JPH0677134A - 真空加熱方法 - Google Patents
真空加熱方法Info
- Publication number
- JPH0677134A JPH0677134A JP4226745A JP22674592A JPH0677134A JP H0677134 A JPH0677134 A JP H0677134A JP 4226745 A JP4226745 A JP 4226745A JP 22674592 A JP22674592 A JP 22674592A JP H0677134 A JPH0677134 A JP H0677134A
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- Japan
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- chamber
- stage
- substrate
- vacuum
- heated
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ステージでの均一加熱を基板に効率よく伝達
して基板自体を速やかに、再現性よく所定温度まで昇温
できるようにする。 【構成】 狭いチャンバ（1）内に収納配置されたステ
ージ（3）上に治具（5）を介して基板（4）を載置し、
バルブ（7）の開放により真空ポンプ（8）でチャンバ
（3）内を排気して真空雰囲気に設定し、その真空雰囲
気中で上記ステージ（3）を均一加熱することにより基
板（4）を治具（5）ごと加熱する。そして、そのステー
ジ（3）が均一加熱された時点で、バルブ（11）の開放
により不活性ガス供給源（12）から上記チャンバ（1）
内に不活性ガスを導入する。所定時間保持の後、チャン
バ（1）内を真空雰囲気に復帰させた上で、基板（4）に
対してスパッタ処理等の所定の後処理を実行する。
して基板自体を速やかに、再現性よく所定温度まで昇温
できるようにする。 【構成】 狭いチャンバ（1）内に収納配置されたステ
ージ（3）上に治具（5）を介して基板（4）を載置し、
バルブ（7）の開放により真空ポンプ（8）でチャンバ
（3）内を排気して真空雰囲気に設定し、その真空雰囲
気中で上記ステージ（3）を均一加熱することにより基
板（4）を治具（5）ごと加熱する。そして、そのステー
ジ（3）が均一加熱された時点で、バルブ（11）の開放
により不活性ガス供給源（12）から上記チャンバ（1）
内に不活性ガスを導入する。所定時間保持の後、チャン
バ（1）内を真空雰囲気に復帰させた上で、基板（4）に
対してスパッタ処理等の所定の後処理を実行する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は真空加熱方法に関し、詳
しくは、狭いチャンバ内に、均一加熱されるステージを
収納配置し、そのステージ上に載置されたワークをチャ
ンバ内の真空雰囲気中で所定温度まで加熱する真空加熱
方法に関する。
しくは、狭いチャンバ内に、均一加熱されるステージを
収納配置し、そのステージ上に載置されたワークをチャ
ンバ内の真空雰囲気中で所定温度まで加熱する真空加熱
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体レーザでは、レーザ素子
からの発光効率を向上させるために、そのレーザ素子の
発光端面に窒化膜等の反射防止膜を被着した構造が一般
的で、その製造において、多数のレーザ素子を形成した
基板に対して、レーザ素子の発光端面と対応する面に反
射防止膜を形成するためにスパッタする成膜工程があ
る。この成膜工程では、スパッタ処理に先立って、上記
基板を予備加熱すると共に、基板端面に付着した汚れを
除去する目的から、基板を真空雰囲気中で所定温度まで
加熱するようにしている。
からの発光効率を向上させるために、そのレーザ素子の
発光端面に窒化膜等の反射防止膜を被着した構造が一般
的で、その製造において、多数のレーザ素子を形成した
基板に対して、レーザ素子の発光端面と対応する面に反
射防止膜を形成するためにスパッタする成膜工程があ
る。この成膜工程では、スパッタ処理に先立って、上記
基板を予備加熱すると共に、基板端面に付着した汚れを
除去する目的から、基板を真空雰囲気中で所定温度まで
加熱するようにしている。
【０００３】この基板の真空加熱は、図３に示すような
真空スパッタ装置によって行われる。即ち、狭いチャン
バ（1）内に、ヒータ（2）を内蔵した金属製ステージ
（3）を収納配置し、そのステージ（3）上に、多数のレ
ーザ素子を形成した基板（4）をセッティングした専用
の金属製治具（5）を載置した状態で行われる。上記治
具（5）にセッティングされた基板（4）の上方、即ち、
チャンバ（1）の天面には反射防止膜用のスパッタ材料
を収納したターゲット（6）が配置される。また、上記
チャンバ（1）には、バルブ（7）を介して真空ポンプ
（8）が付設される。
真空スパッタ装置によって行われる。即ち、狭いチャン
バ（1）内に、ヒータ（2）を内蔵した金属製ステージ
（3）を収納配置し、そのステージ（3）上に、多数のレ
ーザ素子を形成した基板（4）をセッティングした専用
の金属製治具（5）を載置した状態で行われる。上記治
具（5）にセッティングされた基板（4）の上方、即ち、
チャンバ（1）の天面には反射防止膜用のスパッタ材料
を収納したターゲット（6）が配置される。また、上記
チャンバ（1）には、バルブ（7）を介して真空ポンプ
（8）が付設される。
【０００４】上記真空スパッタ装置では、前述したよう
にスパッタ処理に先立って、基板（4）を所定温度まで
真空加熱する。具体的には、図４に示すフローチャート
に基づいて行われる。まず、バルブ（7）を開放して真
空ポンプ（8）により、チャンバ（1）内を排気して２×
１０-6Torr程度の真空雰囲気に設定する。その後、ヒー
タ（2）への通電によりステージ（3）を加熱して２００
℃程度まで昇温させ、その温度を一定時間保持してステ
ージ（3）を均一加熱することにより、ステージ（3）上
に載置された治具（5）ごと基板（4）を加熱する。
にスパッタ処理に先立って、基板（4）を所定温度まで
真空加熱する。具体的には、図４に示すフローチャート
に基づいて行われる。まず、バルブ（7）を開放して真
空ポンプ（8）により、チャンバ（1）内を排気して２×
１０-6Torr程度の真空雰囲気に設定する。その後、ヒー
タ（2）への通電によりステージ（3）を加熱して２００
℃程度まで昇温させ、その温度を一定時間保持してステ
ージ（3）を均一加熱することにより、ステージ（3）上
に載置された治具（5）ごと基板（4）を加熱する。
【０００５】上記ステージ（3）の均一加熱により基板
（4）を真空加熱した後、スパッタ処理に必要な所定の
ガスを適宜の手段により導入し、ターゲット（6）のク
リーニングを目的とするプリスパッタ処理を行った上
で、最終的なスパッタ処理に移行するようにしている。
（4）を真空加熱した後、スパッタ処理に必要な所定の
ガスを適宜の手段により導入し、ターゲット（6）のク
リーニングを目的とするプリスパッタ処理を行った上
で、最終的なスパッタ処理に移行するようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した基
板（4）の真空加熱した上で、その基板（4）をスパッタ
処理した後、基板（4）を分割して反射防止膜が成膜処
理されたレーザ素子をマウントする際、反射防止膜の密
着性が悪く、２００〜３００℃程度に加熱されたレーザ
素子から反射防止膜が剥離するという現象が発生した。
板（4）の真空加熱した上で、その基板（4）をスパッタ
処理した後、基板（4）を分割して反射防止膜が成膜処
理されたレーザ素子をマウントする際、反射防止膜の密
着性が悪く、２００〜３００℃程度に加熱されたレーザ
素子から反射防止膜が剥離するという現象が発生した。
【０００７】本発明者はこの原因を追求した結果、基板
（4）を真空加熱した際、ステージ（3）上では２００℃
程度の均一温度になっているのに対して、そのステージ
（3）上に載置された治具（5）上の基板（4）が５０℃
程度しか達していないということが判明した。これは、
チャンバ（1）内が真空雰囲気に設定されているため、
ステージ（3）から治具（5）を介して基板（4）に伝達
される熱がその接触部分からの熱伝導しかなく、そのス
テージ（3）の上面に凹凸があるため、接触部分が少な
くて密着性が悪くなっており、その結果、ステージ
（3）での均一温度が基板（4）にまで効率よく伝わって
いないためである。
（4）を真空加熱した際、ステージ（3）上では２００℃
程度の均一温度になっているのに対して、そのステージ
（3）上に載置された治具（5）上の基板（4）が５０℃
程度しか達していないということが判明した。これは、
チャンバ（1）内が真空雰囲気に設定されているため、
ステージ（3）から治具（5）を介して基板（4）に伝達
される熱がその接触部分からの熱伝導しかなく、そのス
テージ（3）の上面に凹凸があるため、接触部分が少な
くて密着性が悪くなっており、その結果、ステージ
（3）での均一温度が基板（4）にまで効率よく伝わって
いないためである。
【０００８】尚、この問題を解決するための手段とし
て、基板（4）を赤外線加熱することも考えられるが、
その場合、赤外線が照射されている基板表面のみが高温
となり、基板（4）に変形が生じやすい。また、均一な
温度分布を得るためには、赤外線発生源と基板（4）と
の距離を十分確保する必要があるにもかかわらず、赤外
線加熱するための装置を設置するにはチャンバ（1）内
が狭く、その設置スペースを確保することが困難であっ
て好適な手段ではなかった。
て、基板（4）を赤外線加熱することも考えられるが、
その場合、赤外線が照射されている基板表面のみが高温
となり、基板（4）に変形が生じやすい。また、均一な
温度分布を得るためには、赤外線発生源と基板（4）と
の距離を十分確保する必要があるにもかかわらず、赤外
線加熱するための装置を設置するにはチャンバ（1）内
が狭く、その設置スペースを確保することが困難であっ
て好適な手段ではなかった。
【０００９】そこで、本発明は上記問題点に鑑みて提案
されたもので、その目的とするところは、ステージでの
均一加熱を基板に効率よく伝達して基板自体を速やかに
所定温度まで昇温させ得る真空加熱方法を提供すること
にある。
されたもので、その目的とするところは、ステージでの
均一加熱を基板に効率よく伝達して基板自体を速やかに
所定温度まで昇温させ得る真空加熱方法を提供すること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の技術的手段として、本発明は、狭いチャンバ内に、均
一加熱されるステージを収納配置し、そのステージ上に
載置されたワークを上記チャンバ内の真空雰囲気中で所
定温度まで加熱する方法において、狭いチャンバ内に収
納配置されたステージ上にワークを載置し、チャンバ内
の真空雰囲気中で上記ステージを均一加熱することによ
りワークを加熱し、そのステージが均一加熱された時点
で、上記チャンバ内に不活性ガスを導入した上で時間保
持し、チャンバ内を真空雰囲気に復帰させるようにした
ことを特徴とする。
の技術的手段として、本発明は、狭いチャンバ内に、均
一加熱されるステージを収納配置し、そのステージ上に
載置されたワークを上記チャンバ内の真空雰囲気中で所
定温度まで加熱する方法において、狭いチャンバ内に収
納配置されたステージ上にワークを載置し、チャンバ内
の真空雰囲気中で上記ステージを均一加熱することによ
りワークを加熱し、そのステージが均一加熱された時点
で、上記チャンバ内に不活性ガスを導入した上で時間保
持し、チャンバ内を真空雰囲気に復帰させるようにした
ことを特徴とする。
【００１１】また、上記方法において、チャンバ内に不
活性ガスを導入した上で、チャンバ内を真空雰囲気に復
帰させた後、ワークに対してスパッタ処理等の所定の後
処理を実行することが望ましい。
活性ガスを導入した上で、チャンバ内を真空雰囲気に復
帰させた後、ワークに対してスパッタ処理等の所定の後
処理を実行することが望ましい。
【００１２】
【作用】本発明では、ステージが均一加熱された時点
で、上記チャンバ内に不活性ガスを導入することによ
り、均一加熱されたステージから発せられた熱を不活性
ガスによりワークに伝導させ、この不活性ガスを介する
熱伝導によって、ワークをステージの均一加熱温度まで
速やかに再現性よく昇温させ、その後、チャンバ内を真
空雰囲気に復帰させてスパッタ処理等の所定の後処理に
対して待機する。
で、上記チャンバ内に不活性ガスを導入することによ
り、均一加熱されたステージから発せられた熱を不活性
ガスによりワークに伝導させ、この不活性ガスを介する
熱伝導によって、ワークをステージの均一加熱温度まで
速やかに再現性よく昇温させ、その後、チャンバ内を真
空雰囲気に復帰させてスパッタ処理等の所定の後処理に
対して待機する。
【００１３】
【実施例】本発明の実施例を図１及び図２に示して説明
する。尚、図３と同一部分には同一参照符号を付して重
複説明は省略する。
する。尚、図３と同一部分には同一参照符号を付して重
複説明は省略する。
【００１４】この実施例は、本発明を図３に示す真空ス
パッタ装置に適用した場合を示し、その真空スパッタ装
置では、図１に示すようにチャンバ（1）にＮ2等の不活
性ガスを導入する手段を付設したことにあり、具体的に
は、チャンバ（1）にバルブ（11）を介して不活性ガス
供給源（12）を接続する。
パッタ装置に適用した場合を示し、その真空スパッタ装
置では、図１に示すようにチャンバ（1）にＮ2等の不活
性ガスを導入する手段を付設したことにあり、具体的に
は、チャンバ（1）にバルブ（11）を介して不活性ガス
供給源（12）を接続する。
【００１５】本発明方法では、図２に示すフローチャー
トに基づいて行われる。即ち、スパッタ処理に先立っ
て、従来と同様、バルブ（7）を開放して真空ポンプ
（8）により、チャンバ（1）内を排気して２×１０-6To
rr程度の真空雰囲気に設定する。その後、ヒータ（2）
への通電によりステージ（3）を加熱して２００℃程度
まで昇温させ、その温度を一定時間保持してステージ
（3）を均一加熱することにより、ステージ（3）上に載
置された治具（5）ごとワークである基板（4）を真空加
熱する。
トに基づいて行われる。即ち、スパッタ処理に先立っ
て、従来と同様、バルブ（7）を開放して真空ポンプ
（8）により、チャンバ（1）内を排気して２×１０-6To
rr程度の真空雰囲気に設定する。その後、ヒータ（2）
への通電によりステージ（3）を加熱して２００℃程度
まで昇温させ、その温度を一定時間保持してステージ
（3）を均一加熱することにより、ステージ（3）上に載
置された治具（5）ごとワークである基板（4）を真空加
熱する。
【００１６】本発明方法の特徴として、上記ステージ
（3）が均一加熱された時点で、バルブ（11）を開放し
て不活性ガス供給源（12）からチャンバ（1）内にＮ2等
の不活性ガスを導入して数Torr程度に設定して一定時間
保持する。この不活性ガスの導入により、均一加熱され
たステージ（3）から発せられた熱を接触部分からの熱
伝導ばかりでなく不活性ガスによっても基板（4）に伝
導させ、この不活性ガスを介する熱伝導を付加すること
によって、基板（4）をステージ（3）の均一加熱温度で
ある２００℃程度まで速やかに再現性よく昇温させるこ
とができる。そして、バルブ（11）を閉じバルブ（7）
を開放して真空ポンプ（8）により、チャンバ（1）内を
再度排気して２×１０-6Torr程度の真空雰囲気に設定す
る。その後、従来と同様、スパッタ処理に必要な所定の
ガスを適宜の手段により導入し、ターゲット（6）のク
リーニングを目的とするプリスパッタ処理を行った上
で、最終的なスパッタ処理に移行する。
（3）が均一加熱された時点で、バルブ（11）を開放し
て不活性ガス供給源（12）からチャンバ（1）内にＮ2等
の不活性ガスを導入して数Torr程度に設定して一定時間
保持する。この不活性ガスの導入により、均一加熱され
たステージ（3）から発せられた熱を接触部分からの熱
伝導ばかりでなく不活性ガスによっても基板（4）に伝
導させ、この不活性ガスを介する熱伝導を付加すること
によって、基板（4）をステージ（3）の均一加熱温度で
ある２００℃程度まで速やかに再現性よく昇温させるこ
とができる。そして、バルブ（11）を閉じバルブ（7）
を開放して真空ポンプ（8）により、チャンバ（1）内を
再度排気して２×１０-6Torr程度の真空雰囲気に設定す
る。その後、従来と同様、スパッタ処理に必要な所定の
ガスを適宜の手段により導入し、ターゲット（6）のク
リーニングを目的とするプリスパッタ処理を行った上
で、最終的なスパッタ処理に移行する。
【００１７】このようにすれば、半導体レーザの製造に
おいて、上記スパッタ処理により反射防止膜が形成され
た基板（4）をレーザ素子ごとに分割し、そのレーザ素
子をマウントするに際しても、上記基板（4）が２００
℃程度の所定温度で確実に均一加熱されているので、反
射防止膜の密着性が良好でその反射防止膜が剥離するこ
とはない。
おいて、上記スパッタ処理により反射防止膜が形成され
た基板（4）をレーザ素子ごとに分割し、そのレーザ素
子をマウントするに際しても、上記基板（4）が２００
℃程度の所定温度で確実に均一加熱されているので、反
射防止膜の密着性が良好でその反射防止膜が剥離するこ
とはない。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、ステージが均一加熱さ
れた時点で、上記チャンバ内に不活性ガスを導入するこ
とにより、その不活性ガスを介する熱伝導によって、ワ
ークをステージの均一加熱温度まで速やかに昇温させる
ことができるので、後処理での不具合が発生することを
未然に防止でき、信頼性の高い良品質の製品を提供する
ことが可能となる。
れた時点で、上記チャンバ内に不活性ガスを導入するこ
とにより、その不活性ガスを介する熱伝導によって、ワ
ークをステージの均一加熱温度まで速やかに昇温させる
ことができるので、後処理での不具合が発生することを
未然に防止でき、信頼性の高い良品質の製品を提供する
ことが可能となる。
【図１】本発明の実施装置例を示す概略構成図
【図２】本発明方法を説明するためのフローチャート
【図３】従来方法による真空スパッタ装置を示す概略構
成図
成図
【図４】従来方法を説明するためのフローチャート
1 チャンバ 3 ステージ 4 ワーク〔基板〕
Claims (3)
- 【請求項１】 狭いチャンバ内に収納配置されたステー
ジ上にワークを載置し、チャンバ内の真空雰囲気中で上
記ステージを均一加熱することによりワークを加熱し、
そのステージが均一加熱された時点で、上記チャンバ内
に不活性ガスを導入した上で時間保持し、チャンバ内を
真空雰囲気に復帰させるようにしたことを特徴とする真
空加熱方法。 - 【請求項２】 チャンバ内に不活性ガスを導入した上
で、チャンバ内を真空雰囲気に復帰させた後、ワークに
対して所定の後処理を実行するようにしたことを特徴と
する請求項１記載の真空加熱方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の所定の後処理が、スパッ
タ処理であることを特徴とする真空加熱方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4226745A JPH0677134A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 真空加熱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4226745A JPH0677134A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 真空加熱方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677134A true JPH0677134A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16849946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4226745A Pending JPH0677134A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 真空加熱方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677134A (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51126047A (en) * | 1974-12-23 | 1976-11-02 | Fujitsu Ltd | Growth device for semi-conductor crystals |
| JPS5489350U (ja) * | 1977-12-07 | 1979-06-25 | ||
| JPS5741370A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-08 | Hitachi Ltd | Continuous sputtering device |
| JPS60245776A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-05 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPS6471129A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 | Nec Corp | Method and device for cleaning surface of semiconductor substrate |
| JPH02143418A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-01 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH03290926A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-20 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ装置及び該装置の使用方法 |
-
1992
- 1992-08-26 JP JP4226745A patent/JPH0677134A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51126047A (en) * | 1974-12-23 | 1976-11-02 | Fujitsu Ltd | Growth device for semi-conductor crystals |
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| JPS60245776A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-05 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
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| JPH02143418A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-01 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH03290926A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-20 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ装置及び該装置の使用方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990330 |