CN104716072B - 一种阵列基板剥离系统及其剥离方法 - Google Patents

一种阵列基板剥离系统及其剥离方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板剥离系统及其剥离方法，系统依次包括传送单元、返工单元、光刻胶剥离单元、清洗单元、干燥单元、传出单元和除氯单元，阵列基板通过传送装置依次进入各单元中，除氯单元设置于光刻胶剥离单元与清洗单元之间，除氯单元内设有用于清除Al腐蚀的碱性化学液。剥离方法包括：Ti‑Al‑Ti阵列基板刻蚀后将其运送至光刻胶剥离单元进行光刻胶的剥离；光刻胶剥离完成后，将阵列基板运送至除氯单元进行除氯；除氯后的阵列基板经清洗单元将其表面上的碱性溶液清除干净；经干燥单元处理后由传出单元将阵列基板排出。本发明可减少Ti‑Al‑Ti的表面损伤，另外可一定程度上缩短Ti‑Al‑Ti干刻的时间。

Description

一种阵列基板剥离系统及其剥离方法
技术领域
本发明涉及一种阵列基板剥离系统及其剥离方法，尤其涉及一种去除Al腐蚀的剥离装置及剥离方法。
背景技术
目前平板显示器等电子工业生产线中广泛采用干刻蚀模式，其中干法刻蚀Ti-Al-Ti工艺均采用Cl2作为刻蚀气体，刻蚀后须进行CF4+O2处理，目的是为了防止残留在Al表面的Cl原子与空气中的水汽结合后产生的HCl腐蚀Al。但因具有轰击作用，利用CF4+O2处理时，带入的F会对Ti-Al-Ti的线宽造成影响；同时会使此次处理Ti-Al-Ti的刻蚀时间增加。本发明提供了一个新的去除Al腐蚀的剥离装置及有效防止Al腐蚀的阵列基板的制造方法。
中国专利文献CN200410102628.9中公开了一种铁器文物脱氯方法，包括碱性溶液中加入清洗剂和胺类缓蚀剂制备成碱性复配脱氯清洗液，在该溶液中恒电位条件下对铁器文物进行阴极极化脱氯，提供了一种快速、有效、脱氯较彻底且更有利于文物保存、延长文物寿命的脱氯方法。该方案需要增加电解脱氯工序，工艺较为复杂。
中国专利文献CN201080001518.7公开了一种用于所有的LCD的制造工艺的光致抗蚀剂剥离组合物，为一种弱碱性复合物的水性结合的光致抗蚀剂剥离组合物。防止Al和Cu金属线在LCD的制造过程中的腐蚀，并应用于所有的Al工艺、Cu工艺、有机膜工艺和COA工艺。该方案中的光致刻蚀剂无法直接用于干刻工艺。
发明内容
为了解决现有技术的问题，本发明提供了一种阵列基板剥离系统及其剥离方法，剥离系统及其剥离方法可有效避免干刻Al工艺中发生Al腐蚀，工艺简便，且可以减少Ti-Al-Ti的表面损伤，在一定程度上缩短了Ti-Al-Ti干刻的时间。
所述技术方案如下：
一方面，本发明提供了一种阵列基板剥离系统，所述系统依次包括传送单元、返工单元（Rework单元）、光刻胶剥离单元、清洗单元、干燥单元和传出单元，基板通过传送装置依次进入各单元中，所述系统还包括一除氯单元，所述除氯单元设置于所述的光刻胶剥离单元与清洗单元之间，所述除氯单元内设有用于清除Al腐蚀的碱性化学液。
优选地，所述光刻胶剥离单元包括第一剥离槽和第二剥离槽，所述第一剥离槽与所述第二剥离槽相串接。
所述的清洗单元为水清洗槽。
所述的清洗单元还包括气刀清洗装置，其置于所述水清洗槽与第二剥离槽之间，用于清除阵列基板表面残留的碱性溶液。
所述的碱性化学液为NH4OH溶液或KOH溶液，其PH值为7～8。
所述传送装置为辊杠传送装置。
另一方面，本发明还提供了一种阵列基板剥离方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤一：Ti-Al-Ti阵列基板刻蚀后将其运送至光刻胶剥离单元进行光刻胶的剥离；
步骤二：光刻胶剥离完成后，将阵列基板运送至除氯单元，通过除氯单元中的碱性化学溶液与Ti-Al-Ti表面的Cl原子发生反应进行去除；
步骤三：除氯后的阵列基板经清洗单元将其表面上的碱性溶液清除干净；
步骤四：经干燥单元处理后由传出单元将阵列基板排出。
所述步骤一中的将阵列基板通过传送装置运送至光刻胶剥离单元进行光刻胶剥离，其具体方法是：将阵列基板运送至第一剥离单元中进行一次光刻胶剥离，剥离掉85-95%的光刻胶；对经第一次光刻胶剥离后的阵列基板运送至第二剥离单元，并进行第二次光刻胶的剥离，将剩余的光刻胶完全剥离掉。
所述步骤三中的除氯后的阵列基板经清洗单元将其表面上的碱性溶液清除干净，其具体方法是：将除氯后的阵列基板首先经气刀清洗装置将阵列基板表面残留的碱性溶液进行清洗，清洗后的阵列基板再进入水清洗槽中进行水洗。
所述步骤二中的碱性溶液以喷洒的方式作用于阵列基板上，溶液的喷洒压力：0.3mPa～0.6mPa；喷洒流量：100lpm～250lpm；喷洒温度：40℃～60℃。
本发明所提供的技术方案带来的有益效果是：
本发明通过在Stripper（剥离）机台中增加一个腔室，此腔室设置有可以去除Ti-Al-Ti表面Cl原子的碱性化学液喷洒装置。此剥离和脱氯方法没有依照常规方法引入F，可以减少Ti-Al-Ti的表面损伤，可一定程度上缩短Ti-Al-Ti干刻的时间，采用传统干刻工艺需要耗时210～240s之间，在相同工艺条件下，使用本发明所提供的工艺可以减少10-20s。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明所提供的剥离系统结构示意图。
其中各附图标记代表如下：1-传送单元；2-返工单元；3-第一剥离槽；4-第二剥离槽；5-除氯单元；6-清洗单元；7-干燥单元；8-传出单元
图2是去除Al腐蚀的AMOLED阵列基板制造方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
如图1所示，本发明提供了一种阵列基板剥离系统，所述系统依次包括传送单元、返工单元、光刻胶剥离单元、清洗单元、干燥单元和传出单元，阵列基板通过传送装置依次进入各单元中，在系统中还包括一除氯单元，除氯单元设置于光刻胶剥离单元与清洗单元之间，除氯单元内设有用于清除Al腐蚀的碱性化学液。
其中的光刻胶剥离单元包括第一剥离槽和第二剥离槽，第一剥离槽与第二剥离槽相串接。
其中的清洗单元为一水清洗槽。
在清洗单元中还设有一气刀清洗装置，其置于水清洗槽与第二剥离槽之间，用于清除阵列基板表面残留的碱性溶液。这里的气动清洗装置为现有技术，可采用DMS、KC-teck、FNS等剥离设备厂商制造的气刀。通常气刀是剥离设备的一个部件，随设备一起购入，气刀型号要匹配设备型号而定，而设备的型号通常是与阵列基板的大小相关。
其中的碱性化学液为NH4OH溶液或KOH溶液，其PH值为7～8。也可以为其它碱性溶液，这里就不再赘述。
传送装置采用辊杠传送装置。
如图2所示，本发明还提供了一种阵列基板剥离方法，具体包括以下步骤：
步骤一：Ti-Al-Ti阵列基板刻蚀后将其运送至光刻胶剥离单元进行光刻胶的剥离；其具体方法是：将阵列基板运送至第一剥离单元中进行一次光刻胶剥离，剥离掉85-95%的光刻胶；对经第一次光刻胶剥离后的阵列基板运送至第二剥离单元，并进行第二次光刻胶的剥离，将剩余的光刻胶完全剥离掉。
步骤二：光刻胶剥离完成后，将阵列基板运送至除氯单元，通过除氯单元中的碱性化学溶液与Ti-Al-Ti表面的Cl原子发生反应进行去除；碱性溶液以喷洒的方式作用于阵列基板上，溶液的喷洒压力：0.3mPa～0.6mPa；喷洒流量：100lpm～250lpm；喷洒温度：40℃～60℃。
步骤三：除氯后的阵列基板经清洗单元将其表面上的碱性溶液清除干净，其具体方法是：将除氯后的阵列基板首先经气刀清洗装置将阵列基板表面残留的碱性溶液进行清洗，清洗后的阵列基板再进入水清洗槽中进行水洗，直至将阵列基板完全清洗干净为止。
步骤四：经干燥单元处理后由传出单元将阵列基板排出。
本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种阵列基板剥离系统，所述系统依次包括传送单元、返工单元、光刻胶剥离单元、清洗单元、干燥单元和传出单元，阵列基板通过传送装置依次进入各单元中，其特征在于，所述系统还包括一除氯单元，所述除氯单元设置于所述的光刻胶剥离单元与清洗单元之间，所述除氯单元内设有用于清除Al腐蚀的碱性化学液；所述碱性化学液以喷洒的方式作用于所述阵列基板上，且所述碱性化学液的喷洒压力为0.3mPa～0.6mPa，喷洒流量为100lpm～250lpm，喷洒温度为40℃～60℃。
2.根据权利要求1所述的阵列基板剥离系统，其特征在于，所述光刻胶剥离单元包括第一剥离槽和第二剥离槽，所述第一剥离槽与所述第二剥离槽相串接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板剥离系统，其特征在于，所述的清洗单元为水清洗槽。
4.根据权利要求3所述的阵列基板剥离系统，其特征在于，所述的清洗单元还包括气刀清洗装置，其置于所述水清洗槽与第二剥离槽之间，用于清除阵列基板表面残留的碱性溶液。
5.根据权利要求1所述的阵列基板剥离系统，其特征在于，所述的碱性化学液为NH4OH溶液或KOH溶液，其PH值为7～8。
6.根据权利要求1所述的阵列基板剥离系统，其特征在于，所述传送装置为辊杠传送装置。
7.一种阵列基板剥离方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤一：Ti-Al-Ti阵列基板刻蚀后将其运送至光刻胶剥离单元进行光刻胶的剥离；
步骤二：光刻胶剥离完成后，将阵列基板运送至除氯单元，通过除氯单元中的碱性化学溶液与Ti-Al-Ti表面的Cl原子发生反应进行去除；所述碱性溶液以喷洒的方式作用于阵列基板上，溶液的喷洒压力：0.3mPa～0.6mPa；喷洒流量：100lpm～250lpm；喷洒温度：40℃～60℃；
步骤三：除氯后的阵列基板经清洗单元将其表面上的碱性溶液清除干净；
步骤四：经干燥单元处理后由传出单元将阵列基板排出。
8.根据权利要求7所述的阵列基板剥离方法，其特征在于，所述步骤一中的将阵列基板通过传送装置运送至光刻胶剥离单元进行光刻胶剥离，其具体方法是：将阵列基板运送至第一剥离单元中进行一次光刻胶剥离，剥离掉85-95％的光刻胶；对经第一次光刻胶剥离后的阵列基板运送至第二剥离单元，并进行第二次光刻胶的剥离，将剩余的光刻胶完全剥离掉。
9.根据权利要求7所述的阵列基板剥离方法，其特征在于，所述步骤三中的除氯后的阵列基板经清洗单元将其表面上的碱性溶液清除干净，其具体方法是：将除氯后的阵列基板首先经气刀清洗装置将阵列基板表面残留的碱性溶液进行清洗，清洗后的阵列基板再进入水清洗槽中进行水洗。
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