JP2011214078A - メタルマスク及びメタルマスクの洗浄方法 - Google Patents
メタルマスク及びメタルマスクの洗浄方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011214078A JP2011214078A JP2010083514A JP2010083514A JP2011214078A JP 2011214078 A JP2011214078 A JP 2011214078A JP 2010083514 A JP2010083514 A JP 2010083514A JP 2010083514 A JP2010083514 A JP 2010083514A JP 2011214078 A JP2011214078 A JP 2011214078A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal mask
- weight
- aqueous solution
- sodium
- sodium silicate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 70
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000005406 washing Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 claims abstract description 19
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- CDMADVZSLOHIFP-UHFFFAOYSA-N disodium;3,7-dioxido-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3,5,7-tetraborabicyclo[3.3.1]nonane;decahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.[Na+].[Na+].O1B([O-])OB2OB([O-])OB1O2 CDMADVZSLOHIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 claims abstract description 10
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 claims abstract description 9
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 16
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】安価かつ簡易な方法で洗浄することができ、付着していた蒸着物の回収を容易に行うことができるメタルマスクを提供する。また、該メタルマスクの洗浄方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の表面に親水性コーティングが施されたメタルマスクであって、前記親水性コーティングは、ケイ酸ナトリウムを5〜40重量%、四ホウ酸ナトリウム十水和物を0.01〜1.5重量%含有する水溶液A、又は、ケイ酸ナトリウムを5〜40重量%、リン酸ナトリウムを0.01〜1.6重量%含有する水溶液Bをメタルマスクの少なくとも一方の表面に塗布した後、乾燥させるものであるメタルマスク。
【選択図】なし
【解決手段】少なくとも一方の表面に親水性コーティングが施されたメタルマスクであって、前記親水性コーティングは、ケイ酸ナトリウムを5〜40重量%、四ホウ酸ナトリウム十水和物を0.01〜1.5重量%含有する水溶液A、又は、ケイ酸ナトリウムを5〜40重量%、リン酸ナトリウムを0.01〜1.6重量%含有する水溶液Bをメタルマスクの少なくとも一方の表面に塗布した後、乾燥させるものであるメタルマスク。
【選択図】なし
Description
本発明は、安価かつ簡易な方法で洗浄することができ、付着していた蒸着物の回収を容易に行うことができるメタルマスクに関する。また、本発明は、該メタルマスクの洗浄方法に関する。
有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子ともいう)は、互いに対向する一対の電極間に有機材料層が挟持された積層体構造を有し、この有機材料層に一方の電極から電子が注入されるとともに他方の電極から正孔が注入されることにより有機材料層内で電子と正孔とが結合して発光する。このように有機EL素子は自己発光を行うことから、バックライトを必要とする液晶表示素子等と比較して視認性がよく、薄型化が可能であり、しかも直流低電圧駆動が可能であるという利点を有しており、次世代ディスプレイとして着目されている。
有機EL素子を製造工程において、有機材料は、通常、真空蒸着により基板上にパターニングされる。真空蒸着によるパターニングを行うためには、形成するパターンに対応する形状の開口部を有するメタルマスクが用いられるが、メタルマスクを継続して使用した場合、メタルマスクに有機材料が堆積し、開口部が狭くなること等により、パターニングの精度が低下することがあるという問題があった。そのため、有機EL素子の製造に使用したメタルマスクは定期的に洗浄する必要があった。
メタルマスクを洗浄する方法として、例えば、特許文献1には超臨界又は亜臨界流体を用いる方法が開示されており、特許文献2及び特許文献3には有機溶剤を用いる方法が開示されている。しかしながら、特許文献1に開示されている方法は、高圧ポンプや圧力容器といった大掛かりな設備を必要とし、特許文献2及び特許文献3に開示されている方法は、環境負荷や、有機材料の回収が煩雑であるという問題があった。
本発明は、安価かつ簡易な方法で洗浄することができ、付着していた蒸着物の回収を容易に行うことができるメタルマスクを提供することを目的とする。また、本発明は、該メタルマスクの洗浄方法を提供することを目的とする。
本発明は、少なくとも一方の表面に親水性コーティングが施されたメタルマスクであって、前記親水性コーティングは、ケイ酸ナトリウムを5〜40重量%、四ホウ酸ナトリウム十水和物を0.01〜1.5重量%含有する水溶液A、又は、ケイ酸ナトリウムを5〜40重量%、リン酸ナトリウムを0.01〜1.6重量%含有する水溶液Bをメタルマスクの少なくとも一方の表面に塗布した後、乾燥させるものであるメタルマスクである。
以下に本発明を詳述する。
以下に本発明を詳述する。
本発明者らは、蒸着工程前に、特定の材料を用いてメタルマスクの表面に親水性を有するコーティング膜を形成することにより、蒸着工程でメタルマスクに付着した蒸着物を水のみによる洗浄で取り除くことができ、更に、取り除かれた蒸着物を容易に回収することができることを見出し、本発明を完成させるに至った。
本発明のメタルマスクは、少なくとも一方の表面に親水性コーティングが施されたメタルマスクである。
上記メタルマスクの材料は特に限定されないが、例えば、SUS、ニッケル、鉄−ニッケル合金等、公知のメタルマスクに用いられている材料を用いることができる。
上記メタルマスクの材料は特に限定されないが、例えば、SUS、ニッケル、鉄−ニッケル合金等、公知のメタルマスクに用いられている材料を用いることができる。
上記親水性コーティングは、ケイ酸ナトリウム及び四ホウ酸ナトリウム十水和物を含有する水溶液A、又は、ケイ酸ナトリウム及びリン酸ナトリウムを含有する水溶液Bをメタルマスクの少なくとも一方の表面に塗布した後、乾燥させるものである。
上記水溶液A及び上記水溶液Bは、上記メタルマスクに対する親水性のコーティング剤としての役割を有する。
上記水溶液A及び上記水溶液Bは、上記メタルマスクに対する親水性のコーティング剤としての役割を有する。
上記水溶液A中のケイ酸ナトリウムの含有量の下限は5重量%、上限は40重量%である。上記水溶液A中のケイ酸ナトリウムの含有量が5重量%未満であると、メタルマスクに親水性を充分に付与することができず、水による洗浄で蒸着物を剥離することが困難となる。上記水溶液A中のケイ酸ナトリウムの含有量が40重量%を超えると、乾燥後、メタルマスクの表面に白濁した硝子が析出するようになり、蒸着物が固着して剥離することが困難となる。
上記水溶液A中のケイ酸ナトリウムの含有量の好ましい下限は8重量%、好ましい上限は30重量%であり、より好ましい下限は10重量%、より好ましい上限は25重量%である。
上記水溶液A中のケイ酸ナトリウムの含有量の好ましい下限は8重量%、好ましい上限は30重量%であり、より好ましい下限は10重量%、より好ましい上限は25重量%である。
上記水溶液A中の四ホウ酸ナトリウム十水和物の含有量の下限は0.01重量%、上限は1.5重量%である。上記水溶液A中の四ホウ酸ナトリウム十水和物の含有量が0.01重量%未満であると、コーティング時のレベリング性が低いものとなる。上記水溶液A中の四ホウ酸ナトリウム十水和物の含有量が1.5重量%を超えてもレベリング性能に変化は無く、メタルマスクに親水性を充分に付与することもできなくなる。上記水溶液A中の四ホウ酸ナトリウム十水和物の含有量の好ましい下限は0.02重量%、好ましい上限は0.5重量%であり、より好ましい下限は0.05重量%、より好ましい上限は0.15重量%である。
上記水溶液B中のケイ酸ナトリウムの含有量の下限は5重量%、上限は40重量%である。上記水溶液B中のケイ酸ナトリウムの含有量が5重量%未満であると、メタルマスクに親水性を充分に付与することができず、水による洗浄で蒸着物を剥離することが困難となる。上記水溶液B中のケイ酸ナトリウムの含有量が40重量%を超えると、乾燥後、メタルマスクの表面に白濁した硝子が析出するようになり、蒸着物が固着して剥離することが困難となる。上記水溶液B中のケイ酸ナトリウムの含有量の好ましい下限は8重量%、好ましい上限は30重量%であり、より好ましい下限は10重量%、より好ましい上限は25重量%である。
上記水溶液B中のリン酸ナトリウムの含有量の下限は0.01重量%、上限は1.6重量%である。上記水溶液B中のリン酸ナトリウムの含有量が0.01重量%未満であると、コーティング時のレベリング性が低いものとなる。上記水溶液B中のリン酸ナトリウムの含有量が1.6重量%を超えてもレベリング性能に変化は無く、メタルマスクに親水性を充分に付与することもできなくなる。上記水溶液B中のリン酸ナトリウムの含有量の好ましい下限は0.02重量%、好ましい上限は0.5重量%であり、より好ましい下限は0.03重量%、より好ましい上限は0.16重量%である。
上記メタルマスクに、上記水溶液A又は上記水溶液Bを塗布する方法は特に限定されず、例えば、ハケ塗り、ディップコート、スプレーコート、ロール転写等が挙げられる。
上記水溶液A又は上記水溶液Bを塗布したメタルマスクを乾燥させる温度は特に限定されないが、好ましい上限は80℃である。上記メタルマスクを乾燥させる温度が80℃を超えると、コーティング膜が強固に固着し、蒸着物を洗浄する際に剥離しにくくなることがある。上記メタルマスクを乾燥させる際の温度のより好ましい上限は60℃である。
上記メタルマスクに上記水溶液A又は上記水溶液Bを塗布した後、乾燥させることにより、上記水溶液A又は上記水溶液Bが脱水縮合して上記メタルマスクの表面にコーティング膜が形成される。このようにして形成されたコーティング膜は、メタルマスクを構成する金属基材に対して良好な密着性を有し、かつ、多数のシラノール基を有するため非常に高い親水性を有する。親水性のコーティング剤としては、他に、酸化チタンコーティング剤や、シロキサン系のコーティング剤等が挙げられるが、酸化チタンコーティング剤は、紫外線照射を必要とし、シロキサン系のコーティング剤は、形成したコーティング膜が熱に弱いという欠点がある。また、上記水溶液A又は上記水溶液Bは非常に安価に調製することができる。
蒸着工程におけるマスクとして用いたことにより蒸着物の付着した上記メタルマスクを洗浄する方法であって、水で洗浄することにより上記メタルマスクから上記蒸着物を剥離する工程と、上記剥離した蒸着物を回収する工程とを有するメタルマスクの洗浄方法もまた、本発明の1つである。
本発明のメタルマスクの洗浄方法は、上記水で洗浄することにより上記メタルマスクから上記蒸着物を剥離する工程を有する。
上記メタルマスクから上記蒸着物を剥離する方法は特に限定されず、上記メタルマスクに水を流してもよいし、上記メタルマスクを水に浸けてもよい。上述したように、水溶液A又は上記水溶液Bによって上記メタルマスクの表面に形成したコーティング膜は非常に高い親水性を有するため、蒸着物の付着した上記メタルマスクと水が接触すると、上記メタルマスクと上記メタルマスクに付着した蒸着物の間に水が入り込み、蒸着物を遊離させることができる。
上記水で洗浄することにより上記メタルマスクから上記蒸着物を剥離する際、蒸着物の遊離を促進させることができるため、超音波を印加することが好ましい。
蒸着物を剥離した後、フィルター濾過等によって分離し、乾燥させることで、再度メタルマスクを蒸着工程に用いることができる。
上記メタルマスクから上記蒸着物を剥離する方法は特に限定されず、上記メタルマスクに水を流してもよいし、上記メタルマスクを水に浸けてもよい。上述したように、水溶液A又は上記水溶液Bによって上記メタルマスクの表面に形成したコーティング膜は非常に高い親水性を有するため、蒸着物の付着した上記メタルマスクと水が接触すると、上記メタルマスクと上記メタルマスクに付着した蒸着物の間に水が入り込み、蒸着物を遊離させることができる。
上記水で洗浄することにより上記メタルマスクから上記蒸着物を剥離する際、蒸着物の遊離を促進させることができるため、超音波を印加することが好ましい。
蒸着物を剥離した後、フィルター濾過等によって分離し、乾燥させることで、再度メタルマスクを蒸着工程に用いることができる。
本発明のメタルマスクの洗浄方法は、上記剥離した蒸着物を回収する工程を有する。
有機EL素子に用いられる有機材料等の蒸着物は水に対して不溶であるため、上述したように水を用いてメタルマスクから剥離すると、粉状又は小片状となって遊離する。そのため、遊離した蒸着物は、沈殿法、多段浄化槽を用いた方法、フィルターろ過法等、極めて容易な方法で分離し、回収することができる。
有機EL素子に用いられる有機材料等の蒸着物は水に対して不溶であるため、上述したように水を用いてメタルマスクから剥離すると、粉状又は小片状となって遊離する。そのため、遊離した蒸着物は、沈殿法、多段浄化槽を用いた方法、フィルターろ過法等、極めて容易な方法で分離し、回収することができる。
本発明のメタルマスクの洗浄方法は、蒸着工程の他、スパッタリング等の他の成膜プロセスにて用いた上記メタルマスクにも同様に適用することができる。
本発明によれば、安価かつ簡易な方法で洗浄することができ、付着していた蒸着物の回収を容易に行うことができるメタルマスクを提供することができる。また、本発明によれば、該メタルマスクの洗浄方法を提供することができる。
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。
(実施例1)
水85重量部と、ケイ酸ナトリウム14.9重量部と、四ホウ酸ナトリウム十水和物0.1重量部とを混合、攪拌し、コーティング液を作製した。得られたコーティング液をSUS板の片面全体にハケ塗りし、60℃で10分乾燥させ、表面にコーティング膜を形成したSUS板を得た。表面にコーティング膜を形成したSUS板上に真空蒸着機にて蒸着物として銅フタロシアニン(CuPc)を付着させた。次いで、蒸着物を付着させたSUS板を水に浸漬した。目視にて観察し、浸漬してから2分以内にSUS板から該蒸着物を剥離できた場合を「◎」、2分を超え5分以内に剥離できた場合を「○」、5分を超え10分以内に剥離できた場合を「△」、10分を超えてもSUS板から該蒸着物を剥離できなかった場合を「×」として洗浄性を評価した。結果を表1に示す。
水85重量部と、ケイ酸ナトリウム14.9重量部と、四ホウ酸ナトリウム十水和物0.1重量部とを混合、攪拌し、コーティング液を作製した。得られたコーティング液をSUS板の片面全体にハケ塗りし、60℃で10分乾燥させ、表面にコーティング膜を形成したSUS板を得た。表面にコーティング膜を形成したSUS板上に真空蒸着機にて蒸着物として銅フタロシアニン(CuPc)を付着させた。次いで、蒸着物を付着させたSUS板を水に浸漬した。目視にて観察し、浸漬してから2分以内にSUS板から該蒸着物を剥離できた場合を「◎」、2分を超え5分以内に剥離できた場合を「○」、5分を超え10分以内に剥離できた場合を「△」、10分を超えてもSUS板から該蒸着物を剥離できなかった場合を「×」として洗浄性を評価した。結果を表1に示す。
(実施例2〜7)
用いた材料、及び、配合量を表1に示したものとしたこと以外は実施例1と同様にして表面にコーティング膜を形成したSUS板を作製し、該SUS板上にCuPcを付着させて水に浸漬し、洗浄性を評価した。結果を表1に示す。
なお、実施例2はSUS板を水に浸漬させている間、30kHzの超音波を印加した。
用いた材料、及び、配合量を表1に示したものとしたこと以外は実施例1と同様にして表面にコーティング膜を形成したSUS板を作製し、該SUS板上にCuPcを付着させて水に浸漬し、洗浄性を評価した。結果を表1に示す。
なお、実施例2はSUS板を水に浸漬させている間、30kHzの超音波を印加した。
(比較例1)
SUS板の表面にコーティング膜を形成させなかったこと以外は実施例1と同様にしてSUS板上にCuPcを付着させて水に浸漬し、洗浄性を評価した。結果を表2に示す。
SUS板の表面にコーティング膜を形成させなかったこと以外は実施例1と同様にしてSUS板上にCuPcを付着させて水に浸漬し、洗浄性を評価した。結果を表2に示す。
(比較例2、3)
用いた材料、及び、配合量を表2に示したものとしたこと以外は実施例1と同様にして表面にコーティング膜を形成したSUS板を作製し、該SUS板上にCuPcを付着させて水に浸漬し、洗浄性を評価した。結果を表2に示す。
用いた材料、及び、配合量を表2に示したものとしたこと以外は実施例1と同様にして表面にコーティング膜を形成したSUS板を作製し、該SUS板上にCuPcを付着させて水に浸漬し、洗浄性を評価した。結果を表2に示す。
本発明によれば、安価かつ簡易な方法で洗浄することができ、付着していた蒸着物の回収を容易に行うことができるメタルマスクを提供することができる。また、本発明によれば、該メタルマスクの洗浄方法を提供することができる。
Claims (3)
- 少なくとも一方の表面に親水性コーティングが施されたメタルマスクであって、
前記親水性コーティングは、ケイ酸ナトリウムを5〜40重量%、四ホウ酸ナトリウム十水和物を0.01〜1.5重量%含有する水溶液A、又は、ケイ酸ナトリウムを5〜40重量%、リン酸ナトリウムを0.01〜1.6重量%含有する水溶液Bをメタルマスクの少なくとも一方の表面に塗布した後、乾燥させるものである
ことを特徴とするメタルマスク。 - 蒸着工程におけるマスクとして用いたことにより蒸着物の付着したメタルマスクを洗浄する方法であって、
前記メタルマスクは、蒸着工程前に予め、ケイ酸ナトリウムを5〜40重量%、四ホウ酸ナトリウム十水和物を0.01〜1.5重量%含有する水溶液A、又は、ケイ酸ナトリウムを5〜40重量%、リン酸ナトリウムを0.01〜1.6重量%含有する水溶液Bを、少なくとも一方の表面に塗布した後、乾燥させることにより親水性コーティングが施されたものであり、
水で洗浄することにより前記メタルマスクから前記蒸着物を剥離する工程と、前記剥離した蒸着物を回収する工程とを有する
ことを特徴とするメタルマスクの洗浄方法。 - 水で洗浄することによりメタルマスクから蒸着物を剥離する工程において、超音波を印加することを特徴とする請求項2記載のメタルマスクの洗浄方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010083514A JP2011214078A (ja) | 2010-03-31 | 2010-03-31 | メタルマスク及びメタルマスクの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010083514A JP2011214078A (ja) | 2010-03-31 | 2010-03-31 | メタルマスク及びメタルマスクの洗浄方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011214078A true JP2011214078A (ja) | 2011-10-27 |
Family
ID=44944127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010083514A Pending JP2011214078A (ja) | 2010-03-31 | 2010-03-31 | メタルマスク及びメタルマスクの洗浄方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011214078A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016107637A1 (en) * | 2014-12-29 | 2016-07-07 | Applied Materials, Inc. | Masking arrangement for masking a substrate during a deposition process, deposition apparatus for layer deposition on a substrate, and method for cleaning a masking arrangement |
US9637816B2 (en) | 2014-10-17 | 2017-05-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Mask assembly, apparatus for manufacturing display apparatus, and method of manufacturing display apparatus |
JP6387198B1 (ja) * | 2017-04-14 | 2018-09-05 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機el表示装置の製造方法及び製造装置 |
JP2018181852A (ja) * | 2018-05-24 | 2018-11-15 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機el表示装置の製造方法及び製造装置 |
US10590533B2 (en) | 2015-10-28 | 2020-03-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing display apparatus utilizing mask assembly including intermediate layer and self-assembled monolayer |
-
2010
- 2010-03-31 JP JP2010083514A patent/JP2011214078A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9637816B2 (en) | 2014-10-17 | 2017-05-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Mask assembly, apparatus for manufacturing display apparatus, and method of manufacturing display apparatus |
WO2016107637A1 (en) * | 2014-12-29 | 2016-07-07 | Applied Materials, Inc. | Masking arrangement for masking a substrate during a deposition process, deposition apparatus for layer deposition on a substrate, and method for cleaning a masking arrangement |
US10590533B2 (en) | 2015-10-28 | 2020-03-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing display apparatus utilizing mask assembly including intermediate layer and self-assembled monolayer |
JP6387198B1 (ja) * | 2017-04-14 | 2018-09-05 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機el表示装置の製造方法及び製造装置 |
WO2018189906A1 (ja) * | 2017-04-14 | 2018-10-18 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機el表示装置の製造方法及び製造装置 |
US10886468B2 (en) | 2017-04-14 | 2021-01-05 | Sakai Display Products Corporation | Manufacturing method and manufacturing apparatus for organic EL display device |
JP2018181852A (ja) * | 2018-05-24 | 2018-11-15 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機el表示装置の製造方法及び製造装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011214078A (ja) | メタルマスク及びメタルマスクの洗浄方法 | |
CN102592964B (zh) | 一种石墨烯薄膜的衬底转移方法 | |
CN102592973B (zh) | 一种大面积石墨烯的转移方法 | |
TWI470813B (zh) | 薄層太陽能模組利用蝕刻之邊緣剔除方法 | |
CN103406300A (zh) | 用选择性喷涂刻蚀来清洁沉积室零件的方法和设备 | |
CN107068607A (zh) | 基于牺牲层的电极材料转移方法 | |
CN101709452B (zh) | 铝或铝合金溅射靶材的清洗方法 | |
CN103715070B (zh) | 一种带胶磁控溅射厚膜的方法 | |
CN104485279A (zh) | 一种基于金属纳米网格的透明电极及其制备方法 | |
CN109182976B (zh) | 一种蒸镀系统及相应的蒸镀及掩膜板清洗方法 | |
JP5657728B2 (ja) | 表面処理方法 | |
JP6424232B2 (ja) | 非水性流体を用いたエレクトロクロミックフィルムからの粒子除去 | |
CN109534317A (zh) | 一种碳纳米管薄膜的制备方法 | |
CN104007610A (zh) | 掩模版的清洗方法及装置 | |
CN103334079A (zh) | 一种电子器件的镀膜工艺 | |
CN104120389B (zh) | 镀膜设备 | |
CN111453720A (zh) | 一种铜箔为基底的石墨烯转移方法 | |
CN106647183A (zh) | 石墨烯器件的光刻方法 | |
KR101250777B1 (ko) | 금속전극재료가 증착된 마스크 세정용 세정액 및 그를 이용한 세정방법 | |
CN104716072B (zh) | 一种阵列基板剥离系统及其剥离方法 | |
CN101724818B (zh) | 铜或铜合金溅射靶材的清洗方法 | |
CN101502835B (zh) | Mocvd设备内石墨基座的清洗方法 | |
JP4615649B2 (ja) | 半導体成膜装置の洗浄方法及び洗浄装置 | |
CN213388860U (zh) | 一种蒸镀遮罩结构 | |
CN102016101A (zh) | 水反应性a1复合材料、水反应性a1膜、该a1膜的制造方法、及成膜室用构成部件 |