JP2001155981A - 基板の処理システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 加熱処理装置と冷却処理装置との間で，気流
による熱の干渉を抑制させる基板の処理システムを提供
する。 【解決手段】 塗布現像処理システムの処理ステーショ
ン３において，クーリング装置３０より上段に位置する
プリベーキング装置３２又は３３等を有する処理装置群
G3が配置されている領域Ｓと，その他の領域Ｔを仕切る
仕切板５５を設ける。そして，領域Ｓ内に，エア供給装
置６０により上昇気流を発生させて，プリベーキング装
置３２又は３３の熱により暖められたエアを上方に逃が
して，下方に位置するクーリング装置３０の温度に影響
を与えないようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，基板の処理システ
ムに関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程では，ウェハ表面にレ
ジスト膜を形成するレジスト塗布処理，ウェハにパター
ンを照射して露光する露光処理，露光後のウェハに対し
て現像を行う現像処理，露光処理前後と現像処理後にす
る加熱処理，冷却処理等が行われる。これらの処理を行
う各処理装置は，一つの塗布現像処理システムとしてま
とめられて，その塗布現像処理システム内において，一
連の処理が連続して行われている。

【０００３】上記塗布現像処理システム中の加熱処理を
行う加熱処理装置と冷却処理を行う冷却処理装置は，当
該システム全体のフットプリントを減少させるため，あ
るいは，加熱処理と冷却処理が連続して行われることが
多いので，ウェハの搬送距離を減少させてスループット
を向上させるために，互いに隣接して，多段に積層され
て設けられている。そのため熱の干渉を抑えるために，
加熱処理装置は冷却処理装置よりも上段に配置されてい
る。さらに，該システム内には，システム内の雰囲気を
清浄に維持するために，常時下降気流を形成させ，パー
ティクル等の排気を行っていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上述し
たようにシステム内に形成される下降気流により，上段
の加熱処理装置の熱により暖められた雰囲気が下段の冷
却処理装置の温度を上昇させて，所定の冷却処理が行わ
れない場合があった。

【０００５】本発明は，かかる点に鑑みてなされたもの
であり，従来の加熱処理装置と冷却処理装置の積層構成
を維持しながら，気流による加熱処理装置と冷却処理装
置との熱の干渉を抑制させる基板の処理システムを提供
して，前記問題の解決を図ることをその目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は，基板
を加熱する加熱処理装置が上段に，基板を冷却する冷却
処理装置とが下段に配置された熱処理装置群と，前記熱
処理装置群と他の処理装置との間で基板を搬送する搬送
機構とを有する基板の処理システムであって，前記熱処
理装置群が配置されている領域に上昇気流を形成する気
流形成手段を備えていることを特徴としている。

【０００７】このように，前記熱処理装置群が配置され
ている領域に上昇気流を形成することにより，この熱処
理装置群内の前記加熱処理装置により発生した熱の影響
が下方の冷却処理装置に及びにくくなるため，両装置の
熱の干渉が抑制される。また，加熱処理装置の熱により
自然に発生する上昇気流を無理に下降気流に変えていた
従来に比べ，気体の乱流の発生を抑制できる。従って，
両装置において，基板の処理が所定の温度で，好適に行
われることができる。

【０００８】請求項２の発明によれば，前記熱処理装置
群の最上部に位置する熱処理装置は，アルカリ成分を含
む処理雰囲気で処理を行うことを特徴とする基板の処理
システムが提供される。

【０００９】このように，アルカリ成分を含む処理雰囲
気で処理する熱処理装置を最上部に位置させることによ
り，当該装置で用いた雰囲気は前記上昇気流により上昇
し，他の処理装置に影響を与えない。

【００１０】かかる請求項１又は２の発明において，請
求項３のように，前記熱処理装置群が配置されている領
域と，前記他の処理装置が配置されている領域との雰囲
気を遮断する仕切板を設けるようにしてもよい。

【００１１】このように，前記仕切板を設けることによ
り，前記熱処理装置群が配置されている領域では，安定
した上昇気流が提供され，前記他の領域では，上昇気流
の影響を受けずに，所定の処理が行われる。

【００１２】請求項４の発明によれば，前記仕切板の一
部には開口部が形成され，前記搬送機構は，この開口部
に配置されていることを特徴とする基板処理システムが
提供される。

【００１３】このように，前記搬送機構が，前記仕切板
の開口部に配置されていることにより，前記搬送機構
は，前記熱処理装置群の各処理装置や前記他の領域の処
理装置に基板を搬入出する際に，例えば前記仕切板に設
けられた搬入出口などを介して搬入出する必要がない。
したがって，その搬入出口の開閉等の余計な制御をする
必要が無く，単純化される。ここで，仕切板の一部に形
成される開口部は，仕切板の中央部に穴状に設けられた
場合だけでなく，開口部が仕切り板の１つの端部まで達
している場合，開口部により仕切板が２つに分離された
場合をも含有する。

【００１４】請求項５の発明は，請求項４の前記搬送機
構が前記開口部における垂線を中心軸として回転自在に
構成されていることを特徴とする。

【００１５】請求項５の発明によれば，前記加熱処理装
置群が配置されている領域から他の処理装置が配置され
ている領域に基板を搬送する際に，前記搬送機構が前記
垂線を中心軸として回転させて搬送させることができ
る。そのため，既存の搬送機構を用いて仕切板で仕切ら
れた両領域間の搬送を行うことができる。

【００１６】請求項６の発明によれば，請求項５の前記
搬送機構は，垂直方向に配置されてかつ前記垂線を中心
軸として回転駆動される略筒状のケーシングと，前記ケ
ーシング内において上下に移動する基台と，前記基台に
設けられた基板保持部材とを備え，前記ケーシングは，
前記開口部の形状に適合する側面形態を有することを特
徴とする基板処理システムが提供される。

【００１７】このように，さらに前記搬送機構のケーシ
ングを設けることにより，前記仕切り板で仕切られてい
る各領域間で搬送機構により基板を搬入出する際に，こ
の両領域の雰囲気が混ざることが抑制される。その結
果，両領域で異なった方向の気流が発生していても，互
いに影響しあうことがなく，それぞれの領域において，
適宜に処理が行われる。

【００１８】請求項７の発明によれば，前記熱処理装置
群以外の他の処理装置が配置されている領域に下降気流
を形成させる気流形成手段を有することを特徴とする基
板処理システムが提供される。

【００１９】このように，前記他の領域に下降気流を発
生させることにより，前記処理システム中に発生した不
純物等を重力に逆らわず下方に排出できる。

【００２０】請求項８の発明は，少なくとも前記上昇気
流の一部は，前記下降気流の一部を回収したものである
ことを特徴としている。

【００２１】このように，前記下降気流の一部を前記上
昇気流の一部に利用することで，何ら空調されていない
外気を取り入れて上昇気流とするよりも，ある程度温度
等の調節されている下降気流の気体を利用する方が温調
制御等の観点から有効である。

【００２２】さらに，請求項９の発明は，少なくとも前
記下降気流の一部は，前記上昇気流の一部を回収したも
のであることを特徴としている。

【００２３】請求項９によれば，前記上昇気流の一部を
前記下降気流の一部に利用することにより，請求項８と
同様に外気に比べてある程度温度等の調整されている上
昇気流の気体を有効に利用することができる。

【００２４】請求項１０の発明のように，上述した請求
項７又は８において回収した気流中の不純物を除去する
ためのフィルタ装置を設けてもよい。このように，フィ
ルタ装置を設けることにより，気体中の不純物を除去
し，清浄な雰囲気の中で処理が行われる。

【００２５】さらに請求項１１においては，前記回収し
た気流の少なくとも温度又は湿度を調整する調整装置を
設けてもよい。このように，前記回収した気体の温度や
湿度を調節し，所定の条件の気体にしてから上昇気流又
は下降気流として前記処理システム内に供給することが
できるので，各処理装置が，所定の雰囲気内で基板の処
理を行うことができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる塗
布現像処理システム１の平面図であり，図２は，塗布現
像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処
理システム１の背面図である。

【００２７】塗布現像処理システム１は，図１に示すよ
うに，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け
渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構
成を有している。

【００２８】カセットステーション２では，載置部とな
るカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセット
ＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在とな
っている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）と
カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ
方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が
搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセッ
トＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。

【００２９】ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせ
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処
理装置群G3に属するエクステンション装置３２に対して
もアクセスできるように構成されている。

【００３０】処理ステーション３では，その中心部に搬
送機構としての主搬送装置１３が設けられている。この
主搬送装置１３には，ウェハＷを直接支持するピンセッ
ト１３ｂを支持した基台１３ｃがＺ方向（鉛直方向）に
移動自在に設けられおり，これを囲う略筒状の形態を有
するケーシング１３ａは，前記基台１３ｃと一体となっ
てθ方向に回転可能である。主搬送装置１３の周辺の各
種処理装置にアクセスできるように構成されている。ま
た，主搬送装置１３の周辺には各種処理装置が多段に配
置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理シ
ステム１においては，４つの処理装置群G1，G2，G3，G4
が配置されており，第１及び第２の処理装置群G1，G2は
塗布現像処理システム１の正面側に配置され，第３の処
理装置群G3は，カセットステーション２に隣接して配置
され，第４の処理装置群G4は，インターフェイス部４に
隣接して配置されている。さらにオプションとして破線
で示した第５の処理装置群G5を背面側に別途配置可能と
なっている。

【００３１】また，第１及び第２の処理装置群G1，G2と
第３及び第４の処理装置群G3，G4との間には，仕切板５
５が設けられており，仕切板５５で仕切られたそれぞれ
の領域Ｓ，Ｔの雰囲気が遮断されるように構成されてい
る。この仕切板５５は，主搬送装置１３からウェハＷを
搬入出する搬送口５６を有している。この搬送口５６に
は，開閉自在なシャッタ５７が設けられており，搬送時
のみ開くように構成されている。領域Ｔは第１及び第２
の処理装置群G1，G2の配置されている領域であり，領域
Ｓは第３及び第４の処理装置群G3，G4が配置さている領
域である。

【００３２】第１の処理装置群G1では図２に示すよう
に，例えば２種類のスピンナ型処理装置，レジスト液供
給装置を有するレジスト塗布装置１７と，ウェハＷに現
像液を供給して処理する現像処理装置１８が下から順に
２段に配置されている。第２の処理装置群G2の場合も同
様に，レジスト塗布装置１９と，現像処理装置２０とが
下から順に２段に積み重ねられている

【００３３】第３の処理装置群G3では，例えば図３に示
すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３
０，ウェハＷを待機させるエクステンション装置３１，
レジスト液中の溶剤を乾燥させるプリベーキング装置３
２，３３及び現像処理後の加熱処理を施すポストベーキ
ング装置３４，３５，レジスト液とウェハＷとの定着性
を高めるためのアドヒージョン装置３６等が下から順に
例えば７段に重ねられている。

【００３４】第４の処理装置群G4では，例えばクーリン
グ装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクス
テンション・クーリング装置４１，エクステンション装
置４２，クーリング装置４３，露光処理後の加熱処理を
行うポストエクスポージャーベーキング装置４４，４
５，ポストベーキング装置４６，４７等が下から順に例
えば８段に積み重ねられている。

【００３５】インターフェイス部４の中央部にはウェハ
搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０は
Ｘ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移
動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在
にできるように構成されており，第４の処理装置群G4に
属するエクステンション・クーリング装置４１，エクス
テンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない
露光装置に対してアクセスできるように構成されてい
る。

【００３６】処理ステーション３の上部には，上述した
領域Ｓのエアを回収し，そのエアを領域Ｔに供給して，
下降気流を発生させる気流発生手段としてのエア供給装
置６０が設けられている。このエア供給装置６０は，例
えば図４に示したように前記回収したエアに含まれる微
粒子やアドヒージョン装置３７等で発生するアルカリ成
分であるアンモニア成分を徐去するためのフィルタ６５
と，回収したエアを所定の温度，湿度にするための温湿
調節機能を備えている。

【００３７】ここで前記エア供給装置６０について詳し
く説明すると，図４に示すように，エア供給装置６０の
チャンバー６２内には，入口６３側から出口６４側へと
順に，先ずパーティクルを捕集するフィルタ６５が設け
られている。このフィルタ６５には，領域Ｓ内で損失し
たエアをこの塗布現像処理システム１の置かれているク
リーンルーム内のエアから補充するダクト６７が取り付
けられている。そして，フィルタ６５を通過して清浄化
されたエアに対して冷却減湿を行う冷却減湿部６６，冷
却減湿部６６で冷却減湿されたエアに対して加熱を行う
加熱部６８を有している。さらに加熱部６８の隣には，
加熱部６８で加熱されたエアに対して加湿を行う加湿部
６９，そして加湿後のエアを出口６４から領域Ｔへと供
給するためのファン７３が設けられている。従って，図
５に示したようにこのエア供給装置６０により，領域Ｓ
内のエアを回収し，領域ＳやＴ内で損失したエアを補充
した後，このエア供給装置６０内で清浄化し，さらに温
度と湿度を調節し，その後領域Ｔに供給して，下降気流
を形成している。なお，フィルター６５は，エア供給装
置６０の入り口６３側と出口６４側の両方に設けてもよ
い。

【００３８】また，塗布現像処理システム１の下部に
は，図５に示すように，前記領域Ｔと前記領域Ｓを連絡
するダクト８０が設けられており，このダクト８０に
は，流れるエアに含まれるパーティクルを捕集するフィ
ルタ８１とエアの流れを促進するためのファン８２が取
り付けられている。従って，図５に示したように前記エ
ア供給装置６０により発生した下降気流により，前記領
域Ｔを流れてきたエアは，フィルタ８１により清浄化さ
れ，ファン８２により加速されて領域Ｓに上昇気流とし
て供給されるように構成されている。

【００３９】ここで，上述したように塗布現像処理シス
テム１内に形成される気流について図４，図５を用いて
説明すると，先ず，気体発生装置６０のファン７３によ
り送風されたエアが，仕切板５５により仕切られた領域
Ｔ内を下降し，領域Ｔ内に配置されている処理装置群G
1，G2のレジスト塗布装置１７又は１９，現像処理装置
１８又は２０，において発生するパーティクルを下方に
排気する。特にレジスト塗布装置１７又は１９と現像処
理装置１８又は２０においては，ウェハＷへのパーティ
クルの付着は，直接歩留まりの低下につながるため，領
域Ｔの雰囲気を清浄に維持することが必要である。

【００４０】そして，下降気流を形成するエアは，領域
Ｔを通過し，ダクト８０の入り口８３からダクト８０に
流れ込む。その後，ダクト８０に設けられたフィルタ８
１を通過して，領域Ｔで発生したパーティクルが除去さ
れる。そして，フィルタ８１を通過した気体は，ファン
８２により加速されて，ダクト８０の出口８４から領域
Ｓに上昇気流として供給される。

【００４１】次に，領域Ｓに供給されたエアは，処置装
置群G3，G4の配置された領域を上昇する。この時処理装
置群G3，G4の例えばプリベーキング装置３５の熱により
熱せられた雰囲気は，上方に流されるため，プリベーキ
ング装置３５よりも下方にあるクーリング装置３０の処
理温度に影響を与えない。また，領域Ｓには，プリベー
キング装置３５内において熱により発生する上昇気流と
同じ方向への流れを形成するため，プリベーキング装置
３５内の上昇気流と干渉して乱流が発生することがな
い。

【００４２】さらに，アドヒージョン装置３７は，ＨＭ
ＤＳ等の溶剤を使用するため他の処理装置へのケミカル
汚染，例えばアルカリ成分による汚染を防止するため処
理装置群Ｇ３の最上段に位置されている。

【００４３】その後，領域Ｓを通過したエアは，図４に
示すように，エア供給装置６０の入り口６３に流れ込
む。このときに必要に応じて，塗布現像処理システム１
外に流出した損失分のエアをダクト６７から補充する。
その後，エア供給装置６０に供給されたエアは，上述し
たように，先ず，フィルタ６５を通過し，領域Ｓ内で発
生したパーティクルとアルカリ成分を除去する。その
後，冷却減湿部６６に供給されたエアは冷却減湿され，
次に，加熱部６９において所定の温度に加熱され，さら
に加湿部６９において，所定の湿度に加湿される。そし
て，ファン７３によって送風され，出口６４から領域Ｔ
に下降気流として提供される。

【００４４】以上の実施の形態によれば，仕切板５５に
より処理装置群G3，G4の配置された領域Ｓを形成し，そ
の領域Ｓ内に上昇気流を発生させることにより，同一の
処理装置群G3，G4に加熱処理装置と冷却処理装置を混在
して設けても，両装置の熱干渉を抑制できる。すなわち
プリベーキング装置３５から発生する熱雰囲気は，上方
へと流れるので，下方にあるクーリング装置３０には，
影響を与えない。また，仕切板５５で領域Ｔと領域Ｓを
仕切ることにより，それぞれの領域内の気流が干渉しな
いようにされ，ウェハＷを搬入出する場合にのみシャッ
タ５７が開くことで，その効果を高めている。また仕切
板５５は，各加熱処理装置で発生する熱の輻射をも遮断
し，処理装置群G1，G2のレジスト塗布装置１７又は１９
や現像処理装置１８又は２０に熱の影響を与えない機能
も果たしている。

【００４５】また，エア供給装置６０により，領域Ｓ内
において，温度と湿度が変化したエアを所定の温湿度の
エアに調節し，領域Ｔへ供給することにより，領域Ｔに
おける塗布処理，現像処理等が所定の温湿度の雰囲気内
で行うことができる。

【００４６】次に，第２の実施の形態について説明す
る。図６に示すように，処理ステーション３の第３及び
第４処理装置群G3，G4を第１及び第２処理装置群G1，G2
から遠ざけるようにしてより塗布現像処理システム１の
背面側に設ける。第３及び第４処理装置群G3，G4と第１
及び第２処理装置群G1，G2とを仕切る仕切板９０を設け
る。そして，図７に示すようにこの仕切板９０に長方形
の開口部９１を設けて，その開口部９１に主搬送装置９
２を配置する。この主搬送装置９２のケーシング９２ａ
は，仕切板９０の開口部９１における垂線を中心軸とし
て回転自在に構成されている。また，ケーシング９２a
の形状は略筒状であり，開口部９１の形状に適合するよ
うに構成されている。さらに，このケーシング９２ａに
は，ウェハＷをケーシング９２ａ内に出し入れするため
の長方形の開口部９２ｂが設けられている。なお，ケー
シング９２ａの開口部９２ｂ以外の部分は，仕切板９０
で隔てられた両領域Ｓ，Ｔの気流が干渉しあわないよう
にある程度の気密性が保たれるように構成されている。

【００４７】また，ケーシング９２ａ内には，ウェハＷ
を直接保持し，ケーシング９２ａ内に出し入れする基板
保持部材としてのピンセット９２ｃと，このピンセット
９２ｃを支持し上下に移動自在とする基台９２ｄが設け
られている。

【００４８】次に，例えば領域Ｔ内にあるウェハＷを領
域Ｓに搬送するプロセスを説明すると，先ず，ピンセッ
ト９２ｃが領域Ｔの装置内にあるウェハＷを受け取り，
ケーシング９２ａ内に搬入する。そしてケーシング９２
ａ全体が反転し，ケーシング９２ａの開口部９２ｂを領
域Ｓ側に向ける。そして，基台９２ｄが次に搬送する装
置の高さに合う位置まで上下方向に移動する。その後ピ
ンセット９２ｃによりウェハＷを次の装置に搬送され
る。なお，処理中は，第１の実施の形態と同様に，領域
Ｔ内には下降気流が，領域Ｓ内には上昇気流が形成され
ている。

【００４９】以上の第２の実施の形態のように，主搬送
装置９２を仕切り板９０の開口部９１に配置することに
より，第１の実施の形態のように，仕切板９０に開閉自
在なシャッタ５７を取り付ける必要がない。従って，ウ
ェハＷを領域Ｓと領域Ｔ間で搬入送する場合にも，複雑
な制御をする必要がなく，主搬送装置９２により直接搬
送できる。

【００５０】先に説明した実施の形態は，半導体ウェハ
デバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程にお
けるウェハの処理システムについてであったが，半導体
ウェハ以外の基板例えばＬＣＤ基板の処理システムにお
いても応用できる。

【００５１】

【発明の効果】請求項１の発明によれば，熱処理装置群
の加熱処理装置により発生した熱の影響が下方の冷却処
理装置に及びにくくなるため，両装置の熱の干渉が抑制
される。したがって，上記加熱処理装置と冷却処理装置
において所定の処理が行われ，歩留まりの向上が図られ
る。また，加熱処理装置の熱により自然に発生する上昇
気流と同一方向の気流を発生させることにより，気体の
乱流の発生を抑制できる。従って，加熱処理装置におい
て発生したパーティクルの除去やアルカリ成分の除去を
スムーズに行うことができ，その結果歩留まりの向上が
図られる。

【００５２】請求項２によれば，アルカリ成分を含む処
理雰囲気で処理する熱処理装置を最上部に位置させるこ
とにより，当該装置で用いた雰囲気を上昇気流により，
他の処理装置に影響を与えることなく除去することがで
きる。したがって，各処理装置の処理が所定の雰囲気内
で行われるため，歩留まりの向上が図られる。

【００５３】請求項３によれば，熱処理装置群が配置さ
れている領域では安定した上昇気流が提供され，その他
の領域では上昇気流の影響を受けずに，適宜に基板が処
理されることができる。また，仕切板は，加熱処理装置
から発生する熱も遮断することができるため，各処理装
置における処理が適宜に行われ歩留まりが向上する。

【００５４】請求項４から６の発明によれば，熱処理装
置群の配置された領域からその他の領域に基板を搬入出
する際に，搬送機構が直接搬入出することができるの
で，搬入出口の開閉等の余計な制御をする必要が無く，
単純化される。

【００５５】請求項７の発明によれば，熱処理装置群が
配置されていない領域では，基板の処理中に発生した不
純物等を重力に逆らわず下方に排出されるので，パーテ
ィクルが基板に付着することを防止でき歩留まりの向上
が図られる。

【００５６】請求項８によれば，何ら空調されていない
外気を上昇気流として用いるよりも，ある程度温度等の
調節されている下降気流の気体を有効に利用することが
でき，温湿調節機構の効率化が図られる。

【００５７】請求項９によれば，何ら空調されていない
外気を下降気流として用いるよりもある程度温度等の調
整されている上昇気流の気体を有効に利用することがで
き，温湿調節機構の効率化が図られる。

【００５８】請求項１０によれば，気体中の不純物を除
去し，清浄な雰囲気の中で処理が行われるので，パーテ
ィクル等を防止し，その結果歩留まりの向上が図られ
る。

【００５９】請求項１１によれば，基板のシステム内に
流れる気流の温度と湿度が調節されることにより，各処
理装置が所定の温度及び湿度の雰囲気内に配置され，所
定の条件の下で安定した処理を行うことができるので，
歩留まりの向上が図られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態にかかる塗布現像処理システムの外
観を示す平面図である。

【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。

【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。

【図４】図１の塗布現像処理システムにおけるエア供給
装置の横断面の説明図である。

【図５】図１の塗布現像処理システム内の気流の流れを
説明する横断面図である。

【図６】第２の実施の形態にかかる塗布現像処理システ
ムの外観を示す平面図である。

【図７】図６において仕切板に配置された主搬送装置を
示した斜視図である。

【符号の説明】

１ 塗布現像処理システム １３，９２ 主搬送装置 ５５，９０ 仕切板 ７３，８２ ファン Ｔ 領域 Ｓ 領域 Ｗ ウェハ

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を加熱する加熱処理装置が上段に，
   基板を冷却する冷却処理装置とが下段に配置された熱処
   理装置群と，前記熱処理装置群と他の処理装置との間で
   基板を搬送する搬送機構とを有する基板処理システムで
   あって，前記熱処理装置群が配置されている領域に上昇
   気流を形成する気流形成手段を備えていることを特徴と
   する，基板処理システム。
2. 【請求項２】 前記熱処理装置群の最上部に位置する熱
   処理装置は，アルカリ成分を含む処理雰囲気で処理を行
   うことを特徴とする，請求項１に記載の基板の処理シス
   テム。
3. 【請求項３】 前記処理システム内において，前記熱処
   理装置群が配置されている領域と，前記他の処理装置が
   配置されている領域との雰囲気を遮断する仕切板を有す
   ることを特徴とする，請求項１又は２のいずれかに記載
   の基板処理システム。
4. 【請求項４】 前記仕切板の一部には開口部が形成さ
   れ，前記搬送機構は，この開口部に配置されていること
   を特徴とする，請求項３に記載の基板処理システム。
5. 【請求項５】 前記搬送機構は，前記開口部における垂
   線を中心軸として回転自在に構成されていることを特徴
   とする，請求項４に記載の基板処理システム。
6. 【請求項６】 前記搬送機構は，垂直方向に配置されて
   かつ前記垂線の中心軸として回転駆動される略筒状のケ
   ーシングと，前記ケーシング内において上下に移動する
   基台と，前記搬送基台に設けられた基板保持部材とを備
   え，前記ケーシングは，前記開口部の形状に適合する側
   面形態を有することを特徴とする，請求項５に記載の基
   板処理システム。
7. 【請求項７】 前記他の処理装置が配置されている領域
   に下降気流を形成させる気流形成手段を有することを特
   徴とする，請求項１，２，３，４，５又は６のいずれか
   に記載の基板処理システム。
8. 【請求項８】 少なくとも前記上昇気流の一部は，前記
   下降気流の一部を回収したものであることを特徴とす
   る，請求項７に記載の基板処理システム。
9. 【請求項９】 少なくとも前記下降気流の一部は，前記
   上昇気流の一部を回収したものであることを特徴とす
   る，請求項７又は８のいずれかに記載の基板処理システ
   ム。
10. 【請求項１０】 前記回収した気流中の不純物を除去す
    るフィルタ装置を有することを特徴とする，請求項８又
    は９のいずれかに記載の基板処理システム。
11. 【請求項１１】 前記回収した気流の少なくとも温度又
    は湿度を調整する調整装置を有することを特徴とする，
    請求項８，９又は１０のいずれかに記載の基板処理シス
    テム。