JP3112446B2 - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JP3112446B2 JP3112446B2 JP10237955A JP23795598A JP3112446B2 JP 3112446 B2 JP3112446 B2 JP 3112446B2 JP 10237955 A JP10237955 A JP 10237955A JP 23795598 A JP23795598 A JP 23795598A JP 3112446 B2 JP3112446 B2 JP 3112446B2
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、例えばレジスト処
理のように被処理体に対して一連の処理を施す処理装置
に関する。
理のように被処理体に対して一連の処理を施す処理装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】被処理体としての半導体ウエハに対して
レジストを塗布する場合の方法として、例えば特開昭５
２−１４４９７１号公報に示すものが知られている。こ
の方法は、クリーンルーム内に設置されたスピンコータ
により半導体にレジストを塗布するもので、クリーンル
ームの垂直層流を入れる入口を上側に有するカップ内に
設けられたスピンチャックに、半導体ウエハを被塗布面
を上に向けた状態で真空吸着させ、スピンチャックに連
結されたモータによりウエハを高速回転しつつ、ウエハ
の被塗布面中心部にレジストを滴下し、その際の遠心力
によりレジストを被塗布面全面に塗布する。
レジストを塗布する場合の方法として、例えば特開昭５
２−１４４９７１号公報に示すものが知られている。こ
の方法は、クリーンルーム内に設置されたスピンコータ
により半導体にレジストを塗布するもので、クリーンル
ームの垂直層流を入れる入口を上側に有するカップ内に
設けられたスピンチャックに、半導体ウエハを被塗布面
を上に向けた状態で真空吸着させ、スピンチャックに連
結されたモータによりウエハを高速回転しつつ、ウエハ
の被塗布面中心部にレジストを滴下し、その際の遠心力
によりレジストを被塗布面全面に塗布する。
【０００３】しかし、上述のような装置によりウエハに
レジストを塗布する場合には、レジストの温度変化によ
りウエハに塗布されたレジストの膜圧が不均一になると
いう欠点がある。
レジストを塗布する場合には、レジストの温度変化によ
りウエハに塗布されたレジストの膜圧が不均一になると
いう欠点がある。
【０００４】このような欠点を解消するために、塗布の
際にレジスト温度を調整してレジストの温度変化を抑制
しつつ、半導体ウエハの表面にレジストを滴下して塗布
する技術が、例えば特開昭６１−１２５０１７号公報に
開示されている。
際にレジスト温度を調整してレジストの温度変化を抑制
しつつ、半導体ウエハの表面にレジストを滴下して塗布
する技術が、例えば特開昭６１−１２５０１７号公報に
開示されている。
【０００５】また、被処理体として例えば半導体ウエハ
を用い、その表面のパターン露光されたレジスト膜を現
像処理する場合、クリーンルームの垂直層流を入れる入
口を上側に有するカップ内に設けられたスピンチャック
に、半導体ウエハを被塗布面を上に向けた状態で真空吸
着させ、スピンチャックに連結されたモータによりウエ
ハを低速回転しつつ、又は停止させた状態で、ウエハの
被現像面に現像液をスプレーノズル等により供給して塗
布し、その後、モータによりウエハを高速回転させて、
遠心力により処理後に残存する現像液を排除する方法が
採用されている。この場合にも、上述のレジスト塗布の
際と同様、現像液の温度変化によりウエハ上の現像パタ
ーンが不均一になるという問題点があり、現像液の温度
を調整してレジストの温度変化を抑制しつつ、現像液を
塗布する方法が採用されている。
を用い、その表面のパターン露光されたレジスト膜を現
像処理する場合、クリーンルームの垂直層流を入れる入
口を上側に有するカップ内に設けられたスピンチャック
に、半導体ウエハを被塗布面を上に向けた状態で真空吸
着させ、スピンチャックに連結されたモータによりウエ
ハを低速回転しつつ、又は停止させた状態で、ウエハの
被現像面に現像液をスプレーノズル等により供給して塗
布し、その後、モータによりウエハを高速回転させて、
遠心力により処理後に残存する現像液を排除する方法が
採用されている。この場合にも、上述のレジスト塗布の
際と同様、現像液の温度変化によりウエハ上の現像パタ
ーンが不均一になるという問題点があり、現像液の温度
を調整してレジストの温度変化を抑制しつつ、現像液を
塗布する方法が採用されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようにカップ内で、クリーンルームの垂直層流を入れつ
つ、レジスト塗布又は現像液塗布を行なう場合には、た
とえレジスト又は現像液の温度調整を行なったとして
も、ウエハに供給された後のレジスト及び現像液がカッ
プ内の雰囲気温度及び湿度の影響を受ける。従って、カ
ップ内の温度及び湿度の変動により、所望のレジスト膜
厚や現像パターンが得られなかったり、レジスト膜厚又
は現像の所望の均一性が得られない場合があり、歩留り
及び生産性が低くなってしまう。
ようにカップ内で、クリーンルームの垂直層流を入れつ
つ、レジスト塗布又は現像液塗布を行なう場合には、た
とえレジスト又は現像液の温度調整を行なったとして
も、ウエハに供給された後のレジスト及び現像液がカッ
プ内の雰囲気温度及び湿度の影響を受ける。従って、カ
ップ内の温度及び湿度の変動により、所望のレジスト膜
厚や現像パターンが得られなかったり、レジスト膜厚又
は現像の所望の均一性が得られない場合があり、歩留り
及び生産性が低くなってしまう。
【０００７】ウエハ周囲の雰囲気を安定させる技術とし
ては、特開昭６０−１５２０２９号公報に開示されたも
のがある。この技術について、図５を参照しながら説明
する。図５において、スピンチャック５に吸着された半
導体ウエハ１は、下カップ３及び上カップ２からなるカ
バー４により囲まれ、密閉状態になっている。この状態
で、滴下ノズル６からウエハ１の中心部にレジストを滴
下させる。そうすると、レジストに含有された溶剤が揮
発し、カバー４内が溶剤の飽和状態となるので、ウエハ
１の周囲の温度・湿度は一定となる。従って、この状態
でウエハ１をモータ７により回転させることにより、ウ
エハ１表面への均一なレジスト膜形成が期待できる。
ては、特開昭６０−１５２０２９号公報に開示されたも
のがある。この技術について、図５を参照しながら説明
する。図５において、スピンチャック５に吸着された半
導体ウエハ１は、下カップ３及び上カップ２からなるカ
バー４により囲まれ、密閉状態になっている。この状態
で、滴下ノズル６からウエハ１の中心部にレジストを滴
下させる。そうすると、レジストに含有された溶剤が揮
発し、カバー４内が溶剤の飽和状態となるので、ウエハ
１の周囲の温度・湿度は一定となる。従って、この状態
でウエハ１をモータ７により回転させることにより、ウ
エハ１表面への均一なレジスト膜形成が期待できる。
【０００８】しかし、このような技術においては、ウエ
ハ１の回転により飛散したレジストや現像液がカバー４
の内壁に固着し、この固着物が高く積み重なると、わず
かな力で剥がれてカップ内の雰囲気が汚染され、ウエハ
１に塵が付着するおそれがある。ウエハ１が２５６Ｋビ
ットから１Ｍビット、４Ｍビットと高集積化されるにつ
れて、雰囲気のクリーン度をより高める必要があるが、
上述の技術ではウエハへの塵の付着により必要なクリー
ン度が保てず、歩留り及び生産性が低下するという問題
点がある。
ハ１の回転により飛散したレジストや現像液がカバー４
の内壁に固着し、この固着物が高く積み重なると、わず
かな力で剥がれてカップ内の雰囲気が汚染され、ウエハ
１に塵が付着するおそれがある。ウエハ１が２５６Ｋビ
ットから１Ｍビット、４Ｍビットと高集積化されるにつ
れて、雰囲気のクリーン度をより高める必要があるが、
上述の技術ではウエハへの塵の付着により必要なクリー
ン度が保てず、歩留り及び生産性が低下するという問題
点がある。
【０００９】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、所望のクリーン度を保持した状態で、雰囲気
の温度及び湿度の影響を受けずに被処理体に対してレジ
スト処理等の一連の処理を行なうことができる処理装置
を提供することを目的とする。
であって、所望のクリーン度を保持した状態で、雰囲気
の温度及び湿度の影響を受けずに被処理体に対してレジ
スト処理等の一連の処理を行なうことができる処理装置
を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、第１に、被処理体に一連の処理を施す処
理部と、この処理部の上方に設けられ、クリーンエアー
の垂直層流を導入してその温度および湿度をコントロー
ルし、その温度および湿度がコントロールされたクリー
ンエアーを前記処理部に供給する温度湿度コントロール
部とを具備し、前記処理部は、搬送路と、搬送路に沿っ
て設けられ、それぞれ被処理体に対して所定の処理を施
す複数の処理ユニットと、被処理体を保持しつつ搬送路
を移動し、各処理ユニットへの被処理体の搬入出を行う
搬送手段とを有することを特徴とする処理装置を提供す
る。
決するために、第１に、被処理体に一連の処理を施す処
理部と、この処理部の上方に設けられ、クリーンエアー
の垂直層流を導入してその温度および湿度をコントロー
ルし、その温度および湿度がコントロールされたクリー
ンエアーを前記処理部に供給する温度湿度コントロール
部とを具備し、前記処理部は、搬送路と、搬送路に沿っ
て設けられ、それぞれ被処理体に対して所定の処理を施
す複数の処理ユニットと、被処理体を保持しつつ搬送路
を移動し、各処理ユニットへの被処理体の搬入出を行う
搬送手段とを有することを特徴とする処理装置を提供す
る。
【００１１】第２に、上記処理装置において、前記搬送
手段は、被処理体を水平方向および垂直方向に移動自
在、かつ回転自在に構成されることを特徴とする処理装
置を提供する。第３に、上記処理装置はクリーンルーム
内に配置され、前記温度湿度コントロール部はクリーン
ルーム内におけるクリーンエアーの垂直層流を導入する
ことを特徴とする処理装置を提供する。
手段は、被処理体を水平方向および垂直方向に移動自
在、かつ回転自在に構成されることを特徴とする処理装
置を提供する。第３に、上記処理装置はクリーンルーム
内に配置され、前記温度湿度コントロール部はクリーン
ルーム内におけるクリーンエアーの垂直層流を導入する
ことを特徴とする処理装置を提供する。
【００１２】第４に、上記いずれかの処理装置におい
て、前記温度湿度コントロール部は、上下に開口部を有
する筒状の筐体と、クリーンエアーの垂直層流を前記筐
体の上部開口部から強制的に導入するための導入手段
と、クリーンエアーの風量を変化させることが可能な風
量可変機構と、クリーンエアーの温度および湿度をコン
トロールする温度湿度コントロール機構とを備えている
ことを特徴とする処理装置を提供する。
て、前記温度湿度コントロール部は、上下に開口部を有
する筒状の筐体と、クリーンエアーの垂直層流を前記筐
体の上部開口部から強制的に導入するための導入手段
と、クリーンエアーの風量を変化させることが可能な風
量可変機構と、クリーンエアーの温度および湿度をコン
トロールする温度湿度コントロール機構とを備えている
ことを特徴とする処理装置を提供する。
【００１３】第５に、上記いずれかの処理装置におい
て、前記温度湿度コントロール部は、上下に開口部を有
する筒状の筐体と、クリーンエアーの垂直層流を前記筐
体の上部開口部から強制的に導入するための導入手段
と、クリーンエアーの風量を変化させることが可能な風
量可変機構と、風量可変機構により風量が調節されたク
リーンエアーの温度および湿度をコントロールする温度
湿度コントロール機構とを備えていることを特徴とする
処理装置を提供する。
て、前記温度湿度コントロール部は、上下に開口部を有
する筒状の筐体と、クリーンエアーの垂直層流を前記筐
体の上部開口部から強制的に導入するための導入手段
と、クリーンエアーの風量を変化させることが可能な風
量可変機構と、風量可変機構により風量が調節されたク
リーンエアーの温度および湿度をコントロールする温度
湿度コントロール機構とを備えていることを特徴とする
処理装置を提供する。
【００１４】第６に、上記第４または第５の処理装置に
おいて、前記温度湿度コントロール機構は、クリーンエ
アーを冷却する第１の熱交換器と、冷却されたクリーン
エアーに加湿された気体を供給する加湿器と、加湿器を
制御してクリーンエアーの湿度をコントロールする湿度
コントローラと、加湿されたクリーンエアーの熱交換を
行う第２の熱交換器と、第２の熱交換器を制御してクリ
ーンエアーの温度をコントロールする温度コントローラ
とを有することを特徴とする処理装置を提供する。
おいて、前記温度湿度コントロール機構は、クリーンエ
アーを冷却する第１の熱交換器と、冷却されたクリーン
エアーに加湿された気体を供給する加湿器と、加湿器を
制御してクリーンエアーの湿度をコントロールする湿度
コントローラと、加湿されたクリーンエアーの熱交換を
行う第２の熱交換器と、第２の熱交換器を制御してクリ
ーンエアーの温度をコントロールする温度コントローラ
とを有することを特徴とする処理装置を提供する。
【００１５】第７に、上記第４から第６のいずれかの処
理装置において、前記温度湿度コントロール部は、温度
湿度コントロール機構で温度および湿度がコントロール
されたクリーンエアーをフィルタリングするフィルター
を更に有することを特徴とする処理装置を提供する。
理装置において、前記温度湿度コントロール部は、温度
湿度コントロール機構で温度および湿度がコントロール
されたクリーンエアーをフィルタリングするフィルター
を更に有することを特徴とする処理装置を提供する。
【００１６】第８に、上記いずれかの処理装置におい
て、前記温度コントロール部は、前記クリーンエアーの
静電気を除去するイオナイザーを更に有することを特徴
とする処理装置を提供する。
て、前記温度コントロール部は、前記クリーンエアーの
静電気を除去するイオナイザーを更に有することを特徴
とする処理装置を提供する。
【００１７】
【００１８】
【００１９】本発明によれば、搬送路と、搬送路に沿っ
て設けられ、それぞれ被処理体に対して所定の処理を施
す複数の処理ユニットと、搬送路を被処理体を載置した
状態で保持しつつ移動し、各処理ユニットへの被処理体
の搬入出を行う搬送手段とを有する処理部を有する処理
装置に、クリーンエアーの垂直層流を導入してその温度
および湿度をコントロールし、その温度および湿度がコ
ントロールされたクリーンエアーを前記処理部に供給す
る温度湿度コントロール部を設けることにより、処理部
における雰囲気変動が防止され、複数の処理ユニットに
おける一連の処理を安定して行うことができる。
て設けられ、それぞれ被処理体に対して所定の処理を施
す複数の処理ユニットと、搬送路を被処理体を載置した
状態で保持しつつ移動し、各処理ユニットへの被処理体
の搬入出を行う搬送手段とを有する処理部を有する処理
装置に、クリーンエアーの垂直層流を導入してその温度
および湿度をコントロールし、その温度および湿度がコ
ントロールされたクリーンエアーを前記処理部に供給す
る温度湿度コントロール部を設けることにより、処理部
における雰囲気変動が防止され、複数の処理ユニットに
おける一連の処理を安定して行うことができる。
【００２０】特に、この処理装置をクリーンルーム内に
配置し、クリーンルーム内におけるクリーンエアーの垂
直層流を温度湿度コントロール部に導入することにより
一層安定した処理を行うことができる。
配置し、クリーンルーム内におけるクリーンエアーの垂
直層流を温度湿度コントロール部に導入することにより
一層安定した処理を行うことができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明装置を半導体製造工
程における半導体ウエハのレジスト塗布に適用した一実
施形態につき、図面を参照して説明する。
程における半導体ウエハのレジスト塗布に適用した一実
施形態につき、図面を参照して説明する。
【００２２】図１は、この実施形態に係る塗布装置の設
置状態を説明するための図である。第１図中、参照符号
１０はクリーンルームであり、このクリーンルーム１０
内に塗布装置２０が設置されている。クリーンルーム１
０は、その天井に沿って設けられたエアー通路１２を有
しており、ブロアー（図示せず）からのエアーが通路１
２に供給されるようになっている。通路１２の直下には
フィルター１３が設けられており、通路１２に供給され
たエアーがこのフィルター１３を通過してクリーンルー
ム１０の本体１１内の全面に亘って導入され、垂直層流
１５となる。
置状態を説明するための図である。第１図中、参照符号
１０はクリーンルームであり、このクリーンルーム１０
内に塗布装置２０が設置されている。クリーンルーム１
０は、その天井に沿って設けられたエアー通路１２を有
しており、ブロアー（図示せず）からのエアーが通路１
２に供給されるようになっている。通路１２の直下には
フィルター１３が設けられており、通路１２に供給され
たエアーがこのフィルター１３を通過してクリーンルー
ム１０の本体１１内の全面に亘って導入され、垂直層流
１５となる。
【００２３】塗布装置２０は、図２に示すように、被処
理体としての半導体ウエハにレジストを塗布する塗布部
３０と、ウエハに対して垂直に供給される垂直層流１５
の温度・湿度をコントロールする手段である温度／湿度
コントロール部５０とを備えている。
理体としての半導体ウエハにレジストを塗布する塗布部
３０と、ウエハに対して垂直に供給される垂直層流１５
の温度・湿度をコントロールする手段である温度／湿度
コントロール部５０とを備えている。
【００２４】塗布部３０は、真空吸着によってウエハ４
０を水平かつ回転可能に支持するためのスピンチャック
３１を備えている。スピンチャック３１はスピンモータ
３２の出力軸３３に連結されており、このモータ３２に
より例えば８０００ｒｐａまでの範囲の所定の回転速度
で回転される。なお、このようなモータ３２としては、
例えばＡＣサーボモータを用いることができる。
０を水平かつ回転可能に支持するためのスピンチャック
３１を備えている。スピンチャック３１はスピンモータ
３２の出力軸３３に連結されており、このモータ３２に
より例えば８０００ｒｐａまでの範囲の所定の回転速度
で回転される。なお、このようなモータ３２としては、
例えばＡＣサーボモータを用いることができる。
【００２５】スピンチャック３１上のウエハ４０の周囲
には、ウエハ４０を囲続するように、樹脂又はステンレ
ス鋼でつくられた略円筒状のカップ３４が設けられてい
る。このカップ３４の上部には、上述したクリーンルー
ム１０の垂直層流１５を入れる導入口３５が成形されて
いる。また、カップ３４の周壁上部は、その底壁となす
角度が鋭角となるように傾斜して設けられている。
には、ウエハ４０を囲続するように、樹脂又はステンレ
ス鋼でつくられた略円筒状のカップ３４が設けられてい
る。このカップ３４の上部には、上述したクリーンルー
ム１０の垂直層流１５を入れる導入口３５が成形されて
いる。また、カップ３４の周壁上部は、その底壁となす
角度が鋭角となるように傾斜して設けられている。
【００２６】カップ３４の底部には垂直層流を形成する
如く、上記カップ３４内の排気を行なうための排気装置
（図示せず）に接続された排気パイプ３６、及び使用後
のレジストをカップ３４から排出するためのドレインパ
イプ３７が設けられている。ドレインパイプ３７は、例
えば塩化ビニル製の立方形状をなすドレインボックス３
８に接続されており、このドレインボックス３８にドレ
インパイプ３７を通流してきた使用後のレジスト廃液が
収容される。
如く、上記カップ３４内の排気を行なうための排気装置
（図示せず）に接続された排気パイプ３６、及び使用後
のレジストをカップ３４から排出するためのドレインパ
イプ３７が設けられている。ドレインパイプ３７は、例
えば塩化ビニル製の立方形状をなすドレインボックス３
８に接続されており、このドレインボックス３８にドレ
インパイプ３７を通流してきた使用後のレジスト廃液が
収容される。
【００２７】スピンチャック３１に支持されたウエハ４
０の上方には、ウエハ４０のほぼ中心にレジスト液を滴
下させるためのレジスト滴下ノズル３９が設けられてい
る。このレジストノズル３９は、レジスト液を収容した
レジスト容器（図示せず）に至るパイプ（図示せず）に
連結されており、このパイプの途中に設けられたベロー
ズポンプ（図示せず）を作動させることにより、パイプ
を介してノズル３９にレジスト液が供給される。ノズル
３９は、例えば四フッ化エチレン樹脂、又はステンレス
鋼でつくられている。
０の上方には、ウエハ４０のほぼ中心にレジスト液を滴
下させるためのレジスト滴下ノズル３９が設けられてい
る。このレジストノズル３９は、レジスト液を収容した
レジスト容器（図示せず）に至るパイプ（図示せず）に
連結されており、このパイプの途中に設けられたベロー
ズポンプ（図示せず）を作動させることにより、パイプ
を介してノズル３９にレジスト液が供給される。ノズル
３９は、例えば四フッ化エチレン樹脂、又はステンレス
鋼でつくられている。
【００２８】レジスト滴下ノズル３９には、ノズル３９
の一部分を囲むように、二重管構造の温度調節器４１が
設けられている。この温度調節器４１内には恒温槽（図
示せず）から所定温度に設定された恒温水がパイプ４
２、４３を通流して循環され、これによりレジスト滴下
ノズル３９を通流するレジスト液が一定温度に保持され
る。
の一部分を囲むように、二重管構造の温度調節器４１が
設けられている。この温度調節器４１内には恒温槽（図
示せず）から所定温度に設定された恒温水がパイプ４
２、４３を通流して循環され、これによりレジスト滴下
ノズル３９を通流するレジスト液が一定温度に保持され
る。
【００２９】温度／湿度コントロール部５０は、図３に
示すようにカップ３４の導入口３５の直上に設けられて
いる。この温度／湿度コントロール部５０は、上下に夫
々開口部５２及び５３を有する垂直層流１５を取込み、
取込んだ垂直層流１５の温度及び湿度をコントロールし
て開口部５３から排出するようになっている。
示すようにカップ３４の導入口３５の直上に設けられて
いる。この温度／湿度コントロール部５０は、上下に夫
々開口部５２及び５３を有する垂直層流１５を取込み、
取込んだ垂直層流１５の温度及び湿度をコントロールし
て開口部５３から排出するようになっている。
【００３０】ハウジング５１内の開口部５２近傍には、
２つのファン５４が設けられており、これによりハウジ
ング５１内に垂直層流１５を強制的に導入することがで
きる。ファン５４の下には風量調節用のダンパー（風量
可変機構）５５が設けられ、更にその下に層流１５内の
塵の静電気を解消して層流１５の清浄度を向上させるイ
オナイザー５６が設けられている。
２つのファン５４が設けられており、これによりハウジ
ング５１内に垂直層流１５を強制的に導入することがで
きる。ファン５４の下には風量調節用のダンパー（風量
可変機構）５５が設けられ、更にその下に層流１５内の
塵の静電気を解消して層流１５の清浄度を向上させるイ
オナイザー５６が設けられている。
【００３１】イオナイザー５６の下には、冷却水通流パ
イプ５８とフイン５９とを備えた第１の熱交換器５７が
設けられており、この熱交換器５７によりハウジング５
１内に取込まれた垂直層流１５を冷却してその中の水分
を結露させ、その湿度を低下させる、この第１の熱交換
器５７のパイプ５８は、冷却用の水を貯留する第１の貯
留槽６０に連結されており、またパイプ５８にはポンプ
６１が接続されていて、ポンプ６１を作動させることに
より貯留槽６０の水がパイプ５８内を循環する。第１の
貯留槽６０には冷却水を加熱・冷却可能の第１の温度調
節装置６２が接続されており、この第１の温度調節装置
６２によりパイプ５８を循環する冷却水の温度を所定値
に設定する。
イプ５８とフイン５９とを備えた第１の熱交換器５７が
設けられており、この熱交換器５７によりハウジング５
１内に取込まれた垂直層流１５を冷却してその中の水分
を結露させ、その湿度を低下させる、この第１の熱交換
器５７のパイプ５８は、冷却用の水を貯留する第１の貯
留槽６０に連結されており、またパイプ５８にはポンプ
６１が接続されていて、ポンプ６１を作動させることに
より貯留槽６０の水がパイプ５８内を循環する。第１の
貯留槽６０には冷却水を加熱・冷却可能の第１の温度調
節装置６２が接続されており、この第１の温度調節装置
６２によりパイプ５８を循環する冷却水の温度を所定値
に設定する。
【００３２】第１の熱交換器５７の下には、複数の孔６
４が設けられた加湿管６３が設けられている。加湿管６
３は、ハウジング５１外に設けられた加湿器６５に連結
されている。加湿器６５は、例えばフォトレジストの溶
媒等の蒸気を超音波等により発生させるもので、この蒸
気が加湿管６３を通って孔６４からハウジング５１内に
供給される。
４が設けられた加湿管６３が設けられている。加湿管６
３は、ハウジング５１外に設けられた加湿器６５に連結
されている。加湿器６５は、例えばフォトレジストの溶
媒等の蒸気を超音波等により発生させるもので、この蒸
気が加湿管６３を通って孔６４からハウジング５１内に
供給される。
【００３３】加湿器６５には、コントローラ６６が接続
されており、コントローラ６６にはケーブル６８を介し
て後述する第２の熱交換器６９の下方に設けられた湿度
センサ６７が接続されている。従って、湿度センサ６７
が検出された湿度に応じた信号がコントローラ６６に出
力され、コントローラ６６はその信号に基づいて加湿器
６５にコントロール信号を出力して、ハウジング５１か
ら塗布部３０に供給される垂直層流１５の湿度が所望の
値になるようにフィードバック制御を行なう。
されており、コントローラ６６にはケーブル６８を介し
て後述する第２の熱交換器６９の下方に設けられた湿度
センサ６７が接続されている。従って、湿度センサ６７
が検出された湿度に応じた信号がコントローラ６６に出
力され、コントローラ６６はその信号に基づいて加湿器
６５にコントロール信号を出力して、ハウジング５１か
ら塗布部３０に供給される垂直層流１５の湿度が所望の
値になるようにフィードバック制御を行なう。
【００３４】加湿管６３の下方には、温度調節水通流パ
イプ７０とフイン７１とを備えた第２の熱交換器６９が
設けられており、これによりハウジング５１から塗布装
置３０に供給される垂直層流１５の温度を所定温度に設
定する。この第２の熱交換器６９のパイプ７０は、温度
調節用の水を貯留する第２の貯留槽７２に連結されてお
り、またパイプ７０にはポンプ７３が接続されていて、
ポンプ７３を作動させることにより貯留槽７２には温度
調節水を加熱・冷却可能の第２の温度調節装置７４が接
続されており、この温度調節装置７４にはコントローラ
７５が接続されている。コントローラ７５にはケーブル
７７を介して第２の熱交換器６９の下方に設けられた温
度センサ７６が接続されている。従って、温度センサ７
６が検出した温度に応じた信号がコントローラ７５に出
力され、コントローラ７５はその信号に基づいて第２の
温度調節装置７４にコントロール信号を出力してパイプ
７０を循環する水の温度を調節し、ハウジング５１から
塗布装置３０に供給される垂直層流１５の温度が所望の
値になるようにフィードバック制御を行なう。
イプ７０とフイン７１とを備えた第２の熱交換器６９が
設けられており、これによりハウジング５１から塗布装
置３０に供給される垂直層流１５の温度を所定温度に設
定する。この第２の熱交換器６９のパイプ７０は、温度
調節用の水を貯留する第２の貯留槽７２に連結されてお
り、またパイプ７０にはポンプ７３が接続されていて、
ポンプ７３を作動させることにより貯留槽７２には温度
調節水を加熱・冷却可能の第２の温度調節装置７４が接
続されており、この温度調節装置７４にはコントローラ
７５が接続されている。コントローラ７５にはケーブル
７７を介して第２の熱交換器６９の下方に設けられた温
度センサ７６が接続されている。従って、温度センサ７
６が検出した温度に応じた信号がコントローラ７５に出
力され、コントローラ７５はその信号に基づいて第２の
温度調節装置７４にコントロール信号を出力してパイプ
７０を循環する水の温度を調節し、ハウジング５１から
塗布装置３０に供給される垂直層流１５の温度が所望の
値になるようにフィードバック制御を行なう。
【００３５】湿度センサ６７及び温度センサ７６の下の
ハウジング５１の出口である開口部５３近傍には、フィ
ルタ７８が設けられており、垂直層流１５がこのフィル
タ７８を通過することにより、垂直層流１５のクリーン
度が更に向上する。なお、フィルタ７８としては、例え
ばＨＥＰＡフィルタを用いることができる。なお、この
塗布装置２０は、図示しない制御部で動作設定及び制御
が行なわれる。
ハウジング５１の出口である開口部５３近傍には、フィ
ルタ７８が設けられており、垂直層流１５がこのフィル
タ７８を通過することにより、垂直層流１５のクリーン
度が更に向上する。なお、フィルタ７８としては、例え
ばＨＥＰＡフィルタを用いることができる。なお、この
塗布装置２０は、図示しない制御部で動作設定及び制御
が行なわれる。
【００３６】次に、上述のように構成された塗布装置２
０におけるレジスト塗布動作について説明する。
０におけるレジスト塗布動作について説明する。
【００３７】被処理体としての半導体ウエハ４０を例え
ばベルト搬送を行なう搬送機構（図示せず）によりスピ
ンチャック３１上方に搬送し、ウエハ４０の中心とスピ
ンチャック３１の中心とを合せて、ウエハ４０をスピン
チャック３１上に載置する。この場合に、ウエハ４０の
外周にフィットする外形を有する２つの挟持部材（図示
せず）でウエハを挟持し、スピンチャック３１の中心に
ウエハ４０の中心を合せることができる。スピンチャッ
ク３１上に載置されたウエハ４０は、真空機構（図示せ
ず）によりチャック３１に真空吸着される。
ばベルト搬送を行なう搬送機構（図示せず）によりスピ
ンチャック３１上方に搬送し、ウエハ４０の中心とスピ
ンチャック３１の中心とを合せて、ウエハ４０をスピン
チャック３１上に載置する。この場合に、ウエハ４０の
外周にフィットする外形を有する２つの挟持部材（図示
せず）でウエハを挟持し、スピンチャック３１の中心に
ウエハ４０の中心を合せることができる。スピンチャッ
ク３１上に載置されたウエハ４０は、真空機構（図示せ
ず）によりチャック３１に真空吸着される。
【００３８】なお、このようにウエハ４０がチャック３
１上に搬送される際には、カップ３４はウエハ４０の搬
送の妨げとならないように、昇降装置（図示せず）によ
り下方に退避しており、ウエハ４０がチャック３１上に
保持された後に図１の位置まで上昇する。
１上に搬送される際には、カップ３４はウエハ４０の搬
送の妨げとならないように、昇降装置（図示せず）によ
り下方に退避しており、ウエハ４０がチャック３１上に
保持された後に図１の位置まで上昇する。
【００３９】次いで、チャック３１上に保持されたウエ
ハ４０の中心部に、レジスト滴下ノズル３９からレジス
トを滴下する。このレジストは、前述したように図示し
ないレジスト容器からパイプを通って先ず温度調節器４
１に供給される。そして、温度調節器４１に恒温槽から
所定温度に設定された恒温水をパイプ４２、４３を通っ
て循環させることにより、レジスト滴下ノズル３９を通
流してウエハ４０上に滴下されるレジストを例えば２４
℃の一定温度に調節する。この場合、１回に温度調節可
能なレジスト量は、１つのウエハのレジスト量を例えば
３ｃｃとすると、例えばその３倍程度の１０ｃｃであ
る。
ハ４０の中心部に、レジスト滴下ノズル３９からレジス
トを滴下する。このレジストは、前述したように図示し
ないレジスト容器からパイプを通って先ず温度調節器４
１に供給される。そして、温度調節器４１に恒温槽から
所定温度に設定された恒温水をパイプ４２、４３を通っ
て循環させることにより、レジスト滴下ノズル３９を通
流してウエハ４０上に滴下されるレジストを例えば２４
℃の一定温度に調節する。この場合、１回に温度調節可
能なレジスト量は、１つのウエハのレジスト量を例えば
３ｃｃとすると、例えばその３倍程度の１０ｃｃであ
る。
【００４０】なお、温度調節器４１内のレジストの通路
を蛇管状又は螺旋状にすることにより、一度に温度調節
できるレジスト量を増加させて温度調節を高効率で行な
うことができる。
を蛇管状又は螺旋状にすることにより、一度に温度調節
できるレジスト量を増加させて温度調節を高効率で行な
うことができる。
【００４１】このように温度調節されたレジストをノズ
ル３９からウエハ４０の表面に、例えば３ｃｃ滴下し、
モータ３２によりウエハ４０を例えば５００００ｒｐｍ
／ｓｅｃで加速させ、回転数例えば４０００ｒｐｍで高
速回転させて、滴下されたレジストを拡散させる。その
後、ウエハ４０を更に回転させ、拡散されたレジストを
乾燥させる。このような塗布処理の間、カップ３４内
は、予め設定されたプログラムに従って、図示しない排
気装置により排気パイプ３６を介して排気される。
ル３９からウエハ４０の表面に、例えば３ｃｃ滴下し、
モータ３２によりウエハ４０を例えば５００００ｒｐｍ
／ｓｅｃで加速させ、回転数例えば４０００ｒｐｍで高
速回転させて、滴下されたレジストを拡散させる。その
後、ウエハ４０を更に回転させ、拡散されたレジストを
乾燥させる。このような塗布処理の間、カップ３４内
は、予め設定されたプログラムに従って、図示しない排
気装置により排気パイプ３６を介して排気される。
【００４２】ウエハ４０の回転により飛散したレジスト
は、カップ３４の周壁上部の傾斜部の内側部分に付着
し、ウエハ４０の外側に落下する。すなわち、カップ３
４周壁の傾斜部により、飛散したレジストは、ドレイン
パイプを通ってドレインボックス３８に収容される。
は、カップ３４の周壁上部の傾斜部の内側部分に付着
し、ウエハ４０の外側に落下する。すなわち、カップ３
４周壁の傾斜部により、飛散したレジストは、ドレイン
パイプを通ってドレインボックス３８に収容される。
【００４３】このようなレジスト塗布処理中、カップ３
４内は上述のように、排気装置により排気されるので、
温度／湿度コントロール装置５０で温度・湿度がコント
ロールされた垂直層流１５が常にカップ３４内に供給さ
れる。すなわち、ハウジング５１の上部開口部５２から
ファン５４によりクリーンルーム１０の垂直層流１５を
ハウジング５１内に強制的に取込み、これをダンパー５
５及びイオナイザー５４を介して第１の熱交換器５７に
供給して除湿する。その後、前述したように、湿度セン
サ６７及び温度センサ７６が検出した値に基づいて、コ
ントローラ６６、７５を動作させることにより、加湿器
６５からの蒸気量及び湿度がコントロールされる。この
ように温度及び湿度が所望の値にコントロールされた垂
直層流１５は、フィルター７８を通過してカップ３４内
に供給される。
４内は上述のように、排気装置により排気されるので、
温度／湿度コントロール装置５０で温度・湿度がコント
ロールされた垂直層流１５が常にカップ３４内に供給さ
れる。すなわち、ハウジング５１の上部開口部５２から
ファン５４によりクリーンルーム１０の垂直層流１５を
ハウジング５１内に強制的に取込み、これをダンパー５
５及びイオナイザー５４を介して第１の熱交換器５７に
供給して除湿する。その後、前述したように、湿度セン
サ６７及び温度センサ７６が検出した値に基づいて、コ
ントローラ６６、７５を動作させることにより、加湿器
６５からの蒸気量及び湿度がコントロールされる。この
ように温度及び湿度が所望の値にコントロールされた垂
直層流１５は、フィルター７８を通過してカップ３４内
に供給される。
【００４４】従って、カップ３４内は常に所望の雰囲気
が維持されることとなり、レジスト塗布の際にウエハ４
０周囲の温度及び湿度変化によって生じる不都合が解消
される。すなわち、ウエハ４０に塗布されるレジスト膜
の厚みを所望の値にすることができ、しかも、レジスト
膜厚の均一性が向上する。このため、歩留り及び生産性
を著しく向上させることができる。また、クリーンルー
ム内の温度及び湿度をコントロールすることにより、そ
の影響を回避することができる。
が維持されることとなり、レジスト塗布の際にウエハ４
０周囲の温度及び湿度変化によって生じる不都合が解消
される。すなわち、ウエハ４０に塗布されるレジスト膜
の厚みを所望の値にすることができ、しかも、レジスト
膜厚の均一性が向上する。このため、歩留り及び生産性
を著しく向上させることができる。また、クリーンルー
ム内の温度及び湿度をコントロールすることにより、そ
の影響を回避することができる。
【００４５】更に、イオナイザー５６及びフィルタ７８
により清浄化された層流１５がカップ３４内に供給され
るので、カップ３４を極めてクリーンな状態に保つこと
ができ、半導体ウエハ４０の塵等による汚染を防止する
ことができ、歩留り及び生産性を一層向上させることが
できる。
により清浄化された層流１５がカップ３４内に供給され
るので、カップ３４を極めてクリーンな状態に保つこと
ができ、半導体ウエハ４０の塵等による汚染を防止する
ことができ、歩留り及び生産性を一層向上させることが
できる。
【００４６】更に、上記実施例においては、ファン５４
により強制的に垂直層流１５を取入れるので、カップ３
４からの排気量と、カップ３４内に供給される垂直層流
１５の流量とをバランスさせることができる。従って、
カップ３４内での気流の乱れを防止することができ、飛
散したレジストがウエハ４０に付着するおそれを極めて
少なくすることができる。排気パイプ３６にバタフライ
状のダンパを設置し、このダンパを回転させて排気パイ
プ３６の排気面積を変化させ、排気量を制御することも
できる。この場合には、カップ３４内の気流の乱れを一
層小さくすることができる。ダンパの回転は、ロータリ
シリンダ等のロータリアクチュエータで行なうことがで
きる。ダンパは目的に応じて、排気の可否を自動的に選
択するオートダンパ、排気変動による影響を防止するた
めのリニアダンパ、排気量を多段階に変更可能なシーケ
ンシャルダンパ等を用いることができ、これらを組合わ
せて使用することもできる。
により強制的に垂直層流１５を取入れるので、カップ３
４からの排気量と、カップ３４内に供給される垂直層流
１５の流量とをバランスさせることができる。従って、
カップ３４内での気流の乱れを防止することができ、飛
散したレジストがウエハ４０に付着するおそれを極めて
少なくすることができる。排気パイプ３６にバタフライ
状のダンパを設置し、このダンパを回転させて排気パイ
プ３６の排気面積を変化させ、排気量を制御することも
できる。この場合には、カップ３４内の気流の乱れを一
層小さくすることができる。ダンパの回転は、ロータリ
シリンダ等のロータリアクチュエータで行なうことがで
きる。ダンパは目的に応じて、排気の可否を自動的に選
択するオートダンパ、排気変動による影響を防止するた
めのリニアダンパ、排気量を多段階に変更可能なシーケ
ンシャルダンパ等を用いることができ、これらを組合わ
せて使用することもできる。
【００４７】このようにしてウエハ４０に対するレジス
ト塗布動作が終了した前、前述の図示しない搬送機構に
よりウエハ４０を塗布装置３０から装置外へ搬送し、一
連の処理が終了する。
ト塗布動作が終了した前、前述の図示しない搬送機構に
よりウエハ４０を塗布装置３０から装置外へ搬送し、一
連の処理が終了する。
【００４８】次に、この発明を図４に示す処理部１００
を有する塗布装置に適用した実施例について説明する。
この塗布装置は半導体ウエハの搬送から一連の塗布に関
する処理を全て行なうことができる装置であり、基台１
０１と、夫々基台１０１に設けられた予備加熱機構１０
３、冷却機構１０４、第１の加熱機構１０５、第２の加
熱機構１０６、第１の塗布機構１０７、及び第２の塗布
機構１０８とを備えている。また、基台１０１の中央部
には、矢印Ｙ方向（横方向）に延長する通路１０２が設
けられており、その一方の側に予備加熱機構１０３、冷
却機構１０４、第１の加熱機構１０５、及び第２の加熱
機構１０６が設けられており、他方の側に第１の塗布機
構１０７、及び第２の塗布機構１０８が設けられてい
る。なお、図４では予備加熱機構１３と冷却機構１０４
とが並列に記載されているが、実際には冷却機構１０４
は予備加熱機構１０３の下に設けられている。
を有する塗布装置に適用した実施例について説明する。
この塗布装置は半導体ウエハの搬送から一連の塗布に関
する処理を全て行なうことができる装置であり、基台１
０１と、夫々基台１０１に設けられた予備加熱機構１０
３、冷却機構１０４、第１の加熱機構１０５、第２の加
熱機構１０６、第１の塗布機構１０７、及び第２の塗布
機構１０８とを備えている。また、基台１０１の中央部
には、矢印Ｙ方向（横方向）に延長する通路１０２が設
けられており、その一方の側に予備加熱機構１０３、冷
却機構１０４、第１の加熱機構１０５、及び第２の加熱
機構１０６が設けられており、他方の側に第１の塗布機
構１０７、及び第２の塗布機構１０８が設けられてい
る。なお、図４では予備加熱機構１３と冷却機構１０４
とが並列に記載されているが、実際には冷却機構１０４
は予備加熱機構１０３の下に設けられている。
【００４９】通路１０２には、その中を移動するウエハ
搬送装置１１０が設けられている。この搬送装置１１０
は、本体１１１及び２つのウエハ吸着保持用ピンセット
１１２、１１３を有している。本体１１１は通路１０２
をＹ方向に移動可能であり、ピンセット１１２、１１３
は、Ｙ方向（横方向）、Ｘ方向（縦方向）、Ｚ方向（垂
直方向）、及びθ方向（回転移動）に、夫々独立して移
動することが可能となっている。そして、これらピンセ
ット１１２、１１３により前記各処理機構（１０３〜１
０８）のうち任意の機構に対するウエハＷの搬出・搬
入、及び後述するウエハ搬出・搬入機構からのウエハＷ
の授受を行なう。
搬送装置１１０が設けられている。この搬送装置１１０
は、本体１１１及び２つのウエハ吸着保持用ピンセット
１１２、１１３を有している。本体１１１は通路１０２
をＹ方向に移動可能であり、ピンセット１１２、１１３
は、Ｙ方向（横方向）、Ｘ方向（縦方向）、Ｚ方向（垂
直方向）、及びθ方向（回転移動）に、夫々独立して移
動することが可能となっている。そして、これらピンセ
ット１１２、１１３により前記各処理機構（１０３〜１
０８）のうち任意の機構に対するウエハＷの搬出・搬
入、及び後述するウエハ搬出・搬入機構からのウエハＷ
の授受を行なう。
【００５０】基台１０１の側方には、ウエハ搬出搬入機
構１２０が設けられている。この搬出搬入機構１２０に
は、処理前のウエハＷBを収容したウエハカセット１２
２、及び処理後のウエハＷFを収容するウエハカセット
１２３が設けられている。また、搬出搬入機構１２０は
ウエハＷを吸着し、Ｘ、Ｙ方向に移動が可能なピンセッ
ト１２１を備えており、このピンセット１２１により処
理前のウエハをカセット１２２から取出し、また処理済
みのウエハを搬送装置１１０のピンセットから受取る。
通路１０２と搬出搬入機構１２０とのインターフェイス
において、搬送装置１１０のピンセット１１２、１１３
とピンセット１２１との間でウエハＷの受渡しができる
ようになっている。
構１２０が設けられている。この搬出搬入機構１２０に
は、処理前のウエハＷBを収容したウエハカセット１２
２、及び処理後のウエハＷFを収容するウエハカセット
１２３が設けられている。また、搬出搬入機構１２０は
ウエハＷを吸着し、Ｘ、Ｙ方向に移動が可能なピンセッ
ト１２１を備えており、このピンセット１２１により処
理前のウエハをカセット１２２から取出し、また処理済
みのウエハを搬送装置１１０のピンセットから受取る。
通路１０２と搬出搬入機構１２０とのインターフェイス
において、搬送装置１１０のピンセット１１２、１１３
とピンセット１２１との間でウエハＷの受渡しができる
ようになっている。
【００５１】第１及び第２の塗布機構１０７、１０８
は、前述の塗布装置３０と同様の構造を有しており、ウ
エハＷに例えばレジストを実際に塗布するものである。
は、前述の塗布装置３０と同様の構造を有しており、ウ
エハＷに例えばレジストを実際に塗布するものである。
【００５２】このような処理部１００を垂直層流の存在
下、例えばダウンフローを有するクリーンルーム内に設
置し、この装置の上方に前述した温度／湿度コントロー
ル部５０と同様の構成を有する温度／湿度コントロール
部を設置する。この場合に、温度及び湿度がコントロー
ルされた垂直層流は、必ずしも処理部１００の全面に供
給される必要はない。
下、例えばダウンフローを有するクリーンルーム内に設
置し、この装置の上方に前述した温度／湿度コントロー
ル部５０と同様の構成を有する温度／湿度コントロール
部を設置する。この場合に、温度及び湿度がコントロー
ルされた垂直層流は、必ずしも処理部１００の全面に供
給される必要はない。
【００５３】このような塗布装置によれば、予備加熱−
冷却−プリベークーレジスト等の塗布処理−ポストベー
クといった、一連の塗布動作を行なうことができ、しか
も、工程の順序等を任意に設定することができる。ま
た、２つのピンセット１１２、１１３を独立に動作させ
ることができ、しかも熱処理機構及び塗布機構が夫々２
つ設けられているので、複数のウエハを同時に処理する
ことができ、極めて迅速な塗布処理を行なうことができ
る。
冷却−プリベークーレジスト等の塗布処理−ポストベー
クといった、一連の塗布動作を行なうことができ、しか
も、工程の順序等を任意に設定することができる。ま
た、２つのピンセット１１２、１１３を独立に動作させ
ることができ、しかも熱処理機構及び塗布機構が夫々２
つ設けられているので、複数のウエハを同時に処理する
ことができ、極めて迅速な塗布処理を行なうことができ
る。
【００５４】以上説明したように、これらの実施形態に
よれば、塗布部２０または処理部１００にセットされた
ウエハ等の被処理体に、温度／湿度コントロール装置に
より温度及び湿度がコントロールされた垂直層流が常に
供給されるので、被処理体雰囲気の温度及び湿度が変動
することによる塗布処理への悪影響を防止することがで
き、しかも被処理体の清浄度を著しく向上させることが
できる。
よれば、塗布部２０または処理部１００にセットされた
ウエハ等の被処理体に、温度／湿度コントロール装置に
より温度及び湿度がコントロールされた垂直層流が常に
供給されるので、被処理体雰囲気の温度及び湿度が変動
することによる塗布処理への悪影響を防止することがで
き、しかも被処理体の清浄度を著しく向上させることが
できる。
【００５５】なお、この発明は上記実施例に限定される
ことなく、種々変形することが可能である。例えば、温
度／湿度コントロール部において、熱交換器及び湿度を
コントロールしたが、これに限らず温度・湿度をコント
ロールできるものであればどのようにものであってもよ
い。例えば、熱交換はベルチェ素子等を用いることもで
き、加湿はバブリング等により行なってもよい。
ことなく、種々変形することが可能である。例えば、温
度／湿度コントロール部において、熱交換器及び湿度を
コントロールしたが、これに限らず温度・湿度をコント
ロールできるものであればどのようにものであってもよ
い。例えば、熱交換はベルチェ素子等を用いることもで
き、加湿はバブリング等により行なってもよい。
【００５６】また、上記実施形態における塗布装置は、
半導体ウエハのレジスト塗布を行なうものであるが、こ
れに限らずウエハ表面のパターン露光されたレジスト膜
を現像する場合の塗布処理に適用することもできる。前
述の処理部１００において、第２の塗布機構１０８を基
本的に塗布装置３０と同様の機構を有する現像機構に適
用し、通路１０２の右端において露光装置との間でウエ
ハの授受をできるようにすることにより、レジスト塗布
から現像までの一連の動作が可能な塗布装置を得ること
ができ、この発明はこのような装置にも適用することが
できる。
半導体ウエハのレジスト塗布を行なうものであるが、こ
れに限らずウエハ表面のパターン露光されたレジスト膜
を現像する場合の塗布処理に適用することもできる。前
述の処理部１００において、第２の塗布機構１０８を基
本的に塗布装置３０と同様の機構を有する現像機構に適
用し、通路１０２の右端において露光装置との間でウエ
ハの授受をできるようにすることにより、レジスト塗布
から現像までの一連の動作が可能な塗布装置を得ること
ができ、この発明はこのような装置にも適用することが
できる。
【００５７】さらに、このような塗布処理に限らず、雰
囲気制御が問題になる処理であれば本発明を適用するこ
とができる。さらにまた、被処理体としてウエハを用い
た場合について示したが、これに限らずマスク等であっ
てもよい。
囲気制御が問題になる処理であれば本発明を適用するこ
とができる。さらにまた、被処理体としてウエハを用い
た場合について示したが、これに限らずマスク等であっ
てもよい。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
搬送路と、搬送路に沿って設けられ、それぞれ被処理体
に対して所定の処理を施す複数の処理ユニットと、被処
理体を保持しつつ搬送路を移動し、各処理ユニットへの
被処理体の搬入出を行う搬送手段とを有する処理部を有
する処理装置に、クリーンエアーの垂直層流を導入して
その温度および湿度をコントロールし、その温度および
湿度がコントロールされたクリーンエアーを前記処理部
に供給する温度湿度コントロール部を設けることによ
り、処理部における雰囲気変動が防止され、複数の処理
ユニットにおける一連の処理を安定して行うことができ
る。
搬送路と、搬送路に沿って設けられ、それぞれ被処理体
に対して所定の処理を施す複数の処理ユニットと、被処
理体を保持しつつ搬送路を移動し、各処理ユニットへの
被処理体の搬入出を行う搬送手段とを有する処理部を有
する処理装置に、クリーンエアーの垂直層流を導入して
その温度および湿度をコントロールし、その温度および
湿度がコントロールされたクリーンエアーを前記処理部
に供給する温度湿度コントロール部を設けることによ
り、処理部における雰囲気変動が防止され、複数の処理
ユニットにおける一連の処理を安定して行うことができ
る。
【００５９】特に、この処理装置をクリーンルーム内に
配置し、クリーンルーム内におけるクリーンエアーの垂
直層流を温度湿度コントロール部に導入することにより
一層安定した処理を行うことができる。
配置し、クリーンルーム内におけるクリーンエアーの垂
直層流を温度湿度コントロール部に導入することにより
一層安定した処理を行うことができる。
【図１】本発明装置の一実施例を説明するための塗布設
備の構成図。
備の構成図。
【図２】図１の塗布装置の説明図。
【図３】図２の温湿度コントロール装置の説明図。
【図４】本発明装置の他の実施例を説明するための塗布
装置の構成図。
装置の構成図。
【図５】従来の塗布装置の説明図。
１５…垂直層流 ３０…塗布部 ４０…ウエハ ５０…温度／湿度コントロール部 ５７…第１の熱交換器 ６５…加湿器 ６９…第２の熱交換器 １００…処理部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ａ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 B05C 9/08 B05C 11/08 G03F 7/16 G03F 7/30 H01L 21/68
Claims (8)
- 【請求項１】 被処理体に一連の処理を施す処理部と、
この処理部の上方に設けられ、クリーンエアーの垂直層
流を導入してその温度および湿度をコントロールし、そ
の温度および湿度がコントロールされたクリーンエアー
を前記処理部に供給する温度湿度コントロール部とを具
備し、 前記処理部は、搬送路と、搬送路に沿って設けられ、そ
れぞれ被処理体に対して所定の処理を施す複数の処理ユ
ニットと、被処理体を保持しつつ搬送路を移動し、各処
理ユニットへの被処理体の搬入出を行う搬送手段とを有
することを特徴とする処理装置。 - 【請求項２】 前記搬送手段は、被処理体を水平方向お
よび垂直方向に移動自在、かつ回転自在に構成されるこ
とを特徴とする請求項１に記載の処理装置。 - 【請求項３】 前記処理装置はクリーンルーム内に配置
され、前記温度湿度コントロール部はクリーンルーム内
におけるクリーンエアーの垂直層流を導入することを特
徴とする請求項１又は請求項２に記載の処理装置。 - 【請求項４】 前記温度湿度コントロール部は、上下に
開口部を有する筒状の筐体と、クリーンエアーの垂直層
流を前記筐体の上部開口部から強制的に導入するための
導入手段と、クリーンエアーの風量を変化させることが
可能な風量可変機構と、クリーンエアーの温度および湿
度をコントロールする温度湿度コントロール機構とを備
えていることを特徴とする請求項１から請求項３のいず
れか１項に記載の処理装置。 - 【請求項５】 前記温度湿度コントロール部は、上下に
開口部を有する筒状の筐体と、クリーンエアーの垂直層
流を前記筐体の上部開口部から強制的に導入するための
導入手段と、クリーンエアーの風量を変化させることが
可能な風量可変機構と、風量可変機構により風量が調節
されたクリーンエアーの温度および湿度をコントロール
する温度湿度コントロール機構とを備えていることを特
徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の
処理装置。 - 【請求項６】 前記温度湿度コントロール機構は、クリ
ーンエアーを冷却する第１の熱交換器と、冷却されたク
リーンエアーに加湿された気体を供給する加湿器と、加
湿器を制御してクリーンエアーの湿度をコントロールす
る湿度コントローラと、加湿されたクリーンエアーの熱
交換を行う第２の熱交換器と、第２の熱交換器を制御し
てクリーンエアーの温度をコントロールする温度コント
ローラとを有することを特徴とする請求項４または請求
項５に記載の処理装置。 - 【請求項７】 前記温度湿度コントロール部は、温度湿
度コントロール機構で温度および湿度がコントロールさ
れたクリーンエアーをフィルタリングするフィルターを
更に有することを特徴とする請求項４から請求項６のい
ずれか１項に記載の処理装置。 - 【請求項８】 前記温度湿度コントロール部は、前記ク
リーンエアーの静電気を除去するイオナイザーを更に有
することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか
１項に記載の処理装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5568888 | 1988-03-09 | ||
| JP63-55688 | 1988-03-09 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5699589A Division JP2845400B2 (ja) | 1988-03-09 | 1989-03-09 | レジスト処理装置及び処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135427A JPH11135427A (ja) | 1999-05-21 |
| JP3112446B2 true JP3112446B2 (ja) | 2000-11-27 |
Family
ID=13005844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10237955A Expired - Lifetime JP3112446B2 (ja) | 1988-03-09 | 1998-08-11 | 処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3112446B2 (ja) |
| KR (1) | KR0129664B1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6261635B1 (en) * | 1999-08-27 | 2001-07-17 | Micron Technology, Inc. | Method for controlling air over a spinning microelectronic substrate |
| US6432204B1 (en) | 2000-05-17 | 2002-08-13 | Tokyo Electron Limited | Temperature and humidity controlled processing system |
| US7326437B2 (en) | 2003-12-29 | 2008-02-05 | Asml Holding N.V. | Method and system for coating polymer solution on a substrate in a solvent saturated chamber |
| JP4522766B2 (ja) * | 2004-07-02 | 2010-08-11 | 株式会社シンク・ラボラトリー | 感光膜塗布装置及び製版工場 |
| JP4999415B2 (ja) | 2006-09-29 | 2012-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理装置の用力供給装置及び基板処理装置の用力供給方法 |
| MX2009012143A (es) * | 2007-05-23 | 2010-03-01 | Tokuyama Corp | Dispositivo para recubrimiento de lentes. |
| CN100451905C (zh) * | 2007-08-10 | 2009-01-14 | 杭州亿恒科技有限公司 | 可编程温湿度控制器 |
| JP5306300B2 (ja) * | 2010-09-15 | 2013-10-02 | 株式会社東芝 | 成膜装置及び成膜方法 |
-
1989
- 1989-03-07 KR KR1019890002771A patent/KR0129664B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-08-11 JP JP10237955A patent/JP3112446B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0129664B1 (ko) | 1998-04-06 |
| JPH11135427A (ja) | 1999-05-21 |
| KR890015373A (ko) | 1989-10-30 |
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