を代表と
して説明すると、開閉弁６５（２），６６（２）を閉じ
るための制御信号Ｓ６（２）と開閉弁６７（３），６８
（３）を閉じるための制御信号Ｓ７（３）とは、同時に
アクティブ状態に設定される。

【０１４８】また、ガス排出路３６に設けられる開閉弁
３４は、ガス導入路６１（ｐ），６２（ｐ）に設けられ
る開閉弁６５（ｐ），６６（ｐ），６７（ｐ），６８
（ｐ）と同時に開かれ、反応炉１の内部の圧力を大気圧
に戻す場合に閉じられる。これにより、開閉弁３４は、
制御信号Ｓ５で開かれ、制御信号Ｓ８で閉じられる。

【０１４９】以上、本発明の８つの実施の形態を詳細に
説明したが、本発明は、上述したような実施の形態に限
定されるものではない。

【０１５０】（１）例えば、先の実施の形態では、本発
明を、減圧ＣＶＤ装置の反応炉のクリーニング処理に適
用する場合を説明した。しかしながら、本発明は、ＰＶ
Ｄ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）装置のクリーニング処理にも適用することができ
る。その場合、クリーニングガスとしてプラズマを必要
とするＮＦ3 ガスを用いてもよい。

【０１５１】（２）また、先の実施の形態では、本発明
を、縦型の反応炉のクリーニング処理に適用する場合を
説明した。しかしながら、本発明は、横型の反応炉のク
リーニング処理にも適用することができる。

【０１５２】（３）また、先の実施の形態では、本発明
を、二槽構造の反応炉のクリーニング処理に適用する場
合を説明した。しかしながら、本発明は、一槽構造の反
応炉のクリーニング処理にも適用することができる。

【０１５３】（４）このほかにも、本発明は、その要旨
を逸脱しない範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論
である。

【０１５４】

【発明の効果】以上詳述したように請求項１記載のクリ
ーニング方法及び請求項１５記載のクリーニング装置に
よれば、クリーニング時、少なくともクリーニングが遅
く終了する部分に定められた温度検出点の温度が一旦上
昇した後下降したとき、クリーニング処理を終了させる
ようにしたので、クリーニングの終点で確実にクリーニ
ング処理を終了させることができる。

【０１５５】また、請求項２記載のクリーニング方法に
よれば、請求項１記載の方法において、ガス導入点とガ
ス排出点とをそれぞれ１つずつ設け、温度検出点をガス
導入点とガス排出点との間にクリーニングガスの流れの
方向に沿って複数設け、これら複数の温度検出点の温度
が最上流の温度検出点から最下流の温度検出点まで一旦
上昇した後下降したとき、クリーニング処理を終了させ
るようにしたので、クリーニング位置の変化を確認しな
がら、クリーニングの終点を判定することできる。これ
により、単に、１つの温度検出点の温度に基づいてクリ
ーニングの終点を判定する場合より、クリーニングの終
点の判定精度を高めることができる。

【０１５６】また、請求項３記載のクリーニング方法に
よれば、請求項１記載の方法において、ガス導入点とガ
ス排出点とをそれぞれ１つずつ設けるとともに、温度検
出点をガス排出点付近に設けるようにしたので、温度検
出点を１つしか設けないにもかかわらず、クリーニング
の終点を確実に検出することができる。

【０１５７】また、請求項４記載のクリーニング方法に
よれば、請求項１記載の方法において、ガス導入点をク
リーニングガスの流れの方向に沿って複数設けるととも
に、２箇所以上の複数のガス導入点からクリーニングガ
スを導入するようにしたので、反応炉内全体のクリーニ
ング時間を短縮することができる。

【０１５８】また、請求項５記載のクリーニング方法に
よれば、請求項１記載の方法において、ガス導入点をク
リーニングガスの流れの方向に沿って複数設けるととも
に、温度検出点を各ガス導入点ごとに設け、この温度検
出点の温度に基づいて、クリーニングガスの導入点を順
次切り替えるようにしたので、クリーニングが終了した
部分でのオーバークリーニングを防止することができ
る。

【０１５９】また、請求項６記載のクリーニング方法に
よれば、請求項１記載の方法において、ガス導入点をク
リーニングガスの流れの方向に沿って複数設け、すべて
のガス導入点から同時にクリーニングガスを導入するよ
うにしたので、クリーニング時間を短縮することができ
るとともに、１つの温度検出点を設定するだけで、クリ
ーニングの終点を検出することができる。

【０１６０】また、請求項７記載のクリーニング方法に
よれば、請求項４，５または６記載の方法において、複
数のガス導入点から導入されるクリーニングガスの流量
を各ガス導入点ごとに独立に制御するようにしたので、
各ガス導入点付近の状態に合わせてクリーニングガスの
流量を設定することができる。

【０１６１】また、請求項８記載のクリーニング方法に
よれば、請求項２または５記載の方法において、複数の
温度検出点のうち、最下流の温度検出点をガス導入点付
近に設けるようにしたので、クリーニングの終点を確実
に検出することができる。

【０１６２】また、請求項９記載のクリーニング方法に
よれば、請求項１記載の方法において、温度検出点の温
度が一旦上昇した後所定値以下まで下降したとき、クリ
ーニング処理を終了させるようにしたので、クリーニン
グの終点で温度が所定値以下に下降する反応点とクリー
ニングの終点で温度が下降し始める反応点とのどちらに
も温度検出点を設定することができる。これにより、温
度検出点の設定の自由度を高めることができる。

【０１６３】また、請求項１０記載のクリーニング方法
によれば、請求項１記載の方法において、温度検出点の
温度が一旦上昇した後下降し始めたとき、クリーニング
処理を終了させるようにしたので、クリーニングの終点
に達した時点で温度が下降し始める反応点に請求項９記
載のクリーニング方法を適用した場合よリクリーニング
時間を短縮することができる。

【０１６４】また、請求項１１記載のクリーニング方法
によれば、請求項１記載の方法において、温度検出点の
温度が一旦上昇した後下降したときから所定時間経過
後、クリーニング処理を終了させるようにしたので、反
応炉全体にクリーニング残りが生じないようにすること
ができ、また、炉口部においても、確実にクリーニング
することができる。

【０１６５】また、請求項１２記載のクリーニング方法
によれば、請求項２記載の方法において、複数の温度検
出点を各ヒータゾーン（分割ゾーン）ごとに設けるよう
にしたので、複数の温度検出点をヒータによる加熱温度
がほぼ同じ点に設けることができる。これにより、クリ
ーニングのための反応による温度変化を正確に検出する
ことができる。

【０１６６】また、請求項１３記載のクリーニング方法
によれば、請求項５記載の方法において、複数のガス導
入点を各ヒータゾーン（分割ゾーン）ごとに設けるよう
にしたので、対応する温度検出点も各ヒータゾーンごと
に設けることができる。これにより、複数の温度検出点
をヒータによる加熱温度がほぼ同じ点に設けることがで
きるので、クリーニングのための反応による温度変化を
正確に検出することができる。

【０１６７】また、請求項１４記載のクリーニング方法
によれば、請求項１記載の方法で、クリーニングガスと
してＣｌＦ3 ガスを用いるようにしたので、活性エネル
ギーとしてプラズマを使用しないＣＶＤ装置にも適用す
ることができる。

【０１６８】請求項１６記載のクリーニング装置は、請
求項１５記載の装置において、予め定めたクリーニング
時間算定方式に基づいて算定されたクリーニング時間だ
けクリーニング処理を実行した後、温度検出点の温度の
変化に基づいて、クリーニングの終点を判定するように
したので、温度検出点の温度が何らかの原因で本来の変
化とは異なる変化を示した場合でも、クリーニング処理
の終了タイミングがクリーニングの終点から大幅にずれ
てしまうことを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の概要を説明するた
めの図である。

【図２】本発明の第６の実施の形態の概要を説明するた
めの図である。

【図３】本発明の第７の実施の形態の概要を説明するた
めの図である。

【図４】本発明の第８の実施の形態の概要を説明するた
めの図である。

【図５】本発明の第１の実施の形態が適用される減圧Ｃ
ＶＤ装置の反応系の構成を示す側断面図である。

【図６】本発明の第１の実施の形態の動作を説明するた
めの特性図である。

【図７】本発明の第１の実施の形態が適用される減圧Ｃ
ＶＤ装置の制御系の構成を示すブロック図である。

【図８】本発明の第１の実施の形態の動作を説明するた
めのフローチャートである。

【図９】本発明の第２の実施の形態が適用される減圧Ｃ
ＶＤ装置の反応系の構成を示す側断面図である。

【図１０】本発明の第３の実施の形態が適用される減圧
ＣＶＤ装置の反応系の構成を示す側断面図である。

【図１１】本発明の第７の実施の形態が適用される減圧
ＣＶＤ装置の反応系の構成を示す側断面図である。

【図１２】本発明の第７の実施の形態が適用される減圧
ＣＶＤ装置の制御系の構成を示すブロック図である。

【図１３】本発明の第８の実施の形態が適用される減圧
ＣＶＤ装置の制御系の構成を示すブロック図である。

【図１４】従来のクリーニング方法を説明するための図
である。

【符号の説明】

Ａ，Ａ（１）〜Ａ（Ｎ）…ガス導入点、Ｂ，Ｂ（１）〜
Ｂ（Ｎ）…ガス排出点、Ｃ，Ｃ（１）〜Ｃ（Ｎ）…温度
検出点、１…反応炉、２…ヒータ、３…カバー、４…ボ
ート、５…載置台、６…断熱板、７（１）〜７（５）…
温度検出器、８…ガス導入口、９…ガス排出口、１０…
アウタチューブ、１１…インナチューブ、１２…フラン
ジ部、１３…顎部、１４（１）…Ｌゾーン、１４（２）
…ＣＬゾーン、１４（３）…ＣＵゾーン、１４（４）…
Ｕゾーン、１５…空間、２１…表示手段、２２…入力手
段、２３…メインコントローラ、２４…演算部、２５…
記憶部、２６…シーケンス制御部、２７…温度コントロ
ーラ、２８…ガス流量コントローラ、２９…バルブコン
トローラ、３１，３３，３４，６５（１）〜６５
（４），６６（１）〜６６（４），６７（１）〜６７
（４），６８（１）〜６８（４）…開閉弁、３２，６３
（１）〜６３（４），６４（１）〜６４（４）…流量制
御弁、３５，６１（１）〜６１（４），６２（１）〜６
２（４）…ガス導入路、３６…ガス排出路、３７…ポン
プ、４１…押え用フランジ、４２…Ｏリング、５１
（１）〜５１（４），５２（１）〜５２（４）…ノズ
ル。

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 クリーニングガスを予め定めたガス導入
   点から反応炉の内部に導入した後、この反応炉の軸芯方
   向に沿って流し、予め定めたガス排出点から排出するこ
   とにより反応炉の内部に付着した膜を除去するクリーニ
   ング方法において、 クリーニング時、少なくともクリーニングが遅く終了す
   る部分に定められた温度検出点の温度が一旦上昇した後
   下降したとき、クリーニング処理を終了させることを特
   徴とするクリーニング方法。
2. 【請求項２】 前記ガス導入点と前記ガス排出点とをそ
   れぞれ１つずつ設け、前記温度検出点を前記ガス導入点
   と前記ガス排出点との間にクリーニングガスの流れの方
   向に沿って複数設け、これら複数の温度検出点の温度が
   最上流の温度検出点から最下流の温度検出点まで一旦上
   昇した後下降したとき、クリーニング処理を終了させる
   ことを特徴とする請求項１記載のクリーニング方法。
3. 【請求項３】 前記ガス導入点と前記ガス排出点とをそ
   れぞれ１つずつ設けるとともに、前記温度検出点を前記
   ガス排出点付近に設けるようにしたことを特徴とする請
   求項１記載のクリーニング方法。
4. 【請求項４】 前記ガス導入点を前記クリーニングガス
   の流れの方向に沿って複数設けるとともに、２箇所以上
   の複数のガス導入点から前記クリーニングガスを導入す
   ることを特徴とする請求項１記載のクリーニング方法。
5. 【請求項５】 前記ガス導入点を前記クリーニングガス
   の流れの方向に沿って複数設けるとともに、前記温度検
   出点を各ガス導入点ごとに設け、あるガス導入点から前
   記クリーニングガスを導入し、このガス導入点に対応す
   る温度検出点の温度が一旦上昇した後下降すると、この
   ガス導入点からの前記クリーニングガスの導入を停止
   し、１つ下流のガス導入点から前記クリーニングガスを
   導入するという処理を最上流のガス導入点から最下流の
   ガス導入点まで実行し、最下流の温度検出点の温度が一
   旦上昇した後下降したとき、クリーニング処理を終了さ
   せることを特徴とする請求項１記載のクリーニング方
   法。
6. 【請求項６】 前記ガス導入点を前記クリーニングガス
   の流れの方向に沿って複数設け、すべてのガス導入点か
   ら同時に前記クリーニングガスを導入するようにしたこ
   とを特徴とする請求項１記載のクリーニング方法。
7. 【請求項７】 前記複数のガス導入点から導入される前
   記クリーニングガスの流量がガス導入点ごとに独立に制
   御されることを特徴とする請求項４，５または６記載の
   クリーニング方法。
8. 【請求項８】 前記複数の温度検出点のうち、最下流の
   温度検出点が前記ガス排出点付近に設けられていること
   を特徴とする請求項２または５記載のクリーニング方
   法。
9. 【請求項９】 前記温度検出点の温度が一旦上昇した後
   所定値以下に下降したとき、前記クリーニング処理を終
   了させることを特徴とする請求項１記載のクリーニング
   方法。
10. 【請求項１０】 前記温度検出点の温度が一旦上昇した
    後下降し始めたとき、前記クリーニング処理を終了させ
    ることを特徴とする請求項１記載のクリーニング方法。
11. 【請求項１１】 前記温度検出点の温度が一旦上昇した
    後下降したときから所定時間経過後、前記クリーニング
    処理を終了させることを特徴とする請求項１記載のクリ
    ーニング方法。
12. 【請求項１２】 前記反応炉が、この反応炉の軸芯方向
    に沿って設定され、かつ、加熱特性を独立に制御可能な
    複数のヒータゾーンによって加熱され、前記複数の温度
    検出点が、それぞれ各ヒータゾーンごとに設けられてい
    ることを特徴とする請求項２記載のクリーニング方法。
13. 【請求項１３】 前記反応炉が、この反応炉の軸芯方向
    に沿って設定され、かつ、加熱特性を独立に制御可能な
    複数のヒータゾーンによって加熱され、前記複数のガス
    導入点は、それぞれ各ヒータゾーンごとに設けられてい
    ることを特徴とする請求項５記載のクリーニング方法。
14. 【請求項１４】 前記クリーニングガスがＣｌＦ3 ガス
    であることを特徴とする請求項１記載のクリーニング方
    法。
15. 【請求項１５】 クリーニングガスを予め定めたガス導
    入点から反応炉の内部に導入した後、この反応炉の軸芯
    方向に沿って流し、予め定めたガス排出点から排出する
    ことにより反応炉の内部に付着した膜を除去するクリー
    ニング装置において、 クリーニング時、少なくともクリーニングが遅く終了す
    る部分に定められた温度検出点の温度が一旦上昇した後
    下降したか否かを判定する温度判定手段と、 この温度判定手段により温度検出点の温度が一旦上昇し
    た後下降したと判定されるとクリーニング処理を終了さ
    せるクリーニング処理終了手段とを備えたことを特徴と
    するクリーニング装置。
16. 【請求項１６】 前記温度判定手段が、予め定めたクリ
    ーニング時間算定方式に基づいて算定されたクリーニン
    グ時間だけクリーニングを実行した後、前記温度検出点
    の温度が一旦上昇した後下降したか否かを判定すること
    を特徴とする請求項１５記載のクリーニング装置。