JP2001244239A

JP2001244239A - 半導体製造装置及び堆積物除去方法

Info

Publication number: JP2001244239A
Application number: JP2000050250A
Authority: JP
Inventors: 千温 ▲高▼▲崎▼; Kazuatsu Takasaki
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 2000-02-25
Filing date: 2000-02-25
Publication date: 2001-09-07

Abstract

(57)【要約】【課題】反応室内部のクリーニングプラズマが届きにく
い部位に付着している堆積物に対しても除去効果が大き
く、また高周波電力が印加される電極近傍の部品の損傷
が小さいドライエッチング装置及びドライクリーニング
方法を提供する。【解決手段】反応室１に、半導体基板３１が保持される
下部電極７と、局所的に設けられた局所電極５とを有
し、また、下部電極７が接続された高周波電源１７と、
局所電極５が接続された高周波電源１８とを有してい
る。下部電極７と局所電極５とに、それぞれかつ同時に
高周波電力を印加し、下部電極７近傍のおよび局所電極
５近傍のクリーニングガスをプラズマ状態にし、反応室
１内部に付着した堆積物２１を除去する。また、局所電
極５に印加する高周波電力は、下部電極７に印加する高
周波電力の５分の１から１０分の１の大きさである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板を用い
半導体装置を製造する半導体製造装置及び堆積物除去方
法に関し、特に半導体装置の製造にあたり不必要な膜を
除去するためのドライエッチング装置及びドライエッチ
ング装置内部に生成された堆積物を除去するためのドラ
イクリーニング方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体基板（以下ウエハという）を用い
半導体装置を製造する工程においては、製造中の異物
（パーティクル）を極力排除しなくてはならない。製造
中の半導体装置にこの異物が付着すると、パターン欠陥
が発生し、半導体装置の信頼性が低下したり、歩留りを
低下させる原因の１つになる。異物が発生して製造中
の半導体装置（ウエハ上）に付着する原因は様々である
が、その原因の１つは半導体装置の製造を行う工程中の
製造装置に起因するものである。

【０００３】その製造装置の１つとしてドライエッチン
グ装置がある。このドライエッチング装置は、半導体装
置の製造にあたり、不必要な膜を除去するために、導入
したエッチング用のプロセスガス（反応ガス）に高周波
電力を印加してプラズマを発生させ、プロセスガスを活
性な状態（以下プラズマ状態という）にして膜と反応さ
せて除去（エッチング）するものである。

【０００４】従来のドライエッチング装置（従来例１）
は、図６の構成図で説明される。なお図６に示すドライ
エッチング装置（従来例１）は、平行平板型反応性イオ
ンエッチング装置を示す。図６に示すように、まず、反
応室１内は真空ポンプ２０により排気され、真空状態に
なる。そして、ゲートバルブ３が開閉され、ウエハがウ
エハ搬送用ロボット４により反応室１内に搬送される。
反応室１内に搬送されたウエハ３１は、静電吸着により
静電吸着ステージ１０に吸着・保持される。そして、処
理時のウエハ温度上昇防止のため、冷却用ヘリウムガス
が、下部電極７下方から冷却用ヘリウムガス導入配管１
１を通り、静電吸着ステージ１０に吸着・保持されたウ
エハ３１の裏面へ、一定圧力で供給される。そして、エ
ッチング用のプロセスガス（反応ガス）が、ガス導入配
管１５から上部電極１２に設けられたガス導入孔１３を
通り、反応室１内部に供給される。反応室１内に導入さ
れたプロセスガスは、真空ポンプ２０により圧力制御が
行われる。そして、プロセスガスの圧力が安定した後、
下部電極７に高周波電源１７から導電棒１９を通じて高
周波電力が印加され、プラズマが発生する。このとき、
下部電極７に対向した上部電極１２および反応室内壁１
６は、グランド電位に接続されている。そうすると、プ
ロセスガスが反応性の高いプラズマ状態になり、ウエハ
３１上の膜と反応して膜がエッチング除去される。なお
ここで、下部電極７は絶縁基板８上に設けられている。
そしてまた、発生させたプラズマが安定して保たれるよ
うに、下部電極７の周囲はフォーカスリング９により覆
われており、そして上部電極１２にはシールドリング１
４が固定されている。そして、処理が終了したウエハ３
１は、ゲートバルブ３が開閉され、ウエハ搬送用ロボッ
ト４により反応室１外へ搬送される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のドライ
エッチング装置（従来例１）では、反応室１内部に供給
されたプロセスガスのすべてがウエハ３１上の膜との反
応に寄与するわけではなく、その一部は堆積物となって
ウエハ３１上または反応室１内部の部品などに付着す
る。また、エッチングの進行過程において、反応生成物
が生じるが、プロセスガスと共に反応室１内から排気さ
れる。しかし、反応生成物は蒸気圧が十分に高くはな
い。そのため反応生成物のすべてが排気されるわけでは
なく、その一部はウエハ３１上または反応室１内部の部
品などに堆積物となって付着する。特に、図６の部分拡
大図である図７に示すように、反応室１内部のフォーカ
スリング９、シールドリング１４および反応室内壁１６
などに、堆積物２１となって付着する。

【０００６】この反応室１内部に付着した堆積物２１
は、繰り返しプラズマに晒されているうちに、一部が剥
がれて落下する場合がある。したがって、フォーカスリ
ング９、シールドリング１４および反応室内壁１６など
に付着した堆積物２１は、ウエハ処理中およびウエハ搬
送中に、ウエハ３１表面上に異物として付着し、パター
ン欠陥の原因となる。あるいは、静電吸着ステージ１０
上に落下し、ウエハ吸着不良、冷却用ヘリウムガスの圧
力制御不良等の装置的異常を発生させ、このことによる
ウエハ３１のエッチング異常を発生させる。

【０００７】堆積物落下を防止するために一般的に用い
られる方法の一つが、堆積物を、それが剥がれ落ちる前
に、ドライクリーニングであるクリーニングプラズマに
より除去する方法（以下プラズマクリーニング方法とい
う）である。

【０００８】従来の一般的なプラズマクリーニング方法
（従来例２）は、図７の説明図で説明される。図７に示
すように、処理が終了したウエハ３１がウエハ搬送用ロ
ボット４により反応室１外へ搬送された後に、クリーニ
ングガスが、ガス導入配管１５から上部電極１２に設け
られたガス導入孔１３を通り、反応室１内部に供給され
る。反応室１内に導入されたクリーニングガスは、真空
ポンプ２０により圧力制御が行われる。そして、クリー
ニングガスの圧力が安定した後、下部電極７に高周波電
源１７から導電棒１９を通じて高周波電力が印加され、
プラズマ２２（以下クリーニングプラズマという）が発
生する。このとき、下部電極７に対向した上部電極１２
および反応室内壁１６は、グランド電位に接続されてい
る。そうすると、クリーニングガスが反応性の高いプラ
ズマ状態になり、反応室１内部に付着した堆積物２１と
反応して堆積物２１がエッチング除去される。これによ
り、反応室１内部のフォーカスリング９、上部電極１２
およびシールドリング１４等に付着している堆積物２１
が除去される。

【０００９】上述した従来のプラズマクリーニング方法
（従来例２）は、下部電極７により、クリーニングガス
をプラズマ状態にするために、ウエハ搬入口２のような
下部電極７から離れた箇所までは、クリーニングプラズ
マ２２が届きにくく、そのためウエハ搬入口２のような
クリーニングプラズマ２２が届きにくい部位に付着して
いる堆積物２１に対しては、除去効果が小さいという問
題がある。

【００１０】そこでこの問題を解決するために、例えば
特開平６−５３１７６号公報（従来例３）には、図８の
構成図に示すドライエッチング装置があり、これには各
々電気的に絶縁されて反応室内壁１６に密着された内壁
電極４１、下部電極７、上部電極１２の三つの電極を持
ち、選択スイッチ４２により各々が独立に陰極、陽極い
ずれか任意に設定できるようになっているドライエッチ
ング装置が示されている。この場合、ドライクリーニン
グ時には、選択スイッチ４２で、下部電極７および上部
電極１２を接地回路に、内壁電極４１を高周波整合器４
３を介して高周波電源１７に接続して、反応室空間４４
にクリーニングプラズマ２２を発生させ、反応室１内部
に付着した堆積物を除去することが開示されている。

【００１１】この従来例３は、クリーニングプラズマ２
２が反応室空間４４の隅の部分まで達し、また下部電極
７および上部電極１２の外縁部で強い放電が得られるこ
とにより、反応室内壁１６の隅の部分や、下部電極７お
よび上部電極１２の外縁部に付着した堆積物を除去する
点において効果を奏している。

【００１２】しかしながら、この従来例３では、反応室
内壁１６に密着された内壁電極４１に高周波電源１７か
ら高周波電力が印加されるため、反応室内壁１６に対す
る発生させたクリーニングプラズマ２２によるイオン損
傷が大きく、反応室内壁１６の損傷が大きいという問題
が生じる。また、反応室内壁１６に密着された内壁電極
４１に高周波電源１７から高周波電力が印加されるた
め、発生させたクリーニングプラズマ２２は、下部電極
７の上部および上部電極１２の下部には届きにくく、下
部電極７の上部および上部電極１２の下部に付着した堆
積物に対しては、除去効果が小さいという問題が生じ
る。

【００１３】従って、本発明の目的は、反応室内部のク
リーニングプラズマが届きにくい部位に付着している堆
積物に対しても除去効果が大きい、ドライエッチング装
置及びドライクリーニング方法（プラズマクリーニング
方法）を提供することにある。

【００１４】本発明の他の目的は、高周波電源から高周
波電力が印加される電極近傍の部品に対する、発生させ
たクリーニングプラズマによるイオン損傷が小さく、電
極近傍の部品の損傷が小さいドライエッチング装置及び
ドライクリーニング方法（プラズマクリーニング方法）
を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は、半導体基板の処理が行なわれる反応室に、前記半導
体基板が保持される第１の電極と、局所的に設けられた
第２の電極とを有することを特徴とする。

【００１６】また、前記第２の電極が、前記反応室の半
導体基板搬入口に設けられている。また、前記第２の電
極が、前記反応室内部の窪んだ部位に設けられている。

【００１７】また、前記第１の電極が接続された第１の
高周波電源と、前記第２の電極が接続された第２の高周
波電源とを有している。

【００１８】また、前記反応室内へ処理用のガスを導入
する、前記第１の電極の近傍に設けられた第１のガス導
入孔と、前記第２の電極の近傍に設けられた第２のガス
導入孔とを有している。

【００１９】また、前記第２の電極の設置箇所およびそ
の近傍の部品が、先端部が円弧状の角部を有している。

【００２０】本発明の堆積物除去方法は、半導体製造装
置の内部に付着した堆積物を、クリーニングプラズマに
より除去する堆積物除去方法において、前記半導体製造
装置に局所的に設けた電極により、前記クリーニングプ
ラズマを局所的に生成して、前記堆積物を局所的に除去
することを特徴とする。

【００２１】本発明の堆積物除去方法は、半導体基板の
処理を行なう半導体製造装置の反応室内に、クリーニン
グガスを導入し、前記反応室の前記半導体基板の処理時
に前記半導体基板を保持する第１の電極と、局所的に設
けた第２の電極とに、それぞれかつ同時に高周波電力を
印加し、前記第１の電極近傍のおよび前記第２の電極近
傍の前記クリーニングガスをプラズマ状態にし、前記反
応室内部に付着した堆積物を除去することを特徴とす
る。

【００２２】また、前記第２の電極に印加する高周波電
力は、前記第１の電極に印加する高周波電力の５分の１
から１０分の１の大きさである。

【００２３】この様な本発明によれば、半導体製造装置
の反応室に局所的に設けた第２の電極により、クリーニ
ングプラズマを局所的に生成して、堆積物を局所的に除
去する。また、このクリーニングプラズマは、第２の電
極に印加される高周波電力が低電力で生成される。

【００２４】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明のドラ
イエッチング装置の第１の実施形態を示す構成図であ
る。なお、図１に示すドライエッチング装置は、平行平
板型反応性イオンエッチング装置を示す。図２は本発明
のドライクリーニング方法（プラズマクリーニング方
法）の一実施形態を示す説明図である。

【００２５】図１に示すように、本実施形態のドライエ
ッチング装置は、ウエハ３１のエッチング処理が行なわ
れる反応室１、反応室１を形成する反応室内壁１６、反
応室１内を排気し真空状態にする、および反応室１内に
導入されたガスの圧力制御を行なう真空ポンプ２０、ウ
エハ３１を反応室１内外へ搬送するウエハ搬送用ロボッ
ト４、ウエハ搬送用ロボット４によりウエハ３１を反応
室１内外へ搬送するとき開閉されるゲートバルブ３、ゲ
ートバルブ３が設けられ、反応室内壁１６に設けられた
反応室１内外へのウエハ３１の搬送口であるウエハ搬入
口２、反応室１内に搬送されたウエハ３１が静電吸着に
より吸着・保持される静電吸着ステージ１０、静電吸着
ステージ１０に吸着・保持されたウエハ３１の裏面へ、
一定圧力で供給される、冷却用ヘリウムガスが通る、下
部電極７下方から設けられた冷却用ヘリウムガス導入配
管１１、エッチング用のプロセスガス（反応ガス）およ
びクリーニングガスが、反応室１内部に供給されるとき
通る、ガス導入配管１５および上部電極１２に設けられ
たガス導入孔１３、静電吸着ステージ１０が設けられて
いる下部電極７、下部電極７に高周波電力を印加する高
周波電源１７、下部電極７と高周波電源１７とを接続す
る導電棒１９、下部電極７に対向して設けられ、反応室
内壁１６に接続され、グランド電位に接続されている上
部電極１２、下部電極７が設けられ、反応室内壁１６と
固定されている絶縁基板８、下部電極７の周囲を覆って
いるフォーカスリング９、上部電極１２に固定されてい
るシールドリング１４、そして、ウエハ搬入口２に設け
られた局所電極５、局所電極５を覆っている絶縁板６、
局所電極５に高周波電力を印加する高周波電源１８、局
所電極５と高周波電源１８とを接続する導電棒１９から
構成されている。

【００２６】なおここで、絶縁板６は、局所電極５をグ
ランド電位に接続されている反応室内壁１６と電気的に
絶縁するものであり、例えば石英またはセラミックの材
質である。そして、下部電極７の周囲を覆っているフォ
ーカスリング９および上部電極１２に固定されているシ
ールドリング１４は、下部電極７に高周波電力を印加し
発生させたプラズマを安定に保つためのものであり、例
えば石英やセラミックなどの絶縁物である。

【００２７】ここで、このドライエッチング装置は、次
に説明するように動作する。まず、反応室１内は真空ポ
ンプ２０により排気され、真空状態になる。

【００２８】そして、ゲートバルブ３が開閉され、ウエ
ハがウエハ搬送用ロボット４により反応室１内に搬送さ
れる。反応室１内に搬送されたウエハ３１は、静電吸着
により静電吸着ステージ１０に吸着・保持される。

【００２９】そして、処理時のウエハ温度上昇防止のた
め、冷却用ヘリウムガスが、下部電極７下方から冷却用
ヘリウムガス導入配管１１を通り、静電吸着ステージ１
０に吸着・保持されたウエハ３１の裏面へ、一定圧力で
供給される。

【００３０】そして、エッチング用のプロセスガス（反
応ガス）が、ガス導入配管１５から上部電極１２に設け
られたガス導入孔１３を通り、反応室１内部に供給され
る。反応室１内に導入されたプロセスガスは、真空ポン
プ２０により圧力制御が行われる。

【００３１】そして、プロセスガスの圧力が安定した
後、下部電極７に高周波電源１７から導電棒１９を通じ
て高周波電力が印加され、プラズマが発生する。このと
き、下部電極７に対向した上部電極１２および反応室内
壁１６は、グランド電位に接続されている。そうする
と、プロセスガスが反応性の高いプラズマ状態になり、
ウエハ３１上の膜と反応して膜がエッチング除去され
る。

【００３２】そして、処理が終了したウエハ３１は、ゲ
ートバルブ３が開閉され、ウエハ搬送用ロボット４によ
り反応室１外へ搬送される。

【００３３】次に、図２に示すように、本実施形態のド
ライクリーニング方法（プラズマクリーニング方法）
は、処理が終了したウエハ３１がウエハ搬送用ロボット
４により反応室１外へ搬送された後に、クリーニングガ
スが、ガス導入配管１５から上部電極１２に設けられた
ガス導入孔１３を通り、反応室１内部に供給される。反
応室１内に導入されたクリーニングガスは、真空ポンプ
２０により圧力制御が行われる。

【００３４】そして、クリーニングガスの圧力が安定し
た後、下部電極７に高周波電源１７から導電棒１９を通
じて高周波電力が印加され、プラズマ２２（以下クリー
ニングプラズマという）が発生する。このとき、下部電
極７に対向した上部電極１２および反応室内壁１６は、
グランド電位に接続されている。そうすると、クリーニ
ングガスが反応性の高いプラズマ状態になり、反応室１
内部に付着した堆積物２１と反応して堆積物２１がエッ
チング除去される。これにより、反応室１内部のフォー
カスリング９、上部電極１２およびシールドリング１４
等に付着している堆積物２１が除去される。

【００３５】そしてまた、下部電極７に高周波電力が印
加されると同時に、ウエハ搬入口２に設けられた局所電
極５に高周波電源１８から導電棒１９を通じて高周波電
力が印加され、ウエハ搬入口２およびその近傍に局所的
に密度の高いプラズマ２３（以下局所クリーニングプラ
ズマという）が生成される。このとき、局所電極５に対
向した反応室内壁１６は、グランド電位に接続されてい
る。そうすると、ウエハ搬入口２およびその近傍のクリ
ーニングガスが反応性の高いプラズマ状態になり、ウエ
ハ搬入口２およびその近傍に付着した堆積物２１と反応
してウエハ搬入口２およびその近傍に付着している堆積
物２１がエッチング除去される。

【００３６】そしてこのとき、局所電極５への高周波電
力の印加により生成される局所クリーニングプラズマ２
３は、その生成において、下部電極７への高周波電力の
印加により発生するクリーニングプラズマ２２が近傍に
存在する為、局所クリーニングプラズマ２３は低・高周
波電力（以下低電力という）でも安定して生成される。

【００３７】図３は本発明のドライエッチング装置の第
２の実施形態を示す構成図である。図３に示すように、
本実施形態のドライエッチング装置は、図１に示す第１
の実施形態が、局所電極５がウエハ搬入口２に設けられ
て構成されているのに対し、局所電極５が反応室１内部
の状態観察のための覗き窓部または光強度採光部のよう
な反応室内壁１６の窪んだ部位である窪み部２４に設け
られているものである。本実施形態は、反応室１内部の
窪み部２４に付着している堆積物の除去率を向上させた
ものである。

【００３８】図４は本発明のドライエッチング装置の第
３の実施形態を示す構成図である。図４に示すように、
本実施形態のドライエッチング装置は、図１に示す第１
の実施形態が、反応室１内へのエッチング用のプロセス
ガス（反応ガス）およびクリーニングガス導入用のガス
導入孔１３が上部電極１２に設けられて構成されている
のに対し、上部電極１２に設けられたガス導入孔１３と
は別に、クリーニングガス導入用のガス導入孔２５が局
所電極５の上方に設けられているものである。本実施形
態は、クリーニングガス導入用のガス導入孔２５が局所
電極５の上方に設けられていることにより、局所クリー
ニングプラズマ生成の安定性を向上させたものである。
そして、ウエハ処理時（エッチング時）は、クリーニン
グガス導入用のガス導入孔２５は閉じており、ドライク
リーニング（プラズマクリーニング）実施時に、クリー
ニングガスが、ガス導入孔１３とガス導入孔２５の双方
から同時に反応室１内に導入されプラズマ状態になる。

【００３９】図５は本発明のドライエッチング装置の第
４の実施形態を示す構成図である。図５に示すように、
本実施形態のドライエッチング装置は、図１に示す第１
の実施形態が、局所電極（５）設置箇所およびその近傍
の部品（反応室内壁１６および絶縁板６、以下近傍部品
という）が直角形状の角部を有しているのに対し、近傍
部品は先端部が円弧状の角部２６を有しているものであ
る。このことにより、局所クリーニングプラズマ２３の
近傍部品の角部２６へのイオン集中を防止し、近傍部品
の角部２６のイオン損傷を低減したものである。

【００４０】なお、図１、図３〜図５に示す、本発明の
ドライエッチング装置の第１から第４の実施形態は、単
独でも組み合わせても良い。

【００４１】

【実施例】ここで、本発明のドライクリーニング方法
（プラズマクリーニング方法）の実施例について説明す
る。

【００４２】本実施例は、ウエハ３１上の酸化膜をエッ
チング除去した場合の、ドライクリーニング（プラズマ
クリーニング）の適用例である。そして、図２に示すド
ライクリーニング方法（プラズマクリーニング方法）の
条件として、クリーニングガスとして酸素（Ｏ₂ ）ガス
を用い、酸素ガスの流量は１００ｓｃｃｍ、反応室
（１）内圧力５００ｍＴｏｒｒ、下部電極７へ印加する
高周波電力は８５０Ｗ、局所電極５へ印加する高周波電
力は１００Ｗ程度（低電力）、高周波電力の印加時間は
下部電極７、局所電極５同時に２分、下部電極（７）温
度１０℃、局所電極（５）温度４０℃、上部電極（１
２）温度４０℃および反応室内壁（１６）温度４０℃で
行なった。

【００４３】この条件でドライクリーニング（プラズマ
クリーニング）を実施したところ、反応室１内部のフォ
ーカスリング９、上部電極１２、シールドリング１４お
よびウエハ搬入口２およびその近傍に付着している堆積
物２１が、容易にエッチング除去された。

【００４４】そしてこの時、局所電極５近傍の反応室内
壁１６の素材および表面コーティングが損傷されること
なく、ウエハ搬入口２およびその近傍に付着している堆
積物２１が、容易にエッチング除去された。

【００４５】なお、本実施例は、ウエハ３１上の酸化膜
をエッチング除去した場合の、ドライクリーニング（プ
ラズマクリーニング）の適用例であるが、ウエハ３１上
のシリコン膜またはアルミ膜をエッチング除去する場合
にも、本発明は適用可能である。

【００４６】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、反
応室内部のクリーニングプラズマが届きにくい部位に、
局所電極を設けることにより、局所的にクリーニングプ
ラズマを生成可能にしたので、クリーニングプラズマが
届きにくい部位に付着している堆積物も除去できるとい
う効果が得られる。

【００４７】また、局所電極への低・高周波電力の印加
により生成させたクリーニングプラズマであるので、ク
リーニングプラズマ中のイオンエネルギは小さく、局所
電極に発生するセルフバイアス電圧は小さい。このた
め、局所電極近傍の部品に対する、生成させたクリーニ
ングプラズマによるイオン損傷が小さく、局所電極近傍
の部品の損傷が小さいという効果も得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のドライエッチング装置の第１の実施形
態を示す構成図である。

【図２】本発明のドライクリーニング方法（プラズマク
リーニング方法）の一実施形態を示す説明図である。

【図３】本発明のドライエッチング装置の第２の実施形
態を示す構成図である。

【図４】本発明のドライエッチング装置の第３の実施形
態を示す構成図である。

【図５】本発明のドライエッチング装置の第４の実施形
態を示す構成図である。

【図６】従来のドライエッチング装置を示す構成図であ
る。

【図７】従来のドライクリーニング方法（プラズマクリ
ーニング方法）を示す説明図である。

【図８】他の従来のドライエッチング装置を示す構成図
である。

【符号の説明】

１反応室２ウエハ搬入口３ゲートバルブ４ウエハ搬送用ロボット５局所電極６絶縁板７下部電極８絶縁基板９フォーカスリング１０静電吸着ステージ１１冷却用ヘリウムガス導入配管１２上部電極１３ガス導入孔１４シールドリング１５ガス導入配管１６反応室内壁１７高周波電源（下部電極用）１８高周波電源（局所電極用）１９導電棒２０真空ポンプ２１堆積物２２プラズマ（クリーニングプラズマ）２３局所プラズマ（局所クリーニングプラズマ）２４窪み部（覗き窓部、光強度採光部）２５ガス導入孔（クリーニングガス導入用）２６先端部が円弧状の角部３１半導体基板（ウエハ）４１内壁電極４２選択スイッチ４３高周波整合器４４反応室空間

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4K030 DA06 FA03 KA19 KA30 KA49 4K057 DA01 DB05 DD01 DM02 DM06 5F004 AA15 AA16 BA04 BA05 BB13 BB22 BB25 BB28 BB29 5F045 AA08 BB14 DP03 DQ10 EB02 EB03 EB06 EB09 EB11 EH06 EH20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板の処理が行なわれる反応室
に、前記半導体基板が保持される第１の電極と、局所的
に設けられた第２の電極とを有することを特徴とする半
導体製造装置。
【請求項２】前記第２の電極が、前記反応室の半導体
基板搬入口に設けられている請求項１記載の半導体製造
装置。
【請求項３】前記第２の電極が、前記反応室内部の窪
んだ部位に設けられている請求項１記載の半導体製造装
置。
【請求項４】前記第１の電極が接続された第１の高周
波電源と、前記第２の電極が接続された第２の高周波電
源とを有している請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項５】前記反応室内へ処理用のガスを導入す
る、前記第１の電極の近傍に設けられた第１のガス導入
孔と、前記第２の電極の近傍に設けられた第２のガス導
入孔とを有している請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項６】前記第２の電極の設置箇所およびその近
傍の部品が、先端部が円弧状の角部を有している請求項
１，２または３記載の半導体製造装置。
【請求項７】半導体製造装置の内部に付着した堆積物
を、クリーニングプラズマにより除去する堆積物除去方
法において、前記半導体製造装置に局所的に設けた電極
により、前記クリーニングプラズマを局所的に生成し
て、前記堆積物を局所的に除去することを特徴とする堆
積物除去方法。
【請求項８】半導体基板の処理を行なう半導体製造装
置の反応室内に、クリーニングガスを導入し、前記反応
室の前記半導体基板の処理時に前記半導体基板を保持す
る第１の電極と、局所的に設けた第２の電極とに、それ
ぞれかつ同時に高周波電力を印加し、前記第１の電極近
傍のおよび前記第２の電極近傍の前記クリーニングガス
をプラズマ状態にし、前記反応室内部に付着した堆積物
を除去することを特徴とする堆積物除去方法。
【請求項９】前記第２の電極に印加する高周波電力
は、前記第１の電極に印加する高周波電力の５分の１か
ら１０分の１の大きさである請求項８記載の堆積物除去
方法。