JPS6378528A - ウエハベ−ク装置 - Google Patents
ウエハベ−ク装置Info
- Publication number
- JPS6378528A JPS6378528A JP22265086A JP22265086A JPS6378528A JP S6378528 A JPS6378528 A JP S6378528A JP 22265086 A JP22265086 A JP 22265086A JP 22265086 A JP22265086 A JP 22265086A JP S6378528 A JPS6378528 A JP S6378528A
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- JP
- Japan
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- wafer
- heater block
- cover
- baking
- room temperature
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明はウェハベーク装置において、ウェハとヒータブ
ロックとを離すと共に、ウェハを覆うカバーとヒートブ
ロックとを離し、ウェハの下部の周囲を間口とし、ベー
タ済のウェハを室温レベルにまで冷却しうるようにした
ものである。
ロックとを離すと共に、ウェハを覆うカバーとヒートブ
ロックとを離し、ウェハの下部の周囲を間口とし、ベー
タ済のウェハを室温レベルにまで冷却しうるようにした
ものである。
本発明はウェハベーク装置に係り、特に個々の処理を行
なう装置を並べて配してなる半導体製造システム中のウ
ェハベーク装置に関する。
なう装置を並べて配してなる半導体製造システム中のウ
ェハベーク装置に関する。
半導体製造システムは個々の処理を行なう装置が並lυ
で配された構成であり、ウェハは順次次の装置に移送さ
れて処理される。ウェハの処理が遅れてウェハの搬送が
滞った場合にも支障がないように、ウェハベーク装置の
後に持殿のためのステーションが配してあり、半導体製
造システムは大聖となっていた。持様ステーションを省
略できれば半導体IJ 3fiシステムはその分小型化
される。ウェハベーク装置をウェハを持磯可能とする(
111成とすれば、待機ステーションが省略出来、半導
体製造システムは小型化される。
で配された構成であり、ウェハは順次次の装置に移送さ
れて処理される。ウェハの処理が遅れてウェハの搬送が
滞った場合にも支障がないように、ウェハベーク装置の
後に持殿のためのステーションが配してあり、半導体製
造システムは大聖となっていた。持様ステーションを省
略できれば半導体IJ 3fiシステムはその分小型化
される。ウェハベーク装置をウェハを持磯可能とする(
111成とすれば、待機ステーションが省略出来、半導
体製造システムは小型化される。
第4図はウェハ持様機能を有する従来のウェハベーク装
置1の1例を示す。図中、2はヒータ3が組み込まれた
ヒータブロック、4はカバーであり、ヒータブロック2
の上面を覆っている。6はウェハリフタである。
置1の1例を示す。図中、2はヒータ3が組み込まれた
ヒータブロック、4はカバーであり、ヒータブロック2
の上面を覆っている。6はウェハリフタである。
レジスト塗布装置7でレジストが塗布されたウェハ8は
、二点鎖線で示すように、カバー4の開口4aを通って
ベーク装置1内に搬送され、ここで加熱されてベーク(
熱処理)される。レジストに含まれる有機溶剤の気化し
たガスは、ダクト5を通して排気される。ベークが終了
すると、通常、ウェハ8は露光装置9へ搬送される。ウ
ェハが滞っている場合には、ウェハリフタ6が動作し、
ウェハ8は実線で示すようにヒータブロック2の上面よ
り離れて支持され、この状態で待機する。
、二点鎖線で示すように、カバー4の開口4aを通って
ベーク装置1内に搬送され、ここで加熱されてベーク(
熱処理)される。レジストに含まれる有機溶剤の気化し
たガスは、ダクト5を通して排気される。ベークが終了
すると、通常、ウェハ8は露光装置9へ搬送される。ウ
ェハが滞っている場合には、ウェハリフタ6が動作し、
ウェハ8は実線で示すようにヒータブロック2の上面よ
り離れて支持され、この状態で待機する。
ここで、ヒータ3は搬入されたウェハを迅速に加熱する
ために常時通電状態に保たれている。またカバー4は、
効率加熱のため、高さl」が約30mと低く定めである
。
ために常時通電状態に保たれている。またカバー4は、
効率加熱のため、高さl」が約30mと低く定めである
。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このため、ウェハ8のヒータブロック2よりの離間寸法
△は人きくすることは出来ず、カバー5の高さ寸法によ
り制限され例えば約10m++である。
△は人きくすることは出来ず、カバー5の高さ寸法によ
り制限され例えば約10m++である。
しかもウェハ8か依然として閉じた空間の高温雰囲気内
に位置している。従って、待機中のウェハ8の温度は室
温とはならず、ウェハ8はベーク終了後も依然として約
100℃に加熱され続け、レジストに悪影響が生ずるこ
とがあるという問題点があった。
に位置している。従って、待機中のウェハ8の温度は室
温とはならず、ウェハ8はベーク終了後も依然として約
100℃に加熱され続け、レジストに悪影響が生ずるこ
とがあるという問題点があった。
また待機中は、エア10をヒータブロック2の孔11を
通して噴出させて、ウェハ8を冷却する方法も試みられ
ているが、これによってもウェハ8を室温レベルにまで
冷却することは困難であった。しかもこの場合には、ゴ
ミの影響ら無視出来なかった。
通して噴出させて、ウェハ8を冷却する方法も試みられ
ているが、これによってもウェハ8を室温レベルにまで
冷却することは困難であった。しかもこの場合には、ゴ
ミの影響ら無視出来なかった。
本発明はヒータが組み込まれたヒータブロックと、該ヒ
ータブロックの上面を覆うカバーとよりなり、該ヒータ
ブロック上のウェハをベータするウェハベーク装置にお
いて、 ベーク接顔ウェハを持礪させるときに動作し、該ウェハ
と該ヒータブロックとを離すと共に、上記カバーと該ヒ
ータブロックとを離す離間手段を有してなる。
ータブロックの上面を覆うカバーとよりなり、該ヒータ
ブロック上のウェハをベータするウェハベーク装置にお
いて、 ベーク接顔ウェハを持礪させるときに動作し、該ウェハ
と該ヒータブロックとを離すと共に、上記カバーと該ヒ
ータブロックとを離す離間手段を有してなる。
この離間手段により、・ウェハはヒータブロックより蔀
れると共に、下側を全周に亘って間口とされる。この間
口J二り侵入した外部の空気が、べ一り済のウェハを冷
却する。
れると共に、下側を全周に亘って間口とされる。この間
口J二り侵入した外部の空気が、べ一り済のウェハを冷
却する。
(実施例)
第1図及び第2図は夫々本発明の一実施例になるウェハ
ベーク装置20のベーク時及び侍は時の状態を示す。
ベーク装置20のベーク時及び侍は時の状態を示す。
各図中、21はヒータブロックであり、内部にヒータ2
2が組み込まれている。
2が組み込まれている。
23はエアシリンダ24を駆動源とするリフタであり、
ヒータブロック21を?降させる。
ヒータブロック21を?降させる。
25はウェハ支持台であり、ヒータブロック21が下降
したときに、ウェハ26を支持する。
したときに、ウェハ26を支持する。
27はカバーであり、上面又は側面にダクl〜28を有
する。カバー27は両端を支社29の頂部に支持されて
おり、ヒータブロック21の上面を覆っている。
する。カバー27は両端を支社29の頂部に支持されて
おり、ヒータブロック21の上面を覆っている。
リフタ23.ウェハ支持台25及び支柱29が離間手段
を構成する。
を構成する。
30は基台である。
ヒータブロック21は通常はTRしており、ウェハベー
ク装V!120は第1図に示す状態にある。
ク装V!120は第1図に示す状態にある。
またヒータ22は常時通電されている。
第1図中、レジスト塗布装置31でレジストが塗布され
たウェハ26は、カバー27の入口開口27aを通して
ウェハベーク装置20内に搬送され、ヒータブロック2
1上に載置され、この状態で加熱されてベータ(熱処理
)される。レジストより気化したガスはダクト28を通
して排気される。
たウェハ26は、カバー27の入口開口27aを通して
ウェハベーク装置20内に搬送され、ヒータブロック2
1上に載置され、この状態で加熱されてベータ(熱処理
)される。レジストより気化したガスはダクト28を通
して排気される。
所定時間経過してベークが完了すると、ウエハ26は通
常は出口開口27bを通して、露光装置32に搬送され
る。
常は出口開口27bを通して、露光装置32に搬送され
る。
ウェハが滞っている場合には、ベーク完了後に、リフタ
23が動作し、ヒータブロック21が下降して、ウェハ
ベーク装置20は第2図に示す状態となる。即ち、ウェ
ハ26はウェハ支持台25により支持され、カバー27
は支柱2つにより支持されて元の高さ位置に保持され、
ヒータブロック21だ【プが下降し、ウェハ26とヒー
タブロック21とが寸法Bl!aされ、且つカバー27
とヒータブロック21とが同じく寸法B離された状態と
なる。
23が動作し、ヒータブロック21が下降して、ウェハ
ベーク装置20は第2図に示す状態となる。即ち、ウェ
ハ26はウェハ支持台25により支持され、カバー27
は支柱2つにより支持されて元の高さ位置に保持され、
ヒータブロック21だ【プが下降し、ウェハ26とヒー
タブロック21とが寸法Bl!aされ、且つカバー27
とヒータブロック21とが同じく寸法B離された状態と
なる。
このように、カバー27もヒータブロック21より離れ
るため、ヒータブロック21より離されて支持されたウ
ェハ26の下方には全周に亘って開口33が形成され、
外部の空気が矢印34で示すように開口33を通ってカ
バー27内に侵入し、ウェハ26の周囲の雰囲気は室温
となる。また上記寸法Bは、カバー27の高さ寸法によ
っては何ら制限されず、従来の場合より大なる寸法、例
えば約50m++とじである。これにより、第1には上
記間口33が広くなって外部の空気のカバー27への流
入量が多くなり、第2にはウェハ26はヒータブロック
21よりの熱を殆んど受【ノない状態となる。
るため、ヒータブロック21より離されて支持されたウ
ェハ26の下方には全周に亘って開口33が形成され、
外部の空気が矢印34で示すように開口33を通ってカ
バー27内に侵入し、ウェハ26の周囲の雰囲気は室温
となる。また上記寸法Bは、カバー27の高さ寸法によ
っては何ら制限されず、従来の場合より大なる寸法、例
えば約50m++とじである。これにより、第1には上
記間口33が広くなって外部の空気のカバー27への流
入量が多くなり、第2にはウェハ26はヒータブロック
21よりの熱を殆んど受【ノない状態となる。
このため、ウェハ26は室温レベル(例えば30℃)に
まで短時間で冷却され、レジストに悪影響が及ばない状
態で持礪される。
まで短時間で冷却され、レジストに悪影響が及ばない状
態で持礪される。
またカバー27はウェハ26を覆う状態にあるため、冷
却する過程で発生したガスはダクト28を通して正常に
排気される。
却する過程で発生したガスはダクト28を通して正常に
排気される。
露光装置32上よりウェハが移送された後、待機中のウ
ェハ26が露光装置32に搬送される。
ェハ26が露光装置32に搬送される。
その後、リフタ23が動作し、ヒータブロック21が上
界し、ウェハベーク装置20は第1図に示す状態となる
。
界し、ウェハベーク装置20は第1図に示す状態となる
。
第3図は本発明の別の実施例になるウェハベーク装置4
0を示ず。同図中、第1図及び第2図に示す構成部分と
対応する部分には同一符号を付し、その説明は省略する
。このウェハベーク装置40には、ウェハ26を昇降さ
せるリフタ41と、カバー27を昇降させるリフタ42
とが設けである。
0を示ず。同図中、第1図及び第2図に示す構成部分と
対応する部分には同一符号を付し、その説明は省略する
。このウェハベーク装置40には、ウェハ26を昇降さ
せるリフタ41と、カバー27を昇降させるリフタ42
とが設けである。
リフタ41及び42が離間手段を構成する。
べ−り完了後、ウェハ26を待機させる場合には、リフ
タ41,42が同時に動作し、第3図に示すようにウェ
ハ26が上昇してヒータブロック21より離されカバー
27がヒータブロック21より離される。これにより、
ウェハ26は、前記実施例の場合と同様に空温にまで冷
却される。
タ41,42が同時に動作し、第3図に示すようにウェ
ハ26が上昇してヒータブロック21より離されカバー
27がヒータブロック21より離される。これにより、
ウェハ26は、前記実施例の場合と同様に空温にまで冷
却される。
本発明によれば、ベーク装置の個所で、ベーク済のウェ
ハを室温にまで冷却させ、レジストが悪影響を受けない
状態で待機させることが出来る。
ハを室温にまで冷却させ、レジストが悪影響を受けない
状態で待機させることが出来る。
第1図及び第2図は夫々本発明の一実施例になるウェハ
ベーク装置のベーク時及び待機時の状態を示ず図、 第3図は本発明の別の実施例のウェハベーク装置の待機
時の状態を示す図、 第4図は従来のウェハベーク装置の1例の待掘時の状態
を示す図である。 第1図乃至第3図中、 20.40はウェハベーク装置、 21はヒータブロック、 22はヒータ、 23.41.42はりフタ、 25はウェハ支持台、 26はウェハ、 27はカバー、 28はダクト、 33は開口、 34は空気の流れを示す矢印である。 ft埋人 弁理士 井 桁 貞 −1゛1發パ虻の代゛
−7E4の1尺も、と示1団20ウェハ′11″−2装
置
ベーク装置のベーク時及び待機時の状態を示ず図、 第3図は本発明の別の実施例のウェハベーク装置の待機
時の状態を示す図、 第4図は従来のウェハベーク装置の1例の待掘時の状態
を示す図である。 第1図乃至第3図中、 20.40はウェハベーク装置、 21はヒータブロック、 22はヒータ、 23.41.42はりフタ、 25はウェハ支持台、 26はウェハ、 27はカバー、 28はダクト、 33は開口、 34は空気の流れを示す矢印である。 ft埋人 弁理士 井 桁 貞 −1゛1發パ虻の代゛
−7E4の1尺も、と示1団20ウェハ′11″−2装
置
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ヒータ(22)が組み込まれたヒータブロック(21)
と、該ヒータブロック(21)の上面を覆うカバー(2
7)とよりなり、該ヒータブロック(21)上のウェハ
(26)をベークするウェハベーク装置において、 ベーク後該ウェハ(26)を待機させるときに動作し、
該ウエハ(26)と該ヒータブロック(21)とを離す
と共に、上記カバー(27)と該ヒータブロック(21
)とを離す離間手段(23、41、42)を有してなる
ことを特徴とするウェハベーク装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22265086A JPS6378528A (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | ウエハベ−ク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22265086A JPS6378528A (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | ウエハベ−ク装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6378528A true JPS6378528A (ja) | 1988-04-08 |
Family
ID=16785776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22265086A Pending JPS6378528A (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | ウエハベ−ク装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6378528A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02196416A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-03 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置 |
JPH07135171A (ja) * | 1993-05-20 | 1995-05-23 | Tokyo Electron Ltd | 塗膜の処理方法及び処理装置 |
-
1986
- 1986-09-20 JP JP22265086A patent/JPS6378528A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02196416A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-03 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置 |
JPH07135171A (ja) * | 1993-05-20 | 1995-05-23 | Tokyo Electron Ltd | 塗膜の処理方法及び処理装置 |
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