JP3865957B2 - 伝熱性化合物 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子の作動により生じる熱を半導体素子から放熱体に速やかに伝えるための伝熱手段として好適に使用される伝熱性化合物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体素子収納用パッケージや混成集積回路基板等を構成する配線基板への半導体素子の実装方法としては、配線基板の表面に設けられ配線導体と接続された接続パッドに、半導体素子の電極を半田等から成るボール状の金属バンプを介して直接接続する、いわゆるフリップチップ方式の実装方法が多用されるに至っている。
【0003】
このフリップチップ方式の接続方法に用いられる半導体素子収納用パッケージや混成集積回路基板等に用いられる配線基板は、一般に、酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成る絶縁基体と、この絶縁基体の内部および/または表面に形成されたタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属材料から成る配線導体と、この配線導体に電気的に接続するように形成されたタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属材料から成る接続パッドとから構成されており、このような配線基板の絶縁基体表面の接続パッドに半導体素子の下面に形成された電極を半田ボール等から成る金属バンプを介して接続することによって半導体素子の各電極が配線導体に接続されて半導体装置として完成することとなる。
【0004】
また、配線基板上に半導体素子を半田ボール等から成る金属バンプにて接合した後、配線基板と半導体素子との接合をより強固にするために、いわゆるアンダーフィル材と呼ばれる樹脂、例えばエポキシ樹脂等の有機樹脂にフィラーとしてシリカや窒化アルミニウム等の無機充填剤を添加混合した接着材としての樹脂を配線基板と半導体素子との間に形成される空隙内に充填し、これを加熱硬化させることによって配線基板と半導体素子とを強固に接着させることが実施されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来の半導体装置においては、半導体素子と半田ボール等の金属バンプとの接続面積は、半導体素子の面積に比べて極めて小さなものであることから、半導体素子が作動時に発した熱は前記金属バンプに吸収され難く半導体素子内に残留し、その結果、半導体素子に熱破壊が発生したり、特性に熱劣化が発生したりするという問題があった。
【0006】
また、半導体素子と配線基板との間にアンダーフィル材を充填させた場合であっても、このようなアンダーフィル材の熱伝導率が0.2〜0.7W/m・K程度と低いことから半導体素子で発した熱を効果的に吸収することができず、上記同様に半導体素子に熱破壊が発生したり、特性に熱劣化が発生したりするという問題があった。
【0007】
本発明は上記欠点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、絶縁基体上に実装された半導体素子の上面に放熱体を接合させつつ支持し、かつ半導体素子が作動時に発する熱を放熱体に伝達させ、半導体素子を常に適温として長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることができる伝熱性化合物を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の伝熱性化合物は、ゴム変性エポキシ樹脂と複素環式基を含む炭化水素基の両端に官能基であるアミンが結合した構造の硬化剤とから成る熱硬化性の担体樹脂と、担体樹脂中に分散された熱伝導率が30W/m・K以上の伝熱性フィラー粒子とから成り、かつ外添加で親水性基および疎水性基を有する有機シラン類もしくは有機チタネート類の少なくとも1種から成る分散剤が添加されていることを特徴とするものである。
【0009】
また本発明は、前記伝熱性フィラー粒子が窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、ダイヤモンド、アルミニウム、銅の少なくとも1種から成ることを特徴とするものである。
【0010】
本発明の伝熱性化合物によれば、担体樹脂中に、例えば、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、ダイヤモンド、アルミニウム、銅等の熱伝導率が30W/m・K以上と高い伝熱性フィラー粒子を分散させたことから1W/m・K以上の熱伝導率を有しており、そのため半導体素子の上面にこの伝熱性化合物を介して放熱体を接合させた場合、半導体素子の作動時に発した熱は伝熱性化合物を介して放熱体に効率良く伝達されるとともに放熱体を通して大気中に放散されることとなり、その結果、半導体素子は常に適温となり、半導体素子を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させるこが可能となる。
【0011】
また本発明の伝熱性化合物によれば、担体樹脂をゴム変性エポキシ樹脂と複素環式基を含む炭化水素基の両端に官能基であるアミンが結合した構造の硬化剤とから成る熱硬化性の樹脂としたことから、半導体素子の上面にこの伝熱性化合物を介して放熱体を接合させた場合、担体樹脂が熱硬化する際に半導体素子及び放熱体と化学的に結合して接着材として作用し、半導体素子と放熱体とを強固に接合することができる。
【0012】
同時に前記担体樹脂は硬化により3次元網目構造を有して機械的強度が優れたものとなり、半導体素子の上面に接合された放熱体を支えて保持することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
次に本発明の伝熱性化合物を用いて製作した半導体装置について、図1に示す実施例に基づいて説明する。
図1は本発明の伝熱性化合物を用いて製作した半導体装置の実施の形態の一例を示す断面図であり、1は絶縁基体、2は絶縁基体1の表面および内部に形成されている配線導体、3は半導体素子である。
【0014】
前記絶縁基体1は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ガラスセラミックス焼結体、結晶化ガラス質焼結体等のセラミックス材料やエポキシ樹脂、ガラスエポキシ、ポリイミド樹脂等の有機系材料等の電気絶縁材料から形成され、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダー、溶剤等を添加混合して泥漿物を作るとともに該泥漿物をドクターブレード法やカレンダーロール法等によりシート状に成形してセラミックグリーンシートを得、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工および穴あけ加工を施すとともにこれを複数枚積層し、約1600℃の高温で焼成することによって製作される。
【0015】
また前記絶縁基体1はその上面から内部を介し下面にかけて配線導体2が形成されており、該配線導体2は半導体素子3の各電極を外部電気回路に接続する作用をなし、配線導体2のうち絶縁基体1の上面に露出する部分には半導体素子3の電極が金属バンプ4を介して接合され、また絶縁基体1の下面に露出する部分は外部電気回路基板の配線導体に接続される。
【0016】
前記配線導体2は、金、銀、白金、パラジウム、銅、ニッケル、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属またはこれらの合金、あるいはこれらを主成分とする合金等から成り、例えば、タングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属から成る場合であれば、高融点金属の粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して金属ペーストを得、該金属ペーストを従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採用し、絶縁基体1となるセラミックグリーンシートの表面及びセラミックグリーンシートに開けられた貫通孔内に予め所定パターンに塗布充填しておくことによって絶縁基体1の上面から内部を介し下面にかけて被着形成される。
【0017】
また、前記配線導体2はその露出する表面にニッケル、金等の耐食性に優れ、且つハンダと濡れ性の良い金属をメッキ法により1乃至20μmの厚みに被着させておくと、配線導体2の酸化腐食を有効に防止することができるとともに配線導体2と金属バンプ4との接合を強固なものとなすことができる。従って、前記配線導体2はその露出する表面にニッケル、金等の耐食性に優れ、且つロウ材と濡れ性の良い金属をメッキ法により1乃至20μmの厚みに被着させておくことが好ましい。
【0018】
更に前記絶縁基体1はその上面に半導体素子3がフリップチップ方式、具体的には半導体素子3の下面に形成されている電極を絶縁基体1の上面に露出する配線導体2にハンダから成る金属バンプ4を介して接合することによって実装されている。
【0019】
前記絶縁基体1の上面に実装された半導体素子3は更にその上面にフィンを多数有した放熱体6が伝熱性化合物5を介して接合されており、該放熱体6は半導体素子3が作動時に発した熱を吸収するとともに大気中に良好に放散させる作用をなし、これによって半導体素子3は常に適温となり、半導体素子3を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることができる。
【0020】
前記放熱体6は銅、アルミニウム、銅−タングステン等の金属や、窒化アルミニウム等のセラミック部材、あるいは厚み方向に配列した炭素繊維を炭素で結合した一方向性複合材料等の伝熱性に優れた材料により形成され、例えば銅から成る場合であれば銅のインゴット(塊)に圧延加工、切断加工等の周知の金属加工法を施すことによって所定の形状に加工される。
【0021】
なお、前記放熱体6はフィンを多数有するものに限定されるものではなく、平板状であってもよい。
【0022】
また前記放熱体6は半導体素子3の上面に伝熱性化合物5を介して接合されており、該伝熱性化合物5はゴム変性エポキシ樹脂と変性アミン型硬化剤とから成る熱硬化性の担体樹脂20乃至60重量%と、該担体樹脂中に分散された熱伝導率が30W/m・K以上の伝熱性フィラー粒子40乃至80重量%とから成り、かつ外添加で親水性基および疎水性基を有する有機シラン類もしくは有機チタネート類の少なくとも1種から成る分散剤が前記伝熱性フィラー粒子100重量部に対し0.5乃至5重量部添加されたもので形成されている。
【0023】
前記伝熱性化合物5による半導体素子3上面への放熱体6の接合は、例えば、半導体素子3の上面と放熱体6の下面との間に、ゴム変性エポキシ樹脂前駆体と変性アミン型硬化剤とから成る液状の混合物中に、有機シラン類もしくは有機チタネート類の少なくとも1種から成る分散剤と、熱伝導率が30W/m・K以上と高い伝熱性フィラー粒子とを添加混合して得たペーストを配し、該ペーストを加熱硬化させることによって行われる。この場合、ゴム変性エポキシ樹脂と変性アミン型硬化剤とから成る熱硬化性の担体樹脂は熱硬化する際に半導体素子3及び放熱体6と化学的に結合して接着材として作用し、その結果、この伝熱性化合物5を介して半導体素子3と放熱体6とは強固に接合することとなる。
【0024】
また前記伝熱性化合物5の熱硬化性の担体樹脂はゴム変性エポキシ樹脂と変性アミン型硬化剤の硬化の反応によって3次元網目構造となっており、そのため例えば剪断強度が20〜30Kgf/cm2 と強く、機械的強度に優れており、半導体素子3の上面に接合した放熱体6を支えて保持することが可能となる。
【0025】
さらに前記伝熱性化合物5の熱硬化性の担体樹脂は、複素環式基を含む炭化水素基の両端に官能基であるアミンが結合した構造で分子鎖の変形の自由度が大きい変性アミン型硬化剤を、ゴム状の弾性を有するゴム変性エポキシ樹脂の前駆体に混合させて熱硬化させたものであることから可撓性を有しており、そのため放熱体6を熱伝導率が高く放熱性に優れるが半導体素子3と熱膨張係数が大きく相違する銅やアルミニウム(シリコンの熱膨張係数は2.4×10-6/℃であるのに対し、銅の熱膨張係数は1.678×10-5/℃、アルミニウムの熱膨張係数は2.313×10-5/℃)で形成した場合であっても、半導体素子3と放熱体6との間に両者の熱膨張係数の相違に起因して発生する応力は熱硬化性の担体樹脂を変形させることによって吸収緩和され、その結果、半導体素子3と放熱体6とを極めて強固に接合させておくことができる。
【0026】
また更に前記伝熱性化合物5の熱硬化性の担体樹脂には熱伝導率が30W/m・K以上と高い伝熱性フィラー粒子が分散されており、該伝熱性フィラー粒子によって伝熱性化合物5の熱伝導率が1W/m・K以上となり、半導体素子3が作動時に発した熱を伝熱性化合物5を介して放熱体6に効率良く伝達吸収させることができる。
【0027】
前記伝熱性フィラー粒子しては、例えば、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、アルミニウム、銅、ダイヤモンドの少なくとも1種が好適に使用される。
【0028】
前記伝熱性化合物5の熱硬化性の担体樹脂には更に親水性基および疎水性基を有する有機シラン類もしくは有機チタネート類の少なくとも1種から成る分散剤が添加されており、該親水性基によって伝熱性のフィラー粒子表面に吸着するとともに、疎水性基の作用によりゴム変性エポキシ樹脂前駆体と変性アミン型硬化剤とから成る液状の混合物中に拡散して均一に分散し、これにより伝熱性フィラー粒子を担体樹脂中に均一に分散させる作用をなす。
【0029】
前記親水性基および疎水性基を有する有機シラン類とは、シラン(SiH4 )の水素(H)を親水性基および疎水性基で置換したものであり、例えば、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン、β−(3、4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリセドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−プロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等があり、これらにおいてメトキシ基(−OCH3 )、エトキシ基(−OC2 H5 )、β−メトキシエトキシ基(−OC2 H4 −OCH3 )等のアルコキシ基およびその誘導体が親水性基であり、その他の置換基が疎水性基である。
【0030】
また、親水性基および疎水性基を有する有機チタネート類とは、アルコキシ基やその誘導体、またはグリコール酸等の親水性基と、炭素数が8以上のアルキル基によるリン酸エステルや、水に不溶性の高級脂肪酸等の疎水性基とがチタン(Ti)と結合したものが用いられ、例えば、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス(ジオクチルパイロホスフェート)チタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)オキシアセテートチタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)エチレンチタネート、テトライソプロピルビス(ジオクチルホスファイト)チタネート、テトラオクチルビス(ジトリデシルホスファイト)チタネート等があり、これらにおいてアルコキシ基およびその誘導体はフィラー粒子表面の吸着水や空気中の水分等と加水分解反応を起こすことにより水素結合し得るようになり親水性基として作用し、アルキル基およびその誘導体は疎水性基として作用する。
【0031】
なお、前記伝熱性化合物5においてゴム変性エポキシ樹脂と変性アミン型硬化剤とから成る熱硬化性の担体樹脂の含有量が20重量%未満になると、伝熱経路を形成した状態で伝熱性フィラー粒子を保持することができなくなり、また60重量%を超えると伝熱性部材5の熱伝導率が1W/m・K未満と低くなって半導体素子3で生じた熱を効率良く放熱体6に伝達することができなくなってしまう。従って、伝熱性化合物5中の伝熱性フィラー粒子の含有量は20乃至60重量%の範囲に特定される。
【0032】
また、熱硬化性の担体樹脂におけるゴム変性エポキシ樹脂と変性アミン型硬化剤との混合比は、エポキシ価(エポキシ樹脂のエポキシ基の数)とアミン価(硬化剤のアミノ基数)との比が1:1となるような割合としておくと、熱硬化を均一、かつ速やかにに行わせることができ、担体樹脂の硬化の化学反応による過熱や硬化した樹脂の変色等の不具合を生じる恐れがない。従って、ゴム変性エポキシ樹脂と変性アミン型硬化剤との混合比はエポキシ価とアミン価との比が1:1となるような割合としておくことが好ましい。
【0033】
更に前記伝熱性化合物5において伝熱性フィラー粒子の含有量が40重量%未満となると、伝熱性フィラー粒子同士の接触が少なくなって良好な伝熱経路が形成され難いため伝熱性化合物5の熱伝導率が1W/m・K未満と低くなって半導体素子3で生じた熱を効率良く放熱体6に伝達することができなくなり、80重量%を超えると伝熱性フィラー粒子を担体樹脂によって保持することができなくなる。従って、伝熱性化合物5中の伝熱性フィラー粒子の含有量は40乃至80重量%の範囲に特定される。
【0034】
また更に前記伝熱性化合物5において分散剤の含有量が伝熱性フィラー粒子100重量部に対して0.5重量部未満となると、伝熱性フィラー粒子を均一に分散させることができなくなり、5重量部を超えると過剰に添加された分散剤により担体樹脂の硬化が部分的に妨げられて機械的強度が劣化しやすくなる。従って、伝熱性化合物5中の分散剤の含有量は伝熱性フィラー粒子100重量部に対して0.5乃至5重量部の範囲に特定される。
【0035】
前記伝熱性フィラー粒子は、その平均粒径が1μm未満になると伝熱性化合物5中の伝熱経路において伝熱性フィラー粒子同士の接触界面を経る頻度が高くなり、このような粒子界面での熱伝導が粒子内部での熱伝導に比べて劣ることから伝熱性化合物5の熱伝導率を高くすることが困難となる傾向にある。従って、伝熱性フィラー粒子はその粒径が1μm以上のものとしておくことが好ましい。
【0036】
かくして上述の半導体装置によれば、絶縁基体1に形成されている配線導体2を介して絶縁基体1に実装されている半導体素子3と外部電気回路とを電気的に接続し、半導体素子3と外部電気回路との間に電気信号を入出力させることによって半導体素子3は所定の作動を行う。この時、半導体素子3の発した熱は伝熱性化合物5を通して放熱体6に伝達され、放熱体6を介して大気中に放散されることとなる。
【0037】
【発明の効果】
本発明の伝熱性化合物によれば、担体樹脂中に、例えば、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、ダイヤモンド、アルミニウム、銅等の熱伝導率が30W/m・K以上と高い伝熱性フィラー粒子を分散させたことから1W/m・K以上の熱伝導率を有しており、そのため半導体素子の上面にこの伝熱性化合物を介して放熱体を接合させた場合、半導体素子の作動時に発した熱は伝熱性化合物を介して放熱体に効率良く伝達されるとともに放熱体を通して大気中に放散されることとなり、その結果、半導体素子は常に適温となり、半導体素子を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させるこが可能となる。
【0038】
また本発明の伝熱性化合物によれば、担体樹脂をゴム変性エポキシ樹脂と変性アミン型硬化剤とから成る熱硬化性の樹脂としたことから、半導体素子の上面にこの伝熱性化合物を介して放熱体を接合させた場合、担体樹脂が熱硬化する際に半導体素子及び放熱体と化学的に結合して接着材として作用し、半導体素子と放熱体とを強固に接合することができる。
【0039】
同時に前記担体樹脂は硬化により3次元網目構造を有して機械的強度が優れたものとなり、半導体素子の上面に接合された放熱体を支えて保持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の伝熱性化合物を用いて製作した半導体装置の一実施例を示す断面図である。
【符号の説明】
1・・・絶縁基板
2・・・配線導体
3・・・半導体素子
4・・・金属バンプ
5・・・伝熱性化合物
6・・・放熱体
Claims (2)
- ゴム変性エポキシ樹脂と複素環式基を含む炭化水素基の両端に官能基であるアミンが結合した構造の硬化剤とから成る熱硬化性の担体樹脂と、該担体樹脂中に分散された熱伝導率が30W/m・K以上の伝熱性フィラー粒子とから成り、かつ外添加で親水性基および疎水性基を有する有機シラン類もしくは有機チタネート類の少なくとも1種から成る分散剤が添加されていることを特徴とする伝熱性化合物。
- 前記伝熱性フィラー粒子が窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、ダイヤモンド、アルミニウム、銅の少なくとも1種から成ることを特徴とする請求項1に記載の伝熱性化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36144298A JP3865957B2 (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | 伝熱性化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36144298A JP3865957B2 (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | 伝熱性化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000183252A JP2000183252A (ja) | 2000-06-30 |
JP3865957B2 true JP3865957B2 (ja) | 2007-01-10 |
Family
ID=18473602
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP36144298A Expired - Fee Related JP3865957B2 (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | 伝熱性化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3865957B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4672902B2 (ja) * | 2001-05-11 | 2011-04-20 | 株式会社三社電機製作所 | 電力用半導体モジュール |
US7877895B2 (en) | 2006-06-26 | 2011-02-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
JP4819765B2 (ja) * | 2007-08-22 | 2011-11-24 | 三菱電機株式会社 | 捩り管形熱交換器の製造方法 |
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JP2000183252A (ja) | 2000-06-30 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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