JP2017022343A - 半導体装置の製造方法および半導体製造装置、ウエハリフトピン穴清掃治具 - Google Patents
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Abstract
【課題】
半導体製造装置のメンテナンス時間を短縮し、半導体製造ラインの生産性を向上する。
【解決手段】
先端部分に返しを有する清掃治具を用いてウエハリフトピン穴内部の反応生成物を除去した半導体製造装置により半導体ウエハを処理する。
【選択図】図3
半導体製造装置のメンテナンス時間を短縮し、半導体製造ラインの生産性を向上する。
【解決手段】
先端部分に返しを有する清掃治具を用いてウエハリフトピン穴内部の反応生成物を除去した半導体製造装置により半導体ウエハを処理する。
【選択図】図3
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、半導体製造装置のメンテナンスに関する。
半導体製造ラインで用いられるドライエッチング装置やCVD装置(CVD:Chemical−Vapor−Deposition)、スパッタリング装置等の半導体製造装置は、真空中で半導体ウエハを処理する処理室を備えており、処理室内のステージ(下部電極)上に半導体ウエハを搭載し、プラズマによるドライエッチング等の各種処理が施される。
処理室内のステージには、表面側から裏面側に掛けて貫通する貫通孔が設けられており、その貫通孔の内部をウエハリフトピンが上下動作することで、ウエハ搬送アームとステージとの間で半導体ウエハの受け渡しを行う構造になっている。
これらの半導体製造装置では、処理室内で半導体ウエハを処理する際、反応生成物が生成され、ウエハリフトピンが上下するステージの貫通孔(リフトピン穴)の内部やウエハリフトピンの支持部(リフトピングリッパー)にも反応生成物が付着する。
リフトピン穴内部の反応生成物の堆積が多くなると、リフトピンが反応生成物に引っ掛かり、リフトピンがリフトピン支持部から抜けてしまう恐れがある。また、リフトピン支持部への反応生成物の堆積量が増えるとリフトピン支持部の摺動性が悪化し、同様にリフトピン抜けが懸念される。
そこで、リフトピン穴内部やリフトピン支持部に付着した反応生成物を定期的に除去する清掃が必要となるが、該当部分を清掃する為にはステージ(下部電極)を分解しなければならず、清掃のための多くの手間と装置停止時間が必要となっている。
ステージ(下部電極)を分解することなく、リフトピン穴内部の反応生成物を除去する方法として、例えば、特許文献1のような清掃用具を用いることが考えられる。特許文献1は、人体の歯の間の汚れを除去する歯間ブラシに関するものである。
半導体製造装置のリフトピン穴の清掃に上記特許文献1の清掃用具を用いようとした場合、リフトピン穴内部の反応生成物を除去するための十分な強度を持たないため、反応生成物を効果的に除去するのは困難である。また、除去した反応生成物がリフトピン穴の下部に落下するのを防ぐのも難しい。さらに、特許文献1の清掃用具は元来、歯間ブラシとして用いられるものであり、半導体製造装置の清掃に用いた場合、汚染の原因となる恐れもある。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
一実施の形態によれば、先端部分に返しを有する清掃治具を用いてウエハリフトピン穴内部の反応生成物を除去した半導体製造装置により半導体ウエハを処理する。
また、他の一実施の形態によれば、処理室内の穴部に付着した反応生成物を除去するクリーニング機能を備えた半導体製造装置である。
また、別の一実施の形態によれば、半導体製造装置の処理室内の穴部に付着した反応生成物を除去する清掃治具である。
前記一実施の形態によれば、半導体製造装置のメンテナンス時間を短縮することができ、半導体製造ラインの生産性が向上する。
以下、図面を用いて実施例を説明する。なお、各図面において同一の構成については同一の符号を付し、重複する部分についてはその詳細な説明は省略する。
先ず、図8および図9を用いて、本実施例における半導体製造装置の処理室の構成とリフトピンまわりの課題について説明する。図8はコイル誘導結合プラズマ源を備えたドライエッチング装置の例を示している。また、図9は図8のリフトピンLPおよびリフトピンガイドLD周辺の拡大図である。
図8に示すように、本実施例のドライエッチング装置は、エッチングチャンバーECの上部にプラズマ源となるコイルソースCSを備えている。コイルソースCSには高周波電源RGから高周波電力が供給される。
エッチングチャンバーECには、図示しない真空排気系およびガス供給系が設けられており、エッチングチャンバーECを真空排気した後、エッチングチャンバーEC内にプロセスガスを導入し、コイルソースCSに高周波電力を印加することにより、エッチングチャンバーEC内にプラズマを発生させる。
エッチングチャンバーEC内には、ドライエッチング処理の対象となる半導体ウエハWFを搭載し保持する静電チャックES(ESC:Electrostatic−Chuck)が設けられている。この静電チャックESは、着目する機能により、ステージ或いは下部電極などとも呼ばれる。また、静電チャックESは、アルミニウム(AL)の母材に誘電体を含んだセラミックをコーティングしたものなどが用いられる。
静電チャックESは、表面から裏面に掛けて貫通する貫通孔を備えており、その貫通孔内をリフトピンLPが上下に駆動する構造となっている。この貫通孔はリフトピン穴LHである。
静電チャックESの下には、リフトピンLPを支持する保持機構が設けられている。この保持機構は、リフトピンLPの一端を保持するリフトピングリッパーLG、リフトピンLPの保持部を覆い保護するハウジングHS、リフトピングリッパーLGを支持するベースBSやステムSTなどから構成されている。なお、リフトピングリッパーLGは、例えば、ポリイミド樹脂のような耐熱性プラスチックにより形成されている。また、ハウジングHSやベースBSは、例えば、ステンレス鋼(SUS)により、ステムSTは、例えば、フッ素樹脂により、各々形成されている。
リフトピングリッパーLGは、ステムSTおよびベースBSを介してリフトピンスパイダーLSと呼ばれる支持アームで支持され、エアシリンダーACにより上下に駆動する。
リフトピンLPは、リフトピン穴LHを貫通して配置され、リフトピンLPとリフトピン穴LHの間には、リフトピンLPができるだけ垂直に上下駆動するようリフトピンガイドLDが設けられている。リフトピンLPは、例えば、高純度アルミナ(Al2O3)を原料とするサファイアにより形成されている。また、リフトピンガイドLDは、ポリイミド樹脂などの耐熱性プラスチックにより形成されている。
図示しないウエハ搬送アームにより半導体ウエハWFをエッチングチャンバーEC内に搬入した後、リフトピンLPが上昇し、ウエハ搬送アームから半導体ウエハWFを受け取る。ウエハ搬送アームがエッチングチャンバーECから移動した後、半導体ウエハWFを受け取ったリフトピンLPは下降し、半導体ウエハWFが静電チャックESの表面に搭載される。なお、半導体ウエハWFを静電チャックES上に搭載する際に半導体ウエハWFのズレを防止するため、静電チャックESの周辺には石英やシリコン、セラミックなどで形成されるエッジリングER(ウエハ保持リング)が配置されている。
ここで、上述したように、ドライエッチング装置やCVD装置、スパッタリング装置などの半導体製造装置では、リフトピン穴LHの内部やリフトピンLPの支持部であるリフトピングリッパーLGの周辺に堆積する反応生成物によるリフトピン抜けが問題となる。図9に示すように、リフトピンガイドLDとリフトピンLPの間やリフトピングリッパーLGの周辺に反応生成物(デポ物)DPの付着が多くなると、リフトピンLPの上下駆動時に反応生成物(デポ物)DPとの引っ掛かりが生じ、リフトピンLPの摺動性が悪くなり、リフトピンLPがリフトピングリッパーLGから抜けるリフトピン抜けに至る場合がある。
図9に示した課題以外にも、リフトピン穴LH内に堆積した反応生成物DPの一部が剥がれて静電チャックESの表面に異物として付着した場合、半導体ウエハWFの静電吸着エラーなどの装置トラブルの原因となったり、静電チャックESの表面と半導体ウエハWFの裏面との間で異常放電が発生し、製品不良の原因となる恐れもある。
そこで、リフトピン穴LHの内部やリフトピングリッパーLG周辺の反応生成物DPを除去するための清掃を行おうとすると、静電チャックES(下部電極)を分解する必要があり、清掃するために多くの手間と装置停止時間が必要となる。
従って、リフトピン穴LHの内部やリフトピングリッパーLG周辺に堆積した反応生成物DPを如何に効果的にエッチングチャンバーEC外へ排出(除去)できるかが、各半導体製造装置の生産性、ひいては半導体製造ラインの生産性を向上するための重要な課題となっている。
次に、図1Aおよび図1Bを用いて、本実施例におけるウエハリフトピン穴清掃治具について説明する。図1AはリフトピングリッパーLGからリフトピンを引き抜いた後に、リフトピン穴LH内に清掃治具CJを挿入した状態を示している。図1Bは図1AのA部を拡大した図である。
本実施例における清掃治具CJは、図1Aに示すように、リフトピン穴LHに挿入できるよう、棒状に形成されている。清掃治具CJの一端には、清掃時に作業者が保持できるよう把持部HPが設けられている。また、清掃治具CJの先端部(他端)には、少なくとも1つ以上の返しBAが設けられている。図1Aでは、6つの返しBAが設けられている例を示している。
清掃治具CJの先端部分に返しを設けることにより、エッチングチャンバーECの定期メンテナンスの際、静電チャックECの上面側からリフトピンLPを引き抜いた後に清掃治具CJを挿入し、返しBAによりリフトピン穴の内部に堆積した反応生成物をリフトピン穴の外部へ効果的に掻き取る(掻き出す)ことができる。
なお、図1Bに示すように、清掃治具CJの返しBAの幅(太さ)bは、リフトピン穴LH内に清掃治具CJを挿入できるよう、リフトピン穴LH内で最も幅が狭いリフトピンガイドLDの部分の幅aよりも狭く(細く)形成されている。つまり、b<aの関係となっている。但し、幅aに比べて幅bの寸法が狭すぎる場合、リフトピン穴LH内部の反応生成物を十分に掻き出すことができないため、返しBAの幅(太さ)bは、可能な限りリフトピンガイドLDの部分の幅aに近いのが好ましい。
例えば、リフトピンガイドLDの部分の幅aが1.6mm程度である場合、返しBAの幅(太さ)bは1.5mm程度に形成する。
一般的な半導体製造装置では、リフトピンLPの太さはφ1.0mm〜φ2.0mm程度であるため、リフトピン穴LH(本実施例ではリフトピンガイドLDの部分の幅a)の径はφ1.2mm〜φ2.2mm程度となる。従って、清掃治具CJの返しBAの径はφ1.1mm〜φ2.1mm程度に形成するのが目安となる。但し、ここでの数値はあくまでも例示であって、これらに限定されるものではない。
また、清掃治具CJの材質は、リフトピン穴LH内の反応生成物を効果的に掻き出せるよう、ステンレス鋼(SUS)やアルミニウム(AL)、樹脂など、十分な強度を有するものを用いるのが好ましい。
さらに、清掃治具CJの材質は、清掃治具CJにより掻き取った反応生成物が静電気によりリフトピンガイドLDやリフトピン穴LH内部へ再付着するのを防ぐため、帯電し難いものを用いるのがより好ましい。少なくとも、返しを設ける先端部分は、帯電し難い材料で形成するのが良い。
以上説明したように、図1Aおよび図1Bに示した清掃治具CJを半導体製造装置のリフトピン穴の清掃に用いることにより、リフトピン穴LH内に堆積した反応生成物を下に落下させることなく、リフトピン穴LHの外部へ掻き出すことができ、効果的にリフトピン穴LH内部の清掃を行うことができる。
また、静電チャックEC(下部電極)を分解することなくリフトピン穴LH内に堆積した反応生成物を除去することができるため、装置停止時間を大幅に短縮することができ、半導体製造装置の生産性を飛躍的に高めることができる。
図2Aおよび図2Bを用いて、清掃治具CJの変形例を説明する。なお、図2Bは図2AのB部を拡大した図である。
図2Aおよび図2Bに示す吸引孔付清掃治具CJVは、一方の端部から他方の端部に掛けて貫通する貫通孔を有する点において、図1Aおよび図1Bに示す清掃治具CJと異なる。この貫通孔は、掻き取った反応生成物を清掃治具の先端部から吸引し外部へ排出する際の吸引孔VHとして機能する。
なお、図2Bに示す返しBAの幅(太さ)dとリフトピンガイドLDの部分の幅cとの関係は、d<cとなっている。このcとdの関係は、図1Bにおけるaとbの関係と同様であるため、その詳細な説明は省略する。
図3を用いて、吸引孔付清掃治具CJVの作用をより詳しく説明する。図1Aおよび図1Bにおいて、清掃治具CJをリフトピン穴LHに挿入する際、リフトピンガイドLD付近に堆積した反応生成物は返しBAにより削り取られ、一部は下に落下してしまう。そこで、図2Aおよび図2Bの吸引孔付清掃治具CJVのように、清掃治具の先端部からもう一方の端部に掛けて貫通する貫通孔を設け、リフトピン穴LHに挿入する際に掻き取られた反応生成物DPを先端部から吸引し外部に排出することにより、反応生成物DPの落下を防ぐことができる。
また、吸引孔付清掃治具CJVをリフトピン穴LH内で上下動作させてリフトピン穴LH内の反応生成物DPを返しBAにより掻き取る際にも、掻き取った反応生成物DPを先端部から落下させずに吸引することができる。
さらに、吸引できずにリフトピングリッパーLG周辺に落下した反応生成物についても、吸引孔付清掃治具CJVにより吸い取り、外部へ排出することができる。
図4を用いて、清掃治具CJの別の変形例を説明する。図4に示す溶剤供給孔付清掃治具CJSは、図3の吸引孔付清掃治具CJVと同様に、一方の端部から他方の端部に掛けて貫通する貫通孔を有している。この貫通孔は、一方の端部からメタノールなどの溶剤を供給し、他方の端部(先端部)からリフトピン穴LH内へ溶剤を噴出する際の溶剤供給孔SHとして機能する。
溶剤供給孔付清掃治具CJSの先端部からリフトピン穴LH内へ溶剤を噴出することで、反応生成物DPを短時間で溶解除去することができるため、装置停止時間を更に短縮することができる。
なお、供給する溶剤はメタノールに限定されるものではなく、反応生成物を溶解除去できる溶剤であれば良い。清掃の対象となる半導体製造装置のプロセスの種類により反応生成物の成分が異なるため、半導体製造装置のプロセスの種類により溶剤の種類を適宜選択して用いる。
また、供給する溶剤の種類や反応生成物の成分により、溶剤を液状のまま噴出するか、加熱して蒸気の状態で噴出するのかを適宜選択することで、より効果的な清掃が可能となる。
図5Aおよび図5Bを用いて、本実施例における半導体製造装置について説明する。本実施例の半導体製造装置は、リフトピン穴LHのクリーニング機構を備えた半導体製造装置である。図5Aは稼動中のリフトピンLPまわりの状態を示し、図5Bはリフトピン穴LHのクリーニング時の状態を示している。
図5Aに示すように、本実施例の半導体製造装置のリフトピンLPの下部には押し込み部PPが設けられている。図5Bに示すように、この押し込み部PPを押し込むことでクリーニング機構CDを動作させて、リフトピン穴LH内に堆積した反応生成物DPを掻き取る。
クリーニング機構CDは、実施例1で説明した清掃治具CJの返しBAをリフトピンLPの内部に埋め込んだ構造となっており、リフトピン穴LHの清掃を行う際、リフトピンLP下部の押し込み部PPを押し込むことにより、返しがリフトピンLPの外部に突出し、リフトピン穴LH内に堆積した反応生成物を掻き取る。掻き取った反応生成物は落下し、装置の真空排気により外部へ排出される。
なお、エッチングチャンバーの真空引きとガスの導入を交互に繰り返すサイクルパージを併用することで、掻き取った反応生成物をさらに効率良く装置外へ排出することができる。サイクルパージに用いるガスは、半導体製造装置のプロセス処理に用いるプロセスガスや窒素ガス(N2)、アルゴンガス(Ar)、ヘリウムガス(He)などの不活性ガスを用いる。
また、クリーニング機構CDによるリフトピン穴LH内の反応生成物の掻き取りとサイクルパージを同時に行う場合、リフトピンLPが下降する際にエッチングチャンバー内へガスを導入し、リフトピンLPが上昇する際にエッチングチャンバーの真空引きを行うことにより、効果的に反応生成物をエッチングチャンバーの外部へ排出することができる。
以上説明したように、本実施例の半導体製造装置によれば、処理室(チャンバー)を大気開放することなくリフトピン穴LHを清掃することができるため、さらに装置停止時間を短縮することができる。
なお、本実施例においては、クリーニング機構の例として、図5Aおよび図5Bのように、リフトピンLP下部の押し込み部PPを押し込むことにより返しがリフトピンLPの外部に突出する構造を示したが、クリーニング機構の構造はこれに限定されるものではなく、他の所定の操作により返しがリフトピンの外部へ突出する構造であっても良い。
図6から図7Eを用いて、本実施例における半導体装置の製造方法について説明する。図6は、実施例1で説明した清掃治具を用いてリフトピン穴を清掃した半導体製造装置、或いは、実施例2で説明した半導体製造装置を用いてプロセス処理を行い製造した半導体装置の一部を示している。図6の左側は回路形成領域を示し、右側はパッド配置領域を示す。また、図7Aから図7Eは、図6の最上層の配線層MHに形成される最上層配線TMやパッド電極PDの形成フローを示している。
図6に示すように、本実施例における半導体装置は、半導体基板SSの主面に拡散層DLおよびゲート電極GEからなるトランジスタなどの各種素子が形成されている。
各種素子の上には下層から順に、第1配線層M1、第2配線層M2、第3配線層M3、第4配線層M4、第5配線層M5、第6配線層M6、最上層の配線層MHが形成されている。各配線層は、層間絶縁膜IDおよび絶縁膜IFからなる積層膜中に配線MWおよびビアVIが埋め込まれたかたちで形成されている。第1配線層M1から第6配線層M6では、シングルダマシンプロセス或いはデュアルダマシンプロセスで形成された銅(Cu)配線および銅(Cu)ビアが主に採用される。また、トランジスタなどの各種素子が形成される層においては、銅(Cu)による各種素子の汚染を避けるため、タングステン(W)のコンタクトCOが主に用いられる。
最上層の配線層MHにおいては、回路形成領域ではタングステン(W)ビアTV上に最上層配線TMが形成されている。また、パッド配置領域ではタングステン(W)ビアTV上にパッド電極PDが形成されている。最上層配線TMおよびパッド電極PDは、主にアルミニウム(AL)膜により形成される。最上層配線TMおよびパッド電極PD上には、最上層配線TMおよびパッド電極PD上を覆うように、ポリイミド樹脂などのパッシベーション膜(保護膜)PFが形成されている。なお、パッド電極PD上のパッシベーション膜(保護膜)PFは、一部が除去されており、パッド電極PDの一部が表面に露出している。
この最上層配線TMおよびパッド電極PDは、比較的大きな電流が流れるため、他の配線層の配線に比べて膜厚が厚く形成される。例えば、45μmプロセス世代の製品では1.5μm〜2.0μm程度である。この最上層配線TMおよびパッド電極PDは、最上層の層間絶縁膜ID上にスパッタリング装置によりアルミニウム(AL)膜を成膜した後、ドライエッチング装置によりドライエッチング処理されて、最上層配線TMおよびパッド電極PDに加工される。最上層配線TMおよびパッド電極PDには膜厚の厚いアルミニウム(AL)膜が用いられるため、ドライエッチング処理の時間が長くなり、ドライエッチング装置のエッチングチャンバー内で生成する反応生成物の量も多くなる。
従って、エッチングチャンバー内のリフトピン穴LH内に堆積する反応生成物の量も多くなり、図9で説明したような反応生成物(デポ物)付着によるリフトピン抜けが生じ易くなる。
そこで、最上層配線TMおよびパッド電極PDを加工する際に使用するドライエッチング装置の定期メンテナンス時に実施例1で説明した清掃治具CJや吸引孔付清掃治具CJV、溶剤供給孔付清掃治具CJSを用いることでドライエッチング装置の停止時間を大幅に短縮することが可能となる。これにより、半導体製造ラインの生産性が飛躍的に向上する。
また、アルミニウム(AL)膜のドライエッチング処理に、実施例2で説明したリフトピン穴クリーニング機構を備えるドライエッチング装置を用いることもでき、同様に半導体製造ラインの生産性を向上することができる。
図7Aから図7Eに、上記で説明した最上層配線TMおよびパッド電極PDの形成フローを示す。
先ず、タングステンビアTVが形成された最上層の層間絶縁膜ID上に、スパッタリング装置によりアルミニウム(AL)膜AFを成膜する。(図7A)
次に、塗布装置によりアルミニウム(AL)膜AF上にフォトレジスト膜PRを塗布する。(図7B)
続いて、フォトリソグラフィによりフォトレジスト膜PRに所望の回路パターン(ここでは、最上層配線TMやパッド電極PDのパターン)を転写し、現像装置により現像処理を行い、フォトレジスト膜PRのマスクパターンを形成する。(図7C)
さらに、フォトレジスト膜PRのマスクパターンをドライエッチングマスクとしてドライエッチング装置によりドライエッチング処理を行い、余分なアルミニウム(AL)膜AFを除去する。このドライエッチング処理には、エッチング対象となる薄膜がアルミニウム(AL)膜である場合、主に塩素(CL2)/三塩化ホウ素(BCL3)の混合ガスがプロセスガスとして用いられる。(図7D)
次に、塗布装置によりアルミニウム(AL)膜AF上にフォトレジスト膜PRを塗布する。(図7B)
続いて、フォトリソグラフィによりフォトレジスト膜PRに所望の回路パターン(ここでは、最上層配線TMやパッド電極PDのパターン)を転写し、現像装置により現像処理を行い、フォトレジスト膜PRのマスクパターンを形成する。(図7C)
さらに、フォトレジスト膜PRのマスクパターンをドライエッチングマスクとしてドライエッチング装置によりドライエッチング処理を行い、余分なアルミニウム(AL)膜AFを除去する。このドライエッチング処理には、エッチング対象となる薄膜がアルミニウム(AL)膜である場合、主に塩素(CL2)/三塩化ホウ素(BCL3)の混合ガスがプロセスガスとして用いられる。(図7D)
ここで、上記で説明したように、最上層配線TMやパッド電極PDのように膜厚の厚いアルミニウム(AL)膜のドライエッチング処理は処理時間が長くなる。そこで、このアルミニウム(AL)膜のドライエッチングに、実施例1で説明した先端部分に返しを有する清掃治具を用いてウエハリフトピン穴内部の反応生成物を除去したドライエッチング装置を用いる。或いは、実施例2で説明したリフトピン穴クリーニング機構を備えるドライエッチング装置を用いる。
最後に、エッチングされずに残ったマスクパターン(フォトレジスト膜PR)を酸素(O2)プラズマなどによりアッシング処理することで、最上層配線TMやパッド電極PDが形成される。(図7E)
以上説明したように、本実施例の半導体装置の製造方法によれば、ドライエッチング装置に代表される半導体製造装置の定期メンテナンスによる装置停止時間を短縮することができ、半導体製造ラインの生産性を飛躍的に向上することができる。
最後に、エッチングされずに残ったマスクパターン(フォトレジスト膜PR)を酸素(O2)プラズマなどによりアッシング処理することで、最上層配線TMやパッド電極PDが形成される。(図7E)
以上説明したように、本実施例の半導体装置の製造方法によれば、ドライエッチング装置に代表される半導体製造装置の定期メンテナンスによる装置停止時間を短縮することができ、半導体製造ラインの生産性を飛躍的に向上することができる。
なお、実施例3においては、対象となる半導体製造装置をドライエッチング装置の例で示し、対象となるプロセスをアルミニウム(AL)膜のドライエッチングプロセスの例で示したが、これらに限定されるものではない。
対象となる半導体製造装置は、同様のウエハリフトピン構造を採用するものであれば良く、例えば、CVD装置やスパッタリング装置等も対象となり得る。また、対象となるプロセスについても、アルミニウム(AL)膜のドライエッチングプロセス以外にも、チャンバー(処理室)内に多くの反応生成物が生成されるシリコン酸化膜(SiO2膜)やポリシリコン膜(Poly−Si膜)のドライエッチングプロセスに用いることで、同様の効果を得ることができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
EC…エッチングチャンバー、RG…高周波電源、CS…コイルソース、ES…静電チャック(ESC)、LP…リフトピン、HS…ハウジング、LG…リフトピングリッパー、BS…ベース、ST…ステム、LD…リフトピンガイド、LH…リフトピン穴、LS…リフトピンスパイダー、AC…エアシリンダー、ER…エッジリング、WF…ウエハ、DP…反応生成物、CJ…清掃治具、HP…把持部、BA…返し、CJV…吸引孔付清掃治具、VH…吸引孔、CJS…溶剤供給孔付清掃治具、SH…溶剤供給孔、PP…押し込み部、CD…クリーニング機構、SS…半導体基板、DL…拡散層、GE…ゲート電極、CO…コンタクト、ID…層間絶縁膜、IF…絶縁膜、MW…配線、VI…ビア、PF…パッシベーション膜(保護膜)、PD…パッド電極、TV…タングステン(W)ビア、TM…最上層配線、M1…第1配線層、M2…第2配線層、M3…第3配線層、M4…第4配線層、M5…第5配線層、M6…第6配線層、MH…最上層の配線層、AF…アルミニウム(AL)膜、PR…フォトレジスト膜。
Claims (14)
- 以下の工程を含む半導体装置の製造方法;
a)半導体ウエハの主面上に薄膜を形成する工程、
b)前記薄膜上にフォトレジスト膜を塗布する工程、
c)フォトリソグラフィにより前記フォトレジスト膜に所定の回路パターンを転写し、マスクパターンを形成する工程、
d)先端部分に返しを有する清掃治具を用いてウエハリフトピン穴内部の反応生成物を除去したドライエッチング装置により、前記半導体ウエハにドライエッチング処理を施す工程。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記清掃治具の先端部分の返しにより反応生成物をウエハリフトピン穴の外部へ掻き取る半導体装置の製造方法。 - 請求項2に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記清掃治具は掻き取った反応生成物を吸引する貫通孔を備え、
前記貫通孔を介して掻き取った反応生成物をウエハリフトピン穴の外部へ排出する半導体装置の製造方法。 - 請求項2に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記清掃治具は当該清掃治具の先端部に溶剤を供給する貫通孔を備え、
前記貫通孔を介して前記先端部に溶剤を供給し、前記先端部から溶剤を噴出することによりウエハリフトピン穴内部の反応生成物を溶解除去する半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記清掃治具は、少なくとも先端部分が帯電し難い材料で形成されている半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記薄膜は、アルミニウム膜、シリコン酸化膜、ポリシリコン膜のいずれかである半導体装置の製造方法。 - 半導体ウエハを処理する処理室と、
前記処理室内において、前記半導体ウエハを搭載するステージと、
前記ステージの表面から裏面に掛けて貫通して設けられた貫通孔と、
前記貫通孔の内部を貫通して設けられ、前記ステージ上において前記半導体ウエハを上下に移動するウエハリフトピンと、
前記ウエハリフトピン内部に設けられ、所定の操作により前記ウエハリフトピンの外部へ突出する返しと、を備える半導体製造装置。 - 請求項7に記載の半導体製造装置であって、
前記ウエハリフトピンは下部に押し込み部を備え、
前記押し込み部を押し込むことにより前記返しを前記ウエハリフトピンの外部へ突出させ、前記ウエハリフトピンを上下に動作させることにより、前記貫通孔内に付着した反応生成物を除去する半導体製造装置。 - 請求項8に記載の半導体製造装置であって、
前記返しにより前記貫通孔内に付着した反応生成物を除去する際、前記処理室への不活性ガスの導入と前記処理室の真空引きを交互に繰り返すサイクルパージを行う半導体製造装置。 - 請求項9に記載の半導体製造装置であって、
前記ウエハリフトピンが下降する際、前記処理室へ不活性ガスを導入し、
前記ウエハリフトピンが上昇する際、前記処理室の真空引きを行う半導体製造装置。 - 請求項7に記載の半導体製造装置であって、
前記半導体製造装置は、ドライエッチング装置、CVD装置、スパッタリング装置のいずれかである半導体製造装置。 - 一端に把持部を有し、
他端に少なくとも1つ以上の返しを有する棒状のウエハリフトピン穴清掃治具。 - 請求項12に記載のウエハリフトピン穴清掃治具であって、
前記一端から前記他端に掛けて貫通する貫通孔を有するウエハリフトピン穴清掃治具。 - 請求項12に記載のウエハリフトピン穴清掃治具であって、
少なくとも返しが設けられている部位は帯電し難い材料で形成されているウエハリフトピン穴清掃治具。
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