TW201836005A - 電漿蝕刻方法、電漿蝕刻裝置及基板載置台 - Google Patents

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Abstract

提供可以導入乾洗淨，且可以延長處理容器之維修週期的電漿蝕刻方法。
一種藉由電漿蝕刻裝置對被形成基板之特定膜進行電漿蝕刻之電漿蝕刻方法，具有：在電漿蝕刻裝置的電漿蝕刻處理中，選定處理氣體，以使被生成之反應生成物成為能夠乾洗淨的工程；在電漿蝕刻裝置中，對特定膜，使用事先被選定之處理氣體而進行電漿蝕刻處理的工程；於將進行電漿蝕刻處理之工程進行一次或兩次以上之特定次數之後，藉由乾洗淨氣體之電漿，將電漿蝕刻裝置之腔室內予以乾洗淨的工程。

Description

電漿蝕刻方法、電漿蝕刻裝置及基板載置台
本發明係關於電漿蝕刻方法、電漿蝕刻裝置及使用於此之基板載置台。
被使用於FPD(Flat Panel Display)之薄膜電晶體(TFT：Thin Film Transistor)係藉由在玻璃基板等之基板上，一面圖案製作閘極電極或閘極絕緣膜、半導體層等，一面依序予以疊層而形成。
在形成TFT的時候，存在例如蝕刻被連接於半導體層之源極電極或汲極電極之工程，或蝕刻閘極電極之工程。源極電極或汲極電極，有使用Ti/Al/Ti之疊層膜等之含Al金屬膜之情形，作為此情況之蝕刻氣體使用含氯氣體，例如Cl2氣體(例如，專利文獻1)。再者，作為藉由含氯氣體之腐蝕對策，有以含氯氣體對蝕刻後之腔室內供給O2氣體，或是O2氣體及CF4氣體等之氟系氣體而進行腐蝕抑制處理之情況。
再者，作為閘極電極，有使用含Mo膜之情形，作為此情況之蝕刻氣體，使用例如SF6氣體和O2氣體之混合氣體(例如，專利文獻2)。
然而，在對複數基板重複進行蝕刻處理之情況，因反應生成物附著於腔室內而成為堆積物(附著物)，此剝落而成為微粒對製品造成壞影響，故以特定周期開放腔室，進行以酒精擦拭堆積物，或以特殊藥液洗淨等之腔室洗淨(濕洗淨)。
另外，如上述般以Cl2氣體等之含氯氣體蝕刻含Al金屬膜之後，對腔室內供給O2氣體及氟氣體之情況，及以SF6氣體和O2氣體之混合氣體蝕刻含Mo膜之情況，因多量生成成為微粒之原因的蒸氣壓之低反應生成物，其附著於腔室內而成為堆積物(附著物)，故腔室洗淨之周期，即是維修週期變短。
於是，為了增長電漿蝕刻裝置之維修循環，藉由供給洗淨用之氣體，不開放腔室而除去附著於腔室內之反應生成物之腔室洗淨(乾洗淨)被探討著。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2015-173159號公報
〔專利文獻2〕日本特開2016-48286號公報
但是，證明了藉由上述般之電漿蝕刻而被生成之蒸氣壓的低反應生成物，在乾蝕刻中無法有效地除 去。
再者，不在基板載置台載置基板而進行乾洗淨之情況，藉由乾洗淨氣體之電漿，有對靜電夾具造成損傷，壽命變短之虞。因此，雖然考慮載置素玻璃而進行乾洗淨，但是在此情況，生產性下降。
因此，本發明係以提供可以導入乾洗淨，並可以延長處理容器之維修週期之電漿蝕刻方法，及即使進行乾洗淨亦可以確保靜電夾具之壽命的電漿蝕刻裝置及使用於此之基板載置台為課題。
為了解決上述課題，本發明之第1觀點係提供一種電漿蝕刻方法，其係藉由電漿蝕刻裝置對被形成基板之特定膜進行電漿蝕刻之電漿蝕刻方法，其特徵在於具有：在上述電漿蝕刻裝置的電漿蝕刻處理中，選定處理氣體，以使被生成之反應生成物成為能夠乾洗淨的工程；在上述電漿蝕刻裝置中，對上述特定膜，使用事先被選定之處理氣體而進行電漿蝕刻處理的工程；於將進行上述電漿蝕刻處理之工程進行一次或兩次以上之特定次數之後，藉由乾洗淨氣體之電漿，將上述電漿蝕刻裝置之腔室內予以乾洗淨的工程。
在上述第1觀點之電漿蝕刻方法中，作為上述乾洗淨之時的上述乾洗淨氣體，可以使用與於上述電漿蝕刻之時所使用之上述處理氣體相同之氣體。
上述第1觀點之電漿蝕刻方法，可以適用於上述特定膜為含Al金屬膜，上述處理氣體為含氯氣體，上述反應生成物係AlClx，進一步具有在上述電漿蝕刻裝置進行上述電漿蝕刻之後，將處理後之基板搬運至個別被設置之後處理裝置，使用O2氣體，或是O2氣體及含氟氣體，進行腐蝕抑制用之後處理的工程，上述乾洗淨之工程可以適用於將進行上述電漿蝕刻處理之工程及進行上述後處理之工程進行一次或兩次以上之特定次數之後的情況。再者，作為上述處理氣體之上述含氯氣體，可以使用Cl2氣體。
作為上述含Al金屬膜，可以使用用以形成薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之Ti/Al/Ti膜。
上述第1觀點之電漿蝕刻方法可以適用於上述特定膜為Mo系材料膜，上述處理氣體為含氟氣體，上述反應生成物為MoFx的情況。再者，作為上述處理氣體之上述含氟氣體，可以使用SF6氣體。
作為上述Mo系材料膜，可以使用用以形成薄膜電晶體之閘極電極或遮光膜的Mo膜或MoW膜。
本發明之第2觀點係提供一種電漿蝕刻裝置，其係對被形成在基板之特定膜施予電漿蝕刻處理之電漿蝕刻裝置，其特徵在於具有：收容基板之處理容器、在上述處理容器內載置基板之基板載置台、對上述處理容器內供給蝕刻氣體及乾洗淨氣體之氣體供給機構、對上述處理容器內進行排氣之排氣機構，和在上述處理容器內生成上述蝕刻氣體及上述乾洗淨氣體之電漿的電漿生成機構，上述 基板載置台具有基材、被設置在上述基材上，且具有由陶瓷熔射膜所構成之介電體層及被設置在上述介電體層之內部的吸附電極之靜電夾具，上述乾洗淨氣體為含氯氣體，上述靜電夾具之上述介電體層係熔射氧化鋁和氧化釔和矽化合物之混合物而被形成的混合熔射膜。
在上述第2觀點之電漿蝕刻裝置中，構成上述靜電夾具之上述介電體層的混合熔射膜係以使用氧化矽或氮化矽以作為矽化合物為佳。作為上述靜電夾具之上述吸附電極，可以使用由鎢或鉬所構成者。作為上述乾洗淨氣體，可以使用Cl2氣體。
本發明之第3觀點係提供一種電漿蝕刻裝置，其係對被形成在基板之特定膜施予電漿蝕刻處理之電漿蝕刻裝置，其特徵在於具有：收容基板之處理容器、在上述處理容器內載置基板之基板載置台、對上述處理容器內供給蝕刻氣體及乾洗淨氣體之氣體供給機構、對上述處理容器內進行排氣之排氣機構，和在上述處理容器內生成上述蝕刻氣體及上述乾洗淨氣體之電漿的電漿生成機構，上述基板載置台具有基材、被設置在上述基材上，且具有由陶瓷熔射膜所構成之介電體層及被設置在上述介電體層之內部的吸附電極之靜電夾具，上述乾洗淨氣體為含氟氣體，上述吸附電極係由鋁所構成。
在上述第3觀點之電漿蝕刻裝置中，上述靜電夾具之上述介電體層可以設為熔射氧化鋁和氧化釔和矽化合物之混合物而形成的混合熔射膜，或是由氧化釔所構成 者。作為上述乾洗淨氣體，可以使用SF6氣體。
在上述第2及第3觀點之電漿蝕刻裝置中，作為上述蝕刻氣體，可以使用與上述乾洗淨氣體相同的氣體。
本發明之第4觀點係提供一種基板載置台，其係於對被形成在基板之特定膜，在處理容器內藉由蝕刻氣體進行電漿蝕刻，並且藉由乾洗淨氣體之電漿，將上述處理容器內予以乾洗淨之電漿蝕刻裝置中，在上述處理容器內載置基板，該基板載置台之特徵在於具有：基材、被設置在上述基材上，且具有由陶瓷熔射膜所構成之介電體層及被設置在上述介電體層之內部之吸附電極的靜電夾具，上述乾洗淨氣體為含氯氣體，上述靜電夾具之上述介電體層係熔射氧化鋁和氧化釔和矽化合物之混合物而形成的混合熔射膜。
本發明之第5觀點係提供一種基板載置台，其係於對被形成在基板之特定膜，在處理容器內藉由蝕刻氣體進行電漿蝕刻，並且藉由乾洗淨氣體之電漿，將上述處理容器內予以乾洗淨之電漿蝕刻裝置中，在上述處理容器內載置基板，該基板載置台之特徵在於具有：基材、被設置在上述基材上，且具有由陶瓷熔射膜所構成之介電體層及被設置在上述介電體層之內部之吸附電極的靜電夾具，上述乾洗淨氣體為含氟氣體，上述靜電夾具之上述吸附電極係由鋁所構成。
若藉由本發明時，在電漿蝕刻裝置之電漿蝕刻處理中，選定處理氣體，以使被生成之反應生成物成為能夠乾洗淨，於電漿蝕刻處理之後，可以延長處理容器之維修週期。
因可以將靜電夾具設為對含氯電漿或含氟電漿耐性高之構成，故即使進行乾洗淨亦可以確保靜電夾具之壽命。
1‧‧‧玻璃基板
2‧‧‧遮光層
4‧‧‧多晶矽膜
5‧‧‧閘極絕緣膜
6‧‧‧閘極電極
7‧‧‧層間絕緣膜
8a‧‧‧源極電極
8b‧‧‧汲極電極
10‧‧‧真空搬運室
20‧‧‧裝載鎖定室
30、90‧‧‧電漿蝕刻裝置
40‧‧‧後處理裝置
50‧‧‧載體
60‧‧‧搬運機構
70‧‧‧真空搬運機構
80‧‧‧控制部
100、200‧‧‧處理系統
101‧‧‧處理容器
102‧‧‧介電體壁
104‧‧‧腔室
111‧‧‧噴淋框體
113‧‧‧高頻天線
115‧‧‧高頻電源
120、120’、220‧‧‧處理氣體供給機構
130‧‧‧基板載置台
132、232‧‧‧靜電夾具
145、245‧‧‧介電體層
146、246‧‧‧吸附電極
160‧‧‧排氣機構
S‧‧‧基板
圖1為表示適用與本發明之實施型態有關之電漿處理方法之基板之構成的剖面圖。
圖2為表示用以實施第1實施型態之處理方法之處理系統的概略俯視圖。
圖3為表示被搭載於圖2之處理系統之電漿蝕刻裝置之剖面圖。
圖4為表示被搭載於圖2之處理系統之後處理裝置之概略圖。
圖5為與第1實施型態有關之電漿處理方法的流程圖。
圖6為表示使用Cl2氣體作為處理氣體而對含Al金屬膜進行蝕刻之情況，在腔室內生成的反應生成物之概略圖。
圖7為使用Cl2氣體作為處理氣體而對含Al金屬膜進行蝕刻之後，使用O2氣體，或是O2氣體及CF4氣體而進行後 處理之情況，在腔室內生成的反應生成物之概略圖。
圖8為表示用以實施第2實施型態之處理方法之處理系統的概略俯視圖。
圖9為表示被搭載於圖8之處理系統之電漿蝕刻裝置之剖面圖。
圖10為與第2實施型態有關之電漿處理方法的流程圖。
圖11為表示使用SF6氣體作為處理氣體而對Mo系材料膜進行蝕刻之情況，在腔室內生成的反應生成物之概略圖。
圖12為表示使用SF6氣體及O2氣體作為處理氣體而對Mo系材料膜進行蝕刻之情況，在腔室內生成的反應生成物之概略圖。
以下，參照附件圖面針對本發明之實施型態予以說明。
〔適用與本發明之實施型態有關之電漿處理方法的基板之構造〕
圖1為表示適用與本發明之實施型態有關之電漿處理方法之基板之構成的剖面圖。
該基板S具有在玻璃基板上形成頂閘極型TFT的構造。具體而言，如圖1所示般，在玻璃基板1上形成由Mo 系材料(Mo、MoW)所構成之遮光層2，在其上方隔著絕緣膜3而形成半導體層亦即由多晶矽所構成之多晶矽膜(p-Si膜)4，在其上方隔著閘極絕緣膜5而形成由Mo系材料(Mo、MoW)所構成之閘極電極6，在其上方形成層間絕緣膜7。在層間絕緣膜7，形成接觸孔，在層間絕緣膜7之上方形成經由接觸孔而被連接於p-Si膜4之源極電極8a及汲極電極8b。源極電極8a及汲極電極8b由例如依鈦膜、鋁膜、鈦膜之順序疊層而形成之Ti/Al/Ti構造的含Al金屬膜所構成。在源極電極8a及汲極電極8b上，形成由例如SiN膜所構成之保護膜(無圖示)，在保護膜之上方形成被連接於源極電極8a及汲極電極8b之透明電極(無圖示)。
〔第1實施型態〕
首先，針對第1實施型態予以說明。
在第1實施型態中，舉例說明形成圖1所示之基板S之源極電極8a及汲極電極8b之時的含Al金屬膜之蝕刻處理。另外，於用以形成源極電極8a及汲極電極8b之含Al金屬膜之蝕刻時，在其上方形成具有特定圖案之抗蝕劑膜(無圖示)，將此予以遮罩而進行電漿蝕刻。
(用於第1實施型態之處理系統及電漿蝕刻裝置等之裝置構成)
首先，針對用於第1實施型態之處理系統及電漿蝕刻 裝置等之裝置構成予以說明。
圖2為表示用以實施第1實施型態之處理方法的處理系統的概略俯視圖，圖3為表示被搭載於圖2之處理系統之電漿蝕刻裝置的剖面圖，圖4為表示被搭載於圖2之處理系統之後處理裝置的概略圖。
如圖2所示般，處理系統100係多腔室型之處理系統，具有真空搬運室10、裝載鎖定室20、兩個電漿蝕刻裝置30和後處理裝置40。電漿蝕刻裝置30及後處理裝置40係在特定減壓氛圍下進行處理。真空搬運室10之俯視形狀構成矩形狀，裝載鎖定室20、兩個電漿蝕刻裝置30、後處理裝置40經由閘閥G被連接於真空搬運室10之各壁部。在裝載鎖定室20之外側，配置收容矩形狀之基板S之載體50。
在該些兩個載體50之間，設置有搬運機構60，該搬運機構60具有被設置成上下兩段之拾取器61(僅圖示1個)，及能夠與該些一體性地進出退避及旋轉的底座62。
真空搬運室10能夠保持在特定之減壓氛圍，其中如圖2所示般，設置有真空搬運機構70。而且，藉由該真空搬運機構70，在裝載鎖定室20、兩個電漿蝕刻裝置30及後處理裝置40之間搬運基板S。真空搬運機構70係在能夠旋動及上下移動之基座71上，以能夠前後移動之方式設置有兩個基板搬運臂72(僅圖示一個)。
裝載鎖定室20係用以在處於大氣氛圍之載體 50和處於減壓氛圍之真空搬運室10之間進行基板S之收授者，成為可以在短時間切換真空氛圍和大氣氛圍。裝載鎖定室20係基板收容部被設置成上下2段，在各基板收容部內，成為基板S藉由定位器(無圖示)被位置對準。
電漿蝕刻裝置30係用以蝕刻基板S之含Al金屬膜者，如圖3所示般，例如具有內壁面被陽極氧化處理之由鋁所構成之角筒形狀之氣密的本體容器101。該本體容器101被組裝成可分解，且被接地。本體容器101係藉由介電體壁102被區劃成上下，上側成為區劃天線室之天線容器103，下側成為區劃處理室之腔室(處理容器)104。介電體壁102構成腔室104之頂壁，由Al2O3等之陶瓷、石英等所構成。
在本體容器101中之天線容器103之側壁103a和腔室104之側壁104a之間，設置有突出於內側之支撐架105，在該支撐架105上載置介電體壁102。
在介電體壁102之下側部分，嵌入有處理氣體供給用之噴淋框體111。噴淋框體111係被設置成十字狀，成為從下方支撐介電體壁102之樑構造。噴淋框體111成為藉由複數根之吊桿(無圖示)，成為被吊在本體容器101之頂棚的狀態。
該噴淋框體111係由導電性材料，例如其內面或外面被陽極氧化處理之鋁所構成。在該噴淋框體111形成有水平延伸之氣體流路112，在該氣體流路112，連貫有朝下方延伸之複數氣體吐出孔112a。
另外，在介電體壁102之上面中央，以連通於該氣體流路112之方式設置有氣體供給管121。氣體供給管121係從本體容器101之頂棚貫通至其外側，分歧至分歧管121a、121b。分歧管121a連接有供給含氯氣體，例如Cl2氣體之含氯氣體供給源122。再者，分歧管121b連接有供給當作沖洗氣體或稀釋氣體使用之Ar氣體、N2氣體等之惰性氣體的惰性氣體供給源123。含氯氣體當作蝕刻氣體及乾洗淨氣體被使用。在分歧管121a、121b設置有質量流量控制器等之流量控制器或閥系統。
氣體供給管121、分歧管121a、121b、含氯氣體供給源122、惰性氣體供給源123以及流量控制器及閥系統構成處理氣體供給機構120。
在電漿蝕刻裝置30中，從處理氣體供給機構120被供給之含氯氣體，被供給至噴淋框體111內，從其下面之氣體吐出孔112a朝腔室104內吐出，進行基板S之含Al金屬膜之蝕刻或腔室104之乾洗淨。作為含氯氣體，以氯(Cl2)氣體為佳，但是亦可以使用三氯化硼(BCl3)氣體、四氯化碳(CCl4)氣體等。
在天線容器103內配設有高頻(RF)天線113。高頻天線113係將由銅或鋁等之良導電性之金屬所構成之天線113a配置成環狀或旋渦狀等之以往所使用之任意形狀而被構成。即使為具有複數天線部之多重天線亦可。該高頻天線113係藉由由絕緣構件所構成之間隔物117而與介電體壁102間隔開。
在天線113a之端子118連接有朝天線容器103之上方延伸的供電構件116。在供電構件116之上端，連接有供電線119，在供電線119連接有匹配器114及高頻電源115。而且，藉由從高頻電源115對高頻天線113供給頻率例如13.56MHz之高頻電力，在腔室104內形成感應電場，藉由該感應電場，從噴淋框體111所供給之處理氣體被電漿化，生成感應耦合電漿。
在腔室104內之底壁，隔著構成框緣狀之由絕緣性所構成之間隔物134，設置有載置基板G之基板載置台130。基板載置台130具有被設置在上述之間隔物134上之基材131、被設置在基材131上之靜電夾具132，和覆蓋基材131及靜電夾具132之側壁的側壁絕緣構件133。基材131及靜電夾具132構成與基板S之形狀對應的矩形狀，基板載置台130之全體形成四角板狀或柱狀。間隔物134及側壁絕緣構件133係由氧化鋁等之絕緣性陶瓷所構成。
靜電夾具132具有被形成在基材131之表面的由陶瓷熔射膜所構成之介電體層145，和被設置在介電體層145之內部的吸附電極146。吸附電極146可以取得板狀、膜狀、格子狀、網狀等之各種型態。在吸附電極146經由供電線147連接有直流電源148，在吸附電極146被施加直流電壓。對吸附電極146之供電成為以開關(無圖示)而被接通斷開。藉由對吸附電極146施加直流電壓，產生庫倫力或強生拉貝克力等之靜電吸附力，基板S被吸附。
靜電夾具132之介電體層145以混合熔射膜所構成。混合熔射膜係熔射氧化鋁(Al2O3)和氧化釔(Y2O3)和矽化合物之混合物而形成者。因Y2O3材質上電漿耐性高，再者，Al2O3相對於含氯氣體其化學性耐性高，並且矽化合物具有成為玻璃質掩埋Y2O3及Al2O3之晶界而予以緻密化的作用，故混合熔射膜相對於Cl2氣體等之含氯氣體之電漿具有高的耐性。作為混合熔射膜，以使用氧化矽(SiO2)以作為矽化合物的Al2O3、Y2O3、SiO2膜為佳。
再者，亦可以適合使用採用氮化矽(Si3N4)以作為矽化合物的Al2O3、Y2O3、SiO2、Si3N4膜。靜電夾具132之吸附電極146係自以往所使用之鎢(W)或鉬(Mo)所構成。該些相對於含氯氣體之電漿的耐性高。
在基材131，經由供電線151連接有偏壓施加用之高頻電源153。再者，在供電線151之基材131和高頻電源153之間設置有匹配器152。高頻電源153係用以將離子拉入至基材131上之基板S者，使用50kHz~10MHz之範圍的頻率，例如3.2MHz。
另外，在基板載置台130之基材131內，設置有用以控制基板S之溫度的調溫機構及溫度感測器(任一者皆無圖示)。再者，在基板載置台130載置基板S之狀態，設置有對基板S和基板載置台130之間用以熱傳遞之導熱氣體，例如供給He氣體之導熱氣體供給機構(無圖示)。而且，在基板載置台130，以能夠對靜電夾具132之 上面突陷之方式，設置有用以進行基板S之收授的複數之升降銷(無圖示)，基板S之收授係對從靜電夾具132之上面突出至上方之狀態的升降銷進行。
在腔室之側壁104a，設置有用以對腔室104搬入搬出基板S之搬入搬出口155，搬入搬出口155成為藉由閘閥G能夠開關。藉由開啟閘閥G，基板S能夠依據被設置在真空搬運室10內之真空搬運機構70而經由搬入搬出口155進行搬入搬出。
在腔室104之底壁之緣部或角部形成有複數之排氣口159(僅兩個圖示)，在各排氣口159設置有排氣部160。排氣部160具有被連接於排氣口159之排氣配管161，和藉由調整排氣配管161之開口度，控制腔室104內之壓力的自動壓力控制閥(APC)162，和用以經排氣配管161使腔室104內予以排氣之真空泵163。而且，藉由真空泵163使腔室104內排氣，在電漿蝕刻處理中，調整自動壓力控制閥(APC)162之開口度而將腔室104內設定、維持在特定之真空氛圍。
後處理裝置40係在蝕刻基板S之含Al金屬膜之後，用以進行用以抑制腐蝕之後處理者。後處理裝置40如圖4所示般，具有供給與電漿蝕刻裝置30不同之氣體的處理氣體供給機構120’以取代處理氣體供給機構120。在圖4中雖然省略除此以外之構成，但是被構成與電漿蝕刻裝置30相同。另外，在以下之說明中，對與電漿蝕刻裝置30相同之構件賦予相同符號予以說明。
後處理裝置40之處理氣體供給機構120’具有氣體供給管121’、在本體容器101之上方外側，從氣體供給管121’分歧之分歧管121a’、121b’、121c’，和被連接於分歧管121a’之供給O2氣體之O2氣體供給源124，和被連接於分歧管121b’之供給含氟氣體之含氟氣體供給源125，和被連接於分歧管121c’之供給作為沖洗氣體或稀釋氣體之Ar氣體、N2氣體等之惰性氣體的惰性氣體供給源126。氣體供給管121’與電漿蝕刻裝置30之氣體供給管121相同，被連接於噴淋框體111之氣體流路112(參照圖3)。在分歧管121a’、121b’、121c’設置有質量流量控制器等之流量控制器或閥系統。
在後處理裝置40中，從處理氣體供給機構120’被供給之O2氣體，或是O2氣體和含氟氣體經由噴淋框體111而被吐出至腔室104內，進行基板S之蝕刻後之含Al金屬膜之腐蝕抑制處理。作為含氟氣體，雖可以適合使用四氟化碳(CF4)，但是亦可以使用六氟化硫(SF6)等。
另外，在後處理裝置40中，因靜電夾具132之介電體層145不被要求含氯氣體之對電漿的耐性，故可以與以往相同以由Al2O3或Y2O3所構成之熔射膜構成介電體層145。再者，後處理裝置40由於僅進行腐蝕抑制處理，故即使不設置靜電夾具132亦可。
處理系統100進一步具有控制部80。控制部80係由具備CPU及記憶部之電腦所構成，處理系統100之各構成部(真空搬運室10、裝載鎖定室20、電漿蝕刻裝置 30、後處理裝置40、搬運機構60、真空搬運機構70之各構成部)被控制成根據被記憶於記憶部之處理配方(程式)而進行特定處理。處理配方被儲存於硬碟、光碟、半導體記憶體等之記憶媒體。
(與第1實施型態有關之電漿處理方法)
接著，針對與藉由以上之處理系統100之第1實施型態有關之電漿處理方法，參照圖5之流程圖而予以說明。
在此，藉由處理系統100，進行用以形成被形成在基板S之源極電極8a及汲極電極8b之含Al金屬膜亦即Ti/Al/Ti膜之電漿蝕刻處理。
最初，在電漿蝕刻裝置30之電漿蝕刻處理中，選定處理氣體，以使被生成之反應生成物成為能夠乾洗淨者(步驟1)。
具體而言，在本實施型態中，作為處理氣體，選定含氯氣體，例如Cl2氣體。在使用含氯氣體而電漿蝕刻Ti/Al/Ti膜之情況，如圖6所示般，主要生成AlClx以作為反應生成物，雖然該些之一部分附著於腔室壁而成為堆積物(附著物)，但是AlClx蒸氣壓高，能夠以乾洗淨除去。
另外，如以往般，以Cl2氣體蝕刻Ti/Al/Ti膜之後，在相同的腔室內進行腐蝕抑制之後處理之情況，如圖7所示般，當供給作為後處理氣體之O2氣體進行電漿處理之時，附著之AlClx和O2氣體反應而在腔室內生成蒸氣壓 低之AlOx，再者，為了進一步提高腐蝕抑制效果，當除了O2氣體外，又供給含氟氣體，例如CF4氣體時，在腔室內除了AlOx外，仍然也生成蒸氣壓低之AlFx。該些AlOx及AlFx因蒸氣壓低，故不揮發，附著於腔室壁而容易成為堆積物(附著物)。而且，當此剝落時，成為微粒之原因，對製品造成壞影響。再者，該些因穩定性高，故在乾洗淨中難以除去。
於是，在本實施型態中，在腔室內，生成能夠乾洗淨之AlClx以作為反應生成物，以不會生成成為微粒之原因，且在乾洗淨中難以除去的AlOx及AlFx之方式，將在電漿蝕刻裝置30中之基板S之處理氣體，僅設為蝕刻氣體亦即含氯氣體(Cl2氣體)。
如此一來於選定電漿蝕刻之時之處理氣體之後，對被形成在基板S之含Al金屬膜亦即Ti/Al/Ti膜，藉由電漿蝕刻裝置30，使用事先被選定之處理氣體亦即含氯氣體，例如Cl2氣體施予電漿蝕刻處理(步驟2)。
以下，針對步驟2之電漿蝕刻處理，具體性予以說明。
從載體50藉由搬運機構60，取出基板S，搬運至裝載鎖定室20，真空搬運室10內之真空搬運機構70從裝載鎖定室20接取基板S而搬運至電漿蝕刻裝置30。
在電漿蝕刻裝置30中，首先，藉由真空泵163將腔室104內調整成適合於真空搬運室10之壓力，開放閘閥G將基板S從搬入搬出口155藉由真空搬運機構70搬入至 腔室104內，使基板S載置於基板載置台130上。於使真空搬運機構70從腔室104退避之後，關閉閘閥G。
在該狀態，藉由自動壓力控制閥(APC)162，將腔室104內之壓力調整成特定真空度，同時從處理氣體供給機構120經由噴淋框體111，將作為處理氣體之蝕刻氣體亦即含氯氣體，例如Cl2氣體供給至腔室104內。除了含氯氣體之外，即使供給Ar氣體等之惰性氣體以作為稀釋氣體亦可。
此時，基板S藉由靜電夾具132被吸附，藉由調溫機構(無圖示)被調溫。
接著，從高頻電源115對高頻天線113施加例如13.56MHz之高頻，藉此經介電體壁102在腔室104內形成均勻之感應電場。藉由如此所形成之感應電場，生成含氯氣體之電漿。藉由如此被生成之高密度之感應耦合電漿，蝕刻基板S之含Al金屬膜亦即Ti/Al/Ti膜。
此時，在電漿蝕刻裝置30中，如上述般生成AlClx以作為反應生成物，其一部分附著於腔室104內之壁部等。另外，幾乎不生成AlOx及AlFx。
接著，對電漿蝕刻後之基板S之含Al金屬膜亦即Ti/Al/Ti膜，藉由後處理裝置40，使用O2氣體，或是O2氣體及含氟氣體，例如CF4氣體，進行腐蝕抑制用之後處理(步驟3)。
以下，針對步驟3之後處理，具體性予以說明。
藉由真空搬運機構70，從電漿蝕刻裝置30取出蝕刻處理後之基板S，搬運至後處理裝置40。
在後處理裝置40中，與電漿蝕刻裝置30相同，將基板S搬入至腔室104內，使載置於基板載置台130上，將腔室104內之壓力調整成特定真空度之同時，從處理氣體供給機構120’經由噴淋框體111，朝腔室104內供給O2氣體，或是O2氣體和含氟氣體，例如CF4氣體以作為後處理氣體。除了該些外，即使供給Ar等之惰性氣體以作為稀釋氣體亦可。
而且，與電漿蝕刻裝置30相同，藉由感應電場，生成後處理氣體亦即O2氣體，或O2氣體和含氟氣體的電漿，藉由如此被生成之感應耦合電漿，進行被蝕刻之含Al金屬膜亦即Ti/Al/Ti膜之腐蝕抑制處理。
此時，在後處理裝置40中，因不進行蝕刻處理，故反應生成物之產生量少。
藉由真空搬運機構70，從後處理裝置40之腔室104取出在後處理裝置40進行後處理之後的基板S，搬運至裝載鎖定室20，藉由搬運機構60返回至載體50。
將上述般之電漿蝕刻處理(步驟2)及後處理(步驟3)進行一次或兩次以上之特定次數之後，進行電漿蝕刻裝置30之腔室104內之乾洗淨處理(步驟4)。
乾洗淨係在基板載置台130上不載置基板S之狀態，對腔室104內，與電漿蝕刻之時的蝕刻氣體相同，供給含氯氣體例如Cl2氣體，以作為乾洗淨氣體，藉由與 電漿蝕刻之時相同之感應耦合電漿而進行。
藉由該乾洗淨，可以除去附著於電漿蝕刻裝置30之腔室104的AlClx。即是，電漿蝕刻裝置30中，因不進行以往般之O2氣體，或是O2氣體和含氟氣體所致腐蝕抑制處理，故以反應生成物而言，不生成藉由乾洗淨難以除去之AlOx及AlFx，成為能夠乾洗淨。
再者，於乾洗淨之時，因在基板載置台130上不載置基板S，而在靜電夾具132不存在基板S，故乾洗淨氣體亦即含氯氣體之電漿直接作用於靜電夾具132。
以往，因電漿蝕刻裝置不進行乾洗淨，故不使靜電夾具載置基板S之狀態下，不進行電漿處理，靜電夾具之介電體層以Y2O3或Al2O3之熔射膜就足夠。但是，證實在乾洗淨之時，若含氯氣體之電漿直接作用，在介電體層為Y2O3或Al2O3之熔射膜中，會造成損傷，有壽命變短之虞。為了解決該問題，雖然考慮於乾洗淨之時，在基板載置台130上載置虛設基板亦即素玻璃之狀態下進行乾洗淨，但是在此情況下，產生對電漿蝕刻裝置30搬入/搬出素玻璃之工程，生產性下降。
於是，在本實施型態中，作為靜電夾具132之介電體層145，使用熔射Al2O3和Y2O3和矽化合物之混合物而形成的混合熔射膜。因Y2O3材質上電漿耐性高，再者，Al2O3相對於含氯氣體其化學性耐性高，並且矽化合物具有成為玻璃質掩埋Y2O3及Al2O3之晶界而予以緻密化的作用，故混合熔射膜相對於Cl2氣體等之含氯氣體之電漿具 有高的耐性，於乾洗淨之時，不載置素玻璃，可以保持期待之壽命。
如上述般，作為混合熔射膜，以Al2O3、Y2O3、SiO2膜為佳。再者，也可以適合使用Al2O3、Y2O3、SiO2、Si3N4膜。靜電夾具132之吸附電極146藉由使用自以往所使用之鎢(W)或鉬(Mo)，顯示對含氯氣體之電漿高的耐性。
實際上，針對Al2O3和混合熔射膜(Al2O3、Y2O3、SiO2)，比較相對於含氯氣體亦即Cl2氣體之電漿的切削量。其結果，確認出將混合熔射膜之切削量當作1而予以規格化之切削量，在Al2O3成為9，混合熔射膜相對於含氯氣體之電漿具有高的耐性。
如此一來，在進行電漿蝕刻處理(步驟2)及後處理(步驟3)特定次數之後，當重覆進行乾洗淨(步驟4)之循環時，附著於電漿蝕刻裝置30之腔室104內之堆積物(附著物)開始產生剝離。因此，於重複如此循環特定次數之後，開放腔室104而進行腔室洗淨(步驟5)。腔室洗淨係藉由以酒精擦拭堆積物，或以特殊藥液洗淨等來進行。
如上述般在本實施型態中，在電漿蝕刻裝置30的蝕刻處理中，以被生成之反應生成物成為能夠乾洗淨者之方式，將處理基板S之處理氣體，僅設為蝕刻氣體亦即含氯氣體例如Cl2氣體，在個別設置的後處理裝置40進行以往在蝕刻後在相同的腔室內進行的腐蝕抑制用之O2氣 體，或是O2氣體和含氟氣體所致的電漿處理。因此，於電漿蝕刻處理之時，不產生蒸氣壓低之AlOx及AlFx，在腔室產生之堆積物(附著物)僅成為蒸氣壓高的AlClx。因此，比起以往，腔室內之堆積物(附著物)本身減少，同時腔室內之堆積物(附著物)能夠藉由乾洗淨除去，可以明顯地增長開放腔室而進行的腔室洗淨之週期，即是維修週期。
再者，因在電漿蝕刻裝置30中之靜電夾具132之介電體層145，相對於乾洗淨之時的含氯電漿具有耐性，故即使進行乾洗淨亦可以確保靜電夾具之壽命。
〔第2實施型態〕
接著，針對第2實施型態予以說明。
在本實施型態中，以例說明形成圖1所示之基板S之閘極電極6或遮光層2之時的Mo系材料膜之蝕刻處理。另外，於用以形成閘極電極6或遮光層2之Mo系材料膜之蝕刻時，在其上方形成具有特定圖案之抗蝕劑膜(無圖示)，將此予以遮罩而進行電漿蝕刻。
(用於第2實施型態之處理系統及電漿蝕刻裝置等之裝置構成)
首先，針對用於第2實施型態之處理系統及電漿蝕刻裝置等之裝置構成予以說明。
圖8為表示用以實施本實施型態之處理方法之處理系 統的概略俯視圖，圖9為表示被搭載於圖8之處理系統的電漿蝕刻裝置的剖面圖。
如圖8所示般，處理系統200係被構成基本上與圖2之處理系統100相同之多腔室型之處理系統。本實施型態之處理系統200具有兩個電漿蝕刻裝置30，和設置有三個電漿蝕刻裝置90，以取代後處理裝置40，另外具有與圖2之處理系統100相同之構成。因其他構成與圖2相同，賦予相同符號省略說明。
電漿蝕刻裝置90係用以蝕刻基板S之Mo系材料膜者，如圖9所示般，設置處理氣體供給機構220以取代處理氣體供給機構120，設置有靜電夾具232以取代靜電夾具132之外，具有與圖3之電漿蝕刻裝置30相同之構成。因此，對與圖3相同者賦予相同符號而省略說明。
處理氣體供給機構220具有氣體供給管221、在本體容器101之上方外側從氣體供給管221分歧之分歧管221a、221b、被連接於分歧管221a之供給含氟氣體亦即SF6氣體之SF6氣體供給源222、被連接於分歧管221b之供給Ar氣體、N2氣體等之惰性氣體以作為沖洗氣體或稀釋氣體之惰性氣體供給源223。氣體供給管221與圖3之電漿蝕刻裝置30之氣體供給管121相同，被連接於噴淋框體111之氣體流路112。含氟氣體當作蝕刻氣體及乾洗淨氣體被使用。另外，除SF6氣體之外，亦可以使用CF4或NF3以作為含氟氣體。
靜電夾具232具有被形成在基材131之表面的 由陶瓷熔射膜所構成之介電體層245，和被設置在介電體層245之內部的吸附電極246。吸附電極246可以取得板狀、膜狀、格子狀、網狀等之各種型態。在吸附電極246經由供電線147連接有直流電源148，在吸附電極246被施加直流電壓。對吸附電極246之供電成為以開關(無圖示)而被接通斷開。藉由對吸附電極246施加直流電壓，產生庫倫力或強生拉貝克力等之靜電吸附力，基板S被吸附。
靜電夾具232之介電體層245係以熔射氧化鋁(Al2O3)和氧化釔(Y2O3)和矽化合物之混合物而形成的混合熔射膜，或Y2O3所構成。再者，靜電夾具232之吸附電極246係以鋁(Al)所構成。構成介電體層245之氧化鋁(Al2O3)和氧化釔(Y2O3)和矽化合物之混合物，及Y2O3，以及構成吸附電極246之Al相對於氟系氣體亦即SF6之電漿具有高的耐性。
(與第2實施型態有關之電漿處理方法)
接著，針對與藉由以上之處理系統200之第2實施型態有關之電漿處理方法，參照圖10之流程圖而予以說明。
在此，藉由處理系統200，進行被形成在基板S之Mo系材料膜，例如Mo膜或MoW膜之電漿蝕刻處理。
最初，在電漿蝕刻裝置90之蝕刻處理中，選定處理氣體，以使被生成之反應生成物成為能夠乾洗淨者(步驟11)。
具體而言，在本實施型態中，作為處理氣體，選定含氟氣體亦即SF6氣體。在使用SF6氣體而電漿蝕刻Mo膜或MoW膜般之Mo系材料膜之情況，如圖11所示般，主要生成MoFx以作為反應生成物，雖然該些之一部分附著於腔室壁而成為堆積物(附著物)，但是MoFx蒸氣壓高，能夠以乾洗淨除去。
另外，如以往般，使用SF6氣體和O2氣體蝕刻Mo系材料膜之情況，如圖12所示般，作為反應生成物，除MoFx之外，也生成MoFxOy或MoOx。該些中，MoOx因蒸氣壓低，故不揮發，附著於腔室壁而容易成為堆積物(附著物)。而且，當堆積物亦即MoOx剝落時，成為微粒之原因，對製品造成壞影響。再者，MoOx因穩定性高，故在乾洗淨中難以除去。
於是，在本實施型態中，在腔室內，生成能夠乾洗淨之MoFx以作為反應生成物，以不會生成成為微粒之原因，且在乾洗淨中難以除去的MoOx之方式，將在電漿蝕刻裝置90中之基板S之處理氣體，僅設為含氟氣體亦即SF6氣體。
如此一來於選定電漿蝕刻之時之處理氣體之後，對被形成在基板S之Mo材料膜，藉由電漿蝕刻裝置90，使用事先被選定之處理氣體亦即SF6氣體施予電漿蝕刻處理(步驟12)。
以下，針對步驟12之電漿蝕刻處理，具體性予以說明。
從載體50藉由搬運機構60，取出基板S，搬運至裝載鎖定室20，真空搬運室10內之真空搬運機構70從裝載鎖定室20接取基板S而搬運至電漿蝕刻裝置90。
在電漿蝕刻裝置90中，於將腔室104內調整成適合於真空搬運室10之壓力之後，開放閘閥G將基板S從搬入搬出口155藉由真空搬運機構70搬入至腔室104內，使基板S載置於基板載置台130上。於使真空搬運機構70從腔室104退避之後，關閉閘閥G。
在該狀態，藉由自動壓力控制閥(APC)162，將腔室104內之壓力調整成特定真空度，同時從處理氣體供給機構220經由噴淋框體111，將作為處理氣體之含氟氣體亦即SF6氣體供給至腔室104內。除了SF6氣體之外，即使供給Ar氣體等之惰性氣體以作為稀釋氣體亦可。
此時，基板S藉由靜電夾具232被吸附，藉由調溫機構(無圖示)被調溫。
接著，從高頻電源115對高頻天線113施加例如13.56MHz之高頻，藉此經介電體壁102在腔室104內形成均勻之感應電場。藉由如此所形成之感應電場，生成含氟氣體亦即SF6氣體之電漿。藉由如此被生成之高密度之感應耦合電漿，基板S之Mo系材料膜被蝕刻。
此時，在電漿蝕刻裝置90中，如上述般生成MoFx以作為反應生成物，附著於腔室104內之壁部等。另外，幾乎不生成MoOx。
在以電漿蝕刻裝置90進行步驟12之電漿蝕刻 處理之後，藉由真空搬運機構70取出基板S，搬運至裝載鎖定室20，藉由搬運機構60返回至載體50。
將上述般之步驟12的電漿蝕刻處理進行一次或兩次以上之特定次數之後，進行電漿蝕刻裝置90之腔室104內之乾洗淨處理(步驟13)。
乾洗淨係在基板載置台130上不載置基板S之狀態，對腔室104內，與電漿蝕刻之時的蝕刻氣體相同，供給含氟氣體亦即SF6氣體，以作為乾洗淨氣體，藉由與電漿蝕刻之時相同之感應耦合電漿而進行。
藉由該乾洗淨，可以除去附著於電漿蝕刻裝置90之腔室104的MoFx。即是，在電漿蝕刻裝置90中，因作為蝕刻氣體不含以往使用的O2氣體，故作為反應生成物，不生成藉由乾洗淨難除去之MoOx而成為能夠乾洗淨。
再者，於乾洗淨之時，因在基板載置台130上不載置基板S，而在靜電夾具232不存在基板S，故乾洗淨氣體亦即SF6氣體之電漿直接作用於靜電夾具232。
以往，因電漿蝕刻裝置不進行乾洗淨，故不使靜電夾具載置基板S之狀態下，不進行電漿處理，作為靜電夾具，以使用Y2O3或Al2O3之熔射膜當作介電體層，作為吸附電極，以使用W或Mo就足夠。但是，即使於乾洗淨之時，含氟氣體亦即SF6氣體電漿直接作用於靜電夾具，介電體層亦即Y2O3或Al2O3之熔射膜亦具有耐性，但是證實了當熔射膜之封孔處理材藉由電漿被除去，電漿及 含氟氣體到達至吸附面時，有在吸附電極為W或Mo會造成損傷，靜電夾具之壽命變短之虞。為了解決該問題，雖然考慮於乾洗淨之時，在基板載置台130上載置虛設基板亦即素玻璃之狀態下進行乾洗淨，但是在此情況下，產生對電漿蝕刻裝置90搬入/搬出素玻璃之工程，生產性下降。
於是，在本實施型態中，作為靜電夾具232之吸附電極246，使用Al。因Al較W或Mo對含氟氣體亦即SF6氣體之電漿的耐性高，故於乾洗淨之時，不載置素玻璃，可以保持期待之壽命。
再者，因熔射氧化鋁(Al2O3)和氧化釔(Y2O3)和矽化合物之混合物而形成的混合熔射膜，及Y2O3相對於含氟氣體亦即SF6氣體之電漿的耐性高，故除了使用Al作為吸附電極246之外，藉由使用混合熔射膜或Y2O3作為介電體層245，可以更提高對SF6氣體之電漿的耐性。
實際上，作為吸附電極之材料，針對W、Mo、Al，比較相對於含氟氣體亦即SF6氣體之電漿的切削量。其結果，確認出將Al之切削量以1而予以規格化之切削量，在W及Mo也成為10，Al相對於含氟氣體亦即SF6之電漿具有高的耐性。再者，作為介電體層之材料，針對Al2O3和Y2O3和混合熔射膜(Al2O3、Y2O3、SiO2)，比較相對於含氟氣體亦即SF6氣體之電漿的切削量。其結果，確認出將混合熔射膜之切削量當作1而予以規格化的切削量，在Al2O3成為3，在Y2O3成為1，混合熔射膜及Y2O3相 對於含氟氣體亦即SF6之電漿具有高的耐性。
如此一來，在進行電漿蝕刻處理(步驟12)特定次數之後，當重覆進行乾洗淨(步驟13)之循環時，附著於電漿蝕刻裝置90之腔室104內之堆積物(附著物)開始產生剝離。因此，於重複如此循環特定次數之後，開放腔室104而進行腔室洗淨(步驟14)。腔室洗淨係藉由以酒精擦拭堆積物，或以特殊藥液洗淨等來進行。
如上述般在本實施型態中，在電漿蝕刻裝置90的蝕刻處理中，以被生成之反應生成物成為能夠乾洗淨者之方式，將蝕刻基板S之氣體僅設為含氟氣體亦即SF6氣體，成為不用使用以往與SF6氣體同時使用的O2氣體。因此，於電漿蝕刻處理之時，不產生蒸氣壓低之MoOx，在腔室產生之堆積物(附著物)僅成為蒸氣壓高的MoFx。因此，比起以往，腔室內之堆積物(附著物)本身減少，同時腔室內之堆積物(附著物)能夠藉由乾洗淨除去，可以明顯地增長開放腔室而進行的腔室洗淨之週期，即是維修週期。
再者，因構成電漿蝕刻裝置90中之靜電夾具232之吸附電極246之Al，相對於乾洗淨之時的含氟氣體亦即SF6氣體之電漿具有耐性，故即使進行乾洗淨亦可以確保靜電夾具之壽命。再者，作為靜電夾具232之介電體層245，使用混合熔射膜或Y2O3，依此可以更提高相對於含氟氣體亦即SF6氣體之電漿的耐性。
〔其他之適用〕
另外，本發明並限定於上述實施型態，能夠在本發明之思想的範圍內做各種變形。例如，在上述實施型態中，雖然針對適用於用以形成TFT之源極電極及汲極電極之含Al金屬膜之蝕刻，及用以形成遮光膜或閘極電極之Mo系材料膜之蝕刻的例予以說明，但是並不限定於此，在電漿蝕刻裝置之電漿蝕刻處理中，若可以使用被生成之反應生成物成為能夠乾洗淨者的處理氣體即可。
再者，在上述實施型態中，雖然表示使用與電漿蝕刻之時之蝕刻氣體相同者，以作為洗淨氣體，但是洗淨氣體即使為與蝕刻氣體不同者亦可。
而且，在上述實施型態中，雖表示使用感應耦合電漿蝕刻裝置以作為電漿蝕刻裝置之例，但是並不限定於此，即使為電容耦合電漿蝕刻裝置或微波電漿蝕刻裝置等之其他電漿蝕刻裝置亦可。

Claims (26)

  1. 一種電漿蝕刻裝置，其係藉由電漿蝕刻裝置對被形成在基板之特定膜進行電漿蝕刻，該電漿蝕刻方法之特徵在於具有：在電漿蝕刻裝置之電漿蝕刻處理中，選定處理氣體，以使被生成之反應生成物成為能夠乾洗淨者之工程；在上述電漿蝕刻裝置中，對上述特定膜，使用事先選定之處理氣體而進行電漿蝕刻處理之工程；及將進行上述電漿蝕刻處理之工程進行一次或兩次以上之特定次數之後，藉由乾洗淨氣體之電漿，將上述電漿蝕刻裝置之腔室內予以乾洗淨的工程。
  2. 如請求項1所記載之電漿蝕刻方法，其中作為上述乾洗淨之時的上述乾洗淨氣體，使用與上述電漿蝕刻之時所使用之上述處理氣體相同的氣體。
  3. 如請求項1或2所記載之電漿蝕刻方法，其中上述特定膜為含Al金屬膜，上述處理氣體為含氯，上述反應生成物為AlClx，進一步具有在上述電漿蝕刻裝置進行上述電漿蝕刻之後，將處理後之基板搬運至被個別設置之後處理裝置，使用O2氣體，或是O2氣體及含氟氣體，而進行腐蝕抑制用之後處理的工程， 上述乾洗淨工程係於將進行上述電漿蝕刻處理之工程及進行上述後處理之工程進行一次或兩次以上的特定次數之後進行。
  4. 如請求項3所記載之電漿蝕刻方法，其中上述處理氣體之上述含氯氣體為Cl2氣體。
  5. 如請求項3所記載之電漿蝕刻方法，其中上述含Al金屬膜係用以形成薄膜電漿體之源極電極及汲極電極的Ti/Al/Ti膜。
  6. 如請求項1或2所記載之電漿蝕刻方法，其中上述特定膜為Mo系材料膜，上述處理氣體為含氟氣體，上述反應生成物為MoFx。
  7. 如請求項6所記載之電漿蝕刻方法，其中上述處理氣體之上述含氟氣體為SF6氣體。
  8. 如請求項6所記載之電漿蝕刻方法，其中上述Mo系材料膜為用以形成薄膜電晶體之閘極電極或遮光膜之Mo膜或MoW膜。
  9. 一種電漿蝕刻裝置，其係對被形成在基板之特定膜施予電漿蝕刻處理，其電漿蝕刻裝置之特徵在於具有： 處理容器，其係收容基板；基板載置台，其係在上述處理容器內載置基板；氣體供給機構，其係對上述處理容器內供給蝕刻氣體及乾洗淨氣體；排氣機構，其係將上述處理容器內予以排氣；及電漿生成機構，其係在上述處理容器內生成上述蝕刻氣體及上述乾洗淨氣體之電漿，上述基板載置台具有基材、被設置在上述基材上，且具有由陶瓷熔射膜所構成之介電體層及被設置在上述介電體層之內部的吸附電極的靜電夾具，上述乾洗淨氣體為含氯氣體，上述靜電夾具之上述介電體層為熔射氧化鋁和氧化釔和矽化合物的混合物而所形成的混合熔射膜。
  10. 如請求項9所記載之電漿蝕刻裝置，其中構成上述靜電夾具之上述介電體層的混合熔射膜使用氧化矽或氮化矽以作為矽化合物。
  11. 如請求項9或10所記載之電漿蝕刻裝置，其中上述靜電夾具之上述吸附電極係由鎢或鉬所構成。
  12. 如請求項9或10所記載之電漿蝕刻裝置，其中上述乾洗淨氣體為Cl2氣體。
  13. 如請求項9或10所記載之電漿蝕刻裝置，其中作為上述蝕刻氣體，使用與上述乾洗淨氣體相同的氣體。
  14. 一種電漿蝕刻裝置，其係對被形成在基板之特定膜施予電漿蝕刻處理，其電漿蝕刻裝置之特徵在於具有：處理容器，其係收容基板；基板載置台，其係在上述處理容器內載置基板；氣體供給機構，其係對上述處理容器內供給蝕刻氣體及乾洗淨氣體；排氣機構，其係將上述處理容器內予以排氣；及電漿生成機構，其係在上述處理容器內生成上述蝕刻氣體及上述乾洗淨氣體之電漿，上述基板載置台具有基材、被設置在上述基材上，且具有由陶瓷熔射膜所構成之介電體層及被設置在上述介電體層之內部的吸附電極的靜電夾具，上述乾洗淨氣體為含氟氣體，上述吸附電極係由鋁所構成。
  15. 如請求項14所記載之電漿蝕刻裝置，其中上述靜電夾具之上述介電體層係由熔射氧化鋁和氧化釔和矽化合物的混合物而所形成的混合熔射膜，或由氧化釔所構成。
  16. 如請求項14或15所記載之電漿蝕刻裝置，其中上述乾洗淨氣體為SF6氣體。
  17. 如請求項14或15所記載之電漿蝕刻裝置，其中作為蝕刻氣體，使用與上述乾洗淨氣體相同的氣體。
  18. 一種基板載置台，其係於對被形成在基板之特定膜，在處理容器內藉由蝕刻氣體進行電漿蝕刻，並且藉由乾洗淨氣體之電漿，將上述處理容器內予以乾洗淨的電漿蝕刻裝置中，在上述處理容器內載置基板，該基板載置台之特徵在於具有：基材；和靜電夾具，其被設置在上述基材上，且具有由陶瓷熔射膜所構成之介電體層及被設置在上述介電體層之內部的吸附電極，上述乾洗淨氣體為含氯氣體，上述靜電夾具之上述介電體層為熔射氧化鋁和氧化釔和矽化合物的混合物而所形成的混合熔射膜。
  19. 如請求項18所記載之基板載置台，其中上述靜電夾具之上述介電體層係使用氧化矽或氮化矽以作為矽化合物。
  20. 如請求項18或19所記載之基板載置台，其中 上述靜電夾具之上述吸附電極係由鎢或鉬所構成。
  21. 如請求項18或19所記載之基板載置台，其中上述乾洗淨氣體為Cl2氣體。
  22. 如請求項18或19所記載之基板載置台，其中作為上述蝕刻氣體，使用與上述乾洗淨氣體相同的氣體。
  23. 一種基板載置台，其係於對被形成在基板之特定膜，在處理容器內藉由蝕刻氣體進行電漿蝕刻，並且藉由乾洗淨氣體之電漿，將上述處理容器內予以乾洗淨的電漿蝕刻裝置中，在上述處理容器內載置基板，該基板載置台之特徵在於具有：基材；和靜電夾具，其被設置在上述基材上，且具有由陶瓷熔射膜所構成之介電體層及被設置在上述介電體層之內部的吸附電極，上述乾洗淨氣體為含氟氣體，上述靜電夾具之上述吸附電極係由鋁所構成。
  24. 如請求項23所記載之基板載置台，上述靜電夾具之上述介電體層係由熔射氧化鋁和氧化釔和矽化合物的混合物而所形成的混合熔射膜，或由氧化釔所構成。
  25. 如請求項23或24所記載之基板載置台，其中上述乾洗淨氣體為SF6氣體。
  26. 如請求項23或24所記載之基板載置台，其中作為上述蝕刻氣體，使用與上述乾洗淨氣體相同的氣體。
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