JP3441380B2 - 処理装置及び処理方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶ディス
プレイ（以下、液晶ディスプレイ「ＬＣＤ」と記す。）
基板のような被処理体の表面にレジスト液を塗布する塗
布ユニットなどを備えた処理装置及び処理方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ＬＣＤや半導体ウエハの製造において
は、基体であるガラス基板やシリコンウエハの上面にレ
ジスト膜パターンを形成するために、いわゆるリソグラ
フィ処理が行われる。このリソグラフィ処理は、基板を
洗浄後、基板を加熱して乾燥し、冷却した後、基板表面
へレジスト液を塗布し、露光、現像などの処理が施され
る。

【０００３】ところで、このリソグラフィ処理において
は処理時の温度によって塗膜の品質が左右されやすいた
め、処理時の温度を一定に保つことが非常に重要であ
る。

【０００４】そのため、半導体ウエハの製造においては
処理装置全体を一つのクリーンルーム内に設置して、こ
のクリーンルーム全体を一定温度に保つことにより処理
時の温度を一定に保つ方法が用いられている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＬＣＤ
では半導体ウエハに比べて基板が大きく、処理装置自体
もこれにつれて大型化するため、半導体ウエハのように
処理装置を設置した部屋全体を均一に温度調節しても処
理装置内の各処理ユニット間でバラツキが生じやすい。
そのため、温度変化の影響を受けやすい塗布ユニット内
の温度が変動して塗膜不良が生じるという問題がある。

【０００６】また塗布ユニット内では、基板上に塗布し
たレジスト液が乾ききらない「生乾き」の状態で塗布ユ
ニット内を移動する場合がある。この生乾き状態のレジ
スト塗膜が形成された基板を移動アームや吸着パッドな
どに接触させると、基板下面側の接触部位に「転写跡」
と呼ばれる跡が残る。この転写跡が形成された基板に後
続の処理を施すと、基板上に形成されるレジスト塗膜の
膜厚が変動する膜厚不良が起きることが知られている。

【０００７】本発明は、このような課題を解決するため
になされたもので、塗布ユニット内の温度が変動するに
もかかわらず、塗布に関係する被処理体の温度、塗布液
の温度、被処理体と接する部位の温度の関係を良好な状
態に維持、制御して塗膜不良の発生を未然に防止するこ
とができる処理装置及び処理方法を提供することを目的
とする。

【０００８】また本発明は塗布処理工程で基板の下面側
に転写跡が形成されず、この転写跡が惹起する塗膜の膜
厚不良の発生を然に防止することができる処理装置及び
処理方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、請求項１記載の処理装置は、被処理体に塗布剤を供
給して前記被処理体を回転させ、塗布膜を形成する塗布
装置と、前記塗布装置内に配設され前記塗布装置内の温
度を検出する温度検出手段と、前記塗布装置に隣接配置
され、前記塗布装置から搬送された塗布膜が形成された
前記被処理体の外周縁の塗布剤を除去するエッジリムー
バと、を有する処理装置であって、前記エッジリムーバ
は、前記被処理体を吸着保持する吸着部材を有し、前記
吸着部材には前記被処理体の温度を調節する温調手段が
配設され、前記温度検出手段で検出した前記塗布装置内
の温度に基づいて前記温調手段の温調温度を制御するこ
とにより、前記被処理体に、前記吸着部材の転写跡が発
生することを防止するよう構成されたことを特徴とす
る。

【００１０】請求項２記載の処理装置は、請求項１に記
載の処理装置であって、前記塗布装置から前記エッジリ
ムーバへ前記被処理体を移動する移動アームを具備し、
前記移動アームの前記被処理体と接触する被処理体接触
部位には、前記被処理体の温度を調節する温調手段が配
設され、前記温度検出手段で検出した前記塗布装置内の
温度に基づいて前記被処理体接触部位に配設された前記
温調手段の温調温度を制御することにより、前記被処理
体に、前記被処理体接触部位の転写跡が発生することを
防止するよう構成されたことを特徴とする。

【００１１】請求項３記載の処理装置は、請求項１又は
２記載の処理装置であって、前記塗布装置は、前記被処
理体を収容するカップと、前記カップ内に配設され、前
記被処理体を保持する保持手段とを有し、前記カップ
が、気体排気系を備えており、前記気体排気系が、気体
排出路と、排気中の液体成分を分離除去するドレインと
に分岐しており、前記温度検出手段の検出部が前記ドレ
インと分岐した下流側の前記気体排出路に配設されるこ
とにより、前記検出部に向かう気体を液体成分が減少し
た気体とし、前記検出部の汚れおよび温度検知の値に誤
差が生じることを防止することを特徴とする。

【００１２】請求項４記載の処理装置は、請求項３に記
載の処理装置であって、前記カップは、側壁部内部が中
空構造になっており、前記側壁部は内側側壁及び外側側
壁で覆われ、前記内側側壁と前記外側側壁との間に間仕
切り板が配設され、前記内側側壁、前記外側側壁、及び
前記間仕切り板は同心円状に配設され、前記内側側壁の
下端と底板との間、及び前記間仕切り板の上端と天板と
の間にはそれぞれ隙間が設けられ、前記外側側壁には、
排気装置に接続される開口が配設され、前記内側側壁と
前記間仕切り板との間の前記底板に前記ドレインが配設
され、前記内側側壁の下端側の隙間から気体が吸い込ま
れ、前記間仕切り板の上端側の隙間を通り、前記外側側
壁の前記開口を経るように前記気体排出路が形成され、
前記温度検出手段は、前記側壁部の内部空間の前記外側
側壁の上端と前記天板との接合部の位置に配設されてい
ることを特徴とする。

【００１３】請求項５記載の処理装置は、請求項１又は
２記載の処理装置であって、前記塗布装置は、被処理体
を収容するカップと、前記カップ内に配設され、前記被
処理体を保持する保持手段とを有し、前記保持手段に前
記被処理体の温度を調節する温調手段が配設され、前記
温度検出手段で検出した温度に基づいて前記保持手段に
配設された前記温調手段の温調温度も制御することを特
徴とする。

【００１４】請求項６記載の処理装置は、請求項３又は
４記載の処理装置であって、前記保持手段に前記被処理
体の温度を調節する温調手段が配設され、前記温度検出
手段で検出した温度に基づいて前記保持手段に配設され
た前記温調手段の温調温度も制御することを特徴とす
る。

【００１５】請求項７記載の処理装置は、請求項３〜６
いずれか１項記載の処理装置であって、前記保持手段が
被処理体下面全体と接触する面を備えていることを特徴
とする。

【００１６】請求項８記載の処理装置は、請求項３〜７
いずれか１項記載の処理装置であって、前記保持手段が
被処理体と相似する方形であることを特徴とする。

【００１７】請求項９記載の処理装置は、請求項３〜８
いずれか１項記載の処理装置であって、前記塗布装置
は、前記カップ内の前記保持手段対向面に第２の温調手
段を更に具備することを特徴とする。

【００１８】請求項１０記載の処理装置は、請求項９記
載の処理装置であって、前記塗布装置は、前記カップの
開口部を開閉する蓋を有し、前記第２の温調手段は前記
蓋の下面、又は前記蓋の下面側に配設された整流板に配
設されていることを特徴とする。

【００１９】請求項１１記載の処理方法は、被処理体に
所定の塗布膜を形成する処理方法であって、塗布装置内
で前記被処理体に塗布剤を供給して前記被処理体を回転
させ、前記被処理体に前記塗布膜を形成する塗布膜形成
工程と、前記塗布装置に隣接配置されるエッジリムーバ
に設けられ、前記塗布装置内の温度に基づいて温調され
た吸着部材上に、前記塗布膜が形成された前記被処理体
を前記塗布装置から移動させる移動工程と、前記吸着部
材上に搬送された前記被処理体を前記吸着部材に吸着さ
せて前記被処理体に当該吸着部材の転写跡が発生するこ
とを防止しつつ前記被処理体の外周縁の前記塗布剤を除
去する除去工程とを有することを特徴とする。請求項１
２記載の処理方法は、請求項１１記載の処理方法であっ
て、前記移動工程において、前記被処理体を前記塗布装
置から前記エッジリムーバに移動させる際に移動アーム
を用い、前記移動アームの前記被処理体と接触する被処
理体接触部位の温度を、前記塗布装置内の温度に基づい
て温度調整しつつ前記被処理体を移動させることを特徴
とする。

【００２０】本発明の処理装置及び処理方法では、検出
した塗布ユニット内の温度に基づいて、前記被処理体の
温度を調節する温調手段を制御しているので、塗布ユニ
ット内の温度と被処理体の温度との差を小さくでき、ひ
いては被処理体とこの被処理体と接触する部位との間の
温度差を小さくできるので、塗布ユニット内を被処理体
を移動させても被処理体の下面に転写跡が形成されるこ
とがなくなり、この転写跡が惹起する塗膜の膜厚不良が
防止される。

【００２１】また、被処理体の温度、塗布ユニット内の
温度、及びチャックなどの被処理体と接触する部位の温
度との関係を予め把握しておき、この関係を用いて、検
出した塗布ユニット内の温度から被処理体の温度を認識
し、被処理体の温度が適正範囲よりずれている場合に
は、上記関係から温調手段の適正温度を割り出してこの
温度に温調することもできる。このように制御すること
により、正確な温度管理ができるため、塗膜不良の発生
を未然に防止することができる。

【００２２】更に、上記温調手段は塗布ユニット内はも
ちろんのこと、塗布ユニット外に配設してもよい。例え
ば、塗布ユニットの外側に隣接して熱処理盤や冷却装置
などを配設しておき、前記塗布ユニット内の温度に基づ
いてこの熱処理盤や冷却装置を所定の温度に制御し、こ
の熱処理盤や冷却装置に一度被処理体を載置することに
より被処理体の温度を均一化するようにしてもよい。

【００２３】本発明の処理装置及び処理方法では、検出
した塗布ユニット内の温度に基づいて、塗布ユニット内
に配設した温調手段の温調温度を制御する。そのため、
例えば、この温調手段を被処理体と接触する部位に配設
することにより、この部位が被処理体に接触する部分と
そうでない部分とを均一な温度に維持することが可能と
なり、それにより転写跡の形成、ひいては塗膜の膜厚不
良を未然に防止することができる。

【００２４】本発明の処理装置及び処理方法では、保持
手段に配設した温調手段の温調温度を制御しているの
で、温度検出から温調温度の変更まで短時間に行うこと
ができ、正確で迅速な温度管理ができる。

【００２５】 また、前記温度検出手段を前記カップ内
に配設してあるので、被処理体に近い温度に基づいて温
度制御することができ、より高精度の温度管理ができ
る。

【００２６】本発明の処理装置では、保持手段が被処理
体下面全体と接触する面を備えているので、熱変換効率
が良く、正確で迅速な温度管理ができる。

【００２７】本発明の処理装置では、保持手段が被処理
体と相似する方形を備えているので、熱変換効率が良
く、正確で迅速な温度管理ができる。

【００２８】本発明の処理装置及び処理方法では、エッ
ジリムーバの吸着部材に温調機構を配設してあり、検出
した塗布ユニット内の温度に基づいて行う温調をエッジ
リムーバの吸着部材でも行うので、被処理体の温度を一
定に保つことができ、転写跡の形成による塗膜の膜厚不
良の発生を未然に防止することができる。

【００２９】本発明の処理装置及び処理方法では、移動
アームに温調手段を配設してあり、検出した塗布ユニッ
ト内の温度に基づいて行う温調を移動アームでも行うの
で、被処理体の温度を一定に保つことができ、転写跡に
よる塗膜の膜厚不良の発生を未然に防止することができ
る。

【００３０】本発明の処理装置では、前記カップ内の前
記保持手段対向面に第２の温調手段を配設してあり、被
処理体の上側からも温調するので被処理体に対して正確
に温調することができる。

【００３１】本発明の処理装置では、前記温調手段を前
記蓋の下面又は前記蓋の下面側に配設された整流板に配
設し、被処理体の上側からも温調するので被処理体に対
して正確に温調することができる。

【００３２】本発明の処理装置では、前記温度を検出す
る手段の検出部が前記カップの気体排気系内という、被
処理体の近くに配設したので、被処理体に対して正確に
温調することができる。

【００３３】本発明の処理装置では、前記温度を検出す
る手段の検出部を前記ドレインよりも気体移動方向下流
側の前記気体排出路に配設したので、排気中の液体成分
により検出部が汚れたり濡れたりすることがない。その
ため、被処理体に対して正確に温調することができる。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態の詳細を
図面に従って説明する。

【００３５】（第１の実施形態）図１は本発明の一実施
形態に係る塗布・現像装置の斜視図であり、図２はその
平面図である。

【００３６】塗布・現像装置１は、その一端側にキャリ
アステーションＣ／Ｓを備えている。

【００３７】また、塗布・現像装置１の他端側には、露
光装置（図示せず）との間でＬＣＤ用ガラス基板Ｇ（以
下、ＬＣＤ用ガラス基板を「基板」と略記する。）の受
け渡しを行うためのインターフェースユニットＩ／Ｆが
配置されている。

【００３８】このキャリアステーションＣ／ＳにはＬＣ
Ｄ用基板等の基板Ｇを収容した複数、例えば４組のカセ
ット２が載置されている。キャリアステーションＣ／Ｓ
のカセット２の正面側には、被処理体である基板Ｇの搬
送及び位置決めを行うとともに、基板Ｇを保持してメイ
ンアーム３との間で受け渡しを行うための補助アーム４
が設けられている。

【００３９】インターフェースユニットＩ／Ｆには、露
光装置ＥＸＰとの間で基板Ｇの受け渡しを行う補助アー
ム５が設けられている。また、インターフェースユニッ
トＩ／Ｆには、メインアーム３との間で基板Ｇの受け渡
しを行うためのエクステンション部６及び基板Ｇを一旦
待機させるバッファユニット７が配置されている。

【００４０】メインアーム３は、塗布・現像装置１の中
央部を長手方向に移動可能に、三基直列に配置されてお
り、各メインアーム３の搬送路の両側にはそれぞれ第１
の処理ユニット群Ａ、第２の処理ユニット群Ｂ、及び第
３の処理ユニット群Ｃが配置されている。第１の処理ユ
ニット群Ａと第２の処理ユニット群Ｂとの間には、基板
Ｇを一旦保持するとともに冷却装置を兼ねる冷却ユニッ
トＣＯＬ２が配置されており、同様に第２の処理ユニッ
ト群Ｂと第３の処理ユニット群Ｃとの間には基板Ｇの保
持と冷却とを行う冷却ユニットＣＯＬ５が配置されてい
る。

【００４１】第１の処理ユニット群Ａでは、キャリアス
テーションＣ／Ｓの側方に基板Ｇを洗浄する洗浄処理ユ
ニットＳＣＲが二機並設されている。また、メインアー
ム３の搬送路を挟んで洗浄処理ユニットＳＣＲの反対側
には、上下に２段配置された２組の熱処理ユニットＨＰ
１，ＨＰ１と、上下に２段配置された紫外線処理ユニッ
トＵＶ及び冷却ユニットＣＯＬ１とが隣り合うように配
置されている。

【００４２】第２の処理ユニット群Ｂでは、レジスト塗
布及びエッジリムーブ処理を行う塗布ユニットＣＴ／Ｅ
Ｒが配置されている。また、メインアーム３の搬送路を
挟んで塗布ユニットＣＴ／ＥＲの反対側には、上下に２
段配置された基板Ｇを疎水処埋するアドヒージョンユニ
ットＡＤ及び冷却ユニットＣＯＬ３と、上下に２段配置
された熱処理ユニットＨＰ２及び冷却ユニットＣＯＬ３
と、上下に２段配置された２組の熱処理ユニットＨＰ
２，ＨＰ２とが隣り合うように配置されている。熱処理
ユニットＨＰと冷却ユニットＣＯＬとを上下に２段配置
する場合、熱処理ユニットＨＰを上に冷却ユニットＣＯ
Ｌを下に配置することによって、相互の熱的干渉を避け
ている。これにより、より正確な温度制御が可能とな
る。

【００４３】メインアーム３は、Ｘ軸駆動機構，Ｙ軸駆
動機構およびＺ軸駆動機構を備えており、更に、Ｚ軸を
中心に回転する回転駆動機構をそれぞれ備えている。こ
のメインアーム３が塗布・現像装置１の中央通路に沿っ
て適宜走行して、各処理ユニット間で基坂Ｇを搬送す
る。そして、メインアーム３は、各処理ユニット内に処
理前の基板Ｇを搬入し、また、各処理ユニット内から処
理済の基板Ｇを搬出する。

【００４４】本実施形態の塗布・現像装置１では、この
ように各処理ユニットを集約して一体化することによ
り、省スペース化およぴ処理の効率化を図ることができ
る。

【００４５】次にこの塗布・現像装置１を用いて基板Ｇ
を処理する手順について説明する。図３は本実施形態に
係る塗布・現像装置１の処理手順を示したフローチャー
トである。

【００４６】上記のように構成される塗布・現像装置１
においては、図示しないローダ／アンローダＬ／ＵＬに
より複数枚の基板Ｇを水平に収容したカセット２がキャ
リアステーションＣ／Ｓに載置され、セットされる（ス
テップ１）。

【００４７】次に、この塗布・現像装置１を起動させる
と、まずカセット２内の基板Ｇが、補助アーム４及びメ
インアーム３を介して紫外線処理ユニットＵＶへ搬送さ
れてここで紫外線照射処理が行われる。紫外線照射処理
が完了した基板Ｇはメインアーム３により紫外線処理ユ
ニットＵＶから冷却ユニットＣＯＬ１に搬送され、ここ
で所定温度になるまで冷却される（ステップ２）。

【００４８】冷却が済んだ基板Ｇはメインアーム３によ
り洗浄処理ユニットＳＣＲへ搬送されて洗浄処理される
（ステップ３）。

【００４９】次に、基板Ｇは熱処理ユニットＨＰ１で加
熱処理された後に冷却ユニットＣＯＬ２で冷却される
（ステップ４） しかる後、メインアーム３、冷却ユニットＣＯＬ２及び
メインアーム３を介してアドヒージョンユニットＡＤへ
搬送されて疎水化処理される。これにより、レジストの
定着性が高められる。次に、メインアーム３を介して冷
却ユニットＣＯＬへ搬送されて冷却される（ステップ
５）。

【００５０】その後、メインアーム３を介して塗布ユニ
ットＣＴ／ＥＲへ搬送されてレジストが塗布され、次い
でエッジリムーブ処理が行われる（ステップ６）。

【００５１】次に、基板Ｇは、メインアーム３を介して
加熱処理ユニットＨＰ２へ搬送されてプリベーク処理さ
れる。そして、メインアーム３を介して冷却ユニットＣ
ＯＬ４へ搬送されて冷却された後（ステップ７）、メイ
ンアーム３、エクステンション部６及びインターフェー
ス部Ｉ／Ｆを経由して（ステップ８）、露光装置ＥＸＰ
に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。

【００５２】そして、再び露光された基板Ｇはインター
フェース部Ｉ／Ｆを介して装置１内へ搬入され、タイト
ラーＴＬに搬入され、そこでタイトルが書き込まれる
（ステップ９）。次いで現像処理ユニットＤＥＶにメイ
ンアーム３で運ばれて現像処理される（ステップ１
０）。

【００５３】次いで、メインアーム３を介して加熱処理
ユニットＨＰ３へ搬送されてポストエクスポージャーベ
ーク処理が施される。その後、基板Ｇは、メインアーム
３、冷却ユニットＣＯＬ５へ搬入されて冷却される（ス
テップ１１）。

【００５４】冷却の完了した基板Ｇは、処理ユニット群
Ｂのメインアーム３、冷却ユニットＣＯＬ２、処理ユニ
ット群Ａのメインアーム３、及び補助アーム４の順に搬
送されて、再びキャリアステーションＣ／Ｓ上の所定の
カセット２に収容される（ステップ１２）。

【００５５】次に、本実施形態に係る塗布ユニット（Ｃ
Ｔ／ＥＲ）について説明する。図４は本実施形態に係る
塗布ユニット（ＣＴ／ＥＲ）の平面図、図５は垂直断面
図であり、図６は斜視図である。

【００５６】図４に示すように、この塗布ユニット（Ｃ
Ｔ／ＥＲ）内にはレジスト塗布装置としてのコーターカ
ップ２０とエッジリムーバ６０とが隣接配置されてい
る。このうち、コーターカップ２０は洗浄処理やプリベ
ーキングなどの前段階の処理が施された基板Ｇ表面にレ
ジスト液等の処理剤を塗布する装置であり、エッジリム
ーバＥＲはコーターカップ２０で表面にレジスト塗膜が
形成された基板Ｇのうち、レジスト塗布が不要な外周縁
部（エッジ）のレジスト塗膜を剥離除去する装置であ
る。

【００５７】コーターカップ２０とエッジリムーバＥＲ
との間には搬送装置が配設されており、この搬送装置の
レール６１，６１上を移動する搬送アーム６２によりコ
ーターカップ２０とエッジリムーバ６０との間で基板Ｇ
を搬送する機構となっている。

【００５８】次に、コーターカップ２０の周辺について
説明する。

【００５９】図４ではコーターカップ２０内部を図示す
る必要上、蓋２２の一部を省略してある。

【００６０】コーターカップ２０内の空間には、基板Ｇ
を回転可能に保持するスピンチャック２３とこのスピン
チャック２３を回転するための回転駆動機構が配設され
ている。そして、コーターカップ２０の近傍の位置には
このコーターカップ２０の内部にアクセスして前記スピ
ンチャック２３上にセットされた基板Ｇ上にレジスト液
を吐出するレジストノズル５７が配設されている。

【００６１】コーターカップ本体２１の内側には環状の
回転カップＣＰが配設され、その内側にスピンチャック
２３が配置されている。スピンチャック２３は真空吸着
によって基板Ｇを固定保持した状態で、駆動モータ２５
の回転駆動力で回転するように構成されている。

【００６２】また、スピンチャック２５内にはチャック
温調手段としてのチャック温調器（図示省略）が配設さ
れており、このチャック温調器は後述の制御装置により
その作動が制御される。

【００６３】更に、上記レジスト液供給機構にはレジス
ト液を加温するための塗布液温調器（図示せず）が取り
付けられており、この塗布液温調器は後述の制御装置に
よりその作動が制御される。

【００６４】駆動モータ２５は、歯車列２６を介して回
転軸２７に回転駆動力を伝達するようになっており、更
に、回転軸２７は昇降駆動手段２８により昇降ガイド手
段３２に沿って図中上下方向に移動可能に取り付けられ
ている。

【００６５】レジスト塗布時には、図５に示すように、
スピンチャック２３は回転カップＣＰの上端より低い位
置まで下がる。一方、コーターカップ２０から基板Ｇを
出し入れする際の、スピンチャック２３とメインアーム
３との間で基板Ｇの受け渡しが行われる時は、昇降駆動
手段２８が回転軸２７とスピンチャック２３とを上方へ
持ち上げ、スピンチャック２３は回転カップＣＰの上端
より高い位置まで変位する。

【００６６】基板Ｇ上にレジスト液を吐出するレジスト
ノズル５７は、レジストノズルスキャンアーム５５を介
して旋回機構５６に取り付けられており、支点５６ａを
中心にして水平面内を旋回してコーターカップ本体２１
の中心付近までアクセスできるようになっている。

【００６７】レジストノズル５７にはレジストパイプ
（図示省略）が取り付けられており、図示しないレジス
ト液供給機構からこのレジストパイプを経由してレジス
ト液がレジストノズル５７へと供給される。

【００６８】コーターカップ２０では、基板Ｇに塗布処
理を行なうコーターカップ本体２１の上部開口を蓋２２
で覆うようになっており、この蓋２２は保持部材４１に
より保持されている。

【００６９】図４と図５に示すように、保持部材４１は
蓋２２をその先端で挟持する二本のアーム４１ａ，４１
ａと、これら二本のアーム４１ａ，４１ａの間に配設さ
れ、これら二本のアーム４１ａ，４１ａを連結する連結
部材４１ｂ，４１ｂとで構成されている。そして保持部
材４１の根元側即ち蓋２２を保持する側と反対側はカッ
プリフタ４２内まで伸びており、後述するカップリフタ
４２の内部に配設された蓋昇降機構により上下方向に蓋
２２を移動させるようになっている。

【００７０】図７はレジスト塗布ユニットＣＴ／ＥＲを
Ｘ方向に平行な平面で切断した場合の垂直断面図であ
る。

【００７１】このレジスト塗布ユニットＣＴ／ＥＲで
は、ユニット全体が箱形のハウジング１２０内に納めら
れており、このハウジング１２０の一部にはメインアー
ム３が出入りして基板Ｇを出し入れするための開口部１
２１が設けられている。この開口部にはシャッター１２
２が取り付けられており、シャッター駆動機構１２３に
より図中上下方向に移動して開口部を開閉する。図７の
ようにシャッター１２２が閉じた状態では、ハウジング
１２０内の内部空間１２４は閉じた状態に保たれ、外部
との間で熱の出入りが遮断される。

【００７２】図示しない気体循環機構により空間１２４
の気体は図中点線で示すように上方から下方に向けて流
され、気体のダウンフローを形成している。

【００７３】空間１２４の上方にはこのレジスト塗布ユ
ニットＣＴ／ＥＲ内の温度を検出する温度センサＳ１が
配設されており、この温度センサＳ１により常時空間２
４内の温度が監視される。なお、後述するようにコータ
ーカップ２０の排気側に温度センサＳ２を配設する場合
には、この温度センサＳ１は省略しても良い。

【００７４】図８は本実施形態に係るコーターカップ２
０の垂直断面図である。

【００７５】図８に示したように本実施形態に係るコー
ターカップ２０では、蓋２２をセットしたときに蓋２２
の中心部分と蓋のノブ２２ａとの間に隙間が形成される
ようになっている。そのため、上述した上方から下方に
向けて流れる気体は、図８中矢印で示したようにこの隙
間からコーターカップ２０の内部に入り込むようになっ
ており、この中に入り込んだ気体は基板Ｇ上面上を通過
して後述する排気路へ流れる。

【００７６】図９はコーターカップ２０の垂直断面を部
分的に拡大した図である。

【００７７】図８及び図９に示したように、本実施形態
に係るコーターカップ２０では、その側壁部２０１内部
が中空構造になっており、ここに排気路が形成されてい
る。即ち、側壁部２０１は内側側壁２０２及び外側側壁
２０３で外部が覆われており、これら内側側壁２０２と
外側側壁２０３との間に間仕切り板２０４が配設されて
いる。これら内側側壁２０２、外側側壁２０３、及び間
仕切り板２０４は同心円状に配設されており、この間仕
切り板２０４が側壁部２０１の内部空間を内側と外側の
二つの空間に仕切り分けている。

【００７８】図８に示したように、内側側壁２０２の下
端と底板２０１ｂとの間、及び、間仕切り板２０４の上
端と天板２０１ａとの間にはそれぞれ隙間が設けてあ
る。

【００７９】一方、外側側壁２０３の中心部には開口２
０３ａが配設され、この開口２０３ａにはダクト２０５
が接続され、このダクト２０５の他の端には排気装置
（図示省略）が接続される。

【００８０】従って、この排気装置を作動させて負圧を
印加すると、内側側壁２０２の下端側の隙間から気体が
吸い込まれ、間仕切り板２０４の上端側の隙間を通り、
外側側壁２０３の中心部の開口２０３ａを経て気体がダ
クト２０５に流れるようになっている。また、内側側壁
２０２と間仕切り板２０４との間の底板２０１ｂにはド
レイン２０６が配設されており、この側壁部２０１の内
部空間を通る気体に含まれる液体成分を分離排出して、
気体成分だけを気体移動方向下流側に送るようになって
いる。

【００８１】図８及び図９に示したように、本実施形態
に係る塗布ユニットＣＴ／ＥＲでは、側壁部２０１の内
部空間の外側側壁２０３の上端と天板２０１ａとの接合
部の位置に温度センサＳ２が配設されており、この位置
で回転カップＣＰからダクト２０５に向かって流れる気
体の温度を検出するようになっている。

【００８２】図９中に矢印で示したように、上述した気
体の流れは基板Ｇの上面上の空間を通過してコーターカ
ップ２０の端の方に向かって流れる。この気体には基板
Ｇ上を通過する際に蒸発した溶剤や基板Ｇの回転による
遠心力で振り切り除去されたたレジストや溶剤などの液
体成分が含まれた気体である。

【００８３】この液体成分を含んだ気体は図９中の矢印
で示したように、内側側壁２０２と底板２０１ｂとの間
の空間、ドレイン２０６、内側側壁２０２と間仕切り版
２０４との間の空間、間仕切り版２０４の上端と天板２
０１ａとの隙間の順に通過して温度センサＳ２に触れ、
しかる後に開口部２０３ａを経てダクト２０５へと流れ
る。

【００８４】この気体中の液体成分はドレイン２０６を
通る際に気液分離されるため、温度センサＳ２に向かう
気体は液体成分が減少した比較的乾いた気体である。そ
のためこの液体成分により温度センサＳ２が汚れたり、
温度検知の値に誤差を生じることが未然に防止される。

【００８５】次に本実施形態に係る塗布ユニットＣＴ／
ＥＲ内に配設されているエッジリムーバＥＲについて説
明する。

【００８６】図１０は本実施形態に係るエッジリムーバ
ＥＲの斜視図である。

【００８７】図１０に示すように、載置台９０の上面に
は、基板Ｇを保持する複数、例えば９個などの倣い式の
パッド９２が取り付けられている。

【００８８】図１１は本実施形態に係るエッジリムーバ
ＥＲ上部付近の垂直断面図である。図１１に示すよう
に、パッド９２は、載置台９０に設けられたバキューム
孔９０ａおよびこのバキューム孔９０ａの外周の段付凹
部９０ｂ内にパッキング９２ａを介して押えリングねじ
９２ｂによって固定されるほぼ王冠状のオイルシール９
２ｃと、このオイルシール９２ｃの王冠部９２ｄに移動
可能に嵌合される中心部に吸引孔９２ｆを有するトップ
パッド９２ｅとから構成されている。このように構成す
ることにより、トップパッド９２ｅ上にガラス基板Ｇが
載置された状態で真空装置が作動して吸引すると、トッ
プパッド９２ｅがガラス基板Ｇの傾斜や変形に追従して
密着し、基板Ｇを確実に吸着保持することができる。

【００８９】図１２は本実施形態に係るエッジリムーバ
ＥＲの端部を部分的に拡大した図であり、図１３は同エ
ッジリムーバＥＲのノズルの平面図である。

【００９０】図１２、図１３（ａ）に示すように、上記
除去ノズル９１は、ガラス基板Ｇの縁部の上面を覆う上
部水平片９６ａと、上部水平片９６ａより外方に突出す
る下部水平片９６ｂとからなる断面略コ字状の噴頭９６
とを備えており、この噴頭９６の上部水平片９６ａと下
部水平片９６ｂとに、それぞれ表面のレジスト除去用の
シンナ供給路９６ｃと裏面のレジスト除去用のシンナ供
給路９６ｄとが設けられている。これらシンナ供給路９
６ｃ、９６ｄには、それぞれ複数の表面洗浄用のノズル
孔９１ａと裏面洗浄用のノズル孔９１ｂとが接続されて
いる。また、噴頭９６の垂直部９６ｅには、後述する回
収管１００に接続する排液路９６ｆが中心線Ｃに沿って
設けられている。この排液路９６ｆの基板縁部側開口９
６ｇの開口幅は、先端に向かって拡開するテーパ状に形
成されている。

【００９１】また、ノズル孔９１ａは、除去ノズル９１
の中心線Ｃと直交する直線位置に適宜間隔をおいて複数
配列されている。この場合、ノズル孔９１ａは、中心線
Ｃからずれた位置に配列され、かつ排液路９６ｆの拡開
テーパ状開口９６ｇの内側に配列されている。

【００９２】一方、図１３（ｂ）に示すように、ノズル
孔９１ｂは、ノズル孔９１ａと対向する直線上にノズル
孔９１ａと互いに干渉しないずれた位置に適宜間隔をお
いて、拡開テーパ状開口９６ｇより内側に複数配列され
ると共に、先端延在部の中心線Ｃ上に適宜間隔をおいて
配列されている。ここで、ノズル孔９１ａとノズル孔９
１ｂとをずらして設けた理由は、ノズル孔９１ａ、９１
ｂから噴射されるシンナがノズル近傍で衝突すると、こ
の衝突によって飛散したシンナがガラス基板Ｇの表面部
のレジスト膜に付着してレジスト膜の膜厚を不均一にす
るなどの悪影響を及ぼすのを防止するためである。ま
た、ノズル孔９１ａ、９１ｂを拡開テーパ状開口９６ｇ
より内側に配列することにより、ノズル孔９１ａ、９１
ｂから噴射（供給）されたシンナが外部に飛散すること
なく、効率良く排液路９６ｆから回収管１００に回収す
ることができる。

【００９３】次に、レジスト塗布工程について説明す
る。

【００９４】この塗布ユニットＣＴ／ＥＲでレジスト塗
布を行う前に、レジスト塗布の前工程であるプリベーキ
ングを行った後、基板Ｇを後述の冷却ユニットＣＯＬ内
に搬送し、この中で適切な温度になるまで冷却し、しか
る後に、メインアーム３により塗布ユニットＣＴ／ＥＲ
内に搬送し、基板Ｇをスピンチャック２３にセットす
る。

【００９５】スピンチャック２３に基板Ｇがセットされ
ると、シャッター１２２が閉鎖され、塗布ユニットＣＴ
／ＥＲ内が閉じられる。

【００９６】次に、レジストノズルスキャンアーム５５
が旋回移動してレジストノズル５７が搬送され、基板Ｇ
上側でその中心近傍の適当な位置まで移動する。

【００９７】一方、基板Ｇはモータ２５により回転して
おり、この回転している基板Ｇ上に前記位置に停止して
いるレジストノズル５７からまずシンナが滴下され、プ
リウエットが行われる。

【００９８】基板Ｇの表面に滴下されたシンナは基板Ｇ
の遠心力により瞬時に基板Ｇの外側に広がってゆき、基
板Ｇの表面全体を覆う。余分なシンナは遠心力で基板Ｇ
の外側に飛ばされ、回転カップＣＰにより回収される。

【００９９】次いで、レジストノズル５７からレジスト
液が基板Ｇの表面上に滴下される。滴下されたレジスト
液は前記シンナと同様に、基板Ｇの遠心力により瞬時に
基板Ｇの外側に広がってゆき、基板Ｇの表面全体を覆
う。余分なレジスト液は遠心力で基板Ｇの外側に飛ばさ
れ、回転カップＣＰにより回収される。基板Ｇの表面を
覆ったレジスト液は基板Ｇの回転が惹起する気流と乾燥
用に流されるエアフローとにより、ある程度まで乾燥す
る。

【０１００】次に、レジスト塗布が完了した基板Ｇは内
部搬送機構４１，４１によりエッジリムーバ６０にセッ
トされ、ここで基板Ｇの周縁のレジストが除去される。

【０１０１】次に、本実施形態に係る冷却ユニットにつ
いて説明する。

【０１０２】図１４は冷却ユニットＣＯＬの断面図であ
る。

【０１０３】冷却ユニットＣＯＬでは、ＳＵＳ製箱形の
ユニットハウジング６１内に冷却盤６５が配設されてお
り、ユニットハウジング６１の側面の一部で、冷却盤６
５の上面と同じ高さには基板Ｇを出し入れするための長
方形の開口部６２が設けられている。

【０１０４】ユニットハウジング６１の天板６１ａの下
面ほぼ中央には円錐形の送風口６３が設けられており、
この送風口６３を介してユニットハウジング６１は図示
しない送風管に結合されている。

【０１０５】冷却盤６５では、その内部に冷却機構、例
えばペルチェ素子を用いて電気的に冷却盤を冷却する機
構や、管の中にシリコーンオイルなどの液状冷媒を循環
させて冷却する冷却管など既知の冷却機構が配設されて
いる。

【０１０６】冷却盤６５には、複数の貫通孔６９が図中
上下方向に貫通しており、この複数の貫通孔６９内には
リフトピン７０が上下方向に移動可能に取り付けられて
いる。

【０１０７】リフトピン７０は支持アーム７３を介して
上下方向の運動を与える駆動源７４に連結されている。
従って、リフトピン７０は貫通孔６９を介して下部冷却
機構６５の上面に対して出没可能に取り付けられてい
る。

【０１０８】この冷却ユニットＣＯＬで基板Ｇを冷却す
るには、まず開口部６２から基板Ｇを保持したメインア
ーム３が冷却ユニットＣＯＬの内部に入り、基板Ｇを冷
却盤６５上面のほぼ中央付近に来たときに停止する。こ
の状態でリフトピン７０を図中上方に突出させ、基板Ｇ
をリフトピン７０上に保持させる。次いでメインアーム
３を後退させた後、リフトピン７０を下降させ、基板Ｇ
を冷却盤６５上面上に載置する。

【０１０９】このとき、冷却盤６５は内部のペルチェ素
子や冷却管を通る冷媒により冷えているため、基板Ｇの
下面は冷却盤６５の上面と接触することにより冷却され
る。冷却が終了すると再びリフトピン７０が突出して基
板Ｇを持ち上げ、この状態でメインアーム３が冷却ユニ
ットＣＯＬ内に入り、リフトピン７０から基板Ｇを受け
取り、後続の塗布ユニットＣＴ／ＥＲへと搬送する。

【０１１０】次に塗布・現像装置１の制御について説明
する。

【０１１１】図１５は塗布・現像装置１のブロック図で
ある。

【０１１２】図１５に示すように塗布・現像装置１で
は、塗布ユニットＣＴ／ＥＲ内に配設した温度センサＳ
２、チャックヒータＨ１、塗布液ヒータＨ２、および冷
却ユニット（ＣＯＬ）が制御装置８０に接続されてお
り、この制御装置８０により統括的に制御されている。

【０１１３】この塗布・現像装置１では、温度センサＳ
２で検出した塗布ユニットＣＴ／ＥＲ内の温度に基づい
て冷却ユニット（ＣＯＬ）の冷却温度とチャックヒータ
Ｈ１の温度を制御する。

【０１１４】温度センサで検出した塗布ユニットＣＴ／
ＥＲ内の温度が目標温度より高い場合、例えば、冷却ユ
ニット（ＣＯＬ）の冷却温度を２０℃に設定して塗布操
作したときのレジスト塗布処理ユニットＣＴ／ＥＲ内の
温度が目標温度２３℃より高い２４℃となった場合、冷
却ユニット（ＣＯＬ）の冷却温度を１℃上げて２０℃に
制御する。

【０１１５】反対に温度センサーＳ２で検出した塗布ユ
ニットＣＴ／ＥＲ内の温度が目標温度より低い場合、例
えば、冷却ユニット（ＣＯＬ）の冷却温度を２０℃に設
定して塗布操作したところ、塗布ユニットＣＴ／ＥＲ内
の温度が目標温度２３℃より低い２２℃となった場合、
冷却ユニット（ＣＯＬ）の冷却温度を１℃下げた１９℃
に制御する。

【０１１６】なお、被処理体である基板Ｇの温度と、塗
布液温度と、スピンチャックなどの被処理体接触部位の
温度との間には次の関係が成り立つ状態が最適であり、
この関係が成り立つように制御するのが好ましい。

【０１１７】 Ｔ^T −１≦Ｔ^H ＝Ｔ^R ≦Ｔ^T ＋１ （１） 式中、Ｔ^H は被処理体の温度（°Ｃ）であり、Ｔ^R は塗
布液の温度（°Ｃ）であり、Ｔ^T は被処理体接触部位の
温度を表す。

【０１１８】スピンチャックなどの被処理体接触部位
は、その配置されている環境温度により変動するので、
環境温度が変化したら、Ｔ^T も変動したと考えて、上記
式（１）の関係を満足するようにＴ^H ，Ｔ^R を変化させ
る。

【０１１９】本実施形態に係る塗布・現像装置１では、
塗布ユニットＣＴ／ＥＲ内に温度センサＳ２を配設し、
この温度センサＳ２により検出した塗布ユニットＣＴ／
ＥＲ内の温度に基づいて基板Ｇを冷却する冷却ユニット
ＣＯＬの冷却温度を制御しているので、塗布ユニットＣ
Ｔ／ＥＲ内の温度変動に対し、この塗布ユニットＣＴ／
ＥＲの前段側に位置する冷却ユニットＣＯＬの冷却温度
を制御することにより一早く対処することができる。

【０１２０】そのため、塗布・現像装置１を構成する各
処理ユニットが比較的大きなものであっても、冷却効率
がよく、短時間で高精度の温度管理を行うことができ
る。

【０１２１】また、本実施形態に係る塗布ユニットＣＴ
／ＥＲでは、スピンチャック２３内にチャックヒータＨ
１を配設し、温度センサで検出した塗布ユニット内の温
度に基づいて、このチャックヒータＨ１の温度を制御し
ている。このときの制御の仕方は、塗布ユニット内の温
度とスピンチャック２３の温度との温度差が小さくなる
ように制御する。そのため、基板Ｇのうち、スピンチャ
ック２３と接触する部分と、接触しない部分との温度差
が小さくなる。その結果、このスピンチャック２３との
接触部位について転写跡が形成されなくなり、この転写
跡が惹起する塗膜の膜厚不良という塗膜不良の発生が未
然に防止される。

【０１２２】更に、本実施形態に係る塗布ユニットＣＴ
／ＥＲでは、温度センサＳ２を基板Ｇに近い、排気路の
途中の位置に配設したので、基板Ｇの温度を正確に検出
することができ、その結果、処理中のガラス基板の温度
管理を正確に行うことができる。

【０１２３】また、本実施形態に係る塗布ユニットＣＴ
／ＥＲでは、温度センサＳ２を排気路の途中のドレイン
より下流側の位置に配設したので、排気中の液体成分が
温度センサに付着して温度センサを汚したり、温度セン
サの感度を低下させて実際の排気温度と誤った温度とし
て検出することが未然に防止される。その結果、処理時
の基板Ｇの温度管理の精度が向上して転写跡や接触跡の
形成がなくなり、ひいては塗膜の膜厚不良が未然に防止
される。

【０１２４】なお本実施形態では、塗布ユニットＣＴ／
ＥＲ内の温度に基づいて冷却ユニットＣＯＬの冷却温度
を制御する塗布・現像装置１を例にして説明したが、本
発明は上記実施形態には限定されない。

【０１２５】例えば、塗布ユニットＣＴ／ＥＲ内の温度
に基づいてチャック温調器や塗布液温調器を制御するこ
とも可能であり、更に、検出した塗布ユニットＣＴ／Ｅ
Ｒ内の温度に基づいて、冷却ユニットＣＯＬの冷却温
度、チャック温調器、及び塗布液温調器の二つ或いは三
つを制御することも可能である。

【０１２６】また、上述したＬＣＤ用ガラス基板Ｇ以外
にも、例えば、半導体ウエハの塗布ユニットと冷却ユニ
ットとの間や、塗布ユニットのチャック温調器、塗布液
温調器について使用することも可能である。

【０１２７】更に上記第１の実施形態では、温調手段と
しての温調器をスピンチャックに配設したが、此これ以
外の部材、例えば移動アーム上面の基板支持パッドやエ
ッジリムーバＥＲの吸着パッドの部分に温調器を取り付
けても良い。

【０１２８】また、温調器はこれらスピンチャック、移
動アーム上面の基板支持パッド、エッジリムーバＥＲの
吸着パッドの二つ或いは三つ全ての部材に配設してもよ
い。更に、温調手段は塗布ユニットの外部に配設しても
よく、また、冷却装置ＣＯＬや熱処理盤ＨＰを温調手段
として併用することも可能である。

【０１２９】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態に係る塗布ユニットＣＴ／ＥＲについて説明す
る。なお、本実施形態に係る塗布ユニットＣＴ／ＥＲの
うち、上記第１の実施形態に係る塗布ユニットＣＴ／Ｅ
Ｒと共通する部分については、説明を省略する。図１６
は本実施形態に係るスピンチャック２３１の斜視図であ
る。図１７は本実施形態に係るスピンチャック２３１の
平面図（ａ）と垂直断面図（ｂ）である。

【０１３０】図１６及び図１７（ａ）に示したように、
本実施形態に係るスピンチャック２３１は基板Ｇより一
回り大きい長方形の平板状の外観を備えており、その平
板状の天板部分の内部にはニクロム線やペルチェ素子に
代表される温調部材２３１ａが配設されている。

【０１３１】本実施形態に係る塗布ユニットでは、基板
Ｇと直接接触するスピンチャック２３１内に温調部材２
３１ａを内蔵させ、また、スピンチャック２３１の天板
部分の形状を基板Ｇに相似し、かつ、ひと回り大きい長
方形にしたので、基板Ｇの下面と全面的に接触するよう
になり、熱変換効率が良く、基板Ｇの温度管理を正確に
行うことができる。

【０１３２】また、スピンチャック２３１の温調部材２
３１ａとして大出力のものを使用することにより、塗布
ユニットＣＴ／ＥＲと熱処理ユニットとを兼用できるよ
うにすることも可能である。

【０１３３】更に、このスピンチャック２３１の温調部
材２３１ａの温度管理を行うときの基準温度として、上
記第１の実施形態と同様に排気系内に取り付けた温度セ
ンサＳで検出した排気温度を用いて温調ユニットの温度
管理を行うことにより、より正確な基板Ｇの温度管理を
行うことができる。

【０１３４】このようにスピンチャック２３１自身が温
調機能を備えた塗布ユニットＣＴ／ＥＲを用いてレジス
ト塗布工程を行う場合には、基板Ｇ上にレジスト液を吐
出した後、蓋２２を閉め、この状態で上述した塗布ユニ
ット内の気体のダウンフロー、即ち塗布ユニット内を上
から下に向けて気体を流すのを一時的に停止して行うの
が好ましい。これは前記ダウンフローにより塗布ユニッ
ト内の気体の流動を抑制させることにより熱の移動を最
小限に抑えるためである。

【０１３５】このようにダウンフローを停止させた状態
で温調することによりスピンチャック２３１上面から基
板Ｇに向けて熱が移動し、回転カップＣＰ内の温度は前
記温度センサＳ２で基板Ｇに比較的近い位置で温度検知
しているので、正確な温度管理が可能となる。

【０１３６】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態に係る塗布ユニットＣＴ／ＥＲについて説明す
る。なお、本実施形態に係る塗布ユニットＣＴ／ＥＲの
うち、上記第１及び第２の実施形態に係る塗布ユニット
ＣＴ／ＥＲと共通する部分については、説明を省略す
る。

【０１３７】図１８は本実施形態に係るコーターカップ
２００の垂直断面図である。

【０１３８】図１８に示したように、本実施形態に係る
コーターカップ２００では、スピンチャック２３２内の
温調部材２３２ａに加え、蓋２２１の下面側の整流板２
２１ａの内部にもニクロム線やペルチェ素子に代表され
る温調部材２２１ｂを配設した。

【０１３９】そのため、図１８に示したように、基板Ｇ
の上下両面から加熱したり、冷却したりすることができ
る。その結果、基板Ｇの熱の分布を均一にすることが容
易になり、より正確な基板Ｇの温度管理が可能となる。

【０１４０】また、スピンチャック２３２の内部に配設
した温調部材２３２ａ及び整流板２２１ａの内部に配設
した温調部材２２１ｂの温度管理を行うときの基準温度
として、上記第１、第２の実施形態と同様に排気系内に
取り付けた温度センサＳで検出した排気温度を用いて温
調ユニットの温度管理を行うことにより、より正確な基
板Ｇの温度管理を行うことができる。

【０１４１】（第４の実施形態）以下、本発明の第４の
実施形態に係る塗布・現像装置について説明する。な
お、本実施形態に係る装置のうち、上記第１及び第２の
実施形態と共通する部分については、説明を省略する。

【０１４２】図１９は本実施形態に係る冷却ユニットＣ
ＯＬのリフトピン７０１の先端部分の斜視図を拡大した
図である。

【０１４３】図１９に示したように、本実施形態に係る
冷却ユニットＣＯＬのリフトピン７０１では、その先端
部分がブラシ状になっている。この先端のブラシ状の部
分は複数の刷毛状部材７０２，７０２…を台座部材７０
３に対して垂直方向に植毛するように取り付けて形成さ
れている。一本一本の刷毛状部材７０２，７０２…は樹
脂、金属或いは金属部材の表面にフッ素樹脂などレジス
ト液が付着しにくい材質をコーティングしたものから構
成されている。

【０１４４】本実施形態に係る塗布・現像装置では、冷
却ユニットＣＯＬのリフトピンとして先端部分がブラシ
状に形成されたリフトピン７０１を採用しているので、
基板Ｇの下面と直接接触する部分が一点ではなく、複数
の刷毛状部材７０２，７０２…の先端に分散される。そ
のため、従来のような比較的大きい面積で接触するリフ
トピンに比べて一つ一つの接触点の接触面積が小さくな
り、基板Ｇの下面に転写跡が形成されにくくなる。その
結果、この転写跡の形成が惹起する塗膜の膜厚不良とい
う問題が未然に防止される。

【０１４５】また、このリフトピン７０１に対して温調
することも可能である。例えば、先端の刷毛状部材７０
２，７０２…に対して温調した気体を吹き付けることに
より温調する方法や、リフトピン７０１或いは刷毛状部
材７０２，７０２…の中にニクロム線やペルチェ素子に
代表される温調部材を内蔵させてリフトピン７０１や刷
毛状部材７０２，７０２…自身の温度を温調する方法な
どが考えられる。

【０１４６】更に、刷毛状部材７０２，７０２…に温調
気体を吹き付ける温調機構や、リフトピン７０１或いは
刷毛状部材７０２，７０２…の内部に配設した温調部材
の温度管理を行うときの基準温度として、上記第１の実
施形態と同様に排気系内に取り付けた温度センサＳで検
出した排気温度を用いて温度管理を行うことにより、よ
り正確な基板Ｇの温度管理を行うことができる。

【０１４７】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の処理装置
及び処理方法によれば、検出した塗布ユニット内の温度
に基づいて、前記被処理体の温度を調節する温調手段を
制御しているので、塗布ユニット内の温度と被処理体の
温度との差を小さくでき、ひいては被処理体とこの被処
理体と接触する部位との間の温度差を小さくできるの
で、塗布ユニット内を被処理体を移動させても被処理体
の下面に転写跡が形成されることがなくなり、この転写
跡が惹起する塗膜の膜厚不良が防止される。

【０１４８】また、被処理体の温度、塗布ユニット内の
温度、及びチャックなどの被処理体と接触する部位の温
度との関係を予め把握しておき、この関係を用いて、検
出した塗布ユニット内の温度から被処理体の温度を認識
し、被処理体の温度が適正範囲よりずれている場合に
は、上記関係から温調手段の適正温度を割り出してこの
温度に温調することもできる。このように制御すること
により、正確な温度管理ができるため、塗膜不良の発生
を未然に防止することができる。

【０１４９】更に、上記温調手段は塗布ユニット内はも
ちろんのこと、塗布ユニット外に配設してもよい。例え
ば、塗布ユニットの外側に隣接して熱処理盤や冷却装置
などを配設しておき、前記塗布ユニット内の温度に基づ
いてこの熱処理盤や冷却装置を所定の温度に制御し、こ
の熱処理盤や冷却装置に一度被処理体を載置することに
より被処理体の温度を均一化するようにしてもよい。

【０１５０】本発明の処理装置及び処理方法では、検出
した塗布ユニット内の温度に基づいて、塗布ユニット内
に配設した温調手段の温調温度を制御する。そのため、
例えば、この温調手段を被処理体と接触する部位に配設
することにより、この部位がが被処理体に接触する部分
とそうでない部分とを均一な温度に維持することが可能
となり、それにより転写跡の形成、ひいては塗膜の膜厚
不良を未然に防止することができる。

【０１５１】本発明の処理装置及び処理方法では、保持
手段に配設した温調手段の温調温度を制御しているの
で、温度検出から温調温度の変更まで短時間に行うこと
ができ、正確で迅速な温度管理ができる。

【０１５２】 また、前記温度検出手段を前記カップ内
に配設してあるので、被処理体に近い温度に基づいて温
度制御することができ、より高精度の温度管理ができ
る。

【０１５３】本発明の処理装置では、保持手段が被処理
体下面全体と接触する面を備えているので、熱変換効率
が良く、正確で迅速な温度管理ができる。

【０１５４】本発明の処理装置では、保持手段が被処理
体と相似する方形を備えているので、熱変換効率が良
く、正確で迅速な温度管理ができる。

【０１５５】本発明の処理装置及び処理方法では、エッ
ジリムーバの吸着部材に温調機構を配設してあり、検出
した塗布ユニット内の温度に基づいて行う温調をエッジ
リムーバの吸着部材でも行うので、被処理体の温度を一
定に保つことができ、転写跡の形成による塗膜の膜厚不
良の発生を未然に防止することができる。

【０１５６】本発明の処理装置及び処理方法では、移動
アームに温調手段を配設してあり、検出した塗布ユニッ
ト内の温度に基づいて行う温調を移動アームでも行うの
で、被処理体の温度を一定に保つことができ、転写跡に
よる塗膜の膜厚不良の発生を未然に防止することができ
る。

【０１５７】本発明の処理装置では、前記カップ内の前
記保持手段対向面に第２の温調手段を配設してあり、被
処理体の上側からも温調するので被処理体に対して正確
に温調することができる。

【０１５８】本発明の処理装置では、前記温調手段を前
記蓋の下面又は前記蓋の下面側に配設された整流板に配
設し、被処理体の上側からも温調するので被処理体に対
して正確に温調することができる。

【０１５９】本発明の処理装置では、前記温度を検出す
る手段の検出部が前記カップの気体排気系内という、被
処理体の近くに配設したので、被処理体に対して正確に
温調することができる。

【０１６０】本発明の処理装置では、前記温度を検出す
る手段の検出部を前記ドレインよりも気体移動方向下流
側の前記気体排出路に配設したので、排気中の液体成分
により検出部が汚れたり濡れたりすることがない。その
ため、被処理体に対して正確に温調することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係るＬＣＤ用ガラス基板の
塗布・現像装置の斜視図である。

【図２】本発明の実施形態に係るＬＣＤ用ガラス基板の
塗布・現像装置の平面図である。

【図３】本発明の実施形態に係る塗布・現像装置の処理
手順を示したフローチャートである。

【図４】本発明の実施形態に係るレジスト塗布処理ユニ
ットの平面図である。

【図５】本発明の実施形態に係るレジスト塗布処理ユニ
ットの垂直断面図である。

【図６】本発明の実施形態に係るレジスト塗布処理ユニ
ットの斜視図である。

【図７】本発明の実施形態に係るレジスト塗布処理ユニ
ットの垂直断面図である。

【図８】本発明の実施形態に係るレジスト塗布処理ユニ
ットの垂直断面図である。

【図９】本発明の実施形態に係るレジスト塗布処理ユニ
ットの垂直断面の部分拡大図である。

【図１０】本発明の実施形態に係るエッジリムーバＥＲ
の斜視図である。

【図１１】本発明の実施形態に係るエッジリムーバＥＲ
の垂直断面図である。

【図１２】本発明の実施形態に係るエッジリムーバＥＲ
の端部の部分拡大図である。

【図１３】本発明の実施形態に係るエッジリムーバＥＲ
のノズルの平面図である。

【図１４】本発明の実施形態に係る冷却ユニットの垂直
断面図である。

【図１５】本発明の実施形態に係るＬＣＤ用ガラス基板
の塗布・現像装置のブロック図である。

【図１６】本発明の第２の実施形態に係るスピンチャッ
クの斜視図である。

【図１７】本発明の第２の実施形態に係るスピンチャッ
クの平面図と垂直断面図である。

【図１８】本発明の第３の実施形態に係るコーターカッ
プの垂直断面図である。

【図１９】本発明の第４の実施形態に係るリフトピン先
端部の斜視図である。

【符号の説明】

Ｇ 基板 Ｓ１，Ｓ２ 温度センサ ８０ 制御部 ２０ コーターカップ ２１ コーターカップ本体 ２２ 蓋 ２２１ａ 整流板 ２３ スピンチャック ＣＰ 回転カップ ７０ リフトピン ２０５ ダクト ２０６ ドレイン

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−266417（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−266996（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−82113（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−148828（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−281184（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−225269（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−169247（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B05C 11/08 B05D 1/40 B05D 3/00 H01L 21/027 G03F 7/16

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理体に塗布剤を供給して前記被処理
   体を回転させ、塗布膜を形成する塗布装置と、 前記塗布装置内に配設され前記塗布装置内の温度を検出
   する温度検出手段と、 前記塗布装置に隣接配置され、前記塗布装置から搬送さ
   れた塗布膜が形成された前記被処理体の外周縁の塗布剤
   を除去するエッジリムーバと、 を有する処理装置であって、 前記エッジリムーバは、 前記被処理体を吸着保持する吸着部材を有し、 前記吸着部材には前記被処理体の温度を調節する温調手
   段が配設され、 前記温度検出手段で検出した前記塗布装置内の温度に基
   づいて前記温調手段の温調温度を制御することにより、
   前記被処理体に、前記吸着部材の転写跡が発生すること
   を防止するよう構成されたことを特徴とする処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の処理装置であって、 前記塗布装置から前記エッジリムーバへ前記被処理体を
   移動する移動アームを具備し、 前記移動アームの前記被処理体と接触する被処理体接触
   部位には、前記被処理体の温度を調節する温調手段が配
   設され、 前記温度検出手段で検出した前記塗布装置内の温度に基
   づいて前記被処理体接触部位に配設された前記温調手段
   の温調温度を制御することにより、前記被処理体に、前
   記被処理体接触部位の転写跡が発生することを防止する
   よう構成されたことを特徴とする処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の処理装置であっ
   て、 前記塗布装置は、前記被処理体を収容するカップと、前
   記カップ内に配設され、前記被処理体を保持する保持手
   段とを有し、 前記カップが、気体排気系を備えており、 前記気体排気系が、気体排出路と、排気中の液体成分を
   分離除去するドレインとに分岐しており、 前記温度検出手段の検出部が前記ドレインと分岐した下
   流側の前記気体排出路に配設されることにより、前記検
   出部に向かう気体を液体成分が減少した気体とし、前記
   検出部の汚れおよび温度検知の値に誤差が生じることを
   防止することを特徴とする処理装置。
4. 【請求項４】 請求項３記載の処理装置であって、 前記カップは、側壁部内部が中空構造になっており、 前記側壁部は内側側壁及び外側側壁で覆われ、 前記内側側壁と前記外側側壁との間に間仕切り板が配設
   され、 前記内側側壁、前記外側側壁、及び前記間仕切り板は同
   心円状に配設され、 前記内側側壁の下端と底板との間、及び前記間仕切り板
   の上端と天板との間にはそれぞれ隙間が設けられ、 前記外側側壁には、排気装置に接続される開口が配設さ
   れ、 前記内側側壁と前記間仕切り板との間の前記底板に前記
   ドレインが配設され、 前記内側側壁の下端側の隙間から気体が吸い込まれ、前
   記間仕切り板の上端側の隙間を通り、前記外側側壁の前
   記開口を経るように前記気体排出路が形成され、 前記
   温度検出手段は、前記側壁部の内部空間の前記外側側壁
   の上端と前記天板との接合部の位置に配設されているこ
   とを特徴とする処理装置。
5. 【請求項５】 請求項１又は２記載の処理装置であっ
   て、 前記塗布装置は、被処理体を収容するカップと、前記カ
   ップ内に配設され、前記被処理体を保持する保持手段と
   を有し、 前記保持手段に前記被処理体の温度を調節する温調手段
   が配設され、 前記温度検出手段で検出した温度に基づいて前記保持手
   段に配設された前記温調手段の温調温度も制御すること
   を特徴とする処理装置。
6. 【請求項６】 請求項３又は４記載の処理装置であっ
   て、 前記保持手段に前記被処理体の温度を調節する温調手段
   が配設され、 前記温度検出手段で検出した温度に基づいて前記保持手
   段に配設された前記温調手段の温調温度も制御すること
   を特徴とする処理装置。
7. 【請求項７】 請求項３〜６いずれか１項記載の処理装
   置であって、 前記保持手段が被処理体下面全体と接触する面を備えて
   いることを特徴とする処理装置。
8. 【請求項８】 請求項３〜７いずれか１項記載の処理装
   置であって、 前記保持手段が被処理体と相似する方形であることを特
   徴とする処理装置。
9. 【請求項９】 請求項３〜８いずれか１項記載の処理装
   置であって、 前記塗布装置は、前記カップ内の前記保持手段対向面に
   第２の温調手段を更に具備することを特徴とする処理装
   置。
10. 【請求項１０】 請求項９記載の処理装置であって、 前記塗布装置は、前記カップの開口部を開閉する蓋を有
    し、 前記第２の温調手段は前記蓋の下面、又は前記蓋の下面
    側に配設された整流板に配設されていることを特徴とす
    る処理装置。
11. 【請求項１１】 被処理体に所定の塗布膜を形成する処
    理方法であって、 塗布装置内で前記被処理体に塗布剤を供給して前記被処
    理体を回転させ、前記被処理体に前記塗布膜を形成する
    塗布膜形成工程と、 前記塗布装置に隣接配置されるエッジリムーバに設けら
    れ、前記塗布装置内の温度に基づいて温調された吸着部
    材上に、前記塗布膜が形成された前記被処理体を前記塗
    布装置から移動させる移動工程と、 前記吸着部材上に搬送された前記被処理体を前記吸着部
    材に吸着させて前記被処理体に当該吸着部材の転写跡が
    発生することを防止しつつ前記被処理体の外周縁の前記
    塗布剤を除去する除去工程とを有することを特徴とする
    処理方法。
12. 【請求項１２】 請求項１１記載の処理方法であって、 前記移動工程において、前記被処理体を前記塗布装置か
    ら前記エッジリムーバに移動させる際に移動アームを用
    い、 前記移動アームの前記被処理体と接触する被処理体接触
    部位の温度を、前記塗布装置内の温度に基づいて温度調
    整しつつ前記被処理体を移動させることを特徴とする処
    理方法。