CN109950137A - 一种用于处理切割带胶条碎片料处理方法 - Google Patents

一种用于处理切割带胶条碎片料处理方法 Download PDF

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姚翠云
刘明权
路景刚
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Abstract

本发明公开了一种用于处理切割带胶条碎片料处理方法,具体包括以下步骤:(1)将切割时产生的碎片料投放于硫酸中浸泡;(2)采用自备水冲碎片料,并沥干;(3)将沥干的碎片料采用氢氧化钠浸泡;该处理方法简单易行,通过化学方式,有效去除碎片中粘连的胶条,不引入外界杂质,有效提升了硅料纯度,大大提升了碎片处理质量。

Description

一种用于处理切割带胶条碎片料处理方法
技术领域
本发明涉及一种用于处理切割带胶条碎片料处理方法,应用于料理工序硅料清洗岗位,主要用于处理切割片料中含有的胶条成分。
背景技术
多晶硅锭切割前,需要使用胶将硅棒与树脂版粘连,切割过程中会有部分胶被切割粘连到碎片中,一种处理方式为人工分选将胶条选出,这种方式缺点为产出率低,且不能100%分选出,影响多晶硅料纯度,另一种处理方式为使用通过式烧结炉高温煅烧,将胶条高温后粉化,采用自备水将粉末去除,这种方式缺点为烧结电耗高,并且会带来表面氧化层,以及会引入部分金属杂质,影响多晶硅料铸锭质量。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,针对以上现有技术存在的缺点,提出一种用于处理切割带胶条碎片料处理方法,该处理方法简单易行,通过化学方式,有效去除碎片中粘连的胶条,不引入外界杂质,有效提升了硅料纯度,大大提升了碎片处理质量。
本发明解决以上技术问题的技术方案是:
一种用于处理切割带胶条碎片料处理方法,具体包括以下步骤:
(1)将切割时产生的碎片料投放于硫酸浸泡池中浸泡;
(2)将片料取出放置于中转箱中,使用自备水冲洗片料,保持溢流,溢流时间为10-30分钟,取出碎片料,并沥干;
(3)将沥干的碎片料采用10%-20%氢氧化钠清洗,清洗时间为3-4分钟,使用纯水冲洗30秒,放置于混酸液中中和1分钟,取出碎片料放置纯水中漂洗至中性。
本发明进一步限定的技术方案为:
前述用于处理切割带胶条碎片料处理方法中,步骤(1)硫酸为浓度98%的硫酸。
前述用于处理切割带胶条碎片料处理方法中,步骤(1)浸泡时间为24-72h。
前述用于处理切割带胶条碎片料处理方法中,步骤(1)浸泡时常温浸泡。
本发明的有益效果是:
本发明中采用自备水冲碎片料降低酸残留,同时自备水使用方便,随接随用,提高了效率,且不同于现有技术中采用的纯水漂洗,纯水价格高,工序复杂,且需要额外的运输过来使用,增加了工艺的繁琐性;
本发明采用氢氧化钠浸泡可以去除剥离碎片表面一层脏污,本发明通过化学方式,可以有效去除碎片中粘连的胶条,不引入外界杂质,有效提升了硅料纯度,大大提升了碎片处理质量,同时工艺简单,操作方便,效率高。
具体实施方式
实施例1
本发明提供一种用于处理切割带胶条碎片料处理方法,具体包括以下步骤:
(1)将切割时产生的碎片料投放于硫酸浸泡池中常温浸泡,浸泡24-72h,使用的硫酸为浓度98%的硫酸;
(2)将片料取出放置于中转箱中,使用自备水冲洗片料降低酸残留,保持溢流,溢流时间为10-30分钟,取出碎片料,并沥干;
(3)将沥干的碎片料采用10%-20%氢氧化钠清洗去除剥离碎片表面一层脏污,清洗时间为3-4分钟,使用纯水冲洗30秒,放置于混酸液中中和1分钟,取出碎片料放置纯水中漂洗至中性。
采用本发明的处理方法可以有效去除碎片中粘连的胶条,不引入外界杂质,有效提升了硅料纯度,大大提升了碎片处理质量,同时工艺简单,操作方便,效率高。
除上述实施例外,本发明还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案,均落在本发明要求的保护范围。

Claims (4)

1.一种用于处理切割带胶条碎片料处理方法,其特征在于,具体包括以下步骤:
(1)将切割时产生的碎片料投放于硫酸浸泡池中浸泡;
(2)将片料取出放置于中转箱中,使用自备水冲洗片料,保持溢流,溢流时间为10-30分钟,取出碎片料,并沥干;
(3)将沥干的碎片料采用10%-20%氢氧化钠清洗,清洗时间为3-4分钟,使用纯水冲洗30秒,放置于混酸液中中和1分钟,取出碎片料放置纯水中漂洗至中性。
2.根据权利要求1所述的用于处理切割带胶条碎片料处理方法,其特征在于:步骤(1)所述的硫酸为浓度98%的硫酸。
3.根据权利要求1所述的用于处理切割带胶条碎片料处理方法,其特征在于:步骤(1)浸泡时间为24-72h。
4.根据权利要求1所述的用于处理切割带胶条碎片料处理方法,其特征在于:步骤(1)浸泡时常温浸泡。
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