CN110610852A - 一种金属表面残胶的去除方法 - Google Patents

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唐红梅
杨亚峰
王毅
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    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02057Cleaning during device manufacture
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Abstract

一种金属表面残胶的去除方法。涉及一种半导体制造技术分立器件制造技术领域,尤其涉及一种金属表面残胶的去除方法。提供了一种将Ag金属表面的残胶去除干净,同时又不损伤金属表面的一种金属表面残胶的去除方法。本发明中使用98%的浓硫酸来去除Ag表面的残胶。硫酸为强酸,加热情况下,能和几乎所有金属发生化学反应(除了金与铂)。高浓度的硫酸有强烈的吸水性,可用作脱水剂,该处就使用低温的浓硫酸使Ag表面的残胶碳化脱落,从而达到去除的目的。本发明具有方法简便,能将Ag金属表面的残胶去除干净等特点。

Description

一种金属表面残胶的去除方法
技术领域
本发明涉及一种半导体制造技术分立器件制造技术领域,尤其涉及一种金属表面残胶的去除方法。
背景技术
在分立器件制造技术中,常规的金属Ag、Al表面上的光刻胶,使用有机去胶液去胶,有机去胶液为中性或弱碱性化剂,对金属表面影响不大。当出现异常时,如:烘烤时间过长、胶过厚,使用去胶液一次无法去除干净时,再选择有机去胶液二次去胶也无法去除干净。Al金属表面这时可以选择干法去胶,Ag金属这样的残胶无法使用干法去胶,干法去胶使用O2,Ag和O2易氧化生成黑色的氧化银,和金属发生化学反应。
现需要将Ag金属表面的残胶去除干净,同时又不损伤金属。
发明内容
本发明针对以上问题,提供了一种将Ag金属表面的残胶去除干净,同时又不损伤金属表面的一种金属表面残胶的去除方法。
本发明的技术方案是:
1.1)在无尘室内,将常温下浓度为98%的浓硫酸倒入清洗槽中;
1.2)将有残胶的Ag金属产品放置步骤1.1)的清洗槽中进浸泡;
1.3)将步骤1.2)中浸泡后的Ag金属产品取出,放入大量的水中冲洗表面的酸液,祛除表面的残胶。
2、根据权利要求1所述的一种金属表面残胶的去除方法,其特征在于,所述步骤1.2)中浸泡时间为5min。
本发明中使用98%的浓硫酸来去除Ag表面的残胶。硫酸为强酸,加热情况下,能和几乎所有金属发生化学反应(除了金与铂)。高浓度的硫酸有强烈的吸水性,可用作脱水剂,该处就使用低温的浓硫酸使Ag表面的残胶碳化脱落,从而达到去除的目的。本发明具有方法简便,能将Ag金属表面的残胶去除干净等特点。
具体实施方式
本发明一种金属表面残胶的去除方法,
1.1)在无尘室内,将常温下浓度为98%的浓硫酸倒入清洗槽中;
1.2)将有残胶的Ag金属产品放置步骤1.1)的清洗槽中进浸泡;
1.3)将步骤1.2)中浸泡后的Ag金属产品取出,放入大量的水中冲洗表面的酸液,祛除表面的残胶。
所述步骤1.2)中浸泡时间为5min。
本发明的目的:金属Ag表面的残胶,无法去除干净,现使用98%的浓硫酸来去除Ag表面的残胶。硫酸为强酸,加热情况下,能和几乎所有金属发生化学反应(除了金与铂)。高浓度的硫酸有强烈的吸水性,可用作脱水剂,本案就使用常温的浓硫酸使Ag表面的残胶碳化脱落,从而达到去除的目的。
对于本案所公开的内容,还有以下几点需要说明:
(1)、本案所公开的实施例只涉及到与本案所公开实施例所涉及到的结构,其他结构可参考通常设计;
(2)、在不冲突的情况下,本案所公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例;
以上,仅为本案所公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,本案所公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (2)

1.一种金属表面残胶的去除方法,其特征在于,
1.1)在无尘室内,将常温下浓度为98%的浓硫酸倒入清洗槽中;
1.2)将有残胶的Ag金属产品放置步骤1.1)的清洗槽中进浸泡;
1.3)将步骤1.2)中浸泡后的Ag金属产品取出,放入大量的水中冲洗表面的酸液,祛除表面的残胶。
2.根据权利要求1所述的一种金属表面残胶的去除方法,其特征在于,所述步骤1.2)中浸泡时间为5min。
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