CN108417491A - 一种减少铝腐蚀的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种减少铝腐蚀的方法，应用于铝刻蚀制程工艺，其中，提供多个晶圆装载装置，每个晶圆装载装置设置有一可开启或闭合的隔离门；提供一铝刻蚀设备，每个晶圆装载装置用以装载多片晶圆，以等待铝刻蚀设备从晶圆装载装置中加载晶圆进行铝刻蚀制程工艺；包括以下步骤：将每个等待的晶圆装置的隔离门设置为闭合状态，以隔离铝刻蚀设备中的反应气体进入晶圆装载装置中；将当前需要加载晶圆的晶圆装载装置的隔离门设置为开启状态；铝刻蚀设备于开启的晶圆装置中每次加载至少两片晶圆执行铝刻蚀制程工艺。其技术方案的有益效果在于，可减少晶圆在铝刻蚀设备中停留的时间，可有效减少反应气体与晶圆接触的时间，减少晶圆中的铝腐蚀问题。

Description

一种减少铝腐蚀的方法
技术领域
本发明涉及半导体制备技术领域，尤其涉及一种减少铝腐蚀的方法。
背景技术
铝作为半导体芯片最重要的金属互连材料得到了广泛的应用，在铝刻蚀工艺中，由于铝腐蚀而导致的废片问题给生产厂商带来了严重的损失，现有的解决晶圆中的铝金属被腐蚀问题通常采用的是在铝刻蚀工艺之后，对晶圆执行清洗操作时，控制晶圆的等待时间，但是这种方式并不能解决晶圆在刻蚀工艺中存在的铝腐蚀问题。在铝刻蚀制程工艺中，CIS(CMOS Image Sensor是互补金属氧化物半导体图像传感器)晶圆都是按照批次等待进入铝刻蚀设备进行铝刻蚀制程工艺，在未进入铝刻蚀设备之前，等待进入铝刻蚀设备中的晶圆会处于暴露状态，晶圆中的铝垫容易与相关的反应气体反应进而导致铝垫被腐蚀；另一方面进入铝刻蚀设备中的每一批晶圆，在制程过程中现有的铝刻蚀设备每次都是取一片晶圆，这就导致每一批中的晶圆等待制程时间过长，晶圆暴露在反应气体环境中时间过长，同样会造成铝垫被腐蚀。
发明内容
针对现有技术中在铝刻蚀制程工艺中铝腐蚀存在的上述问题，现提供一种旨在对等待刻蚀的晶圆装载装置设置隔离门，通过闭合的隔离门可以减少外部的反应气体与晶圆装载装置中的晶圆反应，以及在铝刻蚀制程过程中每次至少对两片晶圆进行铝刻蚀制程工艺，可减少晶圆在铝刻蚀设备中停留的时间，减少晶圆腐蚀问题的方法。具体技术方案如下：
一种减少铝腐蚀的方法，应用于铝刻蚀制程工艺，其中，提供多个晶圆装载装置，，每个所述晶圆装载装置设置有一可开启或闭合的隔离门；
提供一铝刻蚀设备，每个所述晶圆装载装置用以装载多片晶圆，以等待所述铝刻蚀设备从所述晶圆装载装置中加载所述晶圆进行铝刻蚀制程工艺；
包括以下步骤：
步骤S1、将每个等待的所述晶圆装置的所述隔离门设置为闭合状态，以隔离所述铝刻蚀设备中的反应气体进入所述晶圆装载装置中；
步骤S2、将当前需要加载所述晶圆的所述晶圆装载装置的所述隔离门设置为开启状态；
步骤S3、所述铝刻蚀设备于开启的所述晶圆装置中每次加载至少两片所述晶圆执行铝刻蚀制程工艺。
优选的，所述晶圆装载装置为晶舟盒。
优选的，所述铝刻蚀设备提供至少两个反应腔体，每个所述反应腔体用以对加载的所述晶圆进行所述铝刻蚀制程工艺。
优选的，每个所述反应腔体中用以通入所述反应气体以对所述晶圆进行所述铝刻蚀制程工艺。
优选的，所述反应气体为氯气。
优选的，每片所述晶圆中均设置有铝垫结构。
优选的，提供一清洗设备，所述清洗设备用以对完成所述铝刻蚀制程工艺的所述晶圆执行清洗工艺。
优选的，所述清洗设备通过湿法清洗工艺对完成所述铝刻蚀制程工艺的所述晶圆执行清洗操作。
优选的，所述晶舟盒由石英材质制成。
上述技术方案具有如下优点或有益效果：一方面对等待刻蚀的晶圆装载装置设置隔离门，通过闭合的隔离门可以减少外部的反应气体与晶圆装载装置中的晶圆反应，另一方面在铝刻蚀制程过程中每次至少对两片晶圆进行铝刻蚀制程工艺，可减少晶圆在铝刻蚀设备中停留的时间，可有效减少反应气体与晶圆接触的时间，减少晶圆中的铝腐蚀问题。
附图说明
参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。
图1为本发明一种减少铝腐蚀的方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
本发明的技术方案中包括一种减少铝腐蚀的方法。
一种减少铝腐蚀的方法的实施例，应用于铝刻蚀制程工艺，其中，提供多个晶圆装载装置，，每个晶圆装载装置设置有一可开启或闭合的隔离门；
提供一铝刻蚀设备，每个晶圆装载装置用以装载多片晶圆，以等待铝刻蚀设备从晶圆装载装置中加载晶圆进行铝刻蚀制程；
如图1所示，包括以下步骤：
步骤S1、将每个等待的晶圆装置的隔离门设置为闭合状态，以隔离铝刻蚀设备中的反应气体进入晶圆装载装置中；
步骤S2、将当前需要加载晶圆的晶圆装载装置的隔离门设置为开启状态；
步骤S3、铝刻蚀设备于开启的晶圆装置中每次加载至少两片晶圆执行铝刻蚀制程工艺。
针对现有技术中，在解决晶圆的铝腐蚀问题上，主要是通过清洗设备对完成铝刻蚀制程工艺之后的晶圆进行清洗，通过控制等待清洗晶圆的等待时间来减少铝腐蚀，但是无法解决晶圆在铝刻蚀制程工艺中存在的铝腐蚀问题。
本发明中，主要是在铝刻蚀制程工艺中，从两个方面来解决铝腐蚀问题，第一方面，在晶圆装载装置中装载有多片晶圆，晶圆装载装置通过装载晶圆以送入铝刻蚀设备进行铝刻蚀制程工艺，晶圆装载装置中的晶圆未执行制程时，均处于等待状态，将处于等待状态的晶圆装载装置的隔离门设置为闭合状态，从而可以减少外部的反应气体与晶圆装载装置中的晶圆接触，对晶圆中的铝金属造成腐蚀；
另一方面，在进行铝刻蚀制程工艺时，将当前需要进行制程的晶圆装载装置的隔离门设置为开启状态，然后从晶圆装载装置中每次取两片晶圆执行铝刻蚀制程工艺，有效的减少了晶圆装置装载中的晶圆的等待制程时间，克服了现有技术中，每次取一片晶圆造成每一批晶圆等待制程时间耗时较长的问题，因为晶圆在铝刻蚀设备中等待的时间越长，其导致铝腐蚀程度月严重。
在一种较优的实施方式中，晶圆装载装置为晶舟盒。
在一种较优的实施方式中，晶舟盒由石英材质制成。
在一种较优的实施方式中，铝刻蚀设备提供至少两个反应腔体，每个反应腔体用以对加载的晶圆进行铝刻蚀制程工艺。
上述技术方案中，通过两个反应腔体，依次从晶圆装载装置中取出一片晶圆进行交互制程，从而可以有效的减少晶圆装载装置中的晶圆的等待制程时间，可有效的减少铝腐蚀的程度。
在一种较优的实施方式中，每个反应腔体中用以通入反应气体以对晶圆进行铝刻蚀制程工艺。
在一种较优的实施方式中，反应气体为氯气。
在一种较优的实施方式中，每片晶圆中均设置有铝垫结构。
在一种较优的实施方式中，提供一清洗设备，清洗设备用以对完成铝刻蚀制程工艺的晶圆执行清洗工艺。
在一种较优的实施方式中，清洗设备通过湿法清洗工艺对完成铝刻蚀制程工艺的晶圆执行清洗操作。
上述技术方案中，通过清洗设备采用湿法清洗工艺可以进一步的去除晶圆上生成的污染物，避免污染物对晶圆上的铝金属造成再次污染。
上述技术方案中，一方面对等待刻蚀的晶圆装载装置设置隔离门，通过闭合的隔离门可以减少外部的反应气体与晶圆装载装置中的晶圆反应，另一方面在铝刻蚀制程过程中每次至少对两片晶圆进行铝刻蚀制程工艺，可减少晶圆在铝刻蚀设备中停留的时间，可有效减少反应气体与晶圆接触的时间，减少晶圆中的铝腐蚀问题。
以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。

Claims (9)

1.一种减少铝腐蚀的方法，应用于铝刻蚀制程工艺，其特征在于，提供多个晶圆装载装置，每个所述晶圆装载装置设置有一可开启或闭合的隔离门；
提供一铝刻蚀设备，每个所述晶圆装载装置用以装载多片晶圆，以等待所述铝刻蚀设备从所述晶圆装载装置中加载所述晶圆进行铝刻蚀制程工艺；
包括以下步骤：
步骤S1、将每个等待的所述晶圆装置的所述隔离门设置为闭合状态，以隔离所述铝刻蚀设备中的反应气体进入所述晶圆装载装置中；
步骤S2、将当前需要加载所述晶圆的所述晶圆装载装置的所述隔离门设置为开启状态；
步骤S3、所述铝刻蚀设备于开启的所述晶圆装置中每次加载至少两片所述晶圆执行铝刻蚀制程工艺。
2.根据权利要求1所述的减少铝腐蚀的方法，其特征在于，所述晶圆装载装置为晶舟盒。
3.根据权利要求1所述的减少铝腐蚀的方法，其特征在于，所述铝刻蚀设备提供至少两个反应腔体，每个所述反应腔体用以对加载的所述晶圆进行所述铝刻蚀制程工艺。
4.根据权利要求3所述的减少铝腐蚀的方法，其特征在于，每个所述反应腔体中用以通入所述反应气体以对所述晶圆进行所述铝刻蚀制程工艺。
5.根据权利要求1所述的减少铝腐蚀的方法，其特征在于，所述反应气体为氯气。
6.根据权利要求1所述的减少铝腐蚀的方法，其特征在于，每片所述晶圆中均设置有铝垫结构。
7.根据权利要求1所述的减少铝腐蚀的方法，其特征在于，提供一清洗设备，所述清洗设备用以对完成所述铝刻蚀制程工艺的所述晶圆执行清洗工艺。
8.根据权利要求7所述的减少铝腐蚀的方法，其特征在于，所述清洗设备通过湿法清洗工艺对完成所述铝刻蚀制程工艺的所述晶圆执行清洗操作。
9.根据权利要求2所述的减少铝腐蚀的方法，其特征在于，所述晶舟盒由石英材质制成。
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