KR101070520B1 - 기판 처리 방법 및 장치 - Google Patents

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다까히사 오오쯔까
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판 처리 방법은, 도포막이 형성된 기판에 대해, 상기 도포막을 가열 경화시키는 열 처리를 행한다. 우선, 상기 도포막의 소정 성분의 분포를 조정하기 위해 상기 도포막이 형성된 상기 기판을 상기 도포막이 가열 경화되는 하한 온도보다도 낮은 예비 온도로 유지한다. 다음에, 상기 소정 성분의 분포를 조정한 후의 상기 기판을, 상기 하한 온도 이상의 온도로 열 처리한다.
도포막, 기판, 반도체 웨이퍼, 보유 지지 플레이트, 구동 기구

Description

기판 처리 방법 및 장치 {SUBSTRATE TREATMENT METHOD AND APPARATUS}
도1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 프리 베이크 유닛(PAB)을 탑재한 반도체 웨이퍼의 레지스트 도포·현상 처리 시스템의 전체 구성을 도시하는 평면도.
도2는 도1에 도시한 레지스트 도포·현상 처리 시스템의 정면도.
도3은 도1에 도시한 레지스트 도포·현상 처리 시스템의 배면도.
도4는 도1의 레지스트 도포·현상 처리 시스템에 구비된 주 웨이퍼 반송 장치의 개략 구조를 도시하는 사시도.
도5는 도1의 레지스트 도포·현상 처리 시스템의 제어계를 도시하는 블록도.
도6은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 프리 베이크 유닛(PAB)을 도시하는 단면도.
도7은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 프리 베이크 유닛(PAB)의 내부의 개략 평면도.
도8은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 프리 베이크 유닛(PAB)에 있어서의 공정예를 설명하기 위한 흐름도.
도9의 (a) 내지 도9의 (c)는 본 발명의 일 실시 형태에 관한 프리 베이크 유닛(PAB)에 있어서 가열부(열 처리부)로부터 에이징부(기판 보유 지지부)로의 웨이퍼의 전달 순서를 설명하기 위한 모식도.
도10은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 프리 베이크 유닛(PAB)에 있어서의 에이징 처리에 대한 모식도.
도11의 (a) 및 도11의 (b)는 본 발명의 일 실시 형태에 관한 프리 베이크 유닛(PAB)에 있어서의 에이징 처리에 대한 모식도.
도12는 본 발명의 일 실시 형태에 관한 프리 베이크 유닛(PAB)에 있어서의 에이징 처리에 대한 모식도.
도13은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 프리 베이크 유닛(PAB)에 있어서의 에이징 처리에 대한 모식도.
도14는 본 발명의 다른 실시 형태에 관한 프리 베이크 유닛(PAB)에 있어서의 공정예를 설명하기 위한 흐름도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110 : 케이싱
120 : 가열부(열 처리부)
121 : 가열 플레이트
122 : 지지 부재
123 : 커버
128, 147 : 히터 전원
140 : 에이징부(기판 보유 지지부)
141 : 보유 지지 플레이트
142 : 구동 기구
150 : 도포막
W : 반도체 웨이퍼(웨이퍼)
[문헌 1] 일본 특허 출원 공개 제2003-258076호 공보
[문헌 2] 일본 특허 출원 공개 평8-162405호 공보
[문헌 3] 일본 특허 출원 공개 평9-15572호 공보
본 발명은, 예를 들어 반도체 장치에 이용되는 도포막이 형성된 기판을 처리하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 포토리소그래피(photolithography) 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 웨이퍼라 함)에 레지스트를 도포하고, 이에 의해 형성된 레지스트막을 소정의 회로 패턴에 따라서 노광하고, 이 노광 패턴을 현상 처리함으로써 레지스트막에 회로 패턴이 형성되어 있다.
이러한 포토리소그래피 공정에 있어서는, 레지스트 도포 및 노광 후의 현상 및 그들에 부수되는 열 처리 등의 일련의 처리를 일괄적으로 행하는 레지스트 도포·현상 처리 시스템이 이용되고 있고, 이러한 시스템은 각 처리를 행하기 위한 복수의 처리 유닛과, 이들 복수의 처리 유닛에 대해 처리의 순서에 따라서 복수의 웨이퍼를 연속적으로 반입·반출하는 반송 장치를 갖고 있다(일본 특허 출원 공개 제 2003-258076호 공보).
한편, 포토리소그래피 공정에 있어서는, 레지스트나 BARC(반사 방지막) 등의 도포액을 도포한 후, 그 도포액을 베이크하여 가열 경화시키는 프리 베이크 처리 등의 열 처리가 행해지지만, 이러한 종류의 열 처리에는 히터에 의해 가열되는 가열 플레이트에 웨이퍼를 적재하여 베이크 처리를 행하는 타입의 가열 처리 유닛이 이용된다(일본 특허 출원 공개 평8-162405호 공보 및 일본 특허 출원 공개 평9-15572호 공보).
상기 시스템에 있어서 이러한 가열 처리 유닛에 의해 프리 베이크 처리를 행하는 경우에는, 반송 장치가 복수의 처리 유닛에 대해 처리의 순서에 따라서 복수의 웨이퍼를 연속적으로 반입·반출하므로, 반송 장치의 상태에 따라 각 처리 유닛에서의 대기 시간 등이 웨이퍼마다 달라, 웨이퍼에 약액을 도포한 후 가열 처리 유닛으로 반송되어 올 때까지의 시간이 웨이퍼마다 변동된다. 이 경우에, 도포액에 따라서는, 이러한 반송 시간의 변동에 의해, 베이크에 의해 가열 경화시킨 후의 특정한 성분의 분포가 웨이퍼마다 변동되어, 웨이퍼 사이에서 선 폭[CD(Critical Dimension)]의 변동이 발생할 우려가 있다.
종래는, 이러한 변동이 발생해도 그다지 문제가 되지 않았지만, 최근 반도체 디바이스에 있어서의 회로 패턴의 미세화가 급속하게 진행되어, 이러한 근소한 변동이라도 문제가 되어, 이러한 프리 베이크 처리에 있어서의 변동의 해소가 요구되고 있다.
본 발명은 도포막을 가열 경화시킨 후의 기판 사이에서 선 폭에 변동이 발생하는 것을 억제할 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 또한, 이러한 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1 관점에서는, 도포막이 형성된 기판에 대해, 도포막을 가열 경화시키는 열 처리를 행하는 기판 처리 방법이며, 상기 도포막의 소정 성분의 분포를 조정하기 위해 상기 도포막이 형성된 상기 기판을 상기 도포막이 가열 경화되는 하한 온도보다도 낮은 예비 온도로 유지하는 공정과, 상기 소정 성분의 분포를 조정한 후의 상기 기판을, 상기 하한 온도 이상의 온도로 열 처리하는 공정을 구비하는 기판 처리 방법을 제공한다.
상기 제1 관점에 있어서, 상기 예비 온도로 유지하는 공정은, 상기 소정 성분을 국재화(局在化)시키도록 구성할 수 있다. 또한, 상기 하한 온도 이상의 온도는 도포막이 경화 또는 가교되는 온도가 적합하다. 또한, 상기 예비 온도는 도포막이 경화 또는 가교되는 온도 미만인 것이 적합하며, 70 내지 100 ℃인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 제2 관점에서는, 도포막이 형성된 복수의 기판을 순차 반송하여 도포막을 가열 경화시키는 열 처리를 행하는 기판 처리 방법이며, 각 상기 기판의 상기 도포막을 형성한 후의 경과 시간이 소정 시간보다도 짧은 제1 상태와 짧지 않은 제2 상태를 판별하는 공정과, 상기 제1 상태의 기판을, 상기 도포막의 소정 성분의 분포를 조정하기 위해 상기 도포막이 가열 경화되는 하한 온도보다도 낮은 예 비 온도로 유지한 후에 상기 하한 온도 이상의 온도로 열 처리하는 공정과, 상기 제2 상태의 기판을, 상기 하한 온도 미만의 온도로 유지하는 일 없이 상기 하한 온도 이상의 온도로 열 처리하는 공정을 구비하는 기판 처리 방법을 제공한다.
상기 제1 또는 제2 관점에 있어서, 도포막은 반사 방지막 또는 레지스트막을 이용할 수 있다.
본 발명의 제3 관점에서는, 도포막이 형성된 기판에 대해, 도포막을 가열 경화시키는 열 처리를 행하는 기판 처리 장치이며, 상기 도포막이 형성된 상기 기판을 상기 도포막이 가열 경화되는 하한 온도보다도 낮은 예비 온도로 유지하는 기판 보유 지지부와, 상기 도포막이 형성된 상기 기판을 상기 하한 온도 이상의 온도로 열 처리하는 열 처리부와, 상기 기판 보유 지지부로부터 상기 열 처리부로 도포막이 형성된 기판을 반송하는 반송 기구를 구비하고, 상기 기판 보유 지지부에 의해 도포막의 소정 성분의 분포를 조정한 후에 기판을 상기 열 처리부로 반송하여 열 처리하는 기판 처리 장치를 제공한다.
상기 제3 관점에 있어서, 상기 기판 보유 지지부는 상기 도포막의 소정 성분을 국재화시키도록 구성할 수 있다.
본 발명의 제4 관점에서는, 도포막이 형성된 기판에 대해, 도포막을 가열 경화시키는 열 처리를 행하는 기판 처리 장치이며, 상기 도포막이 형성된 상기 기판을 상기 도포막이 가열 경화되는 하한 온도보다도 낮은 예비 온도로 유지하는 기판 보유 지지부와, 상기 도포막이 형성된 상기 기판을 상기 하한 온도 이상의 온도로 열 처리하는 열 처리부와, 상기 기판 보유 지지부로부터 상기 열 처리부로 도포막 이 형성된 기판을 반송하는 반송 기구와, 상기 소정 성분이 소정의 분포로 조정되도록, 상기 기판 보유 지지부의 유지 온도 및 유지 시간 중 적어도 한쪽을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부의 제어하에서 상기 기판 보유 지지부에 의해 도포막의 소정 성분의 분포를 조정한 후에 기판을 상기 열 처리부로 반송하여 열 처리하는 기판 처리 장치를 제공한다.
상기 제4 관점에 있어서, 상기 제어부는, 상기 기판 보유 지지부에 있어서 도포막의 소정 성분이 국재화되도록 상기 기판 보유 지지부의 유지 온도 및 유지 시간 중 적어도 한쪽을 제어하도록 구성할 수 있다.
본 발명의 제5 관점에서는, 도포막이 형성된 복수의 기판이 순차 반송되어 도포막을 가열 경화시키는 열 처리를 행하는 기판 처리 장치이며, 상기 도포막이 형성된 상기 기판을 상기 도포막이 가열 경화되는 하한 온도보다도 낮은 예비 온도로 유지하고, 상기 도포막의 소정 성분의 분포를 조정하는 기판 보유 지지부와, 상기 도포막이 형성된 상기 기판을 상기 하한 온도 이상의 온도로 열 처리하는 열 처리부와, 상기 기판 보유 지지부로부터 상기 열 처리부로 상기 도포막이 형성된 상기 기판을 반송하는 반송 기구와, 반송되어 온 각 상기 기판의 상기 도포막을 형성한 후의 경과 시간이 소정 시간보다도 짧은 제1 상태와 짧지 않은 제2 상태를 판별하고, 상기 제1 상태의 기판을, 상기 기판 보유 지지부에 있어서 상기 예비 온도로 유지한 후에 상기 열 처리부에 있어서 상기 하한 온도 이상의 온도로 열 처리하고, 상기 제2 상태의 기판을, 상기 기판 보유 지지부를 거치는 일 없이 상기 열 처리부에 있어서 상기 하한 온도 이상의 온도로 열 처리하는 제어를 행하는 제어부를 구 비하는 기판 처리 장치를 제공한다.
상기 제5 관점에 있어서, 상기 기판 보유 지지부는 도포막의 소정 성분을 국재화시키도록 구성할 수 있다.
상기 제3 내지 제5 중 어느 하나의 관점에 있어서, 상기 기판 보유 지지부는 기판을 보유 지지하는 보유 지지 플레이트를 갖고, 상기 열 처리부는 기판을 가열하는 가열 플레이트를 갖고, 상기 보유 지지 플레이트와 상기 가열 플레이트는 동일 하우징에 배치되도록 구성할 수 있다. 이 경우에, 상기 반송 기구는, 상기 보유 지지 플레이트에 기판을 적재한 상태에서 상기 보유 지지 플레이트를 상기 가열 플레이트 상으로 이동시켜 기판을 상기 가열 플레이트 상으로 전달하도록 구성할 수 있다. 또한, 상기 기판 보유 지지부와 상기 열 처리부는, 별개의 유닛으로서 구성할 수 있다. 또한, 상기 기판 보유 지지부가 상기 기판을 보유 지지하는 상기 예비 온도는, 도포막이 경화 또는 가교되는 온도 미만의 온도로 유지하는 것이 바람직하고, 70 내지 100 ℃로 유지하는 것이 보다 바람직하다. 게다가 또한, 상기 열 처리부가 열 처리를 행하는 상기 하한 온도 이상의 온도는, 상기 도포막이 경화 또는 가교되는 온도인 것이 바람직하다.
본 발명의 제6 관점에서는, 컴퓨터상에서 동작하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체이며, 상기 제어 프로그램은, 실행시에, 상기 제1 또는 제2 관점에 관한 방법이 행해지도록, 컴퓨터에 처리 장치를 제어시키는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체를 제공한다.
본 발명의 추가 목적 및 이점들은 다음의 상세한 설명에 개시될 것이며, 부 분적으로는 상세한 설명으로부터 명백할 것이고 또는 본 발명의 실시에 의해 학습될 수도 있다. 본 발명의 목적 및 이점들은 특별히 이후에 지시되는 수단들 및 조합들에 의해 인식되고 얻어질 수도 있다.
본 명세서에 합체되고 일부로 구성되는 첨부 도면들은 본 발명의 실시 형태들을 나타내고 있고, 상기한 일반적인 설명과 함께 하기되는 실시 형태들의 상세한 설명은 본 발명의 원리들을 설명하는 것으로 제공된다.
이하에, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 대략 동일한 기능 및 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일 부호를 붙이고 중복 설명은 필요한 경우에만 행한다.
도1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 프리 베이크 유닛(PAB)을 탑재한 레지스트 도포·현상 처리 시스템을 도시하는 개략 평면도, 도2는 그 정면도, 도3은 그 배면도이다.
이 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)은, 반송 스테이션인 카세트 스테이션(11)과, 복수의 처리 유닛을 갖는 처리 스테이션(12)과, 처리 스테이션(12)에 인접하여 설치되는 노광 장치(14)와 처리 스테이션(12)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 인터페이스 스테이션(13)을 갖고 있다.
레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)에 있어서 처리를 행하는 복수매의 웨이퍼(W)가 수평으로 수용된 웨이퍼 카세트(CR)가 다른 시스템으로부터 카세트 스테이션(11)으로 반입된다. 또한 반대로, 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)에 있어 서의 처리가 종료된 웨이퍼(W)가 수용된 웨이퍼 카세트(CR)가 카세트 스테이션(11)으로부터 다른 시스템으로 반출된다. 또한, 카세트 스테이션(11)은 웨이퍼 카세트(CR)와 처리 스테이션(12)과의 사이에서의 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
카세트 스테이션(11)에 있어서는, 도1에 도시한 바와 같이 카세트 적재대(20) 상에 X 방향을 따라 일렬로 복수(도1에서는, 5개)의 위치 결정 돌기(20a)가 형성되어 있고, 웨이퍼 카세트(CR)는 웨이퍼 반입출구를 처리 스테이션(12)측을 향해 이 돌기(20a)의 위치에 적재 가능하게 되어 있다.
카세트 스테이션(11)에는, 웨이퍼 반송 기구(21)가 카세트 적재대(20)와 처리 스테이션(12)과의 사이에 위치하도록 설치되어 있다. 이 웨이퍼 반송 기구(21)는 카세트 배열 방향(X 방향) 및 웨이퍼 카세트(CR) 중의 웨이퍼(W)의 배열 방향(Z 방향)으로 이동 가능한 웨이퍼 반송용 픽(21a)을 갖고 있고, 이 웨이퍼 반송용 픽(21a)은 도1 중에 나타내어지는 θ 방향으로 회전 가능하다. 이에 의해, 웨이퍼 반송용 픽(21a)은 임의의 웨이퍼 카세트(CR)에 대해 액세스할 수 있고, 또한 후술하는 처리 스테이션(12)의 제3 처리 유닛군(G3)에 설치된 트랜지션 유닛(TRS-G3)에 액세스할 수 있도록 되어 있다.
처리 스테이션(12)에는, 시스템 전방면측에, 카세트 스테이션(11)측으로부터 차례로, 제1 처리 유닛군(G1)과 제2 처리 유닛군(G2)이 설치되어 있다. 또한, 시스템 배면측에, 카세트 스테이션(11)측으로부터 차례로, 제3 처리 유닛군(G3), 제4 처리 유닛군(G4) 및 제5 처리 유닛군(G5)이 배치되어 있다. 또한, 제3 처리 유닛 군(G3)과 제4 처리 유닛군(G4)과의 사이에 제1 주 반송부(A1)가 설치되고, 제4 처리 유닛군(G4)과 제5 처리 유닛군(G5)과의 사이에 제2 주 반송부(A2)가 설치되어 있다. 또한, 제1 주 반송부(A1)의 배면측에는 제6 처리 유닛군(G6)이 설치되고, 제2 주 반송부(A2)의 배면측에는 제7 처리 유닛군(G7)이 설치되어 있다.
도1 및 도2에 도시한 바와 같이, 제1 처리 유닛군(G1)은 컵(CP) 내에서 웨이퍼(W)를 스핀 척(SP)에 얹어 소정의 처리를 행하는 액(液) 공급 유닛으로서의 5대의 스피너형 처리 유닛, 예를 들어 3개의 레지스트 도포 유닛(COT)과, 노광시의 광의 반사를 방지하는 반사 방지막을 형성하는 하부 코팅 유닛(BARC)이 총 5단으로 적층되어 있다. 또한 제2 처리 유닛군(G2)에서는, 5대의 스피너형 처리 유닛, 예를 들어 현상 유닛(DEV)이 5단으로 적층되어 있다.
제3 처리 유닛군(G3)은, 도3에 도시한 바와 같이 하부로부터 온조(溫調) 유닛(TCP), 카세트 스테이션(11)과 제1 주 반송부(A1)와의 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달부가 되는 트랜지션 유닛(TRS-G3), 웨이퍼(W)를 적재대에 얹어 소정의 처리를 행하는 오븐형의 처리 유닛, 원하는 오븐형 처리 유닛 등을 설치할 수 있는 스페어 공간(V), 웨이퍼(W)에 정밀도가 좋은 온도 관리하에서 가열 처리를 실시하는 3개의 고정밀도 온조 유닛(CPL-G3), 웨이퍼(W)에 소정의 가열 처리를 실시하는 4개의 고온도 열 처리 유닛(BAKE)이 10단으로 적층되어 구성되어 있다.
제4 처리 유닛군(G4)은, 도3에 도시한 바와 같이 하부로부터, 고정밀도 온조 유닛(CPL-G4), 레지스트 도포 후의 웨이퍼(W)에 가열 처리를 실시하는 4개의 프리 베이크 유닛(PAB), 현상 처리 후의 웨이퍼(W)에 가열 처리를 실시하는 5개의 포스트 베이크 유닛(POST)이 10단으로 적층되어 구성되어 있다. 또한, 제4 처리 유닛군(G4)에 설치되어 있는 본 실시 형태에 관한 프리 베이크 유닛(PAB)은 후술하는 바와 같이 가열부 및 에이징(aging)부를 갖는 구조이다.
제5 처리 유닛군(G5)은, 도3에 도시한 바와 같이 하부로부터, 4개의 고정밀도 온조 유닛(CPL-G5), 6개의 노광 후 현상 전의 웨이퍼(W)에 가열 처리를 실시하는 포스트 익스포저 베이크 유닛(PEB)이 10단으로 적층되어 있다.
또한, 제3 내지 제5 처리 유닛군(G3 내지 G5)의 적층 단수 및 유닛의 배치는 도시하는 것에 한정되지 않고, 임의로 설정하는 것이 가능하다.
제6 처리 유닛군(G6)은 하부로부터, 2개의 어드히전 유닛(AD)과, 2개의 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 유닛(HP)이 4단으로 적층되어 구성되어 있다. 어드히전 유닛(AD)에는 웨이퍼(W)를 온조하는 기구를 갖게 해도 좋다. 또한, 제7 처리 유닛군(G7)은 하부로부터, 레지스트막 두께를 측정하는 막 두께 측정 장치(FTI)와, 웨이퍼(W)의 에지부만을 선택적으로 노광하는 주변 노광 장치(WEE)가 2단으로 적층되어 구성되어 있다. 여기서, 주변 노광 장치(WEE)는 다단으로 배치해도 상관없다. 또 한, 제2 주 반송부(A2)의 배면측에는, 제1 주 반송부(A1)의 배면측과 마찬가지로 가열 유닛(HP) 등의 열 처리 유닛을 배치할 수도 있다.
제1 주 반송부(A1)에는 제1 주 웨이퍼 반송 장치(16)가 설치되고, 이 제1 주 웨이퍼 반송 장치(16)는 제1 처리 유닛군(G1), 제3 처리 유닛군(G3), 제4 처리 유닛군(G4)과 제6 처리 유닛군(G6)에 구비된 각 유닛에 선택적으로 액세스 가능하게 되어 있다. 또한, 제2 주 반송부(A2)에는 제2 주 웨이퍼 반송 장치(17)가 설치되고, 이 제2 주 웨이퍼 반송 장치(17)는 제2 처리 유닛군(G2), 제4 처리 유닛군(G4), 제5 처리 유닛군(G5), 제7 처리 유닛군(G7)에 구비된 각 유닛에 선택적으로 액세스 가능하게 되어 있다.
제1 주 웨이퍼 반송 장치(16)는, 도4에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)를 보유 지하는 3개의 아암(7a, 7b, 7c)을 갖고 있다. 이들, 아암(7a 내지 7c)은 기대(基臺)(52)를 따라 전후 이동 가능하게 되어 있다. 기대(52)는 지지부(53)에 회전 가능하게 지지되어, 지지부(53)에 내장된 모터에 의해 회전되도록 되어 있다. 지지부(53)는 연직 방향으로 연장되는 지지 기둥(55)을 따라 승강 가능하게 되어 있다. 지지 기둥(55)에는, 연직 방향을 따라 슬리브(55a)가 형성되어 있고, 지지부(53)로부터 측방으로 돌출되는 플랜지부(56)가 슬리브(55a)에 슬라이드 가능하게 되어 있고, 지지부(53)는 도시하지 않은 승강 기구에 의해 플랜지부(56)를 통해 승강되도록 되어 있다. 이러한 구성에 의해, 제1 주 웨이퍼 반송 장치(16)의 아암(7a 내지 7c)은, X 방향, Y 방향, Z 방향의 각 방향으로 이동 가능하고, 또한 XY면 내에서 회전 가능하고, 이에 의해 앞서 서술한 바와 같이 제1 처리 유닛군(G1), 제3 처리 유닛군(G3), 제4 처리 유닛군(G4) 및 제6 처리 유닛군(G6)의 각 유닛에 각각 액세스 가능하게 되어 있다.
또한, 아암(7a)과 아암(7b)과의 사이에 양 아암으로부터의 방사열을 차단하는 차폐판(8)이 부착되어 있다. 또한, 최상단의 아암(7a)의 선단부 상방에는 발광 소자(도시하지 않음)가 부착된 센서 부재(59)가 설치되어 있고, 기대(52)의 선단에는 수광 소자(도시하지 않음)가 설치되어 있어, 이들 발광 소자 및 수광 소자로 이루어지는 광학 센서에 의해 아암(7a 내지 7c)에 있어서의 웨이퍼(W)의 유무와 웨이퍼(W)의 밀려나옴 등이 확인되도록 되어 있다. 또한, 도4에 도시하는 벽부(57)는 제1 처리 유닛군(G1)측에 있는 제1 주 반송부(A1)의 하우징의 일부이며, 벽부(57)에는 제1 처리 유닛군(G1)의 각 유닛과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 창부(窓部)(57a)가 형성되어 있다. 제2 주 웨이퍼 반송 장치(17)는 제1 주 웨이퍼 반송 장치(16)와 동일한 구조를 갖고 있다.
제1 처리 유닛군(G1)과 카세트 스테이션(11)과의 사이에는 액 온조 펌프(24) 및 덕트(28)가 설치되고, 제2 처리 유닛군(G2)과 인터페이스 스테이션(13)과의 사이에는 액 온조 펌프(25) 및 덕트(29)가 설치되어 있다. 액 온조 펌프(24, 25)는, 각각 제1 처리 유닛군(G1)과 제2 처리 유닛군(G2)에 소정의 처리액을 공급하는 것이 다. 또한, 덕트(28, 29)는 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1) 외부에 설치된 도시하지 않은 공조기로부터의 청정한 공기를 각 처리 유닛군(G1 내지 G5)의 내부에 공급하기 위한 것이다.
제1 처리 유닛군(G1) 내지 제7 처리 유닛군(G7)은, 유지 보수를 위해 분리가 가능하게 되어 있고, 처리 스테이션(12)의 배면측의 패널도 분리 또는 개폐 가능하게 되어 있다. 또한, 제1 처리 유닛군(G1)과 제2 처리 유닛군(G2)의 하방에는, 제1 처리 유닛군(G1)과 제2 처리 유닛군(G2)에 소정의 처리액을 공급하는 케미컬 유닛(CHM)(26, 27)이 설치되어 있다.
인터페이스 스테이션(13)은, 처리 스테이션(12)측의 제1 인터페이스 스테이션(13a)과, 노광 장치(14)측의 제2 인터페이스 스테이션(13b)으로 구성되어 있고, 제1 인터페이스 스테이션(13a)에는 제5 처리 유닛군(G5)의 개구부와 대면하도록 제1 웨이퍼 반송체(62)가 배치되고, 제2 인터페이스 스테이션(13b)에는 X 방향으로 이동 가능한 제2 웨이퍼 반송체(63)가 배치되어 있다.
제1 웨이퍼 반송체(62)의 배면측에는, 도3에 도시한 바와 같이 하부로부터 차례로, 노광 장치(14)로부터 반출된 웨이퍼(W)를 일시 수용하는 아웃용 버퍼 카세트(OUTBR), 노광 장치(14)로 반송되는 웨이퍼(W)를 일시 수용하는 인용 버퍼 카세트(INBR), 주변 노광 장치(WEE)가 적층되어 구성된 제8 처리 유닛군(G8)이 배치되어 있다. 인용 버퍼 카세트(INBR)와 아웃용 버퍼 카세트(OUTBR)는, 복수매, 예를 들 어 25매의 웨이퍼(W)를 수용할 수 있도록 되어 있다. 또한, 제1 웨이퍼 반송체(62)의 정면측에는, 도2에 도시한 바와 같이 하부로부터 차례로, 2단의 고정밀도 온조 유닛(CPL-G9)과, 트랜지션 유닛(TRS-G9)이 적층되어 구성된 제9 처리 유닛군(G9)이 배치되어 있다.
제1 웨이퍼 반송체(62)는, Z 방향으로 이동 가능, 또한 θ 방향으로 회전 가능하고, 또한 X-Y면 내에 있어서 진퇴 가능한 웨이퍼 전달용 포크(62a)를 갖고 있다. 이 포크(62a)는, 제5 처리 유닛군(G5), 제8 처리 유닛군(G8), 제9 처리 유닛군(G9)의 각 유닛에 대해 선택적으로 액세스 가능하고, 이에 의해 이들 유닛 사이에서의 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 것이 가능하게 되어 있다.
제2 웨이퍼 반송체(63)도 마찬가지로, X 방향 및 Z 방향으로 이동 가능, 또한 θ 방향으로 회전 가능하고, 또한 X-Y면 내에 있어서 진퇴 가능한 웨이퍼 전달용 포크(63a)를 갖고 있다. 이 포크(63a)는, 제9 처리 유닛군(G9)의 각 유닛과, 노광 장치(14)의 인 스테이지(14a) 및 아웃 스테이지(14b)에 대해 선택적으로 액세스 가능하고, 이들 각 부분의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행할 수 있도록 되어 있다.
도2에 도시한 바와 같이, 카세트 스테이션(11)의 하부에는 이 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1) 전체를 제어하는 집중 제어부(19)가 설치되어 있다. 이 집중 제어부(19)는, 도5에 도시한 바와 같이 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)의 각 유닛 및 각 반송 기구 등의 각 구성부를 제어하는, CPU를 구비한 프로세스 컨트롤러(101)를 갖고, 이 프로세스 컨트롤러(101)에는 공정 관리자가 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)의 각 구성부를 관리하기 위해 코맨드의 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)의 각 구성부의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 사용자 인터페이스(102)와, 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)에서 실행되는 각종 처리를 프로세스 컨트롤러(101)의 제어로 실현하기 위한 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터 등이 기록된 레시피가 저장된 기억부(103)가 접속되어 있다.
그리고, 필요에 따라서 사용자 인터페이스(102)로부터의 지시 등을 받아, 임의의 레시피를 기억부(103)로부터 불러내어 프로세스 컨트롤러(101)에 실행시킴으로써, 프로세스 컨트롤러(101)의 제어하에서, 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)에 있어서 원하는 각종 처리가 행해진다. 레시피는, 예를 들어 CD-ROM, 하드 디스크, 가요성 디스크, 불휘발성 메모리 등의 판독 가능한 기억 매체에 저장된 상태인 것이라도 좋고, 또한 적절한 장치로부터 예를 들어 전용 회선을 통해 수시 전송시켜 온라인에서 이용하는 것도 가능하다. 또한, 각 처리 유닛에는 하위의 유닛 컨트롤러가 설치되어 있고, 이들 컨트롤러가 프로세스 컨트롤러(101)의 지령을 기초로 하여 각 유닛의 동작 제어를 행하도록 되어 있다.
이와 같이 구성되는 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)에 있어서는, 웨이퍼 카세트(CR)로부터 처리 전의 웨이퍼(W)를 1매씩 웨이퍼 반송 기구(21)에 의해 취출하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 스테이션(12)의 처리 유닛군(G3)에 배치된 트랜지션 유닛(TRS-G3)으로 반송한다. 이어서, 웨이퍼(W)에 대해 온조 유닛(TCP)에서 온조 처리를 행한 후, 제1 처리 유닛군(G1)에 속하는 하부 코팅 유닛(BARC)에서 반사 방지막의 형성, 가열 유닛(HP)에 있어서의 가열 처리, 고온도 열 처리 유닛(BAKE)에 있어서의 베이크 처리를 행한다. 하부 코팅 유닛(BARC)에 의한 웨이퍼(W)에의 반사 방지막의 형성 전에 어드히전 유닛(AD)에 의해 어드히전 처리를 행해도 좋다. 이어서, 고정밀도 온조 유닛(CPL-G4)에서 웨이퍼(W)의 온조를 행한 후, 웨이퍼(W)를 제1 처리 유닛군(G1)에 속하는 레지스트 도포 유닛(COT)으로 반송 후, 레지스트액의 도포 처리를 행한다. 그 후, 제4 처리 유닛군(G4)에 설치된 프리 베이크 유닛(PAB)에서 웨이퍼(W)에 프리 베이크 처리를 실시하고, 주변 노광 장치(WEE)에서 주변 노광 처리를 실시한 후, 고정밀도 온조 유닛(CPL-G9) 등에서 온조한다. 그 후, 웨이퍼(W)를 제2 웨이퍼 반송체(63)에 의해 노광 장치(14) 내로 반송한다. 노광 장치(14)에 의해 노광 처리가 이루어진 웨이퍼(W)를 제2 웨이퍼 반송체(63)에 의해 트랜지션 유닛(TRS-G9)으로 반입하고, 제1 웨이퍼 반송체(62)에 의해 제5 처리 유닛군(G5)에 속하는 포스트 익스포저 베이크 유닛(PEB)에서 포스트 익스포저 베이크 처리를 실시하고, 또한 제2 처리 유닛군(G2)에 속하는 현상 유닛(DEV)으로 반송하여 현상 처리를 실시한 후, 포스트 베이크 유닛(POST)에서 포스트 베이크 처리를 행하 고, 고정밀도 온조 유닛(CPL-G3)에서 온조 처리를 행한 후, 트랜지션 유닛(TRS-G3)을 통해 카세트 스테이션(11)의 웨이퍼 카세트(CR)의 소정 위치로 반송한다.
다음에, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 프리 베이크 유닛(PAB)에 대해 상세하게 설명한다.
도6은 본 실시 형태에 관한 프리 베이크 유닛(PAB)을 도시하는 단면도, 도7은 프리 베이크 유닛(PAB)의 내부의 개략 평면도이다.
이 프리 베이크 유닛(PAB)은, 케이싱(110)과, 그 내부의 한쪽측에 설치된 가열부(열 처리부)(120)와, 다른 쪽측에 설치된 에이징부(기판 보유 지지부)(140)를 갖고 있다.
가열부(열 처리부)(120)는, 웨이퍼(W)를 가열하여 도포막을 가열 경화시키는 처리를 행하는 것이며, 웨이퍼(W)를 가열하는 원판 형상의 가열 플레이트(121)와, 상부가 개방된 편평 원통 형상을 이루고 그 내부 공간에 가열 플레이트(121)를 지지하는 지지 부재(122)와, 외부로부터 중심부를 향해 점차 높아지는 원추형을 이루고 지지 부재(122)의 상방을 덮는 커버(123)를 갖고 있다. 커버(123)는, 중앙의 정상부에는 배기관에 접속되는 배기구(125)를 갖고 있다. 이 커버(123)는, 도시하지 않은 승강 기구에 의해 승강하도록 되어 있고, 상승한 상태에서 웨이퍼(W)의 가열 플레이트(121)에 대한 반입·반출이 가능하게 되어 있다. 하강한 상태에서 그 하단이 지지 부재(122)의 상단과 밀착하여 가열 처리 공간(S)을 형성한다. 또한, 지지 부재(122)는 케이싱(110)의 바닥면에 배치된 스페이서(124) 상에 고정되어 있 다.
가열 플레이트(121)는, 예를 들어 알루미늄으로 구성되어 있고, 그 표면에는 프록시미티 핀(126)이 설치되어 있다. 그리고, 이 프록시미티 핀(126) 상에 가열 플레이트(121)에 근접한 상태에서 웨이퍼(W)가 적재되도록 되어 있다. 가열 플레이트(121)에는 소정 패턴을 갖는 전기 히터(127)가 매설되어 있고, 히터 전원(128)으로부터 이 전기 히터(127)에 통전함으로써, 가열 플레이트(121)가 소정 온도로 설정된다. 가열 온도의 제어는, 가열 플레이트(121)의 표면 근방에 설치된 열전대(熱電對)(도시하지 않음)를 이용한 피드백 제어에 의해 행해진다.
가열 플레이트(121)에는 그 중앙부에 3개의 관통 구멍(129)이 형성되어 있고(도6에서는 2개만 도시), 이들 관통 구멍(129)에는 웨이퍼(W)를 승강시키기 위한 승강 핀(130)이 승강 가능하게 설치되어 있다. 이들 승강 핀(130)은 지지판(131)에 지지되어 있고, 이 지지판(131)을 통해 케이싱(110)의 하방에 설치된 실린더 기구(132)에 의해 승강되도록 되어 있다.
에이징부(기판 보유 지지부)(140)는, 웨이퍼(W)를 도포막이 가열 경화되는 온도보다도 낮은 온도(즉, 도포막이 가열 경화되는 하한 온도보다도 낮은 예비 온도)로 유지하는 에이징 처리를 행하는 것이며, 보유 지지 플레이트(141)와, 보유 지지 플레이트(141)를 수평 방향을 따라 이동시켜 웨이퍼(W)를 가열부(120)와의 사이에서 반송하는 구동 기구(142)를 갖고 있다. 보유 지지 플레이트(141) 상에는 프록시미티 핀(143)이 설치되어 있고, 웨이퍼(W)는 이 프록시미티 핀(143) 상에 보유 지지 플레이트(141)에 근접한 상태에서 적재되어, 에이징 처리된다. 구동 기 구(142)는 벨트 기구나 볼 나사 기구 등의 적절한 기구에 의해 보유 지지 플레이트(141)를 가이드(144)를 따라 이동시킨다. 보유 지지 플레이트(141)는 웨이퍼(W)의 가열 플레이트(121)에 대한 수취 전달시에는 가열부(열 처리부)(120)로 이동하고, 에이징부에서 처리할 때에는 도시한 기준 위치에 위치된다. 보유 지지 플레이트(141)에는, 이와 같이 이동할 때에 보유 지지 플레이트(141)와 승강 핀(130)과의 간섭을 피하기 위해, 도7에 도시한 바와 같이 보유 지지 플레이트(141)에 반송 방향을 따른 홈(145)이 형성되어 있다.
보유 지지 플레이트(141)에는 소정 패턴을 갖는 전기 히터(146)가 매설되어 있고, 히터 전원(147)으로부터 이 전기 히터(146)에 통전함으로써, 보유 지지 플레이트(141)를 소정 온도로 유지하는 것이 가능하게 되어 있다. 보유 지지 플레이트(141)의 온도 제어는, 보유 지지 플레이트(141)의 표면 근방에 설치된 열전대(도시하지 않음)를 이용한 피드백 제어에 의해 행해진다. 보유 지지 플레이트(141)는 웨이퍼(W) 상에 도포되어 형성된 도포막 내의 소정 성분을 국재화하여 소정 성분의 분포를 웨이퍼 사이에서 일정하게 하기 위한 것이므로, 그 온도는 그 목적에 따라서 적절히 설정되는 것이며, 가열하는 것은 필수는 아니다. 여기서, 국재화(局在化)란, 도포막 중에 존재하는 성분, 예를 들어 감광제, 가교제, 용해 억제제, 산 발생제, 용제 및 수지(베이스 레진) 중 소정 성분의 분포가, 도포액을 도포한 후 장시간 방치하면, 일정 분포 상태로 되는 것이다. 상온 부근에서 온도 제어하는 경우에는, 온조수(溫調水) 등을 순환시킴으로써 온도 제어를 행할 수 있다.
프리 베이크 유닛(PAB)에는, 레지스트 도포·현상 처리 시스템(1)의 프로세스 컨트롤러(101)로부터의 지령을 기초로 하여 프리 베이크 유닛(PAB)을 제어하기 위한 유닛 컨트롤러(111)가 설치되어 있다. 이 유닛 컨트롤러(111)는 구동 기 구(142)에 의한, 보유 지지 플레이트(141)의 구동 제어나, 가열 플레이트(121), 보유 지지 플레이트(141)의 온도 제어 등을 행한다.
다음에, 이와 같이 구성된 프리 베이크 유닛(PAB)에 의한 처리 방법에 대해 도8에 나타내는 흐름도를 참조하여 설명한다. 여기서는, 레지스트액이나 BARC용의 약액 등의 도포액을 도포하여 도포막을 형성한 후 프리 베이크 유닛(PAB)에서의 웨이퍼(W)의 처리 종료까지의 일련의 공정에 대해 설명한다.
우선, 레지스트 도포 유닛(COT)에서 레지스트액 등의 도포액이 도포되어 도포막이 형성된 웨이퍼(W)를 프리 베이크 유닛(PAB)으로 반송하여, 케이싱(110)으로 반입한다(단계 1). 이어서, 웨이퍼(W)를 에이징부(기판 보유 지지부)(140)로 반송하여, 보유 지지 플레이트(141)의 프록시미티 핀(143) 상에 적재한다(단계 2).
이때에는, 우선 도9의 (a)에 도시한 바와 같이 가열 플레이트(121)의 승강 핀(130)을 상승시켜, 그 위에 웨이퍼(W)를 적재한 상태에서 보유 지지 플레이트(141)를 가열 플레이트(121) 상으로 이동시키고, 이어서 도9의 (b)에 도시한 바와 같이 승강 핀(130)을 하강시킴으로써, 웨이퍼(W)를 보유 지지 플레이트(141)의 표면에 설치된 프록시미티 핀(143) 상에 적재한다. 그리고 도9의 (c)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 보유 지지한 보유 지지 플레이트(141)를 원래의 위치로 이동시킨다.
이 상태에서 웨이퍼(W)를 보유 지지 플레이트(141) 상에 보유 지지시켜 에이징 처리를 행한다(단계 3). 이 에이징 처리는, 가열부(120)에서의 베이크 처리, 즉 웨이퍼(W) 상에 형성된 도포막을 가열 경화시키는 처리에 앞서 도포막 내의 소 정 성분의 분포를 조정하는 것이며, 도포막이 가열 경화되는 온도보다도 낮은 온도(즉, 도포막이 가열 경화되는 하한 온도보다도 낮은 예비 온도)로 행해진다.
이러한 에이징 처리에 대해 도10 내지 도13의 모식도를 기초로 하여 상세하게 설명한다.
도포막을 형성한 직후의 웨이퍼(W)에서는, 도10에 도시한 바와 같이 도포막(150) 중의 소정 성분(151)은 거의 균일하게 분산되어 있어, 조성 분포는 거의 균일하다. 그러나, 웨이퍼(W)가 프리 베이크 유닛(PAB)으로 반송되어 왔을 때에는, 반건조 상태인 도포막 내의 소정 성분의 분포가 웨이퍼 사이에서 변동되어 버리는 경우가 있다.
이러한 소정 성분의 분포의 변동은, 웨이퍼에 따라 도포액을 도포한 후 프리 베이크 유닛(PAB)으로 반송될 때까지의 시간이 변동되는 것에 의해 발생한다. 즉, 레지스트 도포·현상 처리 시스템에서는, 주 웨이퍼 반송 장치가 복수의 처리 유닛에 대해 처리의 순서에 따라서 복수의 웨이퍼를 연속적으로 반입·반출하므로, 주 웨이퍼 반송 장치의 상태에 따라 각 처리 유닛에서의 대기 시간 등이 웨이퍼마다 달라, 도포액을 도포한 후 프리 베이크 유닛(PAB)으로 반송되어 올 때까지의 시간이 웨이퍼 사이에서 변동된다. 이와 같이 반송 시간이 변동되면, 반송 시간이 짧은 웨이퍼에서는, 도11의 (a)에 도시한 바와 같이 도포막(150) 중의 소정 성분(151)의 이동은 거의 발생하지 않고, 그 분포는 거의 도10의 상태 그대로이며 조성 분포는 균일하다. 그러나 반송 시간이 긴 웨이퍼에서는, 도11의 (b)에 도시한 바와 같이 반송하는 동안에 도포막(150) 중의 소정 성분(151)의 이동이 충분히 발 생하여, 소정 성분(151)이 국재화된다. 즉, 웨이퍼 사이에서 도포막 중의 소정 성분의 변동이 발생되어 버린다. 그리고, 프리 베이크 처리에 있어서는, 이러한 소정 성분의 분포는 그대로 가져올 수 있으므로, 결국 가열 경화된 후의 도포막은 웨이퍼 사이에서 소정 성분의 분포의 변동을 가진 상태가 된다. 최근, 반도체 디바이스에 있어서의 회로 패턴의 미세화가 급속하게 진행되고 있어, 이와 같이 가열 경화된 후의 도포막의 소정 성분의 분포가 웨이퍼 사이에서 변동하는 것에 의해서까지도, 웨이퍼 사이에서의 선 폭(CD)의 변동으로 이어져 버린다.
그래서, 본 실시 형태에서는 상술한 바와 같이 프리 베이크 유닛(PAB)에 에이징부(140)를 설치하여, 도포막을 가열 경화시키는 처리에 앞서, 그곳에서 단계 3의 도포막이 가열 경화되는 온도보다도 낮은 온도로 에이징 처리를 행하고, 웨이퍼의 반송 시간에 관계없이 모든 웨이퍼에 대해 도12에 도시한 바와 같이 도포막(150) 중의 소정 성분(151)을 국재화한 상태에서 고착시킨다. 따라서, 후술하는 열 처리(베이크 처리)에 의해 도포막이 가열 경화된 후의 소정 성분의 분포를 기판 사이에서 일정하게 할 수 있어, 웨이퍼 사이에서 선 폭(CD)에 변동이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
이러한 에이징 처리의 온도는, 도포막이 가열 경화되는 온도보다도 낮으면 좋고, 분포가 변동되는 성분의 특성에 따라서 적절하게 설정하면 좋다. 또한, 도포막을 가열 경화시키는 것은, 일반적으로 도포막에 경화 또는 가교 반응을 발생시키는 것이므로, 상기 에이징 처리의 온도는 도포막에 있어서 경화 또는 가교 반응이 일어나는 온도 미만인 것이 바람직하고, 구체적으로는 70 내지 100 ℃인 것이 바람직하다. 에이징 온도는 도포액의 종류에 따라서는 상온이라도 충분한 경우가 있다. 단, 보유 지지 플레이트(141)에서 가열함으로써, 에이징 시간을 짧게 할 수 있으므로, 상온에서 에이징 처리를 행하는 것보다도 스루풋을 향상시킬 수 있다.
에이징 처리의 시간에 대해서도, 소정 성분이 원하는 분포 상태로 되는 것은 충분한 시간이면 좋고, 도포액의 종류에 따라 적절하게 설정하면 좋다. 예를 들어, 미리 실험에 의해 도포액마다 소정 성분이 원하는 분포 상태로 될 때까지의 시간을 구해 두고, 구한 시간 동안 에이징 처리를 행하면 좋다.
이와 같이 하여 에이징 처리를 행한 후, 웨이퍼(W)를 가열부(열 처리부)(120)로 반송한다(단계 4). 이 단계 4에 있어서는, 구동 기구(142)에 의해 보유 지지 플레이트(141)를 가열부(120)의 가열 플레이트(121) 상으로 이동시키고, 가열 플레이트(121)의 승강 핀(130)을 상승시켜, 승강 핀(130) 상에 웨이퍼(W)를 수취하고, 그 후 승강 핀(130)을 하강시켜 가열 플레이트(121) 표면에 설치된 프록시미티 핀(126) 상에 웨이퍼(W)를 적재한다. 이 상태에서 웨이퍼(W)의 가열 처리(프리 베이크 처리)가 진행된다(단계 5). 가열 플레이트(121)는 미리 소정의 온도로 가열되어 있고, 웨이퍼(W)를 프록시미티 핀(126) 상에 적재한 단계에서 가열 처리가 개시된다. 이 단계 5의 가열 처리는, 도포막(150)을 가열 경화시킬 수 있는 온도(즉, 도포막이 가열 경화되는 하한 온도 이상의 온도)로 행해진다. 도포막을 가열 경화시키는 것은, 일반적으로 도포막에 경화 또는 가교 반응을 발생시키는 것이므로, 도포막이 경화 또는 가교되는 온도로 행하는 것이 바람직하다. 이때의 온도는, 도포막이 레지스트막인 경우에는 110 내지 130 ℃가 예시되고, BARC막인 경우 에는 190 내지 210 ℃가 예시된다. 이 가열 처리시에는, 도13에 도시한 바와 같이 도포막(150) 중의 소정 성분(151)이 에이징 처리에 의해 형성된 분포 그대로 고착되므로, 웨이퍼 사이에서 일정한 분포가 얻어진다.
이와 같이 하여 가열 처리가 종료된 후, 주 웨이퍼 반송 장치에 의해 프리 베이크 유닛(PAB)으로부터 도시하지 않은 반입출구를 통해 웨이퍼(W)를 반출한다(단계 6).
다음에, 상기 프리 베이크 유닛(PAB)에 의한 처리 방법의 다른 예에 대해 도14에 나타내는 흐름도를 참조하여 설명한다.
앞서 설명한 처리 방법에서는, 모든 웨이퍼에 대해 에이징부(140)에서 에이징 처리를 행하여 소정 성분의 분포를 조정한 후 가열부(120)에서 베이크 처리를 행한 예를 설명하였지만, 프리 베이크 유닛(PAB)으로 반송되어 온 시점에서 도포액을 도포한 후 장시간 경과되어 있는 웨이퍼인 경우에는, 이미 소정 성분이 원하는 분포로 되어 있고, 그 경우에는 에이징 처리의 필요성은 없다. 그래서, 본 실시 형태에서는 에이징 처리에 의해 소정 성분의 분포의 조정이 필요한 웨이퍼에만 에이징 처리를 실시한다. 이하 구체적으로 설명한다.
우선, 앞의 방법과 마찬가지로, 레지스트 도포 유닛(COT)에서 레지스트액 등의 도포액이 도포되어 도포막이 형성된 웨이퍼(W)를 프리 베이크 유닛(PAB)으로 반송하여, 케이싱(110)으로 반입한다(단계 11).
다음에, 케이싱(110)으로 반입된 웨이퍼(W)의 ID 등을 판독함으로써, 그 웨이퍼(W)의 도포액을 도포한 후의 시간을 유닛 컨트롤러(111)가 파악하고(단계 12), 이어서 그 시간과 유닛 컨트롤러(111)에 미리 설정되어 있는 소정 시간을 비교 연산하여 소정 시간이 경과되어 있는지 여부를 판단한다(단계 13). 이 소정 시간은, 웨이퍼(W)에 도포액을 도포한 후 도11의 (b)에 도시한 바와 같은 소정 성분이 국재화될 때까지의 시간을 미리 실험에 의해 구해 두고, 그 시간으로 설정하면 좋다. 이에 의해, 케이싱(11O)으로 반입되어 온 웨이퍼가, 상술한 도11의 (a) 및 도11의 (b) 중 어느 쪽의 상태에 있는지를 판별할 수 있다.
단계 13에 의해, 소정 시간이 경과되어 있지 않다고 판단된 경우(제1 상태인 경우)에는, 그 웨이퍼(W)를 에이징부(기판 보유 지지부)(140)로 반송하여, 보유 지지 플레이트(141)의 프록시미티 핀(143) 상에 적재한다(단계 14). 이때의 순서로서는, 상술한 도9의 (a) 내지 도9의 (c)의 순서를 이용할 수 있다. 이 상태에서 웨이퍼(W)를 보유 지지 플레이트(141) 상에 보유 지지시켜 에이징 처리를 행한다(단계 15). 이 에이징 처리는 앞의 방법과 동일하게 행할 수 있다.
에이징 처리 후, 웨이퍼(W)를 가열부(열 처리부)(120)로 반송한다(단계 16). 이 단계 16에 있어서는, 상술한 단계 4와 동일한 순서로 웨이퍼(W)를 가열 플레이트(121) 표면에 설치된 프록시미티 핀(126) 상에 적재한다. 이 상태에서 웨이퍼(W)의 가열 처리(프리 베이크 처리)가 진행된다(단계 17). 가열 플레이트(121)는 미리 소정의 온도로 가열되어 있고, 웨이퍼(W)를 프록시미티 핀(126) 상에 적재한 단계에서 가열 처리가 개시된다. 이와 같이 하여 가열 처리가 종료된 후, 주 웨이퍼 반송 장치에 의해 프리 베이크 유닛(PAB)으로부터 도시하지 않은 반입출구로부터 웨이퍼(W)를 반출한다(단계 18).
한편, 단계 13에 있어서 소정 시간이 경과되어 있다고 판단된 경우(제2 상태인 경우)에는, 그 웨이퍼(W)에는 단계 16 이후의 처리가 이루어진다. 즉, 우선 가열부(열 처리부)(120)로 반송되고(단계 16), 이어서 웨이퍼(W)에 가열 처리(프리 베이크 처리)가 실시되고(단계 17), 그 후 반입출구로부터 반출된다(단계 18).
이와 같이 처리함으로써, 상술한 도11의 (b)에 도시한 바와 같은 소정 성분이 국재화된 상태에 있어 에이징 처리가 불필요한 웨이퍼에 대해, 에이징 처리를 생략할 수 있으므로 전체 프리 베이크 시간을 단축할 수 있어, 스루풋을 앞의 방법보다도 향상시킬 수 있다.
상술한 본 발명의 실시 형태에 따르면, 도포막이 형성된 기판을 도포막이 가열 경화되는 하한 온도보다도 낮은 예비 온도로 유지하여 상기 소정 성분의 분포를 조정, 예를 들어 적극적으로 국재화시킨 후 하한 온도 이상의 온도로 열 처리한다. 이에 의해, 도포막이 형성된 후의 시간에 상관없이 열 처리 전에 소정 성분의 분포를 기판 사이에서 일정하게 할 수 있어 도포막이 가열 경화된 후의 소정 성분의 분포를 기판 사이에서 일정하게 할 수 있다. 따라서, 기판 사이에서 반송 시간이 변동되었다고 해도 기판 사이에서 선 폭에 변동이 생기는 것을 억제할 수 있다.
또한, 각 기판의 도포막을 형성한 후의 경과 시간이 소정 시간보다도 짧은 제1 상태와 짧지 않은 제2 상태를 판별하고, 제2 상태의 기판을, 하한 온도 미만의 온도로 유지하는 일 없이 하한 온도 이상의 온도로 열 처리한다. 이에 의해, 경과 시간을 파악하지 않고 모든 기판을 도포막이 가열 경화되는 온도보다도 낮은 온도로 유지하는 경우보다도 처리 시간을 단축할 수 있으므로, 스루풋을 향상시킨다고 하는 효과가 부가된다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되지 않으며, 다양한 변형이 가능하다. 예를 들어, 상기 실시 형태에서는 도포막으로서 레지스트막이나 BARC막 등을 이용한 경우에 대해 설명하였지만, 이에 한정되지 않고 다른 도포막을 이용한 경우에도 적용할 수 있다. 또한, 상기 실시 형태에서는 가열부(열 처리부)와 에이징부(기판 보유 지지부)가 일체로 된 장치를 이용한 예를 설명하였지만, 이들은 별개의 유닛으로서 설치되어 있어도 좋다. 또한, 처리 공간을 N2 등의 분위기나, 진공, 감압 상태로 하여 열 처리를 행하도록 해도 좋다. 게다가 또한, 상기 실시 형태에서는 기판으로서 웨이퍼를 이용한 경우에 대해 설명하였지만, 플랫 패널 디스플레이(FPD) 기판 등, 다른 기판이라도 좋다.
추가적인 이점 및 변경들은 해당 기술 분야의 숙련자들에게 용이하게 발생할 것이다. 따라서, 보다 넓은 관점에서의 본 발명은 본 명세서에 도시되고 설명된 특정 설명 및 대표적인 실시 형태들로 한정되지 않는다. 따라서, 첨부된 청구범위 및 그와 균등한 것에 의해 한정된 바와 같은 개괄적인 발명의 개념의 기술 사상 또는 범위를 벗어나지 않고 다양한 변경들이 이루어질 수 있다.
본 발명에 따르면, 도포막을 가열 경화시킨 후의 기판 사이에서 선 폭에 변동이 발생하는 것을 억제할 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공할 수 있다.
또한, 이러한 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체를 제공할 수 있다.

Claims (16)

  1. 도포막이 형성된 기판에 대해, 상기 도포막을 가열 경화시키는 열 처리를 행하는 기판 처리 방법이며,
    상기 도포막의 성분의 분포를 조정하기 위해 상기 도포막이 형성된 상기 기판을 상기 도포막이 가열 경화되는 하한 온도보다도 낮은 예비 온도로 유지하는 공정과,
    상기 도포막의 성분의 분포를 조정한 후의 상기 기판을, 상기 도포막을 가열 경화시킬 수 있는 온도로 열 처리하는 공정을 구비하는 기판 처리 방법.
  2. 도포막이 형성된 복수의 기판을 순차 반송하여 상기 도포막을 가열 경화시키는 열 처리를 행하는 기판 처리 방법이며,
    각 상기 기판의 상기 도포막을 형성한 후의 경과 시간에 따라 상기 도포막의 성분이 국재화되어 있지 않은 제1 상태와 국재화된 제2 상태를 판별하는 공정과,
    상기 제1 상태의 기판을, 상기 도포막의 성분의 분포를 조정하기 위해 상기 도포막이 가열 경화되는 하한 온도보다도 낮은 예비 온도로 유지한 후에 상기 도포막을 가열 경화시킬 수 있는 온도로 열 처리하는 공정과,
    상기 제2 상태의 기판을, 상기 하한 온도 미만의 온도로 유지하는 일 없이 상기 도포막을 가열 경화시킬 수 있는 온도로 열 처리하는 공정을 구비하는 기판 처리 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 예비 온도로 유지하는 공정에 의해, 상기 도포막의 성분을 국재화시키는 기판 처리 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도포막을 가열 경화시킬 수 있는 온도는 상기 도포막이 경화 또는 가교되는 온도인 기판 처리 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 예비 온도는, 70 내지 100 ℃인 기판 처리 방법.
  6. 제2항에 있어서, 상기 도포막은 반사 방지막 또는 레지스트막인 기판 처리 방법.
  7. 도포막이 형성된 기판에 대해, 상기 도포막을 가열 경화시키는 열 처리를 행하는 기판 처리 장치이며,
    상기 도포막이 형성된 상기 기판을 상기 열처리 이전에 도포막이 가열 경화되는 하한 온도보다도 낮은 예비 온도로 유지하는 기판 보유 지지부와,
    상기 도포막이 형성된 상기 기판을 상기 도포막을 가열 경화시킬 수 있는 온도로 열 처리하는 열 처리부와,
    상기 기판 보유 지지부로부터 상기 열 처리부로 상기 도포막이 형성된 상기 기판을 반송하는 반송 기구와,
    상기 도포막의 성분의 분포가 조정되도록, 상기 기판 보유 지지부의 유지 온도 및 유지 시간 중 적어도 한쪽을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부의 제어하에서 상기 기판 보유 지지부에 의해 상기 도포막의 성분의 분포를 조정한 후에 상기 기판을 상기 열 처리부로 반송하여 열 처리하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 기판 보유 지지부에 있어서 상기 도포막의 성분이 국재화되도록 상기 기판 보유 지지부의 유지 온도 및 유지 시간 중 적어도 한쪽을 제어하는 기판 처리 장치.
  9. 도포막이 형성된 복수의 기판이 순차 반송되어 상기 도포막을 가열 경화시키는 열 처리를 행하는 기판 처리 장치이며,
    상기 도포막이 형성된 상기 기판을 상기 도포막이 가열 경화되는 하한 온도보다도 낮은 예비 온도로 유지하고, 상기 도포막의 성분의 분포를 조정하는 기판 보유 지지부와,
    상기 도포막이 형성된 상기 기판을 상기 도포막을 가열 경화시킬 수 있는 온도로 열 처리하는 열 처리부와,
    상기 기판 보유 지지부로부터 상기 열 처리부로 상기 도포막이 형성된 상기 기판을 반송하는 반송 기구와,
    각 상기 기판의 상기 도포막을 형성한 후의 경과 시간에 따라 상기 도포막의 성분이 국재화되어 있지 않은 제1 상태와 국재화된 제2 상태를 판별하고, 상기 제1 상태의 기판을, 상기 기판 보유 지지부에 있어서 상기 예비 온도로 유지한 후에 상기 열 처리부에 있어서 상기 도포막을 가열 경화시킬 수 있는 온도로 열 처리하고, 상기 제2 상태의 기판을, 상기 기판 보유 지지부를 거치는 일 없이 상기 열 처리부에 있어서 상기 도포막을 가열 경화시킬 수 있는 온도로 열 처리하는 제어를 행하는 제어부를 구비하는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 기판 보유 지지부는 상기 도포막의 성분을 국재화시키는 기판 처리 장치.
  11. 제7항 또는 제9항에 있어서, 상기 기판 보유 지지부는 상기 기판을 보유 지지하는 보유 지지 플레이트를 갖고, 상기 열 처리부는 상기 기판을 가열하는 가열 플레이트를 갖고, 상기 보유 지지 플레이트와 상기 가열 플레이트는 동일 하우징에 배치되는 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 반송 기구는, 상기 보유 지지 플레이트에 상기 기판을 적재한 상태에서 상기 보유 지지 플레이트를 상기 가열 플레이트 상으로 이동시켜 상기 기판을 상기 가열 플레이트 상으로 전달하는 기판 처리 장치.
  13. 제7항 또는 제9항에 있어서, 상기 기판 보유 지지부와 상기 열 처리부는, 별개의 유닛으로서 구성되어 있는 기판 처리 장치.
  14. 제7항 또는 제9항에 있어서, 상기 기판 보유 지지부가 상기 기판을 보유 지지하는 상기 예비 온도는, 70 내지 100 ℃인 기판 처리 장치.
  15. 제7항 또는 제9항에 있어서, 상기 열 처리부가 열 처리를 행하는 상기 도포막을 가열 경화시킬 수 있는 온도는, 상기 도포막이 경화 또는 가교되는 온도인 기판 처리 장치.
  16. 컴퓨터상에서 동작하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체이며,
    상기 제어 프로그램은, 실행시에, 제1항 또는 제2항에 기재된 기판 처리 방법이 행해지도록, 컴퓨터에 기판 처리 장치를 제어시키는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100666052B1 (ko) * 2004-02-12 2007-01-09 조극래 원적외선이용한 건조장치
US7877895B2 (en) * 2006-06-26 2011-02-01 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
DE102008041250A1 (de) * 2008-08-13 2010-02-25 Ers Electronic Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum thermischen Bearbeiten von Kunststoffscheiben, insbesondere Moldwafern
US8701307B2 (en) 2008-09-17 2014-04-22 Howard C. Slack Method for cleaning and reconditioning FCR APG-68 tactical radar units
US8056256B2 (en) * 2008-09-17 2011-11-15 Slack Associates, Inc. Method for reconditioning FCR APG-68 tactical radar units
JP5639963B2 (ja) * 2010-06-16 2014-12-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録した記録媒体
WO2013162638A1 (en) * 2012-04-26 2013-10-31 Applied Materials, Inc. Vapor dryer module with reduced particle generation
JP6025976B2 (ja) 2012-07-06 2016-11-16 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
CA2904720C (en) * 2013-03-14 2016-11-29 Solidia Technologies, Inc. Curing systems for materials that consume carbon dioxide
CN104096667A (zh) * 2013-04-08 2014-10-15 广达电脑股份有限公司 烘胶设备
EP3097405B1 (en) 2014-01-22 2021-10-20 Solidia Technologies, Inc. Method and apparatus for curing co2 composite material objects at near ambient temperature and pressure
US9522844B2 (en) * 2014-09-03 2016-12-20 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Low temperature poly-silicon thin film preparation apparatus and method for preparing the same
US9829249B2 (en) 2015-03-10 2017-11-28 Mei, Llc Wafer dryer apparatus and method
JP6430870B2 (ja) * 2015-03-20 2018-11-28 東京エレクトロン株式会社 クランプ装置及びこれを用いた基板搬入出装置、並びに基板処理装置
US9951991B2 (en) 2015-08-31 2018-04-24 M&R Printing Equipment, Inc. System and method for dynamically adjusting dryer belt speed
KR102458034B1 (ko) 2015-10-16 2022-10-25 삼성전자주식회사 반도체 패키지, 반도체 패키지의 제조방법, 및 반도체 모듈
JP2018053299A (ja) * 2016-09-28 2018-04-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、及び断熱配管構造
US10422579B2 (en) 2017-05-02 2019-09-24 Auto Cure Llc Automated drying and curing chamber
US11867461B2 (en) 2017-05-02 2024-01-09 Pipeskin, Llc Automated drying and curing chamber
TWI756475B (zh) * 2017-10-06 2022-03-01 日商東京威力科創股份有限公司 抑制粒子產生之方法及真空裝置
US10907897B2 (en) * 2018-07-05 2021-02-02 Vacuum Processes, Inc. Vacuum extraction oven

Family Cites Families (270)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2848819A (en) * 1955-06-09 1958-08-26 American Can Co Method of drying a wet coating on the interior of a container body
NL261714A (ko) * 1960-06-14
US3609876A (en) * 1967-09-13 1971-10-05 Alpine Western Inc Method for drying a wet coating on a surface
US3491457A (en) * 1967-10-10 1970-01-27 Bechtel Int Corp Microwave drying method and apparatus
US3747223A (en) * 1967-12-26 1973-07-24 Eastman Kodak Co Chemical composition and process
US3561130A (en) * 1968-08-28 1971-02-09 Continental Can Co Method and apparatus for fixing deposited medium by vapor application
US3529360A (en) * 1968-11-04 1970-09-22 Olivetti & Co Spa Reprographic output feed system
US3650042A (en) * 1969-05-19 1972-03-21 Ibm Gas barrier for interconnecting and isolating two atmospheres
US3740859A (en) * 1969-12-29 1973-06-26 Interlake Steel Corp Drying system
US3634947A (en) * 1970-10-20 1972-01-18 Colgate Palmolive Co Coating apparatus
US3710450A (en) * 1971-02-01 1973-01-16 Allied Chem Process and apparatus for removing liquids from solid surfaces
US3703772A (en) * 1971-07-27 1972-11-28 Colgate Palmolive Co Drying of detergents
CA970152A (en) * 1972-11-29 1975-07-01 James O. Turnbull Method and apparatus for continuous curing
US3931684A (en) * 1973-10-15 1976-01-13 J. J. Baker Company Limited Vapor chamber for drying
US4143468A (en) * 1974-04-22 1979-03-13 Novotny Jerome L Inert atmosphere chamber
AU511678B2 (en) * 1977-08-29 1980-08-28 Airco Inc. Recovering solvents from drying ovens
US4194297A (en) * 1977-12-27 1980-03-25 Western Electric Company, Incorporated Method and apparatus for generating a controllably exposed vapor body for heating articles
US4546553B1 (en) * 1978-06-16 1993-04-13 Radiant wall oven and process of drying coated objects
JPS56121040A (en) * 1980-02-27 1981-09-22 Fuji Photo Film Co Ltd Electrophotographic light sensitive material and its manufacture
US4545136A (en) * 1981-03-16 1985-10-08 Sovonics Solar Systems Isolation valve
US4455762A (en) * 1981-03-16 1984-06-26 Olin Corporation Glass batch pellet production and drying process and apparatus
US4458428A (en) * 1981-03-16 1984-07-10 Olin Corporation Glass batch pellet production and drying process and apparatus
GB2098450B (en) * 1981-05-11 1985-06-12 Haas Franz Sen Wafer baking oven
CH656696A5 (de) * 1981-06-25 1986-07-15 Alusuisse Verfahren und vorrichtung zum intensiven waerme- und/oder stoffaustausch, insbesondere in oefen.
JPS589052A (ja) * 1981-07-08 1983-01-19 Nichicon Capacitor Ltd 複合ガス検知素子
US4567675A (en) * 1982-05-20 1986-02-04 Lever Brothers Company Device for conditioning fabrics in a tumble-dryer
JPS5971331A (ja) * 1982-10-18 1984-04-23 Toshiba Corp 連続式マウントキユア装置
JPS5977469A (ja) * 1982-10-25 1984-05-02 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 記録装置
US4563617A (en) * 1983-01-10 1986-01-07 Davidson Allen S Flat panel television/display
GB8306308D0 (en) * 1983-03-08 1983-04-13 Unilever Plc Conditioning fabrics in tumbledryer
US4507078A (en) * 1983-03-28 1985-03-26 Silicon Valley Group, Inc. Wafer handling apparatus and method
US4492041A (en) * 1983-07-25 1985-01-08 Ashland Oil, Inc. Curing chamber with constant gas flow environment and method
JPS6152653A (ja) * 1984-08-23 1986-03-15 Fuji Electric Co Ltd 電子写真用感光体
JPS61135790A (ja) * 1984-12-06 1986-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱転写記録シ−トの製造方法
US4795562A (en) * 1985-09-13 1989-01-03 Walsh James W Membrane batch-processing apparatus
US4796562A (en) * 1985-12-03 1989-01-10 Varian Associates, Inc. Rapid thermal cvd apparatus
US5468606A (en) * 1989-09-18 1995-11-21 Biostar, Inc. Devices for detection of an analyte based upon light interference
US5482830A (en) * 1986-02-25 1996-01-09 Biostar, Inc. Devices and methods for detection of an analyte based upon light interference
JPS6314125A (ja) * 1986-07-07 1988-01-21 Canon Inc 強誘電性液晶の配向方法
US4768291A (en) * 1987-03-12 1988-09-06 Monarch Technologies Corporation Apparatus for dry processing a semiconductor wafer
US4785552A (en) * 1987-07-08 1988-11-22 Best Willie H Convection stabilized radiant oven
US4811493A (en) * 1987-08-05 1989-03-14 Burgio Joseph T Jr Dryer-cooler apparatus
US4841645A (en) * 1987-12-08 1989-06-27 Micro Contamination Components Industries Vapor dryer
US4872270A (en) * 1988-03-09 1989-10-10 Eastman Kodak Company Drying process
IT1227601B (it) * 1988-12-14 1991-04-22 Vibrosystem S R L Forno perfezionato per l'essiccamento o la polimerizzazione di una sostanza fotosensibile applicata su un pannello di supporto
EP0379684B1 (de) * 1988-12-23 1993-10-27 Bühler Ag Verfahren und Vorrichtung zum kontinuierlichen Kristallisieren von Polyestermaterial
US4967486A (en) * 1989-06-19 1990-11-06 Glatt Gmbh Microwave assisted fluidized bed processor
US5001845A (en) * 1989-08-17 1991-03-26 W. R. Grace & Co.,-Conn. Control system for an industrial dryer
US5548907A (en) * 1989-08-24 1996-08-27 Energy Innovations, Inc. Method and apparatus for transferring heat, mass, and momentum between a fluid and a surface
US5010659A (en) * 1989-09-08 1991-04-30 W. R. Grace & Co.-Conn. Infrared drying system
US5541057A (en) * 1989-09-18 1996-07-30 Biostar, Inc. Methods for detection of an analyte
US5639671A (en) * 1989-09-18 1997-06-17 Biostar, Inc. Methods for optimizing of an optical assay device
US5048198A (en) * 1989-11-20 1991-09-17 Burgio Joseph T Jr Shutter system for shielding a coated substrate during a radiation-curing process
US5090350A (en) * 1989-12-27 1992-02-25 Xerox Corporation Method and apparatus for cleaning, coating and curing receptor substrates in an enclosed planetary array
US5279045A (en) * 1990-01-31 1994-01-18 Hitachi, Ltd. Minute particle loading method and apparatus
US5371950A (en) * 1990-02-23 1994-12-13 S & K Products International, Inc. Isopropyl alcohol vapor dryer system
US5054210A (en) * 1990-02-23 1991-10-08 S&K Products International, Inc. Isopropyl alcohol vapor dryer system
US5955377A (en) * 1991-02-11 1999-09-21 Biostar, Inc. Methods and kits for the amplification of thin film based assays
US5550063A (en) * 1991-02-11 1996-08-27 Biostar, Inc. Methods for production of an optical assay device
DE69224544T2 (de) * 1991-04-18 1998-10-15 Alltrista Corp Verfahren und Vorrichtung zur Trocknung und Härtung einer Beschichtung eines metallischen Substrats
US5174045A (en) * 1991-05-17 1992-12-29 Semitool, Inc. Semiconductor processor with extendible receiver for handling multiple discrete wafers without wafer carriers
US5210959A (en) * 1991-08-19 1993-05-18 Praxair Technology, Inc. Ambient-free processing system
US5418136A (en) * 1991-10-01 1995-05-23 Biostar, Inc. Devices for detection of an analyte based upon light interference
US5167078A (en) * 1991-10-24 1992-12-01 International Business Machines Corporation Compact photo resist dryer
US5228206A (en) * 1992-01-15 1993-07-20 Submicron Systems, Inc. Cluster tool dry cleaning system
US5291668A (en) * 1992-04-03 1994-03-08 Tecogen, Inc. Steam atmosphere drying exhaust steam recompression system
US5226241A (en) * 1992-05-18 1993-07-13 U.S. Natural Resources, Inc. Weight driven kiln control
US5494829A (en) * 1992-07-31 1996-02-27 Biostar, Inc. Devices and methods for detection of an analyte based upon light interference
JP2902222B2 (ja) * 1992-08-24 1999-06-07 東京エレクトロン株式会社 乾燥処理装置
CA2104514C (en) * 1992-08-25 1998-08-25 Toshio Tatsutani Hand dryer
US5433020A (en) * 1993-04-29 1995-07-18 Altos Engineering, Inc. Apparatus and method for vacuum drying
US5552272A (en) * 1993-06-10 1996-09-03 Biostar, Inc. Detection of an analyte by fluorescence using a thin film optical device
US5394622A (en) * 1993-06-15 1995-03-07 Xerox Corporation Method and apparatus for a mechanical dryer for drying thick polymer layers on a substrate
US5357687A (en) * 1993-07-23 1994-10-25 Xerox Corporation Method and apparatus for drying/curing rigid cylindrical and flexible belt substrates
US5482630A (en) * 1994-06-20 1996-01-09 Board Of Regents, The University Of Texas System Controlled denitrification process and system
US5675911A (en) * 1994-09-19 1997-10-14 Moser; Scott A. Article and method for treating fabrics in a clothes dryer
US5620560A (en) * 1994-10-05 1997-04-15 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for heat-treating substrate
US5526578A (en) * 1995-05-17 1996-06-18 Iyer; Ramanathan K. Comb-type hair dryer
US5653045A (en) * 1995-06-07 1997-08-05 Ferrell; Gary W. Method and apparatus for drying parts and microelectronic components using sonic created mist
US5685086A (en) * 1995-06-07 1997-11-11 Ferrell; Gary W. Method and apparatus for drying objects using aerosols
JP3128725B2 (ja) 1995-06-27 2001-01-29 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法及び熱処理装置
US5962923A (en) * 1995-08-07 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Semiconductor device having a low thermal budget metal filling and planarization of contacts, vias and trenches
US5694701A (en) * 1996-09-04 1997-12-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coated substrate drying system
US5581905A (en) * 1995-09-18 1996-12-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coated substrate drying system
US5597460A (en) * 1995-11-13 1997-01-28 Reynolds Tech Fabricators, Inc. Plating cell having laminar flow sparger
US5735962A (en) * 1996-01-11 1998-04-07 S3 Service Support Specialties, Inc. Silicon substrate cleaning method and apparatus
US5737851A (en) * 1996-03-01 1998-04-14 Congoleum Corporation Thermal processing unit for the preparation of plastisol-based floor coverings
US5621983A (en) * 1996-03-29 1997-04-22 Minnesota Mining And Manufacturing Company Apparatus and method for deckeling excess air when drying a coating on a substrate
WO1997037182A1 (en) * 1996-03-29 1997-10-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Apparatus and method for drying a coating on a substrate employing multiple drying subzones
GB9607129D0 (en) * 1996-04-04 1996-06-12 Gew Ec Ltd Uv dryer with improved reflector
US5960555A (en) * 1996-07-24 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for purging the back side of a substrate during chemical vapor processing
US5713138A (en) * 1996-08-23 1998-02-03 Research, Incorporated Coating dryer system
JPH1074818A (ja) * 1996-09-02 1998-03-17 Tokyo Electron Ltd 処理装置
US5813133A (en) * 1996-09-04 1998-09-29 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coated substrate drying system with magnetic particle orientation
USRE38412E1 (en) * 1996-09-04 2004-02-03 Imation Corp. Coated substrate drying system with magnetic particle orientation
US5956605A (en) * 1996-09-20 1999-09-21 Micron Technology, Inc. Use of nitrides for flip-chip encapsulation
KR200160545Y1 (ko) * 1997-01-23 1999-11-15 김재형 알콜 증기건조기
US6660680B1 (en) * 1997-02-24 2003-12-09 Superior Micropowders, Llc Electrocatalyst powders, methods for producing powders and devices fabricated from same
JPH10280182A (ja) * 1997-04-11 1998-10-20 Mitsubishi Heavy Ind Ltd タンパク質固定修飾電極
DE19721461C2 (de) * 1997-05-22 1999-03-11 Daimler Benz Aerospace Airbus Verfahren zur Trocknung von Lacken auf metallischen oder nichtmetallischen Einzelteilen oder montierten Baugruppen beliiebiger Struktur
US6122837A (en) * 1997-06-25 2000-09-26 Verteq, Inc. Centrifugal wafer processor and method
JP3441380B2 (ja) * 1997-08-27 2003-09-02 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US6243969B1 (en) * 1997-08-27 2001-06-12 The Procter & Gamble Company Bagless dry cleaning kits and processes for dry cleaning
JPH1186366A (ja) * 1997-09-08 1999-03-30 Fujitsu Ltd 光磁気記録媒体
US5974689A (en) * 1997-09-23 1999-11-02 Gary W. Farrell Chemical drying and cleaning system
US6119366A (en) * 1998-03-03 2000-09-19 Ferrell; Gary W. Chemical drying and cleaning method
US5937536A (en) * 1997-10-06 1999-08-17 Pharmacopeia, Inc. Rapid drying oven for providing rapid drying of multiple samples
KR100524204B1 (ko) * 1998-01-07 2006-01-27 동경 엘렉트론 주식회사 가스 처리장치
US6088931A (en) * 1998-01-27 2000-07-18 Howard W. DeMoore Interstation infrared heating unit
WO1999039908A1 (en) * 1998-02-04 1999-08-12 Joseph Frazzitta Method and apparatus for coating a surface
US6911412B2 (en) * 1998-02-24 2005-06-28 Cabot Corporation Composite particles for electrocatalytic applications
US6967183B2 (en) * 1998-08-27 2005-11-22 Cabot Corporation Electrocatalyst powders, methods for producing powders and devices fabricated from same
US6753108B1 (en) * 1998-02-24 2004-06-22 Superior Micropowders, Llc Energy devices and methods for the fabrication of energy devices
DE19810564A1 (de) * 1998-03-11 1999-09-16 Basf Ag Verfahren zur Trocknung und Herstellung von mikroporösen Teilchen sowie eine Vorrichtung zur Trocknung
US6565729B2 (en) * 1998-03-20 2003-05-20 Semitool, Inc. Method for electrochemically depositing metal on a semiconductor workpiece
JP3554219B2 (ja) * 1998-03-31 2004-08-18 キヤノン株式会社 排気装置と排気方法、および堆積膜形成装置と堆積膜形成方法
US6256904B1 (en) * 1998-05-06 2001-07-10 Imation Corp. Controlling float height of moving substrate over curved plate
US6134808A (en) * 1998-05-18 2000-10-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Gap drying with insulation layer between substrate and heated platen
JP2963443B1 (ja) * 1998-06-19 1999-10-18 キヤノン販売株式会社 半導体装置の製造装置
JP2000019146A (ja) * 1998-07-06 2000-01-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基質の定量法並びにそれに用いるバイオセンサおよび測定装置
US6096135A (en) * 1998-07-21 2000-08-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing contamination of a substrate in a substrate processing system
US7141528B2 (en) * 1998-08-27 2006-11-28 Cabot Corporation Electrocatalyst powders, methods for producing powders and devices fabricated from same
US7255954B2 (en) * 1998-08-27 2007-08-14 Cabot Corporation Energy devices
US6108935A (en) * 1998-09-19 2000-08-29 Mortimer Technology Holdings Limited Particle treatment in a toroidal bed reactor
JP2000124195A (ja) * 1998-10-14 2000-04-28 Tokyo Electron Ltd 表面処理方法及びその装置
JP2000169157A (ja) * 1998-11-27 2000-06-20 Minolta Co Ltd ガラス基板製造方法及びそれによって得られるガラス基板
JP3865957B2 (ja) * 1998-12-18 2007-01-10 京セラ株式会社 伝熱性化合物
JP2000277816A (ja) * 1999-03-23 2000-10-06 Sharp Corp 熱電変換材料の製造方法
CA2375365A1 (en) * 1999-05-27 2001-02-15 Patterning Technologies Limited Method of forming a masking pattern on a surface
AU5173100A (en) * 1999-05-27 2000-12-18 Lam Research Corporation Apparatus and methods for drying batches of wafers
US6151794A (en) * 1999-06-02 2000-11-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for heat treating an object
JP3416078B2 (ja) * 1999-06-09 2003-06-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US6413871B2 (en) * 1999-06-22 2002-07-02 Applied Materials, Inc. Nitrogen treatment of polished halogen-doped silicon glass
JP2001015502A (ja) * 1999-06-28 2001-01-19 Toshiba Corp 塗布膜の形成方法および半導体装置の製造方法
JP2001153564A (ja) * 1999-09-17 2001-06-08 Ngk Insulators Ltd ラジアントチューブバーナーを利用した基板用連続加熱炉
US6161304A (en) * 1999-10-05 2000-12-19 M&R Printing Equipment, Inc. Dryer assembly
US6313448B1 (en) * 1999-10-21 2001-11-06 3M Innovative Properties Company Adhesive bonding method and device
US6279249B1 (en) * 1999-12-30 2001-08-28 Intel Corporation Reduced particle contamination manufacturing and packaging for reticles
US6381870B1 (en) * 2000-01-07 2002-05-07 Milliken & Company Bag for home dry cleaning process
US6286231B1 (en) * 2000-01-12 2001-09-11 Semitool, Inc. Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying
US6780374B2 (en) * 2000-12-08 2004-08-24 Semitool, Inc. Method and apparatus for processing a microelectronic workpiece at an elevated temperature
DE10008829B4 (de) * 2000-02-25 2005-06-23 Steag Rtp Systems Gmbh Verfahren zum Entfernen von adsorbierten Molekülen aus einer Kammer
US7409777B2 (en) * 2000-05-09 2008-08-12 James Thomas Shiveley Rapid efficient infrared curing powder/wet coatings and ultraviolet coatings curing laboratory applied production processing
JP3648129B2 (ja) * 2000-05-10 2005-05-18 東京エレクトロン株式会社 塗布現像処理方法及び塗布現像処理システム
US6840069B2 (en) * 2000-06-05 2005-01-11 Procter & Gamble Company Systems for controlling a drying cycle in a drying apparatus
US6397488B1 (en) * 2000-06-15 2002-06-04 Hewlett-Packard Company Apparatus and method for drying printing composition on a print medium
US6838115B2 (en) * 2000-07-12 2005-01-04 Fsi International, Inc. Thermal processing system and methods for forming low-k dielectric films suitable for incorporation into microelectronic devices
US6381873B1 (en) * 2000-08-04 2002-05-07 Vladimir Peremychtchev Method for drying a polymer coating on a substrate
US7479456B2 (en) * 2004-08-26 2009-01-20 Applied Materials, Inc. Gasless high voltage high contact force wafer contact-cooling electrostatic chuck
US6877247B1 (en) * 2000-08-25 2005-04-12 Demoore Howard W. Power saving automatic zoned dryer apparatus and method
JP3535457B2 (ja) * 2000-09-11 2004-06-07 東京エレクトロン株式会社 基板の熱処理装置
JP3910791B2 (ja) * 2000-09-19 2007-04-25 東京エレクトロン株式会社 基板の熱処理方法及び基板の熱処理装置
AU6294501A (en) * 2000-09-20 2002-04-02 Rtp Pharma Inc Spray drying process and compositions of fenofibrate
US6509070B1 (en) * 2000-09-22 2003-01-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Laser ablation, low temperature-fabricated yttria-stabilized zirconia oriented films
US7143528B2 (en) * 2000-09-24 2006-12-05 3M Innovative Properties Company Dry converting process and apparatus
US6553689B2 (en) * 2000-09-24 2003-04-29 3M Innovative Properties Company Vapor collection method and apparatus
US7032324B2 (en) * 2000-09-24 2006-04-25 3M Innovative Properties Company Coating process and apparatus
US20030230003A1 (en) * 2000-09-24 2003-12-18 3M Innovative Properties Company Vapor collection method and apparatus
DE60119140T2 (de) * 2000-09-24 2007-02-08 3M Innovative Properties Co., St. Paul Trocknungsverfahren zur selektiven entfernung flüchtiger bestandteile aus nassen beschichtungen
DE10056029A1 (de) * 2000-11-11 2002-05-16 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zur Temperatursteuerung der Oberflächentemperaturen von Substraten in einem CVD-Reaktor
US6647642B2 (en) * 2000-12-15 2003-11-18 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus and method
ATE367565T1 (de) * 2000-12-20 2007-08-15 Yazaki Corp Vorrichtung und entsprechendes verfahren zur schnellvernetzung von sol-gel-beschichtungen
JP4085813B2 (ja) * 2000-12-28 2008-05-14 株式会社ニコン 露光装置
KR100899609B1 (ko) * 2000-12-28 2009-05-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
US6651357B2 (en) * 2001-01-12 2003-11-25 Megtec Systems, Inc. Web dryer with fully integrated regenerative heat source and control thereof
AUPR358201A0 (en) * 2001-03-08 2001-04-05 Pillinger, Barry Ernest Heating panel
US6701637B2 (en) * 2001-04-20 2004-03-09 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Systems for tissue dried with metal bands
SE519585C2 (sv) * 2001-04-26 2003-03-18 Ircon Drying Systems Ab Förfarande för att övervaka temperaturen vid banformiga alster samt anordning härför
US6519869B2 (en) * 2001-05-15 2003-02-18 United Microelectronics, Corp. Method and apparatus for drying semiconductor wafers
US6412190B1 (en) * 2001-05-17 2002-07-02 Thomas Smith Infrared and hot air dryer combination
EP1436674A1 (en) * 2001-09-07 2004-07-14 Sagitta Engineering Solutions Ltd. An integrated micro-optical and photonics elements batch preparation, polishing, cleaning and inspection system and method therefore
US20040173948A1 (en) * 2002-09-19 2004-09-09 Pandelisev Kiril A. Process and apparatus for silicon boat, silicon tubing and other silicon based member fabrication
US20050086822A1 (en) * 2001-10-30 2005-04-28 Henrik Frisner High throughput isolation of biological compounds
US6606802B2 (en) * 2001-11-30 2003-08-19 Micron Technology Inc. Cleaning efficiency improvement in a high density plasma process chamber using thermally hot gas
US6655040B2 (en) * 2002-01-04 2003-12-02 The Diagnostics Group, Inc. Combination ultraviolet curing and infrared drying system
US6742279B2 (en) * 2002-01-16 2004-06-01 Applied Materials Inc. Apparatus and method for rinsing substrates
JP3962609B2 (ja) 2002-03-05 2007-08-22 東京エレクトロン株式会社 搬送装置
US6796054B2 (en) * 2002-03-12 2004-09-28 Tokyo Electron Limited Low-pressure dryer and low-pressure drying method
US20050076532A1 (en) * 2002-04-22 2005-04-14 Ward Thomas Edward Fabric article treating device and system with anti-microbial agent
KR100464853B1 (ko) * 2002-06-20 2005-01-06 삼성전자주식회사 순간감압가열 건조방법 및 장치
KR100686621B1 (ko) * 2002-06-26 2007-02-23 호야 가부시키가이샤 렌즈의 염색방법 및 염색장치
US6915592B2 (en) * 2002-07-29 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating gas to a processing chamber
US20040045187A1 (en) * 2002-09-10 2004-03-11 Andrew Corporation Heatless and reduced-heat drying systems
US7207123B2 (en) * 2002-09-20 2007-04-24 Tokyo Electron Limited Dry air-supplying apparatus and treating apparatus
JP4554146B2 (ja) * 2002-09-24 2010-09-29 忠弘 大見 回転式シリコンウエハ洗浄装置
US7225561B2 (en) * 2002-10-25 2007-06-05 South African Nuclear Energy Corporation Limited Oxyfluorination
US6946013B2 (en) * 2002-10-28 2005-09-20 Geo2 Technologies, Inc. Ceramic exhaust filter
US6952889B2 (en) * 2002-11-05 2005-10-11 Wafermasters, Inc. Forced convection assisted rapid thermal furnace
US7681521B2 (en) * 2002-11-18 2010-03-23 Tokyo Electron Limited Insulation film formation device
JP3687666B2 (ja) * 2002-11-18 2005-08-24 セイコーエプソン株式会社 乾燥装置及びこれを備えるワーク処理装置
JP3758636B2 (ja) * 2002-12-11 2006-03-22 ソニー株式会社 熱処理装置
WO2004068582A1 (ja) * 2003-01-08 2004-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導体装置及びその作製方法
US6868869B2 (en) * 2003-02-19 2005-03-22 Advanced Technology Materials, Inc. Sub-atmospheric pressure delivery of liquids, solids and low vapor pressure gases
JP2004333591A (ja) * 2003-04-30 2004-11-25 Neomax Co Ltd 回路パターン形成用トナー及びその製造方法、回路パターン形成方法
US20040221475A1 (en) * 2003-05-02 2004-11-11 Martin Theriault Dry cabinets for use in moisture sensitive device management in electronics manufacturing
JP3718688B2 (ja) * 2003-06-17 2005-11-24 東京エレクトロン株式会社 加熱装置
US7665322B2 (en) * 2003-08-25 2010-02-23 Isothermal Systems Research, Inc. Method of reducing fluid emissions from a global spray cooling system
US6826849B1 (en) * 2003-09-26 2004-12-07 Xerox Corporation Contamination-free photoreceptor drying apparatus
JP4421868B2 (ja) * 2003-10-10 2010-02-24 キヤノンアネルバ株式会社 液晶パネルの製造方法及びギャップ調整装置
WO2005042160A2 (en) * 2003-10-29 2005-05-12 Asm America, Inc. Reaction system for growing a thin film
US7055263B2 (en) * 2003-11-25 2006-06-06 Air Products And Chemicals, Inc. Method for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials
US7433636B2 (en) * 2003-12-31 2008-10-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and apparatus for using a transfer assist layer in a tandem electrophotographic process with electrostatically assisted toner transfer
CN101068483A (zh) * 2004-02-19 2007-11-07 P2科技公司 用于头发处理装置的改进的加热元件和电路
JP4074593B2 (ja) * 2004-02-26 2008-04-09 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法
KR100830485B1 (ko) * 2004-04-02 2008-05-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US7303387B2 (en) * 2004-06-10 2007-12-04 Advanced Plastics Technologies Luxembourg S.A. System for controlling mold temperatures
US7358175B2 (en) * 2004-06-10 2008-04-15 Jian Zhang Serial thermal processor arrangement
US20050283993A1 (en) * 2004-06-18 2005-12-29 Qunwei Wu Method and apparatus for fluid processing and drying a workpiece
US7625198B2 (en) * 2004-08-11 2009-12-01 Cornell Research Foundation, Inc. Modular fabrication systems and methods
US7304715B2 (en) * 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070271808A9 (en) * 2004-09-21 2007-11-29 Eastman Kodak Company Lewis acid organometallic desiccant
US8062410B2 (en) * 2004-10-12 2011-11-22 Great River Energy Apparatus and method of enhancing the quality of high-moisture materials and separating and concentrating organic and/or non-organic material contained therein
WO2006046924A1 (en) * 2004-10-28 2006-05-04 Nanofactory Instruments Ab Microfabricated cantilever chip
US7484315B2 (en) * 2004-11-29 2009-02-03 Tokyo Electron Limited Replaceable precursor tray for use in a multi-tray solid precursor delivery system
JP3969419B2 (ja) * 2004-12-16 2007-09-05 セイコーエプソン株式会社 被加熱体の乾燥方法、加熱炉、及びデバイスの製造方法
JP4179276B2 (ja) * 2004-12-24 2008-11-12 セイコーエプソン株式会社 溶媒除去装置および溶媒除去方法
KR100589107B1 (ko) * 2005-01-19 2006-06-12 삼성전자주식회사 기판 상의 막을 베이크하는 방법 및 이를 수행하기 위한장치
US7685738B2 (en) * 2005-02-04 2010-03-30 Printing Research, Inc. Computer to plate color sensor and drying/curing system and method
US7225560B2 (en) * 2005-02-04 2007-06-05 Printing Research, Inc. Computer to plate curing system
US20060201017A1 (en) * 2005-03-10 2006-09-14 Ellis Gregory P System, apparatus and method for curing of coatings in heavy gas
US20060201018A1 (en) * 2005-03-10 2006-09-14 Mckay Kevin System, apparatus and method for curing of coatings in heavy gas
JP2006255679A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Ricoh Co Ltd 塗膜付円筒体の製造方法及び装置
JP4929747B2 (ja) * 2005-03-28 2012-05-09 コニカミノルタオプト株式会社 光学フィルムの製造方法
US7213347B2 (en) * 2005-05-03 2007-05-08 Eastman Kodak Company Metering material to promote rapid vaporization
US20060272174A1 (en) * 2005-05-20 2006-12-07 Klaus Hartig Deposition chamber desiccation systems and methods of use thereof
JP4200983B2 (ja) * 2005-05-24 2008-12-24 セイコーエプソン株式会社 膜パターンの形成方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置、及び電子機器
JP2006339757A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Denso Corp アンテナコイル、通信基板モジュールの製造方法及びカード型無線機
JP4035141B2 (ja) * 2005-07-27 2008-01-16 東京ガスケミカル株式会社 アニーリング方法
US7717697B2 (en) * 2005-08-30 2010-05-18 Sharon Hutchinson Methods and systems for controlling mold temperatures
US7367138B2 (en) * 2005-10-11 2008-05-06 Nikon Corporation Devices and methods for thermophoretic and electrophoretic reduction of particulate contamination of lithographic reticles
JP2007123541A (ja) * 2005-10-27 2007-05-17 Aisin Seiki Co Ltd 機能部品内蔵装置
US7665227B2 (en) * 2005-12-30 2010-02-23 Whirlpool Corporation Fabric revitalizing method using low absorbency pads
US7644512B1 (en) * 2006-01-18 2010-01-12 Akrion, Inc. Systems and methods for drying a rotating substrate
JP4527670B2 (ja) * 2006-01-25 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
US20070183184A1 (en) * 2006-02-03 2007-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Ltd. Apparatus and method for manufacturing semiconductor device
US20070193056A1 (en) * 2006-02-21 2007-08-23 Marius Switalski Dryer assembly
US7654010B2 (en) * 2006-02-23 2010-02-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing system, substrate processing method, and storage medium
US8222116B2 (en) * 2006-03-03 2012-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US7745079B2 (en) * 2006-03-09 2010-06-29 Nikon Corporation Apparatus for and method of thermophoretic protection of an object in a high-vacuum environment
JP2007271137A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Fujifilm Corp 塗布膜の乾燥方法及び装置並びに光学フィルムの製造方法
US20070245591A1 (en) * 2006-04-22 2007-10-25 Gens Timothy H Methods for drying objects using aerosols
EP2013396A1 (en) * 2006-05-02 2009-01-14 Dow Corning Ireland Limited Fluid replacement system
US7727809B2 (en) * 2006-05-31 2010-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Attachment method, attachment apparatus, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing apparatus of semiconductor device
US7877895B2 (en) * 2006-06-26 2011-02-01 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP4832201B2 (ja) * 2006-07-24 2011-12-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4951301B2 (ja) * 2006-09-25 2012-06-13 富士フイルム株式会社 光学フィルムの乾燥方法及び装置並びに光学フィルムの製造方法
KR101414125B1 (ko) * 2006-10-12 2014-07-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조 방법 및 에칭장치
JP2008098535A (ja) * 2006-10-16 2008-04-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置とその製造方法
JP2008137002A (ja) * 2006-11-07 2008-06-19 Fujifilm Corp 塗布膜の乾燥方法及び装置、並びにそれを用いた光学フイルム
US7378618B1 (en) * 2006-12-14 2008-05-27 Applied Materials, Inc. Rapid conductive cooling using a secondary process plane
JP5205042B2 (ja) * 2006-12-20 2013-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7727594B2 (en) * 2007-01-19 2010-06-01 Fujifilm Corporation Method for drying coated film, and apparatus therefor
US8513678B2 (en) * 2007-05-18 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US8677650B2 (en) * 2007-06-15 2014-03-25 Abbott Cardiovascular Systems Inc. Methods and devices for drying coated stents
US8431451B2 (en) * 2007-06-29 2013-04-30 Semicondutor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US20090077825A1 (en) * 2007-07-17 2009-03-26 Semiconductor Analytical Services, Inc. (Sas Inc.) Apparatus and method for cleaning and drying solid objects
US8049460B2 (en) * 2007-07-18 2011-11-01 Tesla Motors, Inc. Voltage dividing vehicle heater system and method
JP2009076879A (ja) * 2007-08-24 2009-04-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US7982250B2 (en) * 2007-09-21 2011-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8044464B2 (en) * 2007-09-21 2011-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8455331B2 (en) * 2007-10-10 2013-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US7799658B2 (en) * 2007-10-10 2010-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device
JP5688203B2 (ja) * 2007-11-01 2015-03-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板の作製方法
JP4762223B2 (ja) * 2007-12-06 2011-08-31 株式会社リコー 電子写真感光体基体の温度制御装置
JP5404064B2 (ja) * 2008-01-16 2014-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ処理装置、および半導体基板の作製方法
US9139791B2 (en) * 2008-02-13 2015-09-22 Hydrocoal Technologies, Llc Processing device for improved utilization of fuel solids
KR100870838B1 (ko) * 2008-03-04 2008-11-28 한국철강 주식회사 투명전극이 코팅된 기판의 수분 제거방법
WO2009142310A1 (en) * 2008-05-23 2009-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5636156B2 (ja) * 2008-07-28 2014-12-03 デクセリアルズ株式会社 異方導電性接着フィルム樹脂液の塗布方法
WO2010035625A1 (en) * 2008-09-25 2010-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semi conductor device

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