TWI411039B - 氣體供應系統、氣體供應方法、薄膜形成裝置之清潔方法、薄膜形成方法及薄膜形成裝置 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種氣體供應系統、一種氣體供應方法、一種薄膜形成裝置之清潔方法、一種薄膜形成方法及薄膜形成裝置。
在半導體元件之製造方法中，藉由採用化學氣相沈積(CVD)或其類似方法在每一待加工物件(例如半導體晶圓)上形成薄膜(諸如氮化矽薄膜、氧化矽薄膜及其類似物)係目前一種普遍之方法。例如，在該薄膜形成方法中，如下文所述於每一半導體晶圓上形成薄膜。
首先，藉由使用加熱器將加熱裝置之反應容器內部加熱至預定載置溫度，且接著將其中含有多片半導體晶圓之晶舟載入反應容器中。隨後，當藉由使用加熱器將反應容器內部加熱至預定加工溫度時，存在於反應容器中之氣體經由排氣管而排出，以便將反應容器中之壓力減小至預定值。一旦將反應容器內部保持於預定溫度及壓力，即經由加工氣體引入管將薄膜形成氣體供應至反應容器中。在將薄膜形成氣體供應至反應容器中之後，薄膜形成氣體產生(例如)熱反應，且藉由該熱反應而欲產生之反應產物接著沈積於每一半導體晶圓之表面上，由此在半導體晶圓之表面上形成薄膜。
欲由薄膜形成方法而產生之反應產物不僅沈積(或附著)於每一半導體晶圓之表面上，而且沈積(或附著)於加熱裝
置內部上，諸如反應容器及/或各種夾具之內壁。另外，亦可產生副產物及/或中間產物，且其接著附著至反應容器內部及排氣管之內壁。若繼續進行使該等沈積物附著至加熱裝置內部之薄膜形成方法，則由於構成反應容器之石英的熱膨脹係數與沈積物之熱膨脹係數之間的差異而產生應力，導致石英及沈積物之破損或破裂。因此，如此斷裂或破裂之石英或沈積物可傾向於為顆粒物，其可導致生產力降低。另外，此現象可導致組件損壞。
為解決此問題，已提出一種加熱裝置之清潔方法，其包含向藉由使用加熱器而加熱至預定溫度之反應容器中供應清潔氣體，藉此去除(或乾式蝕刻)附著或沈積於加熱裝置內部(諸如反應容器內壁)上之反應產物(例如參見專利文獻1及專利文獻2)。
專利文獻1：日本特開平3-293726號公報
專利文獻2：日本特開2003-59915號公報
一般而言，用於引入清潔氣體之氣體引入管係與反應容器內部連通以用於向其中供應每一種氣體。因此，當利用含有氟氣(F2
)及氫氣(H2
)之混合氣體作為清潔氣體時，氟氣及氫氣係單獨地供應至反應容器中。
然而在此情況下，可能將欲供應至反應容器中之氟氣運載至用於引入氫氣之氣體引入管的噴口(或噴嘴)附近，且因此與噴嘴周圍之氫氣反應。一旦氟氣與氫氣在噴嘴附近反應，即自該反應產生氟化氫(HF)，由此損害且損壞提供於噴嘴周圍之組件，諸如氣體引入管之噴嘴及反應容器之內
壁。此不能為薄膜形成裝置提供可靠之清潔。
慮及上述問題而產生本發明，且因此本發明之一目標為提供一種氣體供應系統、一種氣體供應方法、一種薄膜形成裝置之清潔方法、一種薄膜形成方法及薄膜形成裝置，其可避免或大體上消除如上所述之此組件損壞。
本發明之另一目標為提供一種氣體供應系統、一種氣體供應方法、一種薄膜形成裝置之清潔方法、一種薄膜形成方法及薄膜形成裝置，其可為薄膜形成裝置提供可靠之清潔。
本發明為一種用於去除附著於薄膜形成裝置(包括一反應室及一與該反應室連接之排氣管)內部之沈積物的氣體供應系統，其係藉由向薄膜形成裝置之反應室或排氣管中供應含有氟氣及氫氣之清潔氣體，而去除附著於薄膜形成裝置內部之沈積物者，該氣體供應系統包含：一用於向反應室或排氣管中供應氟氣之氟供應構件；及一用於向反應室或排氣管中供應氫氣之氫供應構件，其中該氫供應構件包括一內部流體通道及一被形成以覆蓋內部流體通道周圍之外部流體通道，且其中氫氣係經由內部流體通道來供應，而不與欲由氟供應構件供應之氟氣反應的保護氣體係經由外部流體通道來供應，藉此可將氫氣供應至反應室或排氣管中，同時將其以保護氣體覆蓋。
本發明為如上所述之氣體供應系統，其中氫供應構件包括一內管及一被形成以將內管容納於其中之外管，使得內
部流體通道及外部流體通道分別由內管及外管形成。
本發明為如上所述之氣體供應系統，其中氫供應構件經組態以經由內部流體通道以0.25公升/分鐘至0.75公升/分鐘來供應氫氣，且經由外部流體通道以1公升/分鐘至5公升/分鐘來供應氮氣。
本發明為如上所述之氣體供應系統，其中內部流體通道與外部流體通道之截面積比率係在1：2至1：4之範圍內。
本發明為如上所述之氣體供應系統，其中保護氣體為氮氣。
本發明為一薄膜形成裝置，其包含：一反應室，於其中載入一待加工物件，接著向其中供應薄膜形成氣體，以在該待加工物件上形成薄膜；一與反應室連接之排氣管；及一用於向反應室或排氣管中供應含有氟氣及氫氣之清潔氣體的氣體供應系統；其中該氣體供應系統包括：一用於向反應室或排氣管中供應氟氣之氟供應構件；一用於向反應室或排氣管中供應氫氣之氫供應構件，其中該氫供應構件包括一內部流體通道及一被形成以覆蓋內部流體通道周圍之外部流體通道，且其中氫氣係經由內部流體通道來供應，而不與欲由氟供應構件供應之氟氣反應的保護氣體係經由外部流體通道來供應，藉此可將氫氣供應至反應室或排氣管中，同時將其以保護氣體覆蓋。
本發明為一種用於去除附著於薄膜形成裝置(包括一反應室及一與該反應室連接之排氣管)內部之沈積物的氣體供應方法，其係藉由向薄膜形成裝置之反應室或排氣管中
供應含有氟氣及氫氣之清潔氣體，以去除附著於薄膜形成裝置內部之沈積物者，該氣體供應方法包含以下步驟：自用於供應氟氣之氟供應構件向反應室或排氣管中供應氟氣；及自氫供應構件向反應室或排氣管中供應氫氣，該氫供應構件包括一內部流體通道及一被形成以覆蓋內部流體通道周圍之外部流體通道，且適合於供應氫氣；其中在供應氫氣之步驟中，經由內部流體通道來供應氫氣，而經由外部流體通道來供應不與欲在供應氟氣之步驟中供應之氟氣反應的保護氣體，藉此可將氫氣供應至反應室或排氣管中，同時將其以保護氣體覆蓋。
本發明為如上所述之氣體供應方法，其中在供應氫氣之步驟中，經由內部流體通道以0.25公升/分鐘至0.75公升/分鐘來供應氫氣，且經由外部流體通道以1公升/分鐘至5公升/分鐘來供應氮氣。
本發明為上文所述之氣體供應方法，其中保護氣體為氮氣。
本發明為一種薄膜形成裝置(包括一反應室及一與該反應室連接之排氣管)之清潔方法，其用於去除附著於薄膜形成裝置內部之沈積物，該方法包含：一用於向薄膜形成裝置之反應室或排氣管中供應含有氟氣及氫氣之清潔氣體以去除附著於薄膜形成裝置內部之沈積物的氣體供應方法，該氣體供應方法包含以下步驟：自用於供應氟氣之氟供應構件向反應室或排氣管中供應氟氣；及自氫供應構件向反應室或排氣管中供應氫氣，該氫供應構件包括一內部
流體通道及一被形成以覆蓋內部流體通道周圍之外部流體通道，且適合於供應氫氣；其中在供應氫氣之步驟中，經由內部流體通道來供應氫氣，而經由外部流體通道來供應不與欲在供應氟氣之步驟中供應之氟氣反應的保護氣體，藉此可將氫氣供應至反應室或排氣管中，同時將其以保護氣體覆蓋。
本發明為一種薄膜形成方法，其包含以下步驟：以包括一反應室及一與該反應室連接之排氣管的薄膜形成裝置，藉由向反應室中供應薄膜形成氣體而在每一待加工物件上形成薄膜；及由於一種用於向反應室或排氣管中供應含有氟氣及氫氣之清潔氣體以去除附著於薄膜形成裝置內部之沈積物的氣體供應方法而清潔，該氣體供應方法包含以下步驟：自用於供應氟氣之氟供應構件向反應室或排氣管中供應氟氣；及自氫供應構件向反應室或排氣管中供應氫氣，該氫供應構件包括一內部流體通道及一被形成以覆蓋內部流體通道周圍之外部流體通道，且適合於供應氫氣；其中在供應氫氣之步驟中，經由內部流體通道來供應氫氣，而經由外部流體通道來供應不與欲在供應氟氣之步驟中供應之氟氣反應的保護氣體，藉此可將氫氣供應至反應室或排氣管中，同時將其以保護氣體覆蓋。
本發明為一種用於驅動電腦執行氣體供應方法之電腦程式，該氣體供應方法係用於去除附著於薄膜形成裝置(包括一反應室及一與該反應室連接之排氣管)內部之沈積物，其係藉由向薄膜形成裝置之反應室或排氣管中供應含
有氟氣及氫氣之清潔氣體，以去除附著於薄膜形成裝置內部之沈積物者，該氣體供應方法包含以下步驟：自用於供應氟氣之氟供應部向反應室或排氣管中供應氟氣；及自氫供應部向反應室或排氣管中供應氫氣，該氫供應部包括一內部流體通道及一被形成以覆蓋內部流體通道周圍之外部流體通道，且適合於供應氫氣；其中在供應氫氣之步驟中，經由內部流體通道來供應氫氣，而經由外部流體通道來供應不與欲在供應氟氣之步驟中供應之氟氣反應的保護氣體，藉此可將氫氣供應至反應室或排氣管中，同時將其以保護氣體覆蓋。
本發明為一種儲存用於驅動電腦執行氣體供應方法之電腦程式的儲存媒體，該氣體供應方法係用於去除附著於薄膜形成裝置(包括一反應室及一與該反應室連接之排氣管)內部之沈積物，其係藉由向薄膜形成裝置之反應室或排氣管中供應含有氟氣及氫氣之清潔氣體，以去除附著於薄膜形成裝置內部之沈積物者，該氣體供應方法包含以下步驟：自用於供應氟氣之氟供應部向反應室或排氣管中供應氟氣；及自氫供應部向反應室或排氣管中供應氫氣，該氫供應部包括一內部流體通道及一被形成以覆蓋內部流體通道周圍之外部流體通道，且適合於供應氫氣；其中在供應氫氣之步驟中，經由內部流體通道來供應氫氣，而經由外部流體通道來供應不與欲在供應氟氣之步驟中供應之氟氣反應的保護氣體，藉此可將氫氣供應至反應室或排氣管中，同時將其以保護氣體覆蓋。
本發明為一種用於驅動電腦執行薄膜形成裝置(包括一反應室及一與該反應室連接之排氣管)之清潔方法的電腦程式，其係用於去除附著於薄膜形成裝置內部之沈積物，該薄膜形成裝置之清潔方法包含：一用於向薄膜形成裝置之反應室或排氣管中供應含有氟氣及氫氣之清潔氣體以去除附著於薄膜形成裝置內部之沈積物的氣體供應方法，該氣體供應方法包含以下步驟：自用於供應氟氣之氟供應構件向反應室或排氣管中供應氟氣；及自氫供應構件向反應室或排氣管中供應氫氣，該氫供應構件包括一內部流體通道及一被形成以覆蓋內部流體通道周圍之外部流體通道，且適合於供應氫氣；其中在供應氫氣之步驟中，經由內部流體通道來供應氫氣，而經由外部流體通道來供應不與欲在供應氟氣之步驟中供應之氟氣反應的保護氣體，藉此可將氫氣供應至反應室或排氣管中，同時將其以保護氣體覆蓋。
本發明為一種儲存用於驅動電腦執行薄膜形成裝置(包括一反應室及一與該反應室連接之排氣管)之清潔方法之電腦程式的儲存媒體，其係用於去除附著於薄膜形成裝置內部之沈積物，該薄膜形成裝置之清潔方法包含：一用於向薄膜形成裝置之反應室或排氣管中供應含有氟氣及氫氣之清潔氣體以去除附著於薄膜形成裝置內部之沈積物的氣體供應方法，該氣體供應方法包含以下步驟：自用於供應氟氣之氟供應構件向反應室或排氣管中供應氟氣；及自氫供應構件向反應室或排氣管中供應氫氣，該氫供應構件包
括一內部流體通道及一被形成以覆蓋內部流體通道周圍之外部流體通道，且適合於供應氫氣；其中在供應氫氣之步驟中，經由內部流體通道來供應氫氣，而經由外部流體通道來供應不與欲在供應氟氣之步驟中供應之氟氣反應的保護氣體，藉此可將氫氣供應至反應室或排氣管中，同時將其以保護氣體覆蓋。
根據本發明，零件或組件之劣化可得以抑制。
下文將描述根據本發明之一種氣體供應系統、一種氣體供應方法、一種薄膜形成裝置之清潔方法、一種薄膜形成方法及薄膜形成裝置。在一實施例中，將以實例之方式，關於圖1所示之分批及垂直型加熱裝置1(其作為包括一氣體供應系統之薄膜形成裝置)來描述本發明。
如圖1中所示，作為薄膜形成裝置之加熱裝置1包括一構成反應室之反應容器2及一與該反應容器2上部連接之排氣管5。
反應容器2經形成為具有一大體上圓柱體之形狀，該圓柱體形狀具有定向於垂直方向之縱向。反應容器2由例如石英之材料形成，其在耐熱性及耐蝕性兩方面均為優良的。在反應容器2之上端提供一頂部3，其經形成為具有向頂端逐漸變細之大體上圓錐形狀。在頂部3之中心部分提供一排氣口4用於排出反應容器2中之氣體，且上述排氣管5氣密性地連接至排氣口4。連同排氣管5一起提供一壓力
控制機構(諸如閥門(未圖示)及/或真空泵127)以用於將反應容器2中之壓力調整為期望值(或真空度)。
在反應容器2下方安置一蓋子6。蓋子6由諸如石英之材料形成，其在耐熱性及耐蝕性兩方面均為優良的。蓋子6經組態為藉由如下文將描述之舟升降機128而視情況在垂直方向上移動。當蓋子6藉由舟升降機128升高時，反應容器2之下部(或爐口部分)關閉，而當蓋子6藉由舟升降機128降低時，反應容器2之下部(或爐口部分)開啟。
在蓋子6之上部提供一絕熱隆起物7。絕熱隆起物7一般由以下各物組成：一由電阻加熱元件形成之平板加熱器8，其係用於防止由於反應容器2爐口之熱輻射而使反應容器2中之溫度降低；及一管狀支撐部件9，其係用於支撐加熱器8距蓋子6之頂面預定水平。
在絕熱隆起物7上方提供一轉台10。轉台10充當用於可旋轉地於其上置放晶舟11之平臺，而晶舟11含有待加工物件，諸如半導體晶圓W。特定而言，在轉台10之底部提供一轉柱12，其延伸穿過加熱器8之中心部分且連接至用於旋轉轉台10之旋轉機構13。旋轉機構13一般包括一馬達(未圖示)及一包括轉軸14之旋轉引入部分15，轉軸14氣密性地經蓋子6自其底面側至其頂面側插穿。轉軸14連接至轉台10之轉柱12以經由轉柱12將馬達之旋轉力傳送至轉台10。因此，當轉軸14藉由旋轉機構13之馬達旋轉時，轉軸14之旋轉力經傳送至轉柱12，藉此旋轉轉台10。
晶舟11經組態為於其中含有複數個半導體晶圓W，每一
半導體晶圓W在垂直方向上以預定間隔排列。晶舟11例如由石英形成。晶舟11係置放於轉台10上。因此，當轉台10旋轉時，晶舟11亦旋轉，藉此旋轉晶舟11中所含之半導體晶圓W。
在反應容器2周圍提供一例如由電阻加熱元件形成之升溫加熱器16以包圍反應容器2。由於升溫加熱器16而將反應容器2內部加熱至預定溫度，因此半導體晶圓W經加熱至預定溫度。
加工氣體引入管17及氣體供應部20係與反應容器2下端附近之側面連接。
加工氣體引入管17與反應容器2下端附近之側壁連接以將由氣體供應部20供應之加工氣體引入反應容器2中。加工氣體引入管17之噴嘴(或噴口)由例如石英之材料形成，其在耐熱性及耐蝕性兩方面均為優良的。儘管圖1中僅繪製一個加工氣體引入管17，但在此實施例中，提供複數個加工氣體引入管17，每一加工氣體具有一個加工氣體引入管。
作為欲經引入反應容器2中之加工氣體，可提及用於去除(或清潔)附著於加熱裝置1內部之沈積物(反應產物或其類似物)的清潔氣體。在此實施例中，欲經供應至反應容器2中之加工氣體的概念中亦包括用於在每一半導體晶圓W上形成薄膜之薄膜形成氣體。
本發明之清潔氣體包含氟氣及氫氣。在此實施例中，清潔氣體基本上由氟氣、氫氣及作為保護氣體之氮氣的混合
氣體組成。如下文將描述，術語"保護氣體"係指用於包圍或完全覆蓋氫氣以防止(或防護)氫氣與氟氣在噴嘴附近反應之氣體。
可使用能夠形成薄膜之氣體作為本發明之薄膜形成氣體，其中在薄膜形成過程期間自氣體形成且附著於反應容器2之內壁或其類似物之沈積物可藉由清潔氣體來去除。作為薄膜形成氣體，已知二氯矽烷(DCS：SiH2
Cl2
)與氨(NH3
)及/或六氯二矽烷(HCD：Si2
Cl6
)與氨(NH3
)，且藉由使用該薄膜形成氣體在每一半導體晶圓W上形成氮化矽薄膜。此實施例之薄膜形成氣體包含含有二氯矽烷及氨之混合氣體。
如圖2中所示，向反應容器2提供四個加工氣體引入管17，亦即一用於引入二氯矽烷之二氯矽烷引入管17a、一用於引入氨之氨引入管17b、一用於引入氟氣之氟引入管17c及一用於引入氫氣之氫引入管17d。
圖2中展示氣體供應部20之構造。如圖2中所示，分別向二氯矽烷引入管17a、氨引入管17b及氟引入管17c提供作為流速控制單元之質量流量控制器(MFC)21(21a至21c)及氣體供應源22(22a至22c)。每一MFC 21控制流經每一加工氣體管17a至17c之氣體的流速。在每一加工氣體引入管17a至17c的末端提供每一氣體供應源22，其含有欲經供應至反應容器2中(經由每一加工氣體引入管17a至17c)之加工氣體(二氯矽烷、氨或氟氣)。因此，欲自每一氣體供應源22供應之加工氣體可經由每一MFC 21引入反應容器2中。
在此實施例中，經由加工氣體引入管17c來供應經氮氣稀釋之20%氟氣。
氫引入管17d具有雙管結構。圖3展示氫引入管17d之橫截面形狀。如圖3中所示，氫引入管17d包括一內管171、一外管172及用於連接內管171與外管172以將內管171固持於適當位置之連接部分173。特定而言，連接部分173固持內管171，使得經由內管171饋送之氣體可供應至反應容器2中，同時被經由外管172饋送之氣體所包圍或完全覆蓋。連接部分173經組態為連接內管171與外管172以將內管171固持於除氫引入管17d噴口以外之點處。此係因為，若在噴口處提供連接部分173，則由外部流體通道175供應之所得氣體(下文將描述)將被分為多份。連接部分173可僅在氫引入管17d之末端部分附近形成，或否則可在整個氫引入管17d中以預定間隔形成。在此實施例中，於氫引入管17d之末端部分附近提供連接部分173以便在三個點處固持內管171，同時在各個部件之間產生通孔173a。以此方式來構造，氫引入管17d應包括內部流體通道174及位於其中之外部流體通道175。然而，二氯矽烷引入管17a、氨引入管17b及氟引入管17c各自具有一單管結構以經此供應預定之加工氣體。
氫引入管17d之內管171係經由MFC 21d與作為氫氣供應源之氣體供應源22d相連接。連接管23連接至氫引入管17d之外管172。另外，連接管23經由MFC 21e與作為保護氣體供應源之氣體供應源22e相連接。保護氣體不與氟氣反
應，且將不會不利地影響清潔。在此實施例中，使用氮氣作為保護氣體。因此，經由氫引入管17d之內部流體通道174來供應氫氣且經由外部流體通道175來供應氮氣。
一旦自如上文所述構造之氫引入管17d向反應容器2中供應氫氣及氮氣，經由內部流體通道174饋送之氫(H2
)氣即供應至反應容器2中，同時被經由外部流體通道175饋送之氮(N2
)氣完全覆蓋。因此，即使經由氟引入管17c饋送之氟氣存在於氫引入管17d之噴嘴附近，但其不與氫氣反應。因此，氫引入管17d之噴嘴及位於噴嘴附近之組件(諸如反應容器2之內壁)將不經受損害，藉此為加熱裝置1提供更為穩定之清潔。
應瞭解，視氫氣及氮氣之流速、氟引入管17c之位置及其類似因素而定，氫引入管17d之形狀可採用任何給定形狀，其限制條件為，其被形成以使自內部流體通道174供應之氫氣在氫引入管17d噴嘴附近進入經自外部流體通道175供應之氮氣包圍或完全覆蓋之狀態。
內部流體通道174與外部流體通道175之截面積比可在合適之範圍內，使得氫氣在氫引入管17d之噴嘴附近經氮氣包圍或完全覆蓋，且使得氫氣可暴露於合適位置，例如在氫引入管17d之噴嘴與轉柱12之間的中間點周圍。一般而言，當外部流體通道175之橫截面比率減小時，難以用將由外部流體通道175供應之氮氣來充分覆蓋氫氣周圍。相反地，當外部流體通道175之橫截面比率增加時，難以使氫氣暴露於合適位置。內部流體通道174與外部流體通道
175之截面積比較佳為1：2至1：4，更佳為約1：3。
如圖1中所示，提供淨化氣體供應管18穿過反應容器2底端附近之側壁。一淨化氣體供應源(未圖示)連接至淨化氣體供應管18，使得可向反應容器2中供應所需量之淨化氣體(例如氮氣)。
加熱裝置1亦包括一用於控制裝置之每一部分的控制單元100。圖5展示控制單元100之構造。如圖5中所示，一操作面板121、一溫度感應器(或感應器組)122、一壓力計(或量計組)123、一加熱器控制器124、一MFC控制單元125、閥門控制單元126、真空泵127及其類似物連接至控制單元100。
操作面板121包括一顯示幕及操作按鈕，將操作員之指示傳達至控制單元100且在顯示幕上顯示由控制單元100給出之多種資訊。
溫度感應器(或感應器組)122量測反應容器2、排氣管5、加工氣體引入管17及其類似物中之溫度，且將量測值傳達至控制單元100。
壓力計(或量計組)123量測反應容器2、排氣管5、加工氣體引入管17及其類似物中之壓力，且將量測值傳達至控制單元100。
加熱器控制器124係用於個別地控制加熱器8及升溫加熱器16，且經組態為回應於控制單元100給出之指示而藉由個別地向其施加電流來加熱該等加熱器。另外，加熱器控制器124個別地量測該等加熱器之電力消耗量，且將所量
測之數據傳達至控制單元100。
MFC控制單元125係用於控制分別提供於加工氣體引入管17中之MFC 21a至21e及提供於淨化氣體供應管18中之MFC(未圖示)，使得流經該等MFC之氣體流速經調節為分別由控制單元100所指示之量。另外，MFC控制單元125量測實際流動氣體之流速，且將所量測之數據傳達至控制單元100。
閥門控制單元126根據分別由控制單元100指示之值來控制安置於各個管處之閥門的開啟程度。真空泵127與排氣管5連接，且適合於排出存在於反應容器2中之氣體。
舟升降機128藉由升高蓋子6將置放於轉台10上之晶舟11(或半導體晶圓W)裝入反應容器2中，且藉由降低蓋子6將置放於轉台10上之晶舟11(或半導體晶圓W)帶出反應容器2。
控制單元100包括一方案儲存單元111、一ROM 112、一RAM 113、一輸入輸出埠(I/O port)114、一CPU 115及一用於互連該等單元之匯流排116。
在方案儲存單元111中，儲存有一啟動方案及複數個製程方案。在產生加熱裝置1之階段，僅儲存啟動方案。啟動方案為一旦產生對應於每一加熱裝置之熱模型或其類似物即執行之方案。製程方案係用於欲由使用者實際執行之每一加熱過程。亦即，在一段時間期間，例如自半導體晶圓W載入反應容器2中至卸載經加工晶圓W期間，提供製程方案以用於規定每一部分之溫度變化、反應容器2中之壓
力變化、每一加工氣體起始及結束供應之時序及其供應量及其類似物。
ROM 112係由一EEPROM、一快閃記憶體、一硬碟或其類似物組成，且用作用於儲存CPU 115之操作程式的儲存媒體。RAM 113用作CPU 115或其類似物之工作區。
輸入輸出埠114連接至操作面板121、溫度感應器122、壓力計123、加熱器控制器124、MFC控制單元125、閥門控制單元126、真空泵127及舟升降機128，且控制數據及信號之輸入及輸出。
CPU(中央處理單元)115為控制單元100之關鍵部分，且執行儲存於ROM 112中之控制程式，以根據操作面板121之指示，遵照儲存於方案儲存單元111中之方案(製程方案)來控制加熱裝置1之操作。亦即，CPU 115使得溫度感應器(或感應器組)122、壓力計(或量計組)123、MFC控制單元125及其類似物量測反應容器2、加工氣體引入管17及排氣管5中之溫度、壓力、流速或其類似物。此後，CPU 115基於所量測之數據將控制信號或其類似物輸出至加熱器控制器124、MFC控制單元125、閥門控制單元126、真空泵127及其類似物，以便控制每一部分或單元遵照各自之製程方案。
匯流排116用來傳達各個部分或單元之間的資訊。
其次，將關於如上論述所構造之加熱裝置1(根據本發明之包括氣體供應系統的薄膜形成裝置)來描述氣體供應方法、薄膜形成裝置之清潔方法及薄膜形成方法。圖6展示
所提供之用於解釋此實施例之薄膜形成方法的方案。
在此實施例中，將關於其中將DCS(SiH2
Cl2
)及氨(NH3
)供應至半導體晶圓W以在每一半導體晶圓W上形成具有預定厚度之氮化矽薄膜，且此後去除附著於加熱裝置1內部之沈積物(氮化矽)的情形來描述本發明。在下文提供之描述中，藉由控制單元100(CPU 115)來控制構成加熱裝置1之每一部分或單元之操作。在基於圖6中所示方案之條件下，每一過程之反應容器2中之溫度、壓力及氣體流速係由控制部100(CPU 115)藉由控制加熱器控制器124(用於加熱器8及/或升溫加熱器16)、MFC控制單元125(用於MFC 21及其類似物)、閥門控制單元126、真空泵127及其類似物來確定。
首先，舉例而言，如圖6(a)中所示，將反應容器2中之溫度設定為(例如)350℃。如圖6(c)中所示，自淨化氣體供應管18將預定量之淨化氣體(氮)供應至反應容器2中，且將晶舟11與半導體晶圓W置放於蓋子6上，半導體晶圓W作為欲經加工以於其上形成氮化矽薄膜之物件，其含於晶舟11中。此後，藉由致動舟升降機128而升高蓋子6，使得將半導體晶圓W(或晶舟11)載入反應容器2中(載置步驟)。
隨後，如圖6(c)中所示，自淨化氣體供應管18將預定量之氮氣供應至反應容器2中，同時將反應容器2中之溫度設定為預定值，例如80℃，如圖6(a)中所示。此後，藉由排出存在於反應容器2中之氣體，將反應容器2中之壓力減至預定值，例如40 Pa(0.3托)，如圖6(b)中所示。另外，控
制反應容器2中之壓力及溫度直至使反應容器2穩定為具有預定之壓力及溫度(穩定化步驟)。一旦反應容器2之內部穩定在預定壓力及溫度，即停止自淨化氣體供應管18之氮氣供應。
此後，經由加工氣體引入管17(二氯矽烷引入管17a及氨引入管17b)將薄膜形成氣體引入反應容器2中。在此實施例中，如圖6(d)中所示，藉由控制MFC 21b以2公升/分鐘來供應氨，且如圖6(e)中所示，藉由控制MFC 21a以0.2公升/分鐘來供應DCS。因此，將已引入反應容器2中之薄膜形成氣體於其中加熱，且由此在每一半導體晶圓W表面上形成氮化矽薄膜(薄膜形成步驟)。
一旦在每一半導體晶圓W表面上形成具有預定厚度之氮化矽薄膜，即停止自二氯矽烷引入管17a及氨引入管17b之薄膜形成氣體引入。隨後，當自反應容器2排出氣體時，自淨化氣體供應管18供應預定量之氮氣(如圖6(c)中所示)以便將存在於反應容器2中之氣體排出至排氣管5中(淨化步驟)。較佳將自反應容器2之氣體排放及氮氣供應重複若干次以確定地排出存在於反應容器2中之氣體。
隨後，如圖6(c)中所示，自淨化氣體供應管18將預定量之氮氣供應至反應容器2中，以使得(如圖6(b)中所示)反應容器2中之壓力返回至常壓。如圖6(a)中所示，將反應容器2之內部設定為例如350℃。此後，藉由驅動舟升降機128降低蓋子6，將半導體晶圓W(或晶舟11)自反應容器2卸載(卸載步驟)。以此方式，結束薄膜形成製程。
藉由將此薄膜形成製程重複多次，欲在薄膜形成製程中產生之氮化矽應不僅沈積(或附著)於每一半導體晶圓W表面上，而且沈積(或附著)至反應容器2之內壁。因此，在將薄膜形成製程重複預定次數後，必須進行清潔過程(用於本發明之薄膜形成裝置的清潔方法)。
首先，如圖6(a)中所示，將反應容器2內部設定為例如350℃。此後，如圖6(c)中所示，經由淨化氣體供應管18將預定量之氮氣供應至反應容器2中，且將其中不含半導體晶圓W之空晶舟11置放於蓋子6上。接著，藉由致動舟升降機128而升高蓋子6，由此將晶舟11載入反應容器2中(載置步驟)。
隨後，如圖6(c)中所示，自淨化氣體供應管18供應預定量之氮氣，同時將反應容器2之內部設定為例如350℃，如圖6(a)中所示。此後，排出存在於反應容器2中之氣體，且將反應容器2中之壓力減至預定值，例如53200 Pa(400托)，如圖6(b)中所示。另外，控制反應容器2中之壓力及溫度直至使反應容器2穩定為具有預定之壓力及溫度(穩定化步驟)。一旦反應容器2內部穩定在預定壓力及溫度，即停止自淨化氣體供應管18之氮氣供應。
此後，經由加工氣體引入管17(氟引入管17c及氫引入管17d)將清潔氣體引入反應容器2中。在此實施例中，如圖6(f)中所示，經由氟引入管17c藉由控制MFC 21c，以10公升/分鐘供應氟(F2
)氣。在此實施例中，使用經氮氣稀釋之20%氟氣作為氟氣，且氟氣之流速為2公升/分鐘。另外，
如圖6(g)中所示，經由氫引入管17d之內部流體通道174，藉由控制MFC 21d以0.75公升/分鐘來供應氫(H2
)氣，同時如圖6(h)中所示，經由氫引入管17d之外部流體通道175，藉由控制MFC 21e以5公升/分鐘來供應作為稀釋氣體之氮(N2
)氣。
以此方式，由於經由氫引入管17d之內部流體通道174來供應氫氣且經由外部流體通道175來供應氮氣，因此經由內部流體通道174饋送之氫氣經供應至反應容器2中，同時被經由外部流體通道175供應之氮(N2
)氣包圍或完全覆蓋。因此，氫與氟在氫引入管17d之噴嘴附近將不相互反應。因此，氫引入管17d之噴嘴及位於噴嘴附近之組件(諸如反應容器2之內壁)將不會經受損害，藉此為加熱裝置1提供更為穩定之清潔。
經由內部流體通道174供應之氫氣流速較佳在0.25公升/分鐘至0.75公升/分鐘之範圍內。若小於0.25公升/分鐘，則所產生之氮化矽不可能經蝕刻。相反地，若大於0.75公升/分鐘，則氫氣可能不會被欲經由外部流體通道175供應之氮氣所完全覆蓋，由此造成氫與氟將在氫引入管17d之噴嘴附近相互反應之風險。
經由外部流體通道175供應之氮氣流速較佳在1公升/分鐘至5公升/分鐘之範圍內。若小於1公升/分鐘，則氫氣可能不會被經由外部流體通道175供應之氮氣所完全包圍，因此造成氫與氟將在氫引入管17d之噴嘴附近相互反應之風險。相反地，若大於5公升/分鐘，則可能難以將氫氣曝
露於如上所述之適當位置。經由外部流體通道175供應之氮氣流速更佳在2公升/分鐘至3公升/分鐘之範圍內。
此後，供應至反應容器2中之清潔氣體於其中經加熱，且清潔氣體所含之氟經活化。經如此活化之氟接著與附著於加熱裝置1內部之沈積物(氮化矽)接觸，藉此蝕刻氮化矽。因此，可去除附著於加熱裝置1內部之沈積物(清潔步驟)。
一旦去除附著於加熱裝置1內部之沈積物，即停止經由氟引入管17c及氫引入管17d之清潔氣體供應。隨後，當自反應容器2排出氣體時，如圖6(c)中所示自淨化氣體供應管18供應預定量之氮氣，以便將存在於反應容器2中之氣體排出至排氣管5中(淨化步驟)。較佳將自反應容器2之氣體排放及氮氣供應重複若干次以確定地排出存在於反應容器2中之氣體。
隨後，如圖6(c)中所示，自淨化氣體供應管18將預定量之氮氣供應至反應容器2中，使得(如圖6(b)中所示)反應容器2中之壓力返回至常壓。最終，藉由致動舟升降機128降低蓋子6來進行卸載操作(卸載步驟)。以此方式，結束清潔過程。
檢查在清潔過程之後對位於氫引入管17d噴嘴附近之零件或組件之損害或劣化的控制功效。特定而言，如圖7中所示，在反應容器2中，分別於氫引入管17d噴嘴周圍之位置P1、氟引入管17c噴嘴周圍之位置P2及與該等加工氣體引入管17相對之位置P3處置放石英晶片。在上文所述實施
例之條件下量測石英之蝕刻速率。為進行比較，亦在藉由使用如習知具有如二氯矽烷引入管17a或其類似物之單管結構的氫引入管17d將由氫及氮組成之混合氣體供應至內部的情況(比較實例)下量測蝕刻速率。結果展示於圖8中。
如圖8中所示，由於具有雙管結構之氫引入管17d，故藉由經由內部流體通道174來供應氫氣且藉由經由外部流體通道175來供應氮氣，發現與習知之單管結構相比可顯著減小氫引入管17d噴嘴周圍將產生之損害。因此，根據本發明，可為加熱裝置1提供更為穩定之清潔。
為證實本發明之作用，在上文所述實施例之條件下，分別量測清潔氣體對氮化矽(SiN)及石英之蝕刻速率及選擇比。類似地，為進行比較，亦在藉由使用具有單管結構之氫引入管17d將氫與氮之混合氣體供應至內部的情況(比較實例)下量測蝕刻速率及選擇比。蝕刻速率之結果展示於圖9中，且選擇比之結果展示於圖10中。
如圖9及圖10中所示，藉由採用具有雙管結構之氫引入管17d，藉由經由內部流體通道174來供應氫氣及經由外部流體通道175來供應氮氣，與習知單管結構相比，對氮化矽之蝕刻速率改良了4倍或4倍以下且選擇比增強了2.5倍或2.5倍以上。以此方式，在此實施例中，可抑制位於氫引入管17d噴嘴附近之零件或組件的劣化，同時可增強蝕刻速率及選擇比。
如上所述，根據此實施例，藉由將經由內部流體通道174饋送之氫氣供應至反應容器2中，同時使氫氣被經由外
部流體通道175饋送之氮氣包圍或完全覆蓋，可抑制位於氫引入管17d噴嘴附近之零件或組件的劣化。另外，根據此實施例，可增強蝕刻速率及選擇比。
應瞭解，本發明並不限於以上實施例，而可提供各種修改及應用。下文中，將討論可適用於本發明之另一實施例。
在先前實施例中，儘管已描述氫引入管17d包括內管171及經組態為將內管171容納於其中之外管172的情況，但氫引入管17d並不限於先前實施例之此態樣，而包括內部流體通道174及經組態為覆蓋內部流體通道174周圍之外部流體通道175的另一氫引入管17d亦可適用於本發明。
另外，儘管在先前實施例中，已關於使用氮氣作為保護氣體之情況採用本發明，但亦可使用任何其他不與氟反應且將不會不利地影響清潔之合適氣體，諸如氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)或氙(Xe)作為保護氣體。
此外，儘管在先前實施例中，已描述本發明關於採用經氮氣稀釋之20%氟氣作為氟氣之情況，但氟氣可不經氮氣稀釋。
另外，儘管在先前實施例中，已關於氣體供應部20與反應容器2相連接之情況描述本發明，但如圖11中所示，氣體供應部20可與(例如)加熱裝置1之排氣管5相連接。在此情況下，氣體供應部20包含用於供應清潔氣體(氟氣及氮氣)之管線。
可選擇任何合適氣體作為薄膜形成氣體，使得由於薄膜
形成過程而欲自氣體產生且附著於反應容器2之內壁及其類似物之沈積物可藉由含有氟氣及氫氣之清潔氣體而去除，且使得其可用於形成薄膜。舉例而言，其可為六氯二矽烷(HCD)與氨之混合氣體。在本發明中，欲形成於每一待加工物件上之薄膜並不限於氮化矽。
儘管在先前實施例中，已關於使用具有單管結構之分批型加熱裝置作為加熱裝置之情況描述本發明，但本發明亦可適用於(例如)具有雙管結構之分批及垂直型加熱裝置，其包括由一內管及一外管組成之反應容器2。或者，本發明可適用於薄片饋送型加熱裝置。
與本發明實施例相關之控制單元100並不限於專門系統，但可藉由採用適用於通用之電腦系統而達成。舉例而言，藉由自一儲存媒體(軟碟、CD-ROM或其類似物)將用於執行上述製程之程式安裝於通用電腦中，可提供用於執行此等製程之控制單元100。
可視情況選擇用於提供上述程式之方法。除經由如上所述之儲存媒體來提供之外，可經由(例如)通信線路、通信網路、通信系統或其類似物來提供上述程式。在此情況下，(例如)可將程式公佈於通信網路之電子布告欄系統(BBS)上，且藉由將資訊經由網路疊加於載波上來提供。藉由啟動如此提供之程式且將其以與其他應用程式相同之方式在OS控制下執行，即可進行上述製程。
1‧‧‧加熱裝置/薄膜形成裝置
2‧‧‧反應容器/反應室
3‧‧‧頂部
4‧‧‧排氣口
5‧‧‧排氣管
6‧‧‧蓋子
7‧‧‧絕熱隆起物
8‧‧‧加熱器
9‧‧‧管狀支撐部件
10‧‧‧轉台
11‧‧‧晶舟
12‧‧‧轉柱
13‧‧‧旋轉機構
14‧‧‧轉軸
15‧‧‧旋轉引入部分
16‧‧‧升溫加熱器
17‧‧‧加工氣體引入管
17a‧‧‧二氯矽烷引入管
17b‧‧‧氨引入管
17c‧‧‧氟引入管
17d‧‧‧氫引入管
18‧‧‧淨化氣體供應管
20‧‧‧氣體供應部
21a‧‧‧質量流量控制器/MFC
21b‧‧‧質量流量控制器/MFC
21c‧‧‧質量流量控制器/MFC
21d‧‧‧質量流量控制器/MFC
21e‧‧‧質量流量控制器/MFC
22a‧‧‧DCS供應源
22b‧‧‧NH3
供應源
22c‧‧‧F2
供應源
22d‧‧‧H2
供應源
22e‧‧‧N2
供應源
23‧‧‧連接管
100‧‧‧控制單元
111‧‧‧方案儲存單元
112‧‧‧ROM
113‧‧‧RAM
114‧‧‧輸入輸出埠/I/O埠
115‧‧‧CPU/中央處理單元
116‧‧‧匯流排
121‧‧‧操作面板
122‧‧‧溫度感應器/感應器組
123‧‧‧壓力計/量計組
124‧‧‧加熱器控制器
125‧‧‧MFC控制單元
126‧‧‧閥門控制單元
127‧‧‧真空泵
128‧‧‧舟升降機
171‧‧‧內管
172‧‧‧外管
173‧‧‧連接部分
173a‧‧‧通孔
174‧‧‧內部流體通道
175‧‧‧外部流體通道
P1‧‧‧氫引入管17d噴嘴周圍之位置
P2‧‧‧氟引入管17c噴嘴周圍之位置
P3‧‧‧與氫引入管17d、氟引入管17c相對之位置
W‧‧‧半導體晶圓
圖1為展示根據本發明之一實施例之加熱裝置的視圖。
圖2為展示圖1所示氣體供應部之構造的圖。
圖3為展示氫引入管之橫截面形狀的視圖。
圖4為說明自氫引入管供應氫氣及氮氣之方式的視圖。
圖5為展示圖1所示控制部之構造的圖。
圖6為展示用於解釋薄膜形成方法之方案的圖。
圖7為說明石英晶片位置之視圖。
圖8為展示位於圖7所示位置之石英蝕刻速率的圖。
圖9為展示SiN及石英在清潔過程中之蝕刻速率的圖。
圖10為展示清潔過程中之選擇比的圖。
圖11為展示另一實施例之加熱裝置的視圖。
1‧‧‧加熱裝置/薄膜形成裝置
2‧‧‧反應容器/反應室
3‧‧‧頂部
4‧‧‧排氣口
5‧‧‧排氣管
6‧‧‧蓋子
7‧‧‧絕熱隆起物
8‧‧‧加熱器
9‧‧‧管狀支撐部件
10‧‧‧轉台
11‧‧‧晶舟
12‧‧‧轉柱
13‧‧‧旋轉機構
14‧‧‧轉軸
15‧‧‧旋轉引入部分
16‧‧‧升溫加熱器
17‧‧‧加工氣體引入管
18‧‧‧淨化氣體供應管
20‧‧‧氣體供應部
100‧‧‧控制單元
W‧‧‧半導體晶圓
Claims (13)
- 一種用於去除附著於一薄膜形成裝置內部之沈積物的氣體供應系統，該薄膜形成裝置包括一反應室及一與該反應室連接之排氣管，該氣體供應系統係將一含有氟氣及氫氣之清潔氣體供入該薄膜形成裝置之該反應室或該排氣管，藉此去除附著於該薄膜形成裝置內部之沈積物者，且包含：一氟供應構件，用於將該氟氣供入該反應室或該排氣管；及一氫供應構件，用於將該氫氣供入該反應室或該排氣管；其中該氫供應構件包括一內部流體通道及一被形成以覆蓋該內部流體通道周圍之外部流體通道，且其中該氫氣係經由該內部流體通道來供應，而一不與欲自該氟供應構件供應之該氟氣反應之保護氣體係經由該外部流體通道來供應，藉此可將該氫氣供入該反應室或該排氣管，同時將其以該保護氣體覆蓋。
- 如請求項1之氣體供應系統，其中該氫供應構件包括一內管及一被形成以將該內管容納於其中之外管，使得該內部流體通道及外部流體通道分別由該內管及外管形成。
- 如請求項1之氣體供應系統，其中該氫供應構件係經組態以經由該內部流體通道以0.25公升/分鐘至0.75公升/分鐘來供應該氫氣，並經由該外部流體通道以1公升/分鐘 至5公升/分鐘來供應氮氣。
- 如請求項1之氣體供應系統，其中該內部流體通道與該外部流體通道之截面積比係在1：2至1：4之範圍內。
- 如請求項1之氣體供應系統，其中該保護氣體為氮氣。
- 一種薄膜形成裝置，其包含：一反應室，於其中載入一待加工物件，接著向其中供應一薄膜形成氣體，以在該待加工物件上形成一薄膜；一排氣管，其與該反應室連接；及一氣體供應系統，用於將一含有氟氣及氫氣之清潔氣體供入該反應室或該排氣管；其中該氣體供應系統包括：一氟供應構件，用於將該氟氣供入該反應室或該排氣管；一氫供應構件，用於將該氫氣供入該反應室或該排氣管；其中該氫供應構件包括一內部流體通道及一被形成以覆蓋該內部流體通道周圍之外部流體通道，且其中該氫氣係經由該內部流體通道來供應，而一不與欲由該氟供應構件供應之該氟氣反應的保護氣體係經由該外部流體通道來供應，藉此可將該氫氣供入該反應室或該排氣管，同時將其以該保護氣體覆蓋。
- 一種用於去除附著於一薄膜形成裝置內部之沈積物的氣體供應方法，該薄膜形成裝置包括一反應室及一與該反應室連接之排氣管，該氣體供應方法係將一含有氟氣及 氫氣之清潔氣體供入該薄膜形成裝置之該反應室或該排氣管，藉此去除附著於該薄膜形成裝置內部之沈積物者，且包含以下步驟：自一用於供應該氟氣之氟供應構件將該氟氣供入該反應室或該排氣管；及自一氫供應構件將該氫氣供入該反應室或該排氣管，該氫供應構件包括一內部流體通道及一被形成以覆蓋該內部流體通道周圍之外部流體通道，且適合於供應該氫氣；其中在該供應該氫氣之步驟中，經由該內部流體通道來供應該氫氣，而經由該外部流體通道來供應一不與欲在該供應該氟氣之步驟中供應之該氟氣反應的保護氣體，藉此可將該氫氣供入該反應室或該排氣管，同時將其以該保護氣體覆蓋。
- 如請求項7之氣體供應方法，其中在該供應該氫氣之步驟中，經由該內部流體通道以0.25公升/分鐘至0.75公升/分鐘來供應該氫氣，且經由該外部流體通道以1公升/分鐘至5公升/分鐘來供應氮氣。
- 如請求項7之氣體供應方法，其中該保護氣體為氮氣。
- 一種薄膜形成裝置之清潔方法，該薄膜形成裝置包括一反應室及一與該反應室連接之排氣管，該方法係用於去除附著於該薄膜形成裝置內部之沈積物者，且包含：一用於將一含有氟氣及氫氣之清潔氣體供入該薄膜形成裝置之該反應室或該排氣管，以去除附著於該薄膜形 成裝置內部之該等沈積物的氣體供應方法，該氣體供應方法包含以下步驟：自一用於供應該氟氣之氟供應構件將該氟氣供入該反應室或該排氣管；及自一氫供應構件將該氫氣供入該反應室或該排氣管，該氫供應構件包括一內部流體通道及一被形成以覆蓋該內部流體通道周圍之外部流體通道，且適合於供應該氫氣；其中在該供應該氫氣之步驟中，經由該內部流體通道來供應該氫氣，而經由該外部流體通道來供應一不與欲在該供應該氟氣之步驟中供應之該氟氣反應的保護氣體，藉此可將該氫氣供入該反應室或該排氣管，同時將其以該保護氣體覆蓋。
- 一種薄膜形成方法，其包含以下步驟：以一包括一反應室及一與該反應室連接之排氣管的薄膜形成裝置，藉由將一薄膜形成氣體供入反應室中而在每一待加工物件上形成一薄膜；及由於一用於將一含有氟氣及氫氣之清潔氣體供入該反應室或該排氣管中以去除附著於該薄膜形成裝置內部之沈積物的氣體供應方法而清潔，該氣體供應方法包含以下步驟：自一用於供應該氟氣之氟供應構件將該氟氣供入該反應室或該排氣管；及自一氫供應構件將該氫氣供入該反應室或該排氣管， 該氫供應構件包括一內部流體通道及一被形成以覆蓋該內部流體通道周圍之外部流體通道，且適合於供應該氫氣；其中在該供應該氫氣之步驟中，經由該內部流體通道來供應該氫氣，而經由該外部流體通道來供應一不與欲在該供應該氟氣之步驟中供應之該氟氣反應的保護氣體，藉此可將該氫氣供入該反應室或該排氣管，同時將其以該保護氣體覆蓋。
- 一種儲存一用於驅動一電腦執行一氣體供應方法之電腦程式的儲存媒體，該氣體供應方法係用於去除附著於一薄膜形成裝置內部的沈積物，該薄膜形成裝置包括一反應室及一與該反應室連接之排氣管，該氣體供應方法係將一含有氟氣及氫氣之清潔氣體供入該薄膜形成裝置之該反應室或該排氣管，藉以去除附著於薄膜形成裝置內部的沈積物者，且包含以下步驟：自一用於供應該氟氣之氟供應部將該氟氣供入該反應室或該排氣管；及自一氫供應部將該氫氣供入該反應室或該排氣管，該氫供應部包括一內部流體通道及一被形成以覆蓋該內部流體通道周圍之外部流體通道，且適合於供應該氫氣；其中在該供應該氫氣之步驟中，經由該內部流體通道來供應該氫氣，而經由該外部流體通道來供應一不與欲在該供應該氟氣之步驟中供應之該氟氣反應的保護氣體，藉 此可將該氫氣供入該反應室或該排氣管，同時將其以該保護氣體覆蓋。
- 一種儲存一用於驅動一電腦執行一薄膜形成裝置之清潔方法之電腦程式的儲存媒體，該薄膜形成裝置包括一反應室及一與該反應室連接之排氣管，該薄膜形成裝置之清潔方法係用於去除附著於該薄膜形成裝置內部之沈積物者，且包含：一用於將一含有氟氣及氫氣之清潔氣體供入該薄膜形成裝置之該反應室或該排氣管，以去除附著於該薄膜形成裝置內部之該等沈積物的氣體供應方法，該氣體供應方法包含以下步驟：自一用於供應該氟氣之氟供應構件將該氟氣供入該反應室或該排氣管；及自一氫供應構件將該氫氣供入該反應室或該排氣管，該氫供應構件包括一內部流體通道及一被形成以覆蓋該內部流體通道周圍之外部流體通道，且適合於供應該氫氣；其中在該供應該氫氣之步驟中，經由該內部流體通道來供應該氫氣，而經由該外部流體通道來供應一不與欲在該供應該氟氣之步驟中供應之該氟氣反應的保護氣體，藉此可將該氫氣供入該反應室或該排氣管，同時將其以該保護氣體覆蓋。
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