JP7287838B2 - 成膜システム、および、成膜方法 - Google Patents
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Description
上記各構成によれば、マスク洗浄部によって堆積物が除去されたマスクを再び成膜装置での成膜に用いることが可能であるため、マスクの利用効率を高めることが可能である。
図1を参照して蒸着システムの構成を説明する。
蒸着システム10は、成膜装置11とマスク洗浄装置12とを備えている。成膜装置11は、対象の一例である基板Sと成膜源の一例である蒸着源11Aとの間に導電性のマスクMを配置して基板Sに成膜する。マスク洗浄装置12は、成膜装置11から搬入するマスクMに堆積した堆積物をマスクMの通電加熱を用いてマスクMから除去して成膜装置11に搬出する。
図2から図6を参照して、蒸着方法を説明する。なお、図2から図6では、図示の便宜上、制御部10Dの図示が省略されている。
(1)マスク洗浄装置12によって堆積物Dが除去されたマスクMを再び成膜装置11での成膜に用いることが可能である。そのため、マスクMの利用効率を高めることが可能である。
(4)マスクMの通電加熱によって通電端子12A2が加熱されることが抑えられるため、加熱による通電端子12A2の変形が抑えられる。
[加熱部]
・マスク洗浄装置12は、通電加熱によってマスクMを加熱する加熱部12Aに代えて、誘導加熱によってマスクMを加熱する加熱部を備えてもよい。あるいは、マスク洗浄装置12は、通電加熱によってマスクMを加熱する加熱部12Aと、誘導加熱によってマスクMを加熱する加熱部との両方を備えてもよい。この場合であっても、蒸着システム10が、マスクMを加熱する加熱部を備えるため、上述した(1)に準じた効果を得ることはできる。なお、誘導加熱によっても上述した通電加熱と同等の効果を得ることが可能である。
・マスク洗浄装置12は、放射温度計12Bを備えていなくてもよい。この場合であっても、蒸着システム10が、マスクMに堆積した堆積物DをマスクMの加熱によって除去するマスク洗浄装置12を備えていれば、上述した(1)に準じた効果を得ることはできる。なお、マスク洗浄装置12が放射温度計12Bを備えていない場合には、制御部10Dは、予め実験などを通じて定められた所定の電圧を電源12A1に出力させることができる。
・マスク洗浄装置12は、回収部12Cを備えていなくてもよい。この場合には、回収部12Cを冷却する冷却部12Dは不要である。この場合であっても、蒸着システム10が、マスクMに堆積した堆積物DをマスクMの加熱によって除去するマスク洗浄装置12を備えていれば、上述した(1)に準じた効果を得ることはできる。
・マスク洗浄装置12は、冷却部12Dを備えていなくてもよい。この場合であっても、マスクMから気化または昇華した堆積物Dは少なからず回収部12Cに付着するため、上述した(3)に準じた効果を得ることは可能である。
・マスク洗浄装置12は、端子用冷却部12Eを備えていなくてもよい。この場合であっても、蒸着システム10が、マスクMに堆積した堆積物DをマスクMの加熱によって除去するマスク洗浄装置12を備えていれば、上述した(1)に準じた効果を得ることはできる。
・蒸着システム10は、マスク搬送部10Bに加えて、マスク搬送部10Bとは別体のマスク配置部を備えてもよい。この場合には、マスク配置部は成膜装置11に位置し、かつ、基板Sと蒸着源11Aとの間にマスクMを配置することが可能であればよい。
・マスク洗浄装置12は、複数枚のマスクMを保管することが可能な保管部を備えてもよい。この場合には、蒸着システム10を大気に開放することなく、成膜に用いるマスクを第1のマスクから第2のマスクに交換することが可能である。また、1つのマスクMを洗浄している際に、他のマスクMを用いて基板Sに対する成膜を行うことも可能である。そのため、マスクMの洗浄を行う頻度を高めたり、蒸着システム10のメンテナンスのために成膜を行うことができない期間を短くしたりすることが可能である。なお、保管部に保管された複数のマスクMには、マスクMが有する開口のパターンが互いに異なるマスクMが含まれてもよい。この場合には、例えば、第1のパターンを有するマスクMを用いて第1のパターンを有する薄膜を基板Sに形成し、かつ、第2のパターンを有するマスクMを用いて第2のパターンを有する薄膜を基板Sに形成することが可能である。
・蒸着システム10には、複数のマスクMが適用されてもよい。この場合には、第1のマスクを用いて成膜装置11での成膜を行うことと、第2のマスクの洗浄をマスク洗浄装置12において行うこととを同時に行うことが可能である。そして、第1のマスクに堆積した堆積物の量に応じて、第1のマスクの洗浄をマスク洗浄装置12において行う際に、第2のマスクを用いて成膜装置11での成膜を行うことが可能である。
図7が示すように、蒸着システム20は、シート搬送部21とマスク搬送部22とを備えている。シート搬送部21は、成膜対象の一例であるシートShを搬送する。シートShは、例えば、帯状を有した樹脂シートである。マスク搬送部22は、帯状を有するマスクMを搬送する。
・成膜システムは、蒸着法とは異なる成膜方法を用いて基板に成膜する成膜装置を備えてもよい。例えば、成膜装置は、スパッタ装置でもよいし、CVD装置でもよい。
Claims (7)
- 対象と成膜源との間に導電性のマスクを配置して前記対象に成膜する成膜装置と、
前記マスクに堆積した堆積物を前記マスクの通電加熱および誘導加熱の少なくとも一方を用いて前記マスクから除去するマスク洗浄装置と、を備え、
前記マスク洗浄装置は、前記マスクの温度を測定する放射温度計をさらに備え、前記マスク洗浄装置は、前記放射温度計の測定結果が所定温度になるように前記マスクの加熱を行う
成膜システム。 - 前記マスク洗浄装置は、前記マスクに堆積した前記堆積物を回収する回収部と、前記マスクから放出された前記堆積物が、前記マスク洗浄装置における前記回収部以外の部分に飛散することを抑制する回収補助部とをさらに備える
請求項1に記載の成膜システム。 - 前記回収部は、前記マスクと対向する位置に配置され、
前記回収補助部は、前記回収部を冷却する冷却部であり、前記冷却部は、前記マスクから放出される前記堆積物が前記回収部に堆積するように前記回収部を冷却する
請求項2に記載の成膜システム。 - 前記マスク洗浄装置は、前記通電加熱によって前記マスクを加熱し、前記マスクに電気的に接続される通電端子を備え、
前記マスク洗浄装置は、前記通電端子を冷却する端子用冷却部をさらに備える
請求項1から3のいずれか一項に記載の成膜システム。 - 前記成膜装置が区画する空間は、前記マスク洗浄装置が区画する空間とは異なり、
前記堆積物が堆積した前記マスクを前記成膜装置から前記マスク洗浄装置に搬入し、前記堆積物が除去された前記マスクを前記マスク洗浄装置から前記成膜装置に搬出する搬送部をさらに備える
請求項1から4のいずれか一項に記載の成膜システム。 - 前記成膜源は、蒸着源である
請求項1から5のいずれか一項に記載の成膜システム。 - 成膜装置において、対象と成膜源との間に導電性のマスクを配置して前記対象に成膜することと、
前記マスクに堆積した堆積物を前記マスクの通電加熱および誘導加熱の少なくとも一方を用いて前記マスクから除去することと、を含み、
前記堆積物を前記マスクから除去することは、前記マスクの温度を測定する放射温度計の測定結果が所定温度になるように前記マスクの加熱を行うことを含む
成膜方法。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3042637U (ja) | 1997-04-18 | 1997-10-31 | 小松エレクトロニクス株式会社 | 液体加熱装置 |
JP2000282219A (ja) | 1999-04-02 | 2000-10-10 | Canon Inc | 有機膜真空蒸着用マスク再生方法及び装置 |
JP2004103512A (ja) | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Fujitsu Ltd | 有機el素子の製造方法および製造装置 |
JP2013525947A (ja) | 2010-04-13 | 2013-06-20 | エルジー・ケム・リミテッド | 新規構造を有する電池パックケース |
JP2014029844A (ja) | 2012-06-26 | 2014-02-13 | Panasonic Corp | 発光装置の製造方法および製造装置 |
WO2019107052A1 (ja) | 2017-11-30 | 2019-06-06 | 工機ホールディングス株式会社 | 直流電源装置 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3042637U (ja) | 1997-04-18 | 1997-10-31 | 小松エレクトロニクス株式会社 | 液体加熱装置 |
JP2000282219A (ja) | 1999-04-02 | 2000-10-10 | Canon Inc | 有機膜真空蒸着用マスク再生方法及び装置 |
JP2004103512A (ja) | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Fujitsu Ltd | 有機el素子の製造方法および製造装置 |
JP2013525947A (ja) | 2010-04-13 | 2013-06-20 | エルジー・ケム・リミテッド | 新規構造を有する電池パックケース |
JP2014029844A (ja) | 2012-06-26 | 2014-02-13 | Panasonic Corp | 発光装置の製造方法および製造装置 |
WO2019107052A1 (ja) | 2017-11-30 | 2019-06-06 | 工機ホールディングス株式会社 | 直流電源装置 |
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