JPH1186366A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH1186366A JPH1186366A JP24322397A JP24322397A JPH1186366A JP H1186366 A JPH1186366 A JP H1186366A JP 24322397 A JP24322397 A JP 24322397A JP 24322397 A JP24322397 A JP 24322397A JP H1186366 A JPH1186366 A JP H1186366A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 微細なビットで高密度記録された光磁気記録
媒体の再生特性を向上させる。 【解決手段】 基板１１上に誘電体層１２、ＧｄＦｅＣ
ｏからなる再生層１３、ＧｄＤｙＦｅＣｏからなる制御
層１４、ＧｄＦｅＣｏからなる中間層１５、ＴｂＦｅＣ
ｏからなる記録層１６、保護層１７、放熱層１８及びＵ
Ｖコート層１９を積層している。制御層１４のキュリー
温度Ｔｃは２３０℃で、中間層１５のＴｃ＝２３０℃と
同程度であり、再生層１３のＴｃ＝３００℃よりも低
い。また、制御層１４の垂直磁気異方性Ｋｕは６×１０
5 erg/cm2 であり、中間層１５の垂直磁気異方性Ｋｕ＝
３×１０5 erg/cm2 よりも大きい。制御層１４により、
中間層１５と再生層１３との間の転写力が強まり、Ｃ／
Ｎが大きくなる。
媒体の再生特性を向上させる。 【解決手段】 基板１１上に誘電体層１２、ＧｄＦｅＣ
ｏからなる再生層１３、ＧｄＤｙＦｅＣｏからなる制御
層１４、ＧｄＦｅＣｏからなる中間層１５、ＴｂＦｅＣ
ｏからなる記録層１６、保護層１７、放熱層１８及びＵ
Ｖコート層１９を積層している。制御層１４のキュリー
温度Ｔｃは２３０℃で、中間層１５のＴｃ＝２３０℃と
同程度であり、再生層１３のＴｃ＝３００℃よりも低
い。また、制御層１４の垂直磁気異方性Ｋｕは６×１０
5 erg/cm2 であり、中間層１５の垂直磁気異方性Ｋｕ＝
３×１０5 erg/cm2 よりも大きい。制御層１４により、
中間層１５と再生層１３との間の転写力が強まり、Ｃ／
Ｎが大きくなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録媒体に
関し、特に磁気超解像（ＭＳＲ，Magnetically Induced
Super Resolution ）技術におけるダブルマスクＲＡＤ
（Rear ApertureDetection ）方式の再生が可能な光磁
気記録媒体に関する。
関し、特に磁気超解像（ＭＳＲ，Magnetically Induced
Super Resolution ）技術におけるダブルマスクＲＡＤ
（Rear ApertureDetection ）方式の再生が可能な光磁
気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクの超高密度記録方式とし
て、磁気超解像（ＭＳＲ）再生技術がある。ＭＳＲ再生
は、光磁気ディスクにレーザ光を照射して生じる温度分
布を利用することにより、レーザ光のスポット径よりも
小さい寸法の記録ビットを読出すことができる。ＭＳＲ
再生には、光磁気ディスクの進行方向に対して後方部分
がマスクとなり、低温領域から記録ビットを読出すＦＡ
Ｄ（Front Aperture Detection）方式、前方部分がマス
クとなり、高温領域から読出すＲＡＤ方式、及び前方及
び後方部分がマスクとなり、中間温度領域から読出すダ
ブルマスクＲＡＤ方式などがある。
て、磁気超解像（ＭＳＲ）再生技術がある。ＭＳＲ再生
は、光磁気ディスクにレーザ光を照射して生じる温度分
布を利用することにより、レーザ光のスポット径よりも
小さい寸法の記録ビットを読出すことができる。ＭＳＲ
再生には、光磁気ディスクの進行方向に対して後方部分
がマスクとなり、低温領域から記録ビットを読出すＦＡ
Ｄ（Front Aperture Detection）方式、前方部分がマス
クとなり、高温領域から読出すＲＡＤ方式、及び前方及
び後方部分がマスクとなり、中間温度領域から読出すダ
ブルマスクＲＡＤ方式などがある。
【０００３】図２は、ダブルマスクＲＡＤ方式で再生可
能なＭＳＲ媒体の膜構成を示す断面図であり、本願出願
人の提案によるＭＳＲ媒体を示している。図２に示すよ
うに、ＭＳＲ媒体２はポリカーボネート製の基板２１上
にＳｉＮからなる誘電体層と複数の磁性層とを積層して
構成されている。基板２１上に、下地誘電体層２２、記
録ビットを読出す再生層２３、記録ビットを保持する記
録層２５及びＳｉＮからなる保護層２６を備え、再生層
２３と記録層２５との間には、これらの間の交換結合力
を制御するための中間層２４が形成されている。各磁性
層の組成及び磁気特性を表１に示す。
能なＭＳＲ媒体の膜構成を示す断面図であり、本願出願
人の提案によるＭＳＲ媒体を示している。図２に示すよ
うに、ＭＳＲ媒体２はポリカーボネート製の基板２１上
にＳｉＮからなる誘電体層と複数の磁性層とを積層して
構成されている。基板２１上に、下地誘電体層２２、記
録ビットを読出す再生層２３、記録ビットを保持する記
録層２５及びＳｉＮからなる保護層２６を備え、再生層
２３と記録層２５との間には、これらの間の交換結合力
を制御するための中間層２４が形成されている。各磁性
層の組成及び磁気特性を表１に示す。
【０００４】
【表１】
【０００５】図３は、このＭＳＲ媒体２の再生時の磁化
状態を説明する図である。なお、図において、ＭＳＲ媒
体２の基板２１、下地誘電体層２２及び保護層２６は省
略して示している。図３に示すように、ＭＳＲ媒体２に
再生用レーザ光が照射され、照射領域に上向きの再生磁
界Ｈｒが印加された場合に、低温領域では中間層２４と
記録層２５との交換結合力は弱く、中間層２４の磁化が
再生磁界の方向即ち上方向に揃う。そして、中間層２４
と再生層２３との交換結合力により再生層２３の磁化方
向は下向きに揃って記録層２５の磁化方向をマスクする
はたらきをする（フロントマスク）。また、高温領域は
中間層２４のキュリー温度を越えた領域であり、中間層
２４と再生層２３との交換結合力が切れている。これに
より、再生層２３の磁化方向は再生磁界の上方向に揃
い、記録層２５の磁化方向をマスクするはたらきをする
（リアマスク）。
状態を説明する図である。なお、図において、ＭＳＲ媒
体２の基板２１、下地誘電体層２２及び保護層２６は省
略して示している。図３に示すように、ＭＳＲ媒体２に
再生用レーザ光が照射され、照射領域に上向きの再生磁
界Ｈｒが印加された場合に、低温領域では中間層２４と
記録層２５との交換結合力は弱く、中間層２４の磁化が
再生磁界の方向即ち上方向に揃う。そして、中間層２４
と再生層２３との交換結合力により再生層２３の磁化方
向は下向きに揃って記録層２５の磁化方向をマスクする
はたらきをする（フロントマスク）。また、高温領域は
中間層２４のキュリー温度を越えた領域であり、中間層
２４と再生層２３との交換結合力が切れている。これに
より、再生層２３の磁化方向は再生磁界の上方向に揃
い、記録層２５の磁化方向をマスクするはたらきをする
（リアマスク）。
【０００６】そして、低温領域と高温領域との間の中間
温度領域では、中間層２４を介して記録層２５と再生層
２３との交換結合力により、記録層２５の磁化方向が再
生層２３に転写される（開口部）。このようなＭＳＲ媒
体を本願出願人は、特開平７−244877号公報にて提案し
ており、ここで詳細は省略する。このＭＳＲ媒体におい
て再生信号を高品質に得るためには、フロントマスク及
びリアマスクの夫々と開口部との境界部分で磁化状態を
明瞭にする必要があり、そのためには開口部での磁化方
向の転写力を強化すればよく、再生信号のレベルを増大
することができる。
温度領域では、中間層２４を介して記録層２５と再生層
２３との交換結合力により、記録層２５の磁化方向が再
生層２３に転写される（開口部）。このようなＭＳＲ媒
体を本願出願人は、特開平７−244877号公報にて提案し
ており、ここで詳細は省略する。このＭＳＲ媒体におい
て再生信号を高品質に得るためには、フロントマスク及
びリアマスクの夫々と開口部との境界部分で磁化状態を
明瞭にする必要があり、そのためには開口部での磁化方
向の転写力を強化すればよく、再生信号のレベルを増大
することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、記録ビ
ット長が０．３μｍのような微細な記録ビットが高密度
記録されたＭＳＲ媒体を再生した場合にはＣ／Ｎが４３
ｄＢであり、この値は実用化には不十分な値である。Ｍ
ＳＲ媒体２では、記録層２５の磁化状態が中間層２４を
介して再生層２３に転写されるが、Ｔｂ24Ｆｅ56Ｃｏ20
の記録層２５からＧｄ30Ｆｅ68Ｃｏ2 の中間層２４への
転写力の方が、Ｇｄ30Ｆｅ68Ｃｏ2 の中間層２４からＧ
ｄ24Ｆｅ63Ｃｏ13の再生層２３への転写力よりも強い。
これは、表１からも判るようにＴｂＦｅＣｏ系の磁性膜
はＧｄＦｅＣｏ系の磁性膜と比較して垂直磁気異方性Ｋ
ｕが１桁程度大きいからである。ＭＳＲ媒体２の実用化
のためにはＣ／Ｎが４６ｄＢ以上が必要であり、そのた
めには開口部での磁化状態の転写力をさらに強める、即
ち、再生層２３と中間層２４との交換結合力をさらに強
める必要があるという問題があった。
ット長が０．３μｍのような微細な記録ビットが高密度
記録されたＭＳＲ媒体を再生した場合にはＣ／Ｎが４３
ｄＢであり、この値は実用化には不十分な値である。Ｍ
ＳＲ媒体２では、記録層２５の磁化状態が中間層２４を
介して再生層２３に転写されるが、Ｔｂ24Ｆｅ56Ｃｏ20
の記録層２５からＧｄ30Ｆｅ68Ｃｏ2 の中間層２４への
転写力の方が、Ｇｄ30Ｆｅ68Ｃｏ2 の中間層２４からＧ
ｄ24Ｆｅ63Ｃｏ13の再生層２３への転写力よりも強い。
これは、表１からも判るようにＴｂＦｅＣｏ系の磁性膜
はＧｄＦｅＣｏ系の磁性膜と比較して垂直磁気異方性Ｋ
ｕが１桁程度大きいからである。ＭＳＲ媒体２の実用化
のためにはＣ／Ｎが４６ｄＢ以上が必要であり、そのた
めには開口部での磁化状態の転写力をさらに強める、即
ち、再生層２３と中間層２４との交換結合力をさらに強
める必要があるという問題があった。
【０００８】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、微細な記録ビットにより高密度記録された光
磁気記録媒体の第２磁性層と第１磁性層との間の交換結
合力を制御する第４磁性層を設けることにより、再生特
性が向上する光磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。
のであり、微細な記録ビットにより高密度記録された光
磁気記録媒体の第２磁性層と第１磁性層との間の交換結
合力を制御する第４磁性層を設けることにより、再生特
性が向上する光磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１発明に係る光磁気記
録媒体は、基板上に第１磁性層、第２磁性層及び第３磁
性層をこの順に備え、前記第２磁性層が前記第１磁性層
と前記第３磁性層との間の交換結合力を制御することに
より、前記第３磁性層にて保持された情報を前記第１磁
性層に転写して読出す光磁気記録媒体において、前記第
１磁性層と前記第２磁性層との間に、前記第１磁性層と
前記第２磁性層との間の交換結合力を制御する第４磁性
層を備え、 Ｔｃ１＞Ｔｃ４≧Ｔｃ２ Ｋｕ４＞Ｋｕ２ 但し、Ｔｃ１，Ｔｃ２及びＴｃ４：第１、第２及び第４
磁性層のキュリー温度Ｋｕ２及びＫｕ４：第２及び第４
磁性層の垂直磁気異方性 の関係を満たすことを特徴とする。
録媒体は、基板上に第１磁性層、第２磁性層及び第３磁
性層をこの順に備え、前記第２磁性層が前記第１磁性層
と前記第３磁性層との間の交換結合力を制御することに
より、前記第３磁性層にて保持された情報を前記第１磁
性層に転写して読出す光磁気記録媒体において、前記第
１磁性層と前記第２磁性層との間に、前記第１磁性層と
前記第２磁性層との間の交換結合力を制御する第４磁性
層を備え、 Ｔｃ１＞Ｔｃ４≧Ｔｃ２ Ｋｕ４＞Ｋｕ２ 但し、Ｔｃ１，Ｔｃ２及びＴｃ４：第１、第２及び第４
磁性層のキュリー温度Ｋｕ２及びＫｕ４：第２及び第４
磁性層の垂直磁気異方性 の関係を満たすことを特徴とする。
【００１０】第１発明にあっては、第１磁性層と第２磁
性層との間、即ち再生層と中間層との間に、これらの交
換結合力を強化するような第４磁性層を設けてあるの
で、記録層から中間層への転写力よりも中間層から再生
層への転写力の方が強力となり、記録層の記録ビットが
再生層に転写される開口部において、その転写力が強化
される。これにより再生特性が向上する。
性層との間、即ち再生層と中間層との間に、これらの交
換結合力を強化するような第４磁性層を設けてあるの
で、記録層から中間層への転写力よりも中間層から再生
層への転写力の方が強力となり、記録層の記録ビットが
再生層に転写される開口部において、その転写力が強化
される。これにより再生特性が向上する。
【００１１】第２発明に係る光磁気記録媒体は、第１発
明において、前記第４磁性層は、Ｄｙを含む希土類−遷
移金属アモルファス合金を用いていることを特徴とす
る。
明において、前記第４磁性層は、Ｄｙを含む希土類−遷
移金属アモルファス合金を用いていることを特徴とす
る。
【００１２】また、第３発明に係る光磁気記録媒体は、
前記第４磁性層は、Ｔｂを含む希土類−遷移金属アモル
ファス合金を用いていることを特徴とする。
前記第４磁性層は、Ｔｂを含む希土類−遷移金属アモル
ファス合金を用いていることを特徴とする。
【００１３】第２及び第３発明にあっては、第４磁性層
にＤｙ又はＴｂを含む希土類−遷移金属アモルファス合
金を用いているので、垂直磁気異方性が中間層よりも高
くなり、開口部での磁化の転写力がさらに強化される。
にＤｙ又はＴｂを含む希土類−遷移金属アモルファス合
金を用いているので、垂直磁気異方性が中間層よりも高
くなり、開口部での磁化の転写力がさらに強化される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態を
示す図面に基づき具体的に説明する。 第１の実施の形態 図１は、本発明の第１の実施の形態の光磁気ディスクを
示す膜構成図である。図１に示すように、光磁気ディス
ク１は１．１μｍのトラックピッチを有してグルーブが
形成されたポリカーボネート製の基板１１上にＳｉＮか
らなる誘電体層１２、ＧｄＦｅＣｏからなる前記第１磁
性層たる再生層１３、ＧｄＤｙＦｅＣｏからなる前記第
４磁性層たる制御層１４、ＧｄＦｅＣｏからなる前記２
磁性層たる中間層１５、ＴｂＦｅＣｏからなる前記第３
磁性層たる記録層１６、ＳｉＮからなる保護層１７、Ａ
ｌＣｒからなる放熱層１８及び１９μｍのＵＶコート層
１９が積層されて構成されている。各層はＤＣマグネト
ロンスパッタ法で成膜されており、それらの組成、膜厚
及び成膜条件は表２に示す通りである。
示す図面に基づき具体的に説明する。 第１の実施の形態 図１は、本発明の第１の実施の形態の光磁気ディスクを
示す膜構成図である。図１に示すように、光磁気ディス
ク１は１．１μｍのトラックピッチを有してグルーブが
形成されたポリカーボネート製の基板１１上にＳｉＮか
らなる誘電体層１２、ＧｄＦｅＣｏからなる前記第１磁
性層たる再生層１３、ＧｄＤｙＦｅＣｏからなる前記第
４磁性層たる制御層１４、ＧｄＦｅＣｏからなる前記２
磁性層たる中間層１５、ＴｂＦｅＣｏからなる前記第３
磁性層たる記録層１６、ＳｉＮからなる保護層１７、Ａ
ｌＣｒからなる放熱層１８及び１９μｍのＵＶコート層
１９が積層されて構成されている。各層はＤＣマグネト
ロンスパッタ法で成膜されており、それらの組成、膜厚
及び成膜条件は表２に示す通りである。
【００１５】
【表２】
【００１６】表２に示すように、制御層１４のキュリー
温度Ｔｃは２３０℃で、中間層１５のＴｃ＝２３０℃と
同程度であり、再生層１３のＴｃ＝３００℃よりも低
い。また、制御層１４の垂直磁気異方性Ｋｕは６×１０
5 erg/cm2 であり、中間層１５の垂直磁気異方性Ｋｕ＝
３×１０5 erg/cm2 よりも大きい。このような光磁気デ
ィスク１に０．３μｍの記録ビット長で情報を記録し、
Ｃ／Ｎを測定した。なお、比較のために、従来の膜構成
のＭＳＲ媒体についても同様にＣ／Ｎを測定した。その
膜組成及び膜厚を表３に示す。
温度Ｔｃは２３０℃で、中間層１５のＴｃ＝２３０℃と
同程度であり、再生層１３のＴｃ＝３００℃よりも低
い。また、制御層１４の垂直磁気異方性Ｋｕは６×１０
5 erg/cm2 であり、中間層１５の垂直磁気異方性Ｋｕ＝
３×１０5 erg/cm2 よりも大きい。このような光磁気デ
ィスク１に０．３μｍの記録ビット長で情報を記録し、
Ｃ／Ｎを測定した。なお、比較のために、従来の膜構成
のＭＳＲ媒体についても同様にＣ／Ｎを測定した。その
膜組成及び膜厚を表３に示す。
【００１７】
【表３】
【００１８】測定の結果、第１の実施の形態の光磁気デ
ィスク１では、４８ｄＢのＣ／Ｎが得られた。従来のＭ
ＳＲ媒体では４３ｄＢであるので、本発明により５ｄＢ
増大している。従って、本実施の形態の光磁気ディスク
１では、再生層１３と中間層１５との交換結合力がさら
に強力になり、開口部の転写力が増大していることが判
る。
ィスク１では、４８ｄＢのＣ／Ｎが得られた。従来のＭ
ＳＲ媒体では４３ｄＢであるので、本発明により５ｄＢ
増大している。従って、本実施の形態の光磁気ディスク
１では、再生層１３と中間層１５との交換結合力がさら
に強力になり、開口部の転写力が増大していることが判
る。
【００１９】第２の実施の形態 次に、制御層１４の磁性膜材料を異ならせて、第１の実
施の形態と同様に光磁気ディスクを製造し、０．３μｍ
の記録ビット長で情報を記録してＣ／Ｎを測定した。な
お、中間層１５は、キュリー温度Ｔｃ＝２００℃、垂直
磁気異方性Ｋｕ＝２．０×１０5 を有するＧｄＦｅＳｉ
膜を用いている。また、制御層１４の膜厚及びその他の
磁性層は第１の実施の形態と同様であり、再生層１３の
キュリー温度Ｔｃ＝３００℃である。制御層１４の組成
及びＣ／Ｎの測定結果を表４に示す。制御層１４のキュ
リー温度Ｔｃが中間層１５以上、且つ再生層１３よりも
小さい場合には‘○’を、この範囲外の場合には‘×’
を記し、制御層１４の垂直磁気異方性Ｋｕが中間層１５
よりも大きい場合に‘○’を、以下である場合に‘×’
を記している。また、Ｃ／Ｎの結果が実用に充分な値で
あるか否かで‘○’又は‘×’を記している。
施の形態と同様に光磁気ディスクを製造し、０．３μｍ
の記録ビット長で情報を記録してＣ／Ｎを測定した。な
お、中間層１５は、キュリー温度Ｔｃ＝２００℃、垂直
磁気異方性Ｋｕ＝２．０×１０5 を有するＧｄＦｅＳｉ
膜を用いている。また、制御層１４の膜厚及びその他の
磁性層は第１の実施の形態と同様であり、再生層１３の
キュリー温度Ｔｃ＝３００℃である。制御層１４の組成
及びＣ／Ｎの測定結果を表４に示す。制御層１４のキュ
リー温度Ｔｃが中間層１５以上、且つ再生層１３よりも
小さい場合には‘○’を、この範囲外の場合には‘×’
を記し、制御層１４の垂直磁気異方性Ｋｕが中間層１５
よりも大きい場合に‘○’を、以下である場合に‘×’
を記している。また、Ｃ／Ｎの結果が実用に充分な値で
あるか否かで‘○’又は‘×’を記している。
【００２０】
【表４】
【００２１】表４から判るように、Ｇｄ26Ｄｙ4 Ｆ
ｅ70，Ｇｄ22Ｔｂ5 Ｆｅ73，Ｄｙ30Ｆｅ 50Ｃｏ20，Ｔｂ
24Ｆｅ62Ｃｏ14及びＧｄ28Ｔｂ2 Ｆｅ67Ｃｏ3 を用いた
場合に、４６ｄＢ以上のＣ／Ｎを得た。これにより、制
御層１４が、キュリー温度Ｔｃが再生層より小さく中間
層１５以上であり、垂直磁気異方性Ｋｕが中間層よりも
大きい磁化特性を有する場合に、実用化に十分なＣ／Ｎ
の値を得ることができる。
ｅ70，Ｇｄ22Ｔｂ5 Ｆｅ73，Ｄｙ30Ｆｅ 50Ｃｏ20，Ｔｂ
24Ｆｅ62Ｃｏ14及びＧｄ28Ｔｂ2 Ｆｅ67Ｃｏ3 を用いた
場合に、４６ｄＢ以上のＣ／Ｎを得た。これにより、制
御層１４が、キュリー温度Ｔｃが再生層より小さく中間
層１５以上であり、垂直磁気異方性Ｋｕが中間層よりも
大きい磁化特性を有する場合に、実用化に十分なＣ／Ｎ
の値を得ることができる。
【００２２】第３の実施の形態 次に、制御層１４の膜厚を異ならせて第１の実施の形態
と同様に光磁気ディスクを製造し、０．３μｍの記録ビ
ット長で情報を記録してＣ／Ｎを測定した。制御層１４
には、ＧｄＤｙＦｅＣｏ及びＤｙＦｅＣｏを用い、膜厚
を１〜３０ｎｍの範囲内で変化させた。その他の膜構成
は第１の実施の形態と同様である。Ｃ／Ｎの測定結果を
表５に示す。Ｃ／Ｎの結果が実用に充分な値であるか否
かの判定を‘○’又は‘×’を記している。
と同様に光磁気ディスクを製造し、０．３μｍの記録ビ
ット長で情報を記録してＣ／Ｎを測定した。制御層１４
には、ＧｄＤｙＦｅＣｏ及びＤｙＦｅＣｏを用い、膜厚
を１〜３０ｎｍの範囲内で変化させた。その他の膜構成
は第１の実施の形態と同様である。Ｃ／Ｎの測定結果を
表５に示す。Ｃ／Ｎの結果が実用に充分な値であるか否
かの判定を‘○’又は‘×’を記している。
【００２３】
【表５】
【００２４】表５から判るように、制御層１４にＧｄＤ
ｙＦｅＣｏを用いた場合は、膜厚が３〜２０ｎｍである
ときに４６ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られる。また、制御層
１４にＤｙＦｅＣｏを用いた場合は、膜厚が１〜１５ｎ
ｍであるときに４６ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られる。この
ように制御層の材料の違いにより、再生特性が良好な膜
厚範囲が異なるのは、夫々の制御層の垂直磁気異方性Ｋ
ｕが異なることによる。このように、制御層１４の膜厚
が１〜２０ｎｍである場合に良好なＣ／Ｎが得られる。
制御層１４が１ｎｍよりも薄いときは中間層から再生層
への転写力が弱いので充分なＣ／Ｎが得られず、２０ｎ
ｍよりも厚いときは転写力が強力すぎてＣ／Ｎが低い。
ｙＦｅＣｏを用いた場合は、膜厚が３〜２０ｎｍである
ときに４６ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られる。また、制御層
１４にＤｙＦｅＣｏを用いた場合は、膜厚が１〜１５ｎ
ｍであるときに４６ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られる。この
ように制御層の材料の違いにより、再生特性が良好な膜
厚範囲が異なるのは、夫々の制御層の垂直磁気異方性Ｋ
ｕが異なることによる。このように、制御層１４の膜厚
が１〜２０ｎｍである場合に良好なＣ／Ｎが得られる。
制御層１４が１ｎｍよりも薄いときは中間層から再生層
への転写力が弱いので充分なＣ／Ｎが得られず、２０ｎ
ｍよりも厚いときは転写力が強力すぎてＣ／Ｎが低い。
【００２５】なお、上述した実施の形態の光磁気ディス
クの磁性層の組成は一例を示しており、これに限らな
い。再生層、中間層及び記録層については、特開平７−
244877号公報にて開示された組成のものを用いても良
い。
クの磁性層の組成は一例を示しており、これに限らな
い。再生層、中間層及び記録層については、特開平７−
244877号公報にて開示された組成のものを用いても良
い。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、微細
な記録ビットが高密度記録された光磁気記録媒体の第２
磁性層と第１磁性層との間に、交換結合力を制御する第
４磁性層を設けているので、開口部における第２磁性層
から第１磁性層への転写力が第３磁性層から第２磁性層
への転写力よりも強くなり、第１磁性層と第２磁性層と
の交換結合力が強化されてＣ／Ｎが向上する等、本発明
は優れた効果を奏する。
な記録ビットが高密度記録された光磁気記録媒体の第２
磁性層と第１磁性層との間に、交換結合力を制御する第
４磁性層を設けているので、開口部における第２磁性層
から第１磁性層への転写力が第３磁性層から第２磁性層
への転写力よりも強くなり、第１磁性層と第２磁性層と
の交換結合力が強化されてＣ／Ｎが向上する等、本発明
は優れた効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施の形態の光磁気ディスクを
示す膜構成図である。
示す膜構成図である。
【図２】本願出願人の提案によるＭＳＲ媒体を示す膜構
成図である。
成図である。
【図３】図２のＭＳＲ媒体の再生時の磁化状態を説明す
る図である。
る図である。
１ 光磁気ディスク １３ 再生層 １４ 制御層 １５ 中間層 １６ 記録層
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に第１磁性層、第２磁性層及び第
３磁性層をこの順に備え、前記第２磁性層が前記第１磁
性層と前記第３磁性層との間の交換結合力を制御するこ
とにより、前記第３磁性層にて保持された情報を前記第
１磁性層に転写して読出す光磁気記録媒体において、 前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に、前記第１磁
性層と前記第２磁性層との間の交換結合力を制御する第
４磁性層を備え、 Ｔｃ１＞Ｔｃ４≧Ｔｃ２Ｋｕ４＞Ｋｕ２ 但し、Ｔｃ１，Ｔｃ２及びＴｃ４：第１、第２及び第４
磁性層のキュリー温度Ｋｕ２及びＫｕ４：第２及び第４
磁性層の垂直磁気異方性 の関係を満たすことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記第４磁性層は、Ｄｙを含む希土類−
遷移金属アモルファス合金を用いている請求項１記載の
光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記第４磁性層は、Ｔｂを含む希土類−
遷移金属アモルファス合金を用いている請求項１記載の
光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24322397A JPH1186366A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24322397A JPH1186366A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1186366A true JPH1186366A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17100673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24322397A Pending JPH1186366A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1186366A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7877895B2 (en) * | 2006-06-26 | 2011-02-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
-
1997
- 1997-09-08 JP JP24322397A patent/JPH1186366A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7877895B2 (en) * | 2006-06-26 | 2011-02-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050711 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
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