JP2002240939A - 処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理装置において，シャッタとケーシングの
搬送口との隙間の寸法管理を厳密に行えるようにする。 【解決手段】 ケーシング６０の側壁Ｒ側に，搬送口７
０を開閉する平板状のシャッタ７１を取り付ける。シャ
ッタ７１は，支柱７３ｃを含む３本の支柱によって３箇
所で支持され，当該３本の支柱は，駆動部によって上下
動できる。シャッタ７１は，ケーシング６０の側壁Ｒと
の隙間Ｄが０．５ｍｍの狭小になるように設けられる。
かかる構成によって，シャッタ７１は，隙間Ｄを維持し
ながら，ケーシング６０の側壁Ｒに沿って上下動するこ
とができ，シャッタ７１と搬送口７０との隙間Ｄが厳密
に寸法管理される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，基板の処理装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程では，基板である例え
ば半導体ウェハ（以下「ウェハ」とする）表面にレジス
ト液を塗布し，レジスト膜を形成するレジスト塗布処
理，ウェハにパターンを露光する露光処理，露光後のウ
ェハに対して現像を行う現像処理等が行われ，ウェハに
所定の回路パターンが形成される。

【０００３】上述のレジスト塗布処理や現像処理が行わ
れる処理装置は，ケーシングを有しており，当該ケーシ
ング内には，当該処理を行うための例えばスピンチャッ
ク等を有する処理ユニットが設けられている。また，ケ
ーシングには，処理装置内にウェハを搬入出するための
搬送口が設けられている。当該搬送口には，処理時の雰
囲気を所定の温度や湿度に維持するために，搬送口を開
閉するシャッタが設けられている。当該シャッタとシャ
ッタを駆動する駆動部は，メンテナンス等の理由から処
理ユニット側に取り付けてあり，シャッタと搬送口との
位置合わせは，手作業で処理ユニット全体を動かすこと
によって行っていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，このよ
うにシャッタがケーシングに対して独立して可動な状態
にあると，シャッタと搬送口との隙間の厳密な寸法管理
を行うことは難しい。このように厳密な寸法管理が行わ
れないと，例えばケーシング内の密閉性が十分に担保さ
れず，ケーシング内の雰囲気を厳密に制御できないの
で，当該雰囲気に影響を受ける回路パターンの線幅等が
悪化する恐れがある。特に，近年は，ウェハの高精度化
が望まれており，ケーシング内の処理雰囲気をより厳密
に制御する必要性が高まってきている。また，シャッタ
と搬送口との隙間が不安定であると，過ってシャッタが
ケーシングに接触する事態も起こりかねず，当該接触に
よってパーティクルが発生し，歩留まりの低下を招くこ
とも懸念される。

【０００５】本発明は，かかる点に鑑みてなされたもの
であり，シャッタとケーシングの搬送口との隙間の厳密
な寸法管理を行うことのできるウェハ等の基板の処理装
置を提供することをその目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば，基板を処理する処理装置であって，前記処理装置内
の雰囲気と前記処理装置外の雰囲気とを仕切るケーシン
グを有し，前記ケーシングには，当該ケーシング内に基
板を搬入出するための搬送口が設けられており，当該搬
送口が設けられている前記ケーシングの壁面に沿って平
行に移動し，当該搬送口を開閉するシャッタを有し，前
記シャッタは，前記ケーシング側に取り付けられている
ことを特徴とする処理装置が提供される。

【０００７】このように，シャッタをケーシングの側面
に沿って平行に移動できるようにし，さらにシャッタを
ケーシング側に取り付けることによって，シャッタとケ
ーシングとの距離が容易に変動することが防止され，ケ
ーシングに設けられた搬送口とシャッタとの隙間の寸法
管理を従来より厳格に行うことができる。これによっ
て，ケーシングの内の密閉性を維持したり，ケーシング
とシャッタとの接触を防止したりすることが可能とな
り，厳密に制御された雰囲気内で高精度な基板処理を行
うことができる。

【０００８】前記シャッタを支持する支持部材と，当該
支持部材を前記ケーシングの壁面に沿って移動させる駆
動部とを有し，前記支持部材は，前記シャッタを複数箇
所で支持するようにしてもよい。このように，前記支持
部材がシャッタを複数箇所で支持することによって，シ
ャッタが移動する際の揺れや歪みを軽減できる。これに
よって，シャッタがケーシングの壁面に沿って移動する
際に，シャッタとケーシングとの接触が防止され，当該
接触によるパーティクルの発生を抑制できる。

【０００９】前記請求項１の発明において，前記シャッ
タを支持する支持部材と，当該支持部材を前記ケーシン
グの壁面に沿って所定方向に移動させる駆動部と，当該
移動時に前記シャッタを前記所定方向に誘導するガイド
部材とを有するようにしてもよい。このように，シャッ
タを支持する支持部材に加えて，移動時のシャッタを誘
導するガイド部材を設けることによって，シャッタの移
動時の揺れや歪みを軽減できる。これによって，シャッ
タがケーシングの壁面に沿って移動する際に，シャッタ
とケーシングとの接触が防止され，当該接触によるパー
ティクルの発生を抑制できる。

【００１０】前記支持部材は，前記シャッタの中央部を
支持しており，前記ガイド部材は，前記シャッタの両側
部に配置されていてもよい。このように，前記支持部材
から離れて最も揺れや歪みの大きくなるシャッタの両側
部にガイド部材を設けることによって，移動によるシャ
ッタの揺れや歪みを最小限に抑えることができる。これ
によって，シャッタとケーシングとの接触が抑制され，
当該接触によるパーティクルの発生が抑制できる。

【００１１】さらに，前記ガイド部材は，前記所定方向
に伸びるシャフトであり，前記シャッタには，前記シャ
フトの外周と適合する径を有し，前記シャフトを貫通さ
せるためのブッシングが設けられていてもよい。このよ
うに，前記ガイド部材とシャフトとし，シャッタに当該
シャフトを滑らかに貫通させるブッシングを設けること
によって，シャッタがシャフトに沿って移動する際に，
シャッタとシャフトとの摩擦が緩和され，当該摩擦によ
って発生するパーティクルを抑制することができる。

【００１２】前記シャッタには，リブが設けられていて
もよい。このように，シャッタにリブを設けることによ
って，シャッタの強度が向上するので，シャッタの自重
等による歪みが軽減され，シャッタとケーシングとの隙
間をより厳密に管理することができる。これによって，
例えばシャットと搬送口との隙間が厳格に制御され，ケ
ーシング内の閉鎖性を厳格に管理することができる。し
たがって，基板を厳格に制御された雰囲気内で処理する
ことができる。

【００１３】前記シャッタの前記ケーシングの壁面側の
面は，前記ケーシングの壁面に対して平行に形成されて
おり，当該シャッタの前記ケーシングの壁面側の面と前
記ケーシングの壁面との間には，０．４〜０．６ｍｍの
隙間が設けられていてもよい。

【００１４】従来，シャッタは，上述したように処理ユ
ニット側に取り付けられていたため，シャッタとケーシ
ングとの隙間は，５ｍｍ以上開いていた。本発明のよう
に，シャッタとケーシングとの隙間を０．４ｍｍ〜０．
６ｍｍにすることによって，従来に比べ，シャッタが搬
送口を閉鎖した際のケーシングの密閉性が向上される。
これによって，ケーシング内の雰囲気が従来より厳密に
制御できるようになり，より精度の高い基板処理を行う
ことができる。なお，０．４ｍｍ〜０．６ｍｍは，シャ
ッタが移動しても，シャッタとケーシングとが接触する
ことが無い距離であり，発明者等の実験によって明らか
にされたものである。また，隙間は，好ましくは，０．
５ｍｍがよい。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる処
理装置を有する塗布現像処理システム１の平面図であ
り，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，
図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。

【００１６】塗布現像処理システム１は，図１に示すよ
うに，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け
渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構
成を有している。

【００１７】カセットステーション２では，載置部とな
るカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセット
ＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在とな
っている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）と
カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ
方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が
搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセッ
トＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。

【００１８】ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせ
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処
理装置群G３に属するエクステンション装置３２に対し
てもアクセスできるように構成されている。

【００１９】処理ステーション３では，その中心部に主
搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の
周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を
構成している。該塗布現像処理システム１においては，
４つの処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第
１及び第２の処理装置群G1，G2は塗布現像処理システム
１の正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセッ
トステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置
群G4は，インターフェイス部４に隣接して配置されてい
る。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装
置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬
送装置１３は，これらの処理装置群Ｇ１，Ｇ３，Ｇ４，
Ｇ５に配置されている後述する各種処理装置に対して，
ウェハＷを搬入出可能である。なお，処理装置群の数や
配置は，ウェハＷに施される処理の種類によって異な
り，処理装置群の数は，１つ以上であれば任意に選択可
能である。

【００２０】第１の処理装置群G1では，例えば図２に示
すように，本実施の形態にかかる処理装置としてのレジ
スト塗布装置１７と，ウェハＷを現像する現像処理装置
１８とが下から順に２段に配置されている。処理装置群
G2の場合も同様に，レジスト塗布装置１９と，現像処理
装置２０とが下から順に２段に積み重ねられている。

【００２１】第３の処理装置群G3では，例えば図３に示
すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３
０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのア
ドヒージョン装置３１，ウェハＷを待機させるエクステ
ンション装置３２，レジスト液中の溶剤を乾燥させるプ
リベーキング装置３３，３４及び現像処理後の加熱処理
を施すポストベーキング装置３５，３６等が下から順に
例えば７段に重ねられている。

【００２２】第４の処理装置群G4では，例えばクーリン
グ装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクス
テンション・クーリング装置４１，エクステンション装
置４２，クーリング装置４３，露光後の加熱処理を行う
ポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，ポ
ストベーキング装置４６，４７等が下から順に例えば８
段に積み重ねられている。

【００２３】インターフェイス部４の中央部にはウェハ
搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０は
Ｘ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移
動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在
にできるように構成されており，第４の処理装置群G4に
属するエクステンション・クーリング装置４１，エクス
テンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない
露光装置に対してアクセスして，各々に対してウェハＷ
を搬送できるように構成されている。

【００２４】次に，上述したレジスト塗布装置１７の構
成について詳しく説明する。図４は，レジスト塗布装置
１７の概略を示す縦断面の説明図である。レジスト塗布
装置１７は，ケーシング６０を有している。当該ケーシ
ング６０によって，処理ステーション３内の雰囲気とレ
ジスト塗布装置１７内の雰囲気とが仕切られるようにな
っている。

【００２５】ケーシング６０内には，ウェハＷを水平に
吸着保持するためのスピンチャック６１が設けられてい
る。スピンチャック６１の下方には，スピンチャック６
１を駆動させるための駆動装置６２が設けられている。
駆動装置６２は，スピンチャック６１を回転させる，例
えばモータ等を有する図示しない回転駆動部と，スピン
チャック６１を上下動させるとする，例えばシリンダ等
を有する図示しない昇降駆動部とを有している。当該回
転駆動部及び昇降駆動部によって，スピンチャック６１
上に保持されたウェハＷを所定の回転速度で回転させた
り，ウェハＷの搬入出時にスピンチャック６１を上下に
移動させて，主搬送装置１３との間でウェハＷの受け渡
しを行ったりできるようになっている。

【００２６】また，スピンチャック６１の外周外方に
は，当該スピンチャック６１を囲むようにして，上面が
開口した略筒状のカップ６３が設けられており，ウェハ
Ｗの高速回転によって当該ウェハＷから飛散するレジス
ト液を回収し，レジスト塗布装置１７内の汚染を抑制で
きるようになっている。

【００２７】カップ６３の底部には，カップ６３で回収
したレジスト液等を排液するドレイン管６４が設けられ
ている。また，カップ６３の底部には，ケーシング６０
及びカップ６３内の雰囲気を排気する排気管６５が設け
られている。

【００２８】ケーシング６０のＸ方向負方向側の側壁Ｌ
に位置する待機位置Ｔには，ウェハＷにレジスト液を吐
出する吐出ノズル６６と，ウェハＷにレジスト液の溶剤
を吐出する溶剤吐出ノズル６７とが待機されている。吐
出ノズル６６と溶剤吐出ノズル６７は，ホルダ６８に保
持されており，当該ホルダ６８は，図示しないアームに
よって水平方向に移動自在に構成されている。すなわ
ち，吐出ノズル６６及び溶剤吐出ノズル６７は，水平方
向に移動自在であり，スピンチャック６１によって所定
の回転速度で回転されているウェハＷの中心上方まで移
動して，当該ウェハＷの中心にレジスト液等を供給する
ことができるようになっている。これによって，回転さ
れているウェハＷの中心にレジスト液が供給され，当該
レジスト液がウェハＷ全面に拡散されることによってウ
ェハＷ上にレジスト膜が形成される，いわゆるスピンコ
ーティング方式が実施できる。

【００２９】ケーシング６０の主搬送装置１３側（Ｘ方
向正方向側）の側壁Ｒには，ウェハＷを搬入出するため
の四角形状の搬送口７０が設けられている。搬送口７０
には，当該搬送口７０を開閉するシャッタ７１が設けら
れている。シャッタ７１は，搬送口７０の開口面積より
も大きい面積を有する平板状に形成されており，搬送口
７０を完全に覆うことができるようになっている。シャ
ッタ７１は，弾性率の低い材料，例えばステンレス鋼が
使用されている。また，シャッタ７１の表面は，シャッ
タ７１とケーシング６０の側壁Ｒとの平行を確保するた
め，機械加工が施されている。また，シャッタ７１のケ
ーシング６０と逆側の裏面Ｂには，図５，図６に示すよ
うにリブ７１ａが設けられている。リブ７１ａは，裏面
Ｂの中央部に水平に設けられており，シャッタ７１の強
度を補強している。

【００３０】シャッタ７１の下方には，シャッタ７１を
ケーシング６０の側壁Ｒに沿って上下方向に移動させ，
搬送口７０を開閉する駆動機構７２が設けられている。
駆動機構７２は，図５に示すようにシャッタ７１を下方
から支持する複数，例えば３本の支持部材としての支柱
７３ａ，７３ｂ，７３ｃと，当該支柱７３ａ，７３ｂ，
７３ｃを駆動する，例えばモータ等を有する駆動部７４
とを有している。支柱７３ａは，下端が駆動部７４と接
続されており，上端がシャッタ７１の中央部の下端を支
持している。支柱７３ｂと支柱７３ｃは，支柱７３ａか
ら分岐されており，シャッタ７１の両側部の下端を支持
している。これによって，シャッタ７１は，支柱７３
ａ，７３ｂ，７３ｃによって三点で支持されており，シ
ャッタ７１が上下動することによって引き起こされるシ
ャッタ７１の揺れや，歪みを軽減できる。また，シャッ
タ７１は，図６に示すようにケーシング６０の側壁Ｒと
の間に，例えば０．５ｍｍの隙間Ｄができるように設け
られており，シャッタ７１が昇降してもケーシング６０
との接触を防止できる。シャッタ７１は，上述したよう
に搬送口７０よりも大きい面積を有しており，図６に示
すように搬送口７０を閉鎖した際に，例えば１ｍｍ〜１
０ｍｍの重なり部Ｋができるように設けられている。こ
のような重なり部Ｋと微小な隙間Ｄは，搬送口７０を閉
鎖した時に空気の粘性によってＯリングの役目を果た
し，パーティクルの進入や圧力変動を抑制することがで
きる。

【００３１】また，ケーシング６０の上部には，図４に
示すようにケーシング６０内に気体，例えばエアを供給
するエア供給管７５が設けられている。エア供給管７５
は，例えば図示しないエア供給源に接続されており，当
該エア供給源で所定の温度，湿度に調節され，清浄化さ
れたエアがケーシング６０内に供給され，ケーシング６
０内を所定の雰囲気に維持することができるようになっ
ている。また，エア供給管７５からのエアの供給と，上
述した排気管６５からの雰囲気排気によって，ケーシン
グ６０内に下降気流が形成されて，ケーシング６０内を
パージできるようになっている。

【００３２】次に，以上のように構成されているレジス
ト塗布装置１７の作用について，塗布現像処理システム
１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共
に説明する。

【００３３】先ず，ウェハ搬送体７がカセットＣから未
処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群G3に
属するアドヒージョン装置３１に搬入する。このアドヒ
ージョン装置３１において，レジスト液との密着性を向
上させるHMDSなどの密着強化剤を塗布されたウェハＷ
は，主搬送装置１３によって，クーリング装置３０に搬
送され，所定の温度に冷却される。その後，ウェハＷ
は，レジスト塗布装置１７又１９に搬送され，レジスト
塗布処理が施される。

【００３４】そして，レジスト塗布処理の終了したウェ
ハＷは，主搬送装置１３によってプリベーキング装置３
４又は３５，エクステンション・クーリング装置４１に
順次搬送され，所定の処理が施される。

【００３５】次いで，ウェハＷはエクステンション・ク
ーリング装置４１からウェハ搬送体５０によって取り出
され，その後，周辺露光装置５１を経て露光装置（図示
せず）に搬送される。露光処理の終了したウェハＷは，
ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に搬
送され，その後，主搬送装置１３に保持される。次い
で，ウェハＷはポストエクスポージャベーキング装置４
４又は４５，クーリング装置４３，現像処理装置１８又
は２０，ポストベーキング装置３５，３６，４６又は４
７，クーリング装置３０に順次搬送され，各処理装置に
おいて所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，エ
クステンション装置３２を介して，ウェハ搬送体７によ
ってカセットＣに戻され，一連の塗布現像処理が終了す
る。

【００３６】次に，上述したレジスト塗布装置１７の作
用について詳しく説明する。先ず，レジスト塗布処理が
開始される前に，エア供給管７５から所定の温度，湿度
に調節され，清浄化されたエアが供給され，ケーシング
６０の雰囲気が所定の温湿度調節される。また，これと
同時に，排気管６５からケーシング６０内の雰囲気が排
気され，ケーシング６０内の雰囲気がパージされる。な
お，このとき搬送口７０は，シャッタ７１によって閉鎖
されており，ケーシング６０内の雰囲気は厳格に制御さ
れる。

【００３７】次に，前工程であるウェハＷの冷却処理
が，例えばクーリング装置３０において終了すると，駆
動機構７２の駆動部７４によって，シャッタ７１が下方
に移動され，搬送口７０が開放される。このときシャッ
タ７１は，ケーシング６０の側壁Ｒに沿って平行に下降
する。そして，ウェハＷを保持した主搬送装置１３が当
該搬送口７０から進入し，ウェハＷがレジスト塗布装置
１７内に搬入される。

【００３８】そして，ウェハＷは，予め上昇していたス
ピンチャック６１に受け渡され，スピンチャック６０上
に吸着保持される。また，スピンチャック６１にウェハ
Ｗを受け渡し終えた主搬送装置１３は，ケーシング６０
内から退避し，主搬送装置１３が退避し終わると，シャ
ッタ７１が再び上昇し，搬送口７１が閉鎖される。

【００３９】一方，ケーシング６０内のウェハＷは，ス
ピンチャック６１の下降によって下降され，カップ６３
内の所定の位置に置かれる。次に，駆動装置６２によっ
て，ウェハＷが所定の回転速度，例えば２０００ｒｐｍ
で高速回転され，それと同時に，ホルダ６８が待機位置
ＴからウェハＷ中心上方まで移動され，停止する。そし
て，先ず溶剤供給ノズル６７からウェハＷ中心に所定の
溶剤が供給され，ウェハＷ表面に溶剤が塗布される。次
いで，吐出ノズル６６からウェハＷ中心に所定量のレジ
スト液が供給され，当該レジスト液がウェハＷの回転に
よってウェハＷ表面全面に拡散される。その後，ウェハ
Ｗはさらに高速回転，例えば３５００ｒｐｍで回転さ
れ，余分なレジスト液が振り切られて，ウェハＷ上に所
定の厚さでかつ厚みの均一なレジスト膜が形成される。
そして，ウェハＷ上に所定のレジスト膜が形成される
と，ウェハＷの回転が停止される。

【００４０】次に，再びスピンチャック６１が上昇し，
ウェハＷがカップ６３上方の所定位置に移動される。次
いで，ウェハＷの搬入時と同様にシャッタ７１が下降さ
れ，搬送口７０が開放されて，その後主搬送装置１３が
ケーシング６０内に進入する。そして，ウェハＷが主搬
送装置１３に受け渡され，ウェハＷがケーシング６０内
から搬出される。ウェハＷの搬出が終了すると，シャッ
タ７１が再び上昇され，搬送口７０が閉鎖されて，レジ
スト塗布装置１７における一連の処理が終了する。

【００４１】以上の実施の形態では，シャッタ７１をケ
ーシング６０側に取り付けたので，シャッタ７１とケー
シング６０との距離が固定され，０．５ｍｍの隙間が安
定して確保される。これによって，シャッタ７１とケー
シング６０の側壁Ｒとの隙間Ｄの寸法管理を厳密に行う
ことが可能となり，隙間Ｄが大きくなって搬送口７０の
閉鎖性が低下したり，反対に隙間Ｄが狭くなってシャッ
タ７１とケーシング６０とが接触したりすることが防止
される。

【００４２】また，シャッタ７１とケーシング６０の側
壁Ｒとの隙間Ｄを０．５ｍｍにしたので，隙間が５ｍｍ
以上開いていた従来に比べてケーシング６０内の密閉性
が向上し，ケーシング６０内の雰囲気制御を厳密に行う
ことができる。また，隙間Ｄによって，シャッタ７１の
上昇，下降時においても，シャッタ７１とケーシング６
０との接触を防止できるので，当該接触によるパーティ
クルの発生を抑制することができる。

【００４３】さらに，支柱７３ａ，７３ｂ及び７３ｃに
よってシャッタ７１を三点で支持したので，シャッタ７
１が移動する際の揺れや歪みを軽減できる。これによっ
て，０．５ｍｍという狭い隙間であっても，シャッタ７
１が揺れて，ケーシング６０と接触することが抑制さ
れ，当該接触によるパーティクルの発生が抑制される。

【００４４】また，シャッタ７１自体にリブ７１ａを設
けたので，シャッタ７１の強度が向上し，シャッタ７１
の昇降時の歪み等がさらに軽減される。

【００４５】以上の実施の形態では，シャッタ７１を支
柱７３ａ，７３ｂ及び７３ｃによって三箇所で支持して
いたが，三箇所に限らず，例えば二点，四点等の複数箇
所で支持しても，シャッタ７１の昇降時の歪みや揺れが
防止される。

【００４６】また，以上の実施の形態では，駆動機構７
２の支柱７３ａ，７３ｂ及び７３ｃによって，シャッタ
７１を支持するようにしていたが，支柱７３ｂ，７３ｃ
に加えて，シャッタ７１を移動方向に誘導するガイド部
材を設けるようにしてもよい。図７に示したシャッタ８
０は，その一例を示しており，このシャッタ８０は，垂
直板８０ａと水平板８０ｂを有するＬ字型に形成されて
いる。垂直板８０ａには，リブ８０ｃが設けられてい
る。リブ８０ｃは，垂直板８０ａの中央部に水平に設け
られており，垂直板８０ａの強度が向上している。

【００４７】水平板８０ｂには，その下面中央部に駆動
機構７２の支柱８１を取り付けて，シャッタ８０全体を
下方から支持させる。水平板８０ｂの長手方向の両端付
近には，垂直方向に延びるガイド部材としてのシャフト
８２，８３が貫通されて設けられている。水平板８０ｂ
の当該シャフト８２，８３の貫通部分には，ブッシング
８４，８５がそれぞれ設けられている。ブッシング８４
及び８５は，シャフト８２，８３の外周に適合する径を
有しており，シャフト８２，８３を滑らかに貫通させる
ことができる。これによって，シャッタ８０が垂直方向
に延びるシャフト８２，８３に誘導され滑らかに上下動
することができる。また，垂直板８０ａは，図８に示す
ようにケーシング６０の側壁Ｒとの隙間Ｄが，例えば
０．５ｍｍになるように設けられている。

【００４８】かかる構成によって，搬送口７０を開閉す
る際にシャッタ８０が上下動されても，シャッタ８０が
シャフト８２，８３によって誘導され，シャッタ８０の
揺れや歪みが軽減される。したがって，シャッタ８０が
ケーシング６０に接触することが抑制され，当該接触に
よるパーティクルの発生が抑制される。

【００４９】なお，ブッシング８４及び８５には，ブッ
シング８４及び８５の内側にシャフト８２，８３との摩
擦を低減する加工が施されているもの，例えば滑りブッ
シング，ボールブッシング等を用いてもよい。これによ
って，ブッシング８４，８５とシャフト８２，８３との
摩擦によって発生するパーティクルをさらに軽減するこ
とができる。また，当該実施の形態では，２本のシャフ
ト８２，８３を設けたが，例えば１本，３本等の任意の
本数であってもよい。また，シャフトを設ける位置につ
いても，必ずしもシャッタ８０の水平板８０ｂの両端部
近傍に設ける必要はないが，支柱８１を含めてシャッタ
８０に対して偏り無く，分散させて設けることが好まし
い。

【００５０】また，シャッタ８０とケーシング６０との
隙間Ｄは，０．５ｍｍでなくとも０．４ｍｍ〜０．６ｍ
ｍであれば，ケーシング６０内の雰囲気制御が維持さ
れ，高精度のウェハＷ処理が行われる。

【００５１】以上の実施の形態は，レジスト塗布装置１
７に適用した例であったが，他の処理装置，例えばレジ
スト塗布装置１９，現像処理装置１８，２０についても
本発明は応用できる。

【００５２】また，以上で説明した実施の形態は，半導
体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー
工程におけるウェハの処理装置であったが，本発明は半
導体ウェハ以外の基板，例えばＬＣＤ基板の処理装置に
おいても応用できる。

【００５３】

【発明の効果】本発明によれば，処理装置内の雰囲気制
御が従来より厳密に行えるので，より精度の高い基板処
理が行われ，歩留まりの向上が図られる。また，パーテ
ィクルの発生が抑制されるので，この点からも歩留まり
の向上が図られる。

【００５４】特に請求項２〜６によれば，シャッタの移
動等に起因するシャッタの揺れや歪みが軽減されるの
で，シャッタとケーシングとの接触が抑制される。した
がって，当該接触によるパーティクルの発生が抑制さ
れ，歩留まりの向上が図られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態にかかるレジスト塗布装置を有する
塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図であ
る。

【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。

【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。

【図４】本実施の形態にかかるレジスト塗布装置の縦断
面の説明図である。

【図５】シャッタの構成を示す斜視図である。

【図６】レジスト塗布装置に設けられたシャッタの構成
を示す縦断面の説明図である。

【図７】シャッタの他の構成例を示す斜視図である。

【図８】図７のシャッタの構成を示す縦断面の説明図で
ある。

【符号の説明】

１ 塗布現像処理システム １７ レジスト塗布装置 ６０ ケーシング ７０ 搬送口 ７１ シャッタ ７２ 駆動機構 ７３ａ，７３ｂ，７３ｃ 支柱 Ｒ 側壁 Ｄ 隙間 Ｔ 待機位置 Ｗ ウェハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｒ Ｆターム(参考） 4F042 AA07 DE01 DE03 5F031 CA02 FA01 FA07 FA12 GA02 MA02 MA03 MA11 MA15 MA23 MA27 NA09 PA09 5F043 AA37 EE03 EE07 EE08 EE40 5F046 JA05 LA06

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を処理する処理装置であって，前記
   処理装置内の雰囲気と前記処理装置外の雰囲気とを仕切
   るケーシングを有し，前記ケーシングには，当該ケーシ
   ング内に基板を搬入出するための搬送口が設けられてお
   り，当該搬送口が設けられている前記ケーシングの壁面
   に沿って平行に移動し，当該搬送口を開閉するシャッタ
   を有し，前記シャッタは，前記ケーシング側に取り付け
   られていることを特徴とする，処理装置。
2. 【請求項２】 前記シャッタを支持する支持部材と，当
   該支持部材を前記ケーシングの壁面に沿って移動させる
   駆動部とを有し，前記支持部材は，前記シャッタを複数
   箇所で支持していることを特徴とする，請求項１に記載
   の処理装置。
3. 【請求項３】 前記シャッタを支持する支持部材と，当
   該支持部材を前記ケーシングの壁面に沿って所定方向に
   移動させる駆動部と，当該移動時に前記シャッタを前記
   所定方向に誘導するガイド部材とを有することを特徴と
   する，請求項１に記載の処理装置。
4. 【請求項４】 前記支持部材は，前記シャッタの中央部
   を支持しており，前記ガイド部材は，前記シャッタの両
   側部に配置されていることを特徴とする，請求項３に記
   載の処理装置。
5. 【請求項５】 前記ガイド部材は，前記所定方向に伸び
   るシャフトであり，前記シャッタには，前記シャフトの
   外周と適合する径を有し，前記シャフトを貫通させるた
   めのブッシングが設けられていることを特徴とする，請
   求項３又は４のいずれかに記載の処理装置。
6. 【請求項６】 前記シャッタには，リブが設けられてい
   ることを特徴とする，請求項１，２，３，４又は５のい
   ずれかに記載の処理装置。
7. 【請求項７】 前記シャッタの前記ケーシングの壁面側
   の面は，前記ケーシングの壁面に対して平行に形成され
   ており，当該シャッタの前記ケーシングの壁面側の面と
   前記ケーシングの壁面との間には，０．４〜０．６ｍｍ
   の隙間が設けられていることを特徴とする，請求項１，
   ２，３，４，５又は６のいずれかに記載の処理装置。